JPS58100426A - Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法Info
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- JPS58100426A JPS58100426A JP56198861A JP19886181A JPS58100426A JP S58100426 A JPS58100426 A JP S58100426A JP 56198861 A JP56198861 A JP 56198861A JP 19886181 A JP19886181 A JP 19886181A JP S58100426 A JPS58100426 A JP S58100426A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、Ｘ線露光に用いられるｘｓｇ光用マスクおよ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
発明の技術的背景とその問題点
近時、半導体素子の微細加工技術として光、電子線或い
はＸ線を利用した各種の露光法が開発されている。そし
て、これらのうちで特にＸ線露光法はサブミクロンの微
細加工に好適するものとして注目されている。ところが
、ＸＩｍ！露光法にはそのマスク構造に関し以下に示す
ような解決すべき問題が残っている。
はＸ線を利用した各種の露光法が開発されている。そし
て、これらのうちで特にＸ線露光法はサブミクロンの微
細加工に好適するものとして注目されている。ところが
、ＸＩｍ！露光法にはそのマスク構造に関し以下に示す
ような解決すべき問題が残っている。
第１図は従来のＸ１ｍ露光用マスクの概略構造を示す断
面図であるａＸ＠透過率の高い薄膜基板１０表面にＸ線
吸収部材、例えば金からなるマスクツ母ターン２が形成
されている。また、薄膜基板１の裏面には同基板１を固
定保持する枠体３が取着されている。ここで、上記薄膜
基板１は、Ｘ＠０透過率の高いことが不可決でその厚さ
を数〔μｍ〕以下にする必要がアル、一般に酸化ケイ素
や窒化ケイ素等の無機物で形成されている。このため、
薄膜基板１の強度が小さく、その面積を数〔−口〕以上
に広くすることはできない、また、大面積を得ようとす
ると前記枠体３を数〔−口〕間隔毎に設ける必要があ〕
、構造の複雑化を招くｄさらに、枠体３０部分はＸ線露
光に利用できないので、全体の面積に比して有効利用で
きる面積が狭くなる等の問題がありた。
面図であるａＸ＠透過率の高い薄膜基板１０表面にＸ線
吸収部材、例えば金からなるマスクツ母ターン２が形成
されている。また、薄膜基板１の裏面には同基板１を固
定保持する枠体３が取着されている。ここで、上記薄膜
基板１は、Ｘ＠０透過率の高いことが不可決でその厚さ
を数〔μｍ〕以下にする必要がアル、一般に酸化ケイ素
や窒化ケイ素等の無機物で形成されている。このため、
薄膜基板１の強度が小さく、その面積を数〔−口〕以上
に広くすることはできない、また、大面積を得ようとす
ると前記枠体３を数〔−口〕間隔毎に設ける必要があ〕
、構造の複雑化を招くｄさらに、枠体３０部分はＸ線露
光に利用できないので、全体の面積に比して有効利用で
きる面積が狭くなる等の問題がありた。
一方、前記無機物からなる薄膜基板１の代りに、第２図
に示す如く有機物からなる薄膜基板４を用いると、枠体
Ｓを多数個設けることなく大面積を実現できるが、有機
膜がゆえにマスク寸法が不安定になると言う問題がある
。この問題は、サブ電クロンの精度を要求される微細加
工にＴｏりては致命的碌欠点となる。ｔた、第１図およ
び第２図のいずれに示したマスクも、その製造工程が複
雑であった。
に示す如く有機物からなる薄膜基板４を用いると、枠体
Ｓを多数個設けることなく大面積を実現できるが、有機
膜がゆえにマスク寸法が不安定になると言う問題がある
。この問題は、サブ電クロンの精度を要求される微細加
工にＴｏりては致命的碌欠点となる。ｔた、第１図およ
び第２図のいずれに示したマスクも、その製造工程が複
雑であった。
発明の目的
本発９１は上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、多数の枠体を設けることなく薄膜基
板の大面積化をはかシ得て、かつ寸法安定性の向上をも
はか９得るＸ線露光用マスクを提供することＫＴｏる。
的とするところは、多数の枠体を設けることなく薄膜基
板の大面積化をはかシ得て、かつ寸法安定性の向上をも
