JPH1197660A5 - 半導体装置及びその作製方法、並びにデジタルスチルカメラ - Google Patents

Description

〔実施の形態１〕図１は、本発明の実施の形態を示す図である。図１（Ａ）において、基板１０００は、石英、合成石英、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラスなどの絶縁表面を有する基板１０００である。その上に、ゲート電極１００１、ゲート絶縁膜１００２、チャネル形成領域１００３、ドレイン領域１００４、ソース領域１００５からなる薄膜トランジスタが形成されている。薄膜半導体材料としては、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどを用いてチャネル形成領域１００３、ドレイン領域１００４、ソース領域１００５を形成する。

Claims (19)

1. 絶縁表面を有する基板上に、
   ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ドレイン領域、ソース領域からなる薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタ上の光電変換装置が積層して形成され、
   前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換装置は前記基板上にマトリクス状に配置されてなる半導体装置であって、
   前記薄膜トランジスタに接続する信号線と前記光電変換装置の下部電極の間には、導電性材料で形成されたシールドが設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面を有する基板上に、
   ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ドレイン領域、ソース領域からなる薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタ上の光電変換装置が積層して形成され、
   前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換装置は前記基板上にマトリクス状に配置されてなる半導体装置であって、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換装置の間には、導電性材料で形成されたシールドが設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁表面を有する基板上に、
   ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ドレイン領域、ソース領域からなる薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタ上の光電変換装置が積層して形成され、
   前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換装置は前記基板上にマトリクス状に配置されてなる半導体装置であって、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換装置は、当該薄膜トランジスタと当該光電変換装置の間に平坦化膜を有して積層されており、
   前記薄膜トランジスタに接続する信号線と前記光電変換装置の間の前記平坦化膜上には、導電性材料で形成されたシールドが設けられていることを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁表面を有する基板上に、
   ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ドレイン領域、ソース領域からなる薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタ上の光電変換装置が積層して形成され、
   前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換装置は前記基板上にマトリクス状に配置されてなる半導体装置であって、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換装置は、当該薄膜トランジスタと当該光電変換装置の間に平坦化膜を有して積層されており、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換装置の間の前記平坦化膜上には、導電性材料で形成されたシールドが設けられていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３または４において、前記平坦化膜は有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項において、前記導電性材料はアルミニウム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、酸化インジウム、ＩＴＯのいずれかを含むものであることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項において、前記光電変換装置の光電変換層は水素化非晶質 シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項において、前記シールドは、接地電位または電源電位に接続されていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項において、前記基板は石英、合成石英、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラスであることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項において、前記ゲート電極は、不純物がヘビードープされた半導体あるいは、アルミニウム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンのいずれかを用いることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項において、前記ゲート絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜のいずれかの単層、または積層であることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項において、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか１項の半導体装置を具備するデジタルスチルカメラ。
14. 絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジスタと光電変換装置とが積層して形成され、且つ前記薄膜トランジスタ及び光電変換装置は前記基板上にマトリクス状に配置される半導体装置の作製方法であって、
    絶縁表面を有する基板上に、
    ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ドレイン領域、ソース領域からなる薄膜トランジスタを形成し、
    前記薄膜トランジスタ上に、第１の層間膜を形成し、
    前記第１の層間膜上に、前記ドレイン領域に接続された信号線を形成し、
    前記信号線及び前記第１の層間膜を覆って、第２の層間膜を形成し、
    前記第２の層間膜上に導電性材料でなるシールドを形成し、
    前記シールド上に第３の層間膜を形成し、
    前記ソース領域に接続するためのコンタクトホールを形成し、
    前記第３の層間絶縁膜上、及び前記コンタクトホールに光電変換装置の下部電極を形成し、
    前記下部電極上に光電変換層を形成し、
    前記光電変換層上に前記光電変換装置の上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１４において、前記第２の層間膜は有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１４または１５において、前記導電性材料は、アルミニウム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、酸化インジウム、ＩＴＯのいずれかを含むものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１４乃至１６のいずれか１項において、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 請求項１４乃至１７のいずれか１項において、前記シールドは、前記信号線上に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
19. 請求項１４乃至１７のいずれか１項において、前記シールドは、前記薄膜トランジスタ上を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。