JPH1196929A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
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- JPH1196929A JPH1196929A JP25478497A JP25478497A JPH1196929A JP H1196929 A JPH1196929 A JP H1196929A JP 25478497 A JP25478497 A JP 25478497A JP 25478497 A JP25478497 A JP 25478497A JP H1196929 A JPH1196929 A JP H1196929A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サージの発生を抑えるマグネトロンを提供す
ること。 【解決手段】 円筒状陽極構体11や、フィラメントカ
ソード12、一対のエンドハット18a、18b、この
一対のエンドハット18a、18bに連結されたフィラ
メントカソード支持棒19a、19b、フィラメントカ
ソード12周囲の相互作用空間を挟んで設けられたポー
ルピース14a、14b、前記各部分を収納する真空容
器を陽極構体とともに形成する金属封着体15a、15
b、この金属封着体15a、15bと気密に連結され、
フィラメントカソード支持棒19a、19bが連結され
るステム17とを具備したマグネトロンにおいて、一対
のエンドハット18a、18bのうち入力側に位置する
エンドハット18bおよびポールピース14b間の隙間
G1、G2とステム17とを見通す空間を遮断する遮断
壁Sを設けたことを特徴としている。
ること。 【解決手段】 円筒状陽極構体11や、フィラメントカ
ソード12、一対のエンドハット18a、18b、この
一対のエンドハット18a、18bに連結されたフィラ
メントカソード支持棒19a、19b、フィラメントカ
ソード12周囲の相互作用空間を挟んで設けられたポー
ルピース14a、14b、前記各部分を収納する真空容
器を陽極構体とともに形成する金属封着体15a、15
b、この金属封着体15a、15bと気密に連結され、
フィラメントカソード支持棒19a、19bが連結され
るステム17とを具備したマグネトロンにおいて、一対
のエンドハット18a、18bのうち入力側に位置する
エンドハット18bおよびポールピース14b間の隙間
G1、G2とステム17とを見通す空間を遮断する遮断
壁Sを設けたことを特徴としている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子レンジなど
に使用されるマグネトロンに関する。
に使用されるマグネトロンに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のマグネトロンについて図3の断面
図を参照して説明する。符号31は円筒状の陽極構体
で、陽極構体31の中心部分にらせん状のフィラメント
カソード32が配置されている。陽極構体31とフィラ
メントカソード32間には、複数のベイン33が放射状
に配列されている。また、陽極構体31の上下両端部分
に漏斗状の鉄製ポールピース34a、34bが固定され
ている。ポールピース34a、34bの中央部には透孔
が設けられている。そして、陽極構体31の上下両端部
分に金属封着体35a、35bで気密に接合されてい
る。金属封着体35a、35bは陽極構体31などとと
もに、フィラメントカソード32やポールピース34
a、34bなどの各部分を収納する真空容器を構成して
いる。なお、図の下方に位置する金属封着体35bの端
部にセラミックステム36が気密に接合されている。
図を参照して説明する。符号31は円筒状の陽極構体
で、陽極構体31の中心部分にらせん状のフィラメント
カソード32が配置されている。陽極構体31とフィラ
メントカソード32間には、複数のベイン33が放射状
に配列されている。また、陽極構体31の上下両端部分
に漏斗状の鉄製ポールピース34a、34bが固定され
ている。ポールピース34a、34bの中央部には透孔
が設けられている。そして、陽極構体31の上下両端部
分に金属封着体35a、35bで気密に接合されてい
る。金属封着体35a、35bは陽極構体31などとと
もに、フィラメントカソード32やポールピース34
a、34bなどの各部分を収納する真空容器を構成して
いる。なお、図の下方に位置する金属封着体35bの端
部にセラミックステム36が気密に接合されている。
【0003】フィラメントカソード32の両端はエンド
ハット37a、37bに連結され、エンドハット37
a、37bは、入力端子を構成するフィラメントカソー
ド支持棒38a、38bに接続され、同時に、フィラメ
ントカソード支持棒38a、38bによって支持されて
いる。フィラメントカソード支持棒38a、38bは金