はか９得るＸ線露光用マスクを提供することＫＴｏる。
本発明の他の目的は、上記した薄膜基板の大面積化およ
び寸法安定性の向上を実現し得るＸ線露光用マスクを容
易に形成することのできるＸ線露光用マスクの製造方法
を提供することにある。
び寸法安定性の向上を実現し得るＸ線露光用マスクを容
易に形成することのできるＸ線露光用マスクの製造方法
を提供することにある。
発明の概要
本発明の骨子は大面積の場合寸法安定性に問題を生じる
有機膜基板を格子状の金属膜で機械的に補強することに
ある。すなわち本発明は、少なくとも一部に格子形状を
有する金属膜で囲まれた中空部に有機物質膜を埋め込む
と共に、金属膜表面を上記有機物質膜で被覆し、上記中
空部の有機物質膜にＸ線吸収部材からなるマスクパター
ンを埋め込み、さらに上記金属膜および有機物質膜から
なる平板体の周辺近傍に枠体を取着したものである。
有機膜基板を格子状の金属膜で機械的に補強することに
ある。すなわち本発明は、少なくとも一部に格子形状を
有する金属膜で囲まれた中空部に有機物質膜を埋め込む
と共に、金属膜表面を上記有機物質膜で被覆し、上記中
空部の有機物質膜にＸ線吸収部材からなるマスクパター
ンを埋め込み、さらに上記金属膜および有機物質膜から
なる平板体の周辺近傍に枠体を取着したものである。
また、本発明は、基板の導電性表面に絶縁膜を被着した
のち、この絶縁膜に格子状の溝およびマスク／母ターン
に応じた溝を形成し、次いで、上記基板の導電性表面に
電気メッキを施して上記６壽に金属膜を形成し、次いで
上記絶縁膜を除去したのち上記基板の導電性表面および
金属膜上に有機物質膜を被着し、しかるのち上記基板の
中央部を除去するようにした方法である。
のち、この絶縁膜に格子状の溝およびマスク／母ターン
に応じた溝を形成し、次いで、上記基板の導電性表面に
電気メッキを施して上記６壽に金属膜を形成し、次いで
上記絶縁膜を除去したのち上記基板の導電性表面および
金属膜上に有機物質膜を被着し、しかるのち上記基板の
中央部を除去するようにした方法である。
発明の効果
本発明によれば、有機膜基板を金属膜で機械的に補強し
ているので、有機膜基板の寸法が不安定になることを未
然に防止することができる。
ているので、有機膜基板の寸法が不安定になることを未
然に防止することができる。
このため、薄膜基板の大面積化をはかり得ると共に寸法
安定性の向上をはか〕得る等の効果を奏する。ｔた、製
造方法に関しては特殊な技法を用いることなく極めて容
易に実施することができる。さらに１格子形状を有する
金属膜とｉスフ／４ターンとを同時に形成できるので、
製造工程の簡略化をはかシ得る等の利点もある。
安定性の向上をはか〕得る等の効果を奏する。ｔた、製
造方法に関しては特殊な技法を用いることなく極めて容
易に実施することができる。さらに１格子形状を有する
金属膜とｉスフ／４ターンとを同時に形成できるので、
製造工程の簡略化をはかシ得る等の利点もある。
発明の実施例
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第３図（１） ＃ （ｂ）は本発明の第１の実施例に係
わるＸ線露光用マスクの概略構造を示すもので第３図（
、）は平面図、第３Ｓ６）は同図（ａ）の矢視Ａ−人人
間面図ある０図中１１は格子状に形成された、例えば金
からなる金属膜でＴｏシ、この金属膜１１で囲まれた領
域（中空部）ＫはＸ線透過薄膜基板として作用するポリ
イミド膜からなる有機物質膜１２が埋め込まれておシ、
さらにこれらの上面には上記と同様な有機物質膜１２が
被着されている。そして、これら金属膜１１および有機
物質膜１２からなる円板体の下面周辺部にはＳｌからな
る円環状の枠体１３が取着されている。ま九、上記中空
部ＦＣ埋め込まれた有機物質膜１２には所望ツタターン
に溝が穿たれておシ、これらの溝内に金等が埋め込まれ
マスクツ４／ターン１４が形成されている。
わるＸ線露光用マスクの概略構造を示すもので第３図（
、）は平面図、第３Ｓ６）は同図（ａ）の矢視Ａ−人人
間面図ある０図中１１は格子状に形成された、例えば金
からなる金属膜でＴｏシ、この金属膜１１で囲まれた領
域（中空部）ＫはＸ線透過薄膜基板として作用するポリ
イミド膜からなる有機物質膜１２が埋め込まれておシ、
さらにこれらの上面には上記と同様な有機物質膜１２が
被着されている。そして、これら金属膜１１および有機
物質膜１２からなる円板体の下面周辺部にはＳｌからな
る円環状の枠体１３が取着されている。ま九、上記中空
部ＦＣ埋め込まれた有機物質膜１２には所望ツタターン
に溝が穿たれておシ、これらの溝内に金等が埋め込まれ
マスクツ４／ターン１４が形成されている。
このような構造であれば、有機物質膜１２が格子状の金
属膜１１にて機械的に保持されるので、有機物質膜１２
が大面積化してもその寸法安定性を十分に保つことがで
きる。このため、Ｘ線露光用マスクの大面積化および寸
法安定性の向上をはかり得る。
属膜１１にて機械的に保持されるので、有機物質膜１２
が大面積化してもその寸法安定性を十分に保つことがで
きる。このため、Ｘ線露光用マスクの大面積化および寸
法安定性の向上をはかり得る。
次に上記実施例マスクの製造方法について説明する。ま
ず、第４図（、）に示す如く面方位（１００）の４イン
チ径の８１基板２１の表面に厚さ５００〔芙〕の金膜２
２を被着し、この金膜２２上にスノダ、り技術を用いて
厚さ９０００［Ｘ）のシリコン酸化膜（絶縁膜）２３を
被着する。次いで、光露光技術および反応性イオンエツ
チング技術を用いてシリコン酸化膜２３を選択工、チン
グし、第４図（ｂ）に示す如く格子状の＄２４およびマ
スク／臂ターンに応じた溝２５を形成する。
ず、第４図（、）に示す如く面方位（１００）の４イン
チ径の８１基板２１の表面に厚さ５００〔芙〕の金膜２
２を被着し、この金膜２２上にスノダ、り技術を用いて
厚さ９０００［Ｘ）のシリコン酸化膜（絶縁膜）２３を
被着する。次いで、光露光技術および反応性イオンエツ
チング技術を用いてシリコン酸化膜２３を選択工、チン
グし、第４図（ｂ）に示す如く格子状の＄２４およびマ
スク／臂ターンに応じた溝２５を形成する。
次いで、電気メッキ法を用い、第４図（Ｃ）に示す如く
上記６溝１４．２１に金２６を０．８〔励〕の厚さに設
ける。そして、この金２＃から前記金属膜１１番よびマ
スク／臂ターン１４が形成される。
上記６溝１４．２１に金２６を０．８〔励〕の厚さに設
ける。そして、この金２＃から前記金属膜１１番よびマ
スク／臂ターン１４が形成される。
次に弗化アンモニウム溶液を用いて、第４図（ｄ）に示
す如く前記シリコン酸化膜２３を除去する。続いて、金
膜２ｖおよび金２６の各表面にポリイミド膜等の有機物
質膜２Ｆを２〔μｍ〕 の厚さに被着する。しかるのち
、第４図（ｆ）に示す如く前記８１基板２１の中央部を
裏面からエツチングすると共に露出し九金膜２２を除去
する。
す如く前記シリコン酸化膜２３を除去する。続いて、金
膜２ｖおよび金２６の各表面にポリイミド膜等の有機物
質膜２Ｆを２〔μｍ〕 の厚さに被着する。しかるのち
、第４図（ｆ）に示す如く前記８１基板２１の中央部を
裏面からエツチングすると共に露出し九金膜２２を除去
する。
ここで、上記エツチングされずに残った８１基板２１か
ら前記枠体１３が形成される。
ら前記枠体１３が形成される。
かくして前記第３図（、） 、 （ｂ）に示したマスク
が製造されることになる。そしてこの場合、特殊な工程
を要することなく通常の工程を用いるのみでよく、その
実施が容易である。また、前記金属膜１１およびマスク
パターン１４が同時に形成されるので、その工程の簡略
化をもはかり得る。また、以上の工程によシ形成したマ
スクの寸法安定性は、２０で０．１〔μｍ〕以下と良好
な精度を有していた。
が製造されることになる。そしてこの場合、特殊な工程
を要することなく通常の工程を用いるのみでよく、その
実施が容易である。また、前記金属膜１１およびマスク
パターン１４が同時に形成されるので、その工程の簡略
化をもはかり得る。また、以上の工程によシ形成したマ
スクの寸法安定性は、２０で０．１〔μｍ〕以下と良好
な精度を有していた。
鮪５図（＆） 、 （ｂ）は第２の一施例に係わるＸ線
露光用マスクを示すもので第５′図（、）は平面図、第
５図＞）Ｆｉ同図（ａ）の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。な
お、第３図（ａ） 、 （ｂ）と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。また前記マスク
ツヤターン１４は図示していない、この実施例が先に説
明したｘｉの実施例と異なる点は、前記格子状の金属８
１１をマスク中央部にのみ形成したことであり、他は第
１の実施例と同様である。また、その製造方法も同様で
ある。したがって、先の第１の実施例と同様の効果を奏
する。
露光用マスクを示すもので第５′図（、）は平面図、第
５図＞）Ｆｉ同図（ａ）の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。な