属封着体35bで囲まれた内部空間を通り、セラミック
ステム36の上面に設けられた金属板39a、39bに
連結されている。金属板39a、39bはセラミックス
テム36のメタライズ面に接合され、入力端子を構成す
る外部リード棒40a、40bに連結されている。セラ
ミックステム36部分には、例えば、2つのフィラメン
トカソード支持棒38a、38b間、あるいは、2つの
外部リード棒40a、40b間を絶縁するために、丸印
R内に示したように溝41が形成されている。
ハット37a、37bに連結され、エンドハット37
a、37bは、入力端子を構成するフィラメントカソー
ド支持棒38a、38bに接続され、同時に、フィラメ
ントカソード支持棒38a、38bによって支持されて
いる。フィラメントカソード支持棒38a、38bは金
属封着体35bで囲まれた内部空間を通り、セラミック
ステム36の上面に設けられた金属板39a、39bに
連結されている。金属板39a、39bはセラミックス
テム36のメタライズ面に接合され、入力端子を構成す
る外部リード棒40a、40bに連結されている。セラ
ミックステム36部分には、例えば、2つのフィラメン
トカソード支持棒38a、38b間、あるいは、2つの
外部リード棒40a、40b間を絶縁するために、丸印
R内に示したように溝41が形成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した構成のマグネ
トロンを用いた電子レンジの場合、電源を投入する際、
一般に、コールドスタート方式がとられる。このとき、
陽極電圧は、例えば図4のMのように変化する。図4の
横軸は時間(t)、縦軸は陽極電圧(V)を示してい
る。
トロンを用いた電子レンジの場合、電源を投入する際、
一般に、コールドスタート方式がとられる。このとき、
陽極電圧は、例えば図4のMのように変化する。図4の
横軸は時間(t)、縦軸は陽極電圧(V)を示してい
る。
【0005】時間t1で電源投入が行われ、ある時間経
過した時間t2でマグネトロンが発振を開始する。この
とき、電源投入(t1)から発振開始(t2)までの間
に異常に高い突発的な陽極電圧の尖頭値Eを生じること
がある。この電圧値はサージと呼ばれ、高い時は20K
Vに達する。このようなサージが発生すると、これによ
って電子レンジの回路が破損することがある。
過した時間t2でマグネトロンが発振を開始する。この
とき、電源投入(t1)から発振開始(t2)までの間
に異常に高い突発的な陽極電圧の尖頭値Eを生じること
がある。この電圧値はサージと呼ばれ、高い時は20K
Vに達する。このようなサージが発生すると、これによ
って電子レンジの回路が破損することがある。
【0006】サージが発生する理由としては、例えば、
マグネトロンが発振開始するまでの時点で、フィラメン
トカソ一ドから出た電子e(図3)の一部が安定発振せ
ずに迷走し、点線矢印Yのようにポールピースの透孔と
エンドハットの隙間を通り、セラミックステム36に形
成された溝41の部分など2次電子放出率の高い境界面
に溜まり、それらが蓄積されて放電するためと考えられ
ている。
マグネトロンが発振開始するまでの時点で、フィラメン
トカソ一ドから出た電子e(図3)の一部が安定発振せ
ずに迷走し、点線矢印Yのようにポールピースの透孔と
エンドハットの隙間を通り、セラミックステム36に形
成された溝41の部分など2次電子放出率の高い境界面
に溜まり、それらが蓄積されて放電するためと考えられ
ている。
【0007】本発明は、上記した欠点を解決し、サージ
の発生を抑えるマグネトロンを提供することを目的とす
る。
の発生を抑えるマグネトロンを提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、円筒状の陽
極構体と、この陽極構体で囲まれた空間部分に配置され
たフィラメントカソードと、このフィラメントカソード
の両端部が連結された一対のエンドハットと、この一対
のエンドハットが支持されたフィラメントカソード支持
棒と、前記フィラメントカソード周囲の相互作用空間を
挟んで設けられたポールピースと、前記フィラメントカ
ソードおよび前記フィラメントカソード支持棒、前記エ
ンドハット、前記ポールピースの各部分を収納する真空
容器を前記陽極構体とともに形成する金属封着体と、こ
の金属封着体に気密に連結され、前記フィラメントカソ
ード支持棒が接続される金属層が設けられたステムとを
具備したマグネトロンにおいて、前記一対のエンドハッ
トのうち入力側に位置するエンドハットおよび前記ポー
ルピース間の隙間と前記ステムとを結ぶ空間を遮断する
遮断壁を設けたことを特徴としている。
極構体と、この陽極構体で囲まれた空間部分に配置され
たフィラメントカソードと、このフィラメントカソード
の両端部が連結された一対のエンドハットと、この一対
のエンドハットが支持されたフィラメントカソード支持
棒と、前記フィラメントカソード周囲の相互作用空間を
挟んで設けられたポールピースと、前記フィラメントカ
ソードおよび前記フィラメントカソード支持棒、前記エ
ンドハット、前記ポールピースの各部分を収納する真空
容器を前記陽極構体とともに形成する金属封着体と、こ
の金属封着体に気密に連結され、前記フィラメントカソ
ード支持棒が接続される金属層が設けられたステムとを
具備したマグネトロンにおいて、前記一対のエンドハッ
トのうち入力側に位置するエンドハットおよび前記ポー
ルピース間の隙間と前記ステムとを結ぶ空間を遮断する
遮断壁を設けたことを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図1
を参照して説明する。符号11は円筒状の陽極構体で、
陽極構体11の中心部分にらせん状のフィラメントカソ
ード12が設けられている。陽極構体11とフィラメン
トカソード12間には、複数のベイン13が放射状に配
列されている。また、陽極構体11の上下両端部分に
は、フィラメントカソード12周囲の相互作用空間を挟
むように漏斗状の鉄製ポールピース14a、14bが固
定されている。ポールピース14a、14bの中央部に
は透孔が設けられている。そして、陽極構体11の上下
両端部分には、それぞれ金属封着体15a、15bが気
密に接合されている。
を参照して説明する。符号11は円筒状の陽極構体で、
陽極構体11の中心部分にらせん状のフィラメントカソ
ード12が設けられている。陽極構体11とフィラメン
トカソード12間には、複数のベイン13が放射状に配
列されている。また、陽極構体11の上下両端部分に
は、フィラメントカソード12周囲の相互作用空間を挟
むように漏斗状の鉄製ポールピース14a、14bが固
定されている。ポールピース14a、14bの中央部に
は透孔が設けられている。そして、陽極構体11の上下
両端部分には、それぞれ金属封着体15a、15bが気
密に接合されている。
【0010】なお、図の上方に位置する金属封着体15
aの筒状部分には出力端子16が通り、出力端子16は
出力部を構成する出力アンテナ(図示せず)に接続され
ている。図の下方に位置する金属封着体15bの端部に
はセラミックステム17が気密に接合されている。
aの筒状部分には出力端子16が通り、出力端子16は
出力部を構成する出力アンテナ(図示せず)に接続され
ている。図の下方に位置する金属封着体15bの端部に
はセラミックステム17が気密に接合されている。
【0011】なお、フィラメントカソード12の両端は
それぞれ、エンドハット18a、18bに連結されてい
る。図の下方に位置するエンドハット18bの入力側の
端部は、漏斗状をしたポールピース14bの透孔部周辺
の下面よりも下方に位置し、その端部に遮断壁Sが鍔状
に形成されている。また、遮断壁Sの縁部分には図の上
方、即ち、出力側方向に折れ曲がった屈曲部S1が設け
られている。この場合、エンドハット18bの入力側の
端部は、屈曲部S1を設けてもその先端がポールピース
14bに接触しないような位置に設定されている。
それぞれ、エンドハット18a、18bに連結されてい
る。図の下方に位置するエンドハット18bの入力側の
端部は、漏斗状をしたポールピース14bの透孔部周辺
の下面よりも下方に位置し、その端部に遮断壁Sが鍔状
に形成されている。また、遮断壁Sの縁部分には図の上
方、即ち、出力側方向に折れ曲がった屈曲部S1が設け
られている。この場合、エンドハット18bの入力側の
端部は、屈曲部S1を設けてもその先端がポールピース
14bに接触しないような位置に設定されている。
【0012】また、2つのエンドハット18a、18b
は、入力端子を構成するフィラメントカソード支持棒1
9a、19bに連結され、同時に、フィラメントカソー
ド支持棒19a、19bと電気的に接続されている。フ
ィラメントカソード支持棒19bは金属封着体15bの
筒状部分の内部空間を通り、セラミックステム17の上
面に設けられた金属層部分、例えば金属板20a、20
bに連結されている。金属板20a、20bはセラミッ
ク17に形成されたメタライズ面に接合されている。金
属板20a、20bは、また、セラミックステム17を
貫通し、点線で示された入力端子を構成する外部リード
棒21a、21bに連結されている。
は、入力端子を構成するフィラメントカソード支持棒1
9a、19bに連結され、同時に、フィラメントカソー
ド支持棒19a、19bと電気的に接続されている。フ
ィラメントカソード支持棒19bは金属封着体15bの
筒状部分の内部空間を通り、セラミックステム17の上
面に設けられた金属層部分、例えば金属板20a、20
bに連結されている。金属板20a、20bはセラミッ
ク17に形成されたメタライズ面に接合されている。金
属板20a、20bは、また、セラミックステム17を
貫通し、点線で示された入力端子を構成する外部リード
棒21a、21bに連結されている。
【0013】なお、セラミックステム17部分には、例
えば、2つのフィラメントカソード支持棒19a、19
b間、あるいは、2つの外部リード棒21a、21b間
を絶縁するために溝22が形成されている。
えば、2つのフィラメントカソード支持棒19a、19
b間、あるいは、2つの外部リード棒21a、21b間
を絶縁するために溝22が形成されている。
【0014】上記した構成によれば、マグネトロンに対
して電源を投入した後、発振が安定するまでの間に、フ
ィラメントカソード12から出て迷走した電子がポール
ピース14b中央の透孔部分とエンドハット18bとの
隙間G1、G2を通過しても、これらの電子はエンドハ
ット18bの遮断壁S部分で遮断される。このため、セ
ラミックステム17の溝22部分には到達しない。この
結果、溝22部分における電子の蓄積がなくなり、電源
投入から発振開始までの間に生じるサージの発生が抑え
られる。これによって電子レンジの回路破損を防止でき
る。また、遮断壁Sの縁部分に屈曲部S1があるため、
セラミックステム17方向に進む電子をより確実に遮断
することができる。
して電源を投入した後、発振が安定するまでの間に、フ
ィラメントカソード12から出て迷走した電子がポール
ピース14b中央の透孔部分とエンドハット18bとの
隙間G1、G2を通過しても、これらの電子はエンドハ
ット18bの遮断壁S部分で遮断される。このため、セ
ラミックステム17の溝22部分には到達しない。この
結果、溝22部分における電子の蓄積がなくなり、電源
投入から発振開始までの間に生じるサージの発生が抑え
られる。これによって電子レンジの回路破損を防止でき
る。また、遮断壁Sの縁部分に屈曲部S1があるため、
セラミックステム17方向に進む電子をより確実に遮断
することができる。
【0015】また、遮断壁Sや屈曲部S1をエンドハッ
ト18bの部分に設けている。この場合、管内の構造を
変更することなく遮断壁Sや屈曲部S1を配置できる。
また、遮断壁Sや屈曲部S1をエンドハット18bの下
端部に設けている。したがって、エンドハット18bの
例えば管軸方向の長さを少し長めにするなどすれば、遮
断壁Sや屈曲部S1とポールピース14bとの間隔を大
きくでき、サージの発生を防止できる。なお、エンドハ
ット18b、あるいはその遮断壁S部分を2次電子放出
率が低い金属材料で構成すれば、電子の増発や蓄積がな
くなり、サージの発生をより確実に抑えることができ
る。
ト18bの部分に設けている。この場合、管内の構造を
変更することなく遮断壁Sや屈曲部S1を配置できる。
また、遮断壁Sや屈曲部S1をエンドハット18bの下
端部に設けている。したがって、エンドハット18bの
例えば管軸方向の長さを少し長めにするなどすれば、遮
断壁Sや屈曲部S1とポールピース14bとの間隔を大
きくでき、サージの発生を防止できる。なお、エンドハ
ット18b、あるいはその遮断壁S部分を2次電子放出
率が低い金属材料で構成すれば、電子の増発や蓄積がな
くなり、サージの発生をより確実に抑えることができ
る。
【0016】次に、この発明の他の実施形態について図
2を参照して説明する。図2では、図1に対応する部分
には同一の符号を付し、重複する説明を一部省略する。
2を参照して説明する。図2では、図1に対応する部分
には同一の符号を付し、重複する説明を一部省略する。
【0017】図1の実施形態では、エンドハット18b
の遮断壁Sの縁部分に屈曲部S1を設けている。この実
施形態の場合、遮断壁S部分が平坦に構成されている。
この場合も、遮断壁S部分が、エンドハット18bおよ
びポールピース14b間の隙間G1、G2とセラミック
ステム17とを見通す空間を遮断している。このため、
セラミックステム17部分における電子の蓄積を抑える
ことができ、サージの発生を抑えることができる。
の遮断壁Sの縁部分に屈曲部S1を設けている。この実
施形態の場合、遮断壁S部分が平坦に構成されている。
この場合も、遮断壁S部分が、エンドハット18bおよ
びポールピース14b間の隙間G1、G2とセラミック
ステム17とを見通す空間を遮断している。このため、
セラミックステム17部分における電子の蓄積を抑える
ことができ、サージの発生を抑えることができる。
【0018】上記した各実施形態では、遮断壁Sや屈曲
部S1がエンドハット18bと同じ材料を用い一体に構
成されている。このような一体構造とすることにより、
遮断壁Sや屈曲部S1の設置が容易になる。しかし、遮
断壁Sや屈曲部S1をエンドハット18bとは異なる材
料を使用し、これら遮断壁Sや屈曲部S1の各部分をエ
ンドハット18bに接合する構造にすることもできる。
また、遮断壁Sや屈曲部S1には金属以外の材料を使用
することもできる。
部S1がエンドハット18bと同じ材料を用い一体に構
成されている。このような一体構造とすることにより、
遮断壁Sや屈曲部S1の設置が容易になる。しかし、遮
断壁Sや屈曲部S1をエンドハット18bとは異なる材
料を使用し、これら遮断壁Sや屈曲部S1の各部分をエ
ンドハット18bに接合する構造にすることもできる。
また、遮断壁Sや屈曲部S1には金属以外の材料を使用
することもできる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、サージの発生を抑える
マグネトロンを実現できる。
マグネトロンを実現できる。
【図1】本発明の実施の形態を説明するための概略の断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の他の実施形態を説明するための概略の
断面図である。
断面図である。
【図3】従来例を説明するための概略の断面図である。
【図4】電子レンジで発生するサージを説明する測定図
である。
である。
11…陽極構体 12…フィラメントカソード 13…ベイン 14a、14b…ポールピース 15a、15b…金属封着体 16…出力端子 17…セラミックステム 18a、18b…エンドハット 19a、19b…フィラメントカソード支持棒 20a、20b…金属板 21a、21b…外部リード棒 22…溝 G1、G2…エンドハットとポールピース間の隙間 S…遮断壁
Claims (4)
- 【請求項1】 円筒状の陽極構体と、この陽極構体で囲
まれた空間部分に配置されたフィラメントカソードと、
このフィラメントカソードの両端部が連結された一対の
エンドハットと、この一対のエンドハットが支持された
フィラメントカソード支持棒と、前記フィラメントカソ
ード周囲の相互作用空間を挟んで設けられたポールピー
スと、前記フィラメントカソードおよび前記フィラメン
トカソード支持棒、前記エンドハット、前記ポールピー
スの各部分を収納する真空容器を前記陽極構体とともに
形成する金属封着体と、この金属封着体に気密に連結さ
れ、前記フィラメントカソード支持棒が接続される金属
層が設けられたステムとを具備したマグネトロンにおい
て、前記一対のエンドハットのうち入力側に位置するエ
ンドハットおよび前記ポールピース間の隙間と前記ステ
ムとを結ぶ空間を遮断する遮断壁を設けたことを特徴と
するマグネトロン。 - 【請求項2】 遮断壁が、一対のエンドハットのうち入
力側に位置するエンドハットの入力側端部に鍔状部分と
して形成された請求項1記載のマグネトロン。 - 【請求項3】 遮断壁が、2次電子放出率の低い金属で
形成された請求項1または請求項2記載のマグネトロ
ン。 - 【請求項4】 遮断壁の端縁が入力側と反対方向に折り
曲げられている請求項1または請求項2記載のマグネト
ロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9254784A JP3069065B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9254784A JP3069065B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196929A true JPH1196929A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3069065B2 JP3069065B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17269842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9254784A Expired - Lifetime JP3069065B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3069065B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774568B2 (en) | 2002-11-21 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron for microwave oven |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP9254784A patent/JP3069065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774568B2 (en) | 2002-11-21 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron for microwave oven |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3069065B2 (ja) | 2000-07-24 |
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