お、第３図（ａ） 、 （ｂ）と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。また前記マスク
ツヤターン１４は図示していない、この実施例が先に説
明したｘｉの実施例と異なる点は、前記格子状の金属８
１１をマスク中央部にのみ形成したことであり、他は第
１の実施例と同様である。また、その製造方法も同様で
ある。したがって、先の第１の実施例と同様の効果を奏
する。
第６図（ａ）、伽）は第３の実施例に係わるＸ線露光用
マスクを示すもので、第６図（、）は平面図、第６Ｓ６
）は同図（１）の矢視Ｃ−Ｃ断面図でおる。
マスクを示すもので、第６図（、）は平面図、第６Ｓ６
）は同図（１）の矢視Ｃ−Ｃ断面図でおる。
なお、第３図（ａ） ｓ （ｂ）と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明を省略する。この実施例が
先に説明した第１の実施例と異なる点は、マスク中央部
に格子状の金属膜１１を形成すると共に、そ２の周辺部
を金属ＪＩＩ３１で形成したことである。また、その製
造方法については、先の第１および第２の実施例と一路
同様である。したがりて、先の第１の実施例と同様な効
果を奏するのは勿論である。
号を付して、その詳しい説明を省略する。この実施例が
先に説明した第１の実施例と異なる点は、マスク中央部
に格子状の金属膜１１を形成すると共に、そ２の周辺部
を金属ＪＩＩ３１で形成したことである。また、その製
造方法については、先の第１および第２の実施例と一路
同様である。したがりて、先の第１の実施例と同様な効
果を奏するのは勿論である。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない０例えば、前記金属膜を形成する金の代わりには、
白金その他の重金属を用いることができる。また、前記
絶縁膜は酸化膜に限るものではなく、窒化ケイ素、多結
晶シリコン、窒化ホウ素或いはこれらの複合体でもよい
・また、前記枠体は８１基板に限らず、ガラス基板を用
いてもよい、その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
変形して実施することができる。
ない０例えば、前記金属膜を形成する金の代わりには、
白金その他の重金属を用いることができる。また、前記
絶縁膜は酸化膜に限るものではなく、窒化ケイ素、多結
晶シリコン、窒化ホウ素或いはこれらの複合体でもよい
・また、前記枠体は８１基板に限らず、ガラス基板を用
いてもよい、その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
変形して実施することができる。
第１図および第２図はそれぞれ従来のＸ線露光用マスク
の概略構造を示す断面模式図、第３図（ａ） 、 （ｂ
）は本発明の第１の実施例に係わるＸ線露光用マスクの
概略構造を示す平面図および断面図、第４図（、）〜（
ｆ）１１上記笑施例マスクの製造工程を示す図、第５図
（ａ）、伽）は第２の実施例に係わるｘｍｇ光用光用タ
スク略構造を示す平面図および断面図、第６図（ａ）
、 （ｂ）は第３の実施例を示すＸ線露光用マスクの概
略構造を示す平面図および断面図である。 １１・−金属膜、１２・・・絶縁膜、１３−・・・枠体
、１４・・・マスクパターン、ｊ １−８ｌ基板、２２
゜ｊ Ｊ−・・酸化膜、２４・・・レジストノやターン
、２５・・・金、３１・・・金属膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 （ａ） （【 第５図 （ａ） 第６図 （ａ） １１７
の概略構造を示す断面模式図、第３図（ａ） 、 （ｂ
）は本発明の第１の実施例に係わるＸ線露光用マスクの
概略構造を示す平面図および断面図、第４図（、）〜（
ｆ）１１上記笑施例マスクの製造工程を示す図、第５図
（ａ）、伽）は第２の実施例に係わるｘｍｇ光用光用タ
スク略構造を示す平面図および断面図、第６図（ａ）
、 （ｂ）は第３の実施例を示すＸ線露光用マスクの概
略構造を示す平面図および断面図である。 １１・−金属膜、１２・・・絶縁膜、１３−・・・枠体
、１４・・・マスクパターン、ｊ １−８ｌ基板、２２
゜ｊ Ｊ−・・酸化膜、２４・・・レジストノやターン
、２５・・・金、３１・・・金属膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 （ａ） （【 第５図 （ａ） 第６図 （ａ） １１７
Claims (4)
- （１） 少なくとも一部に格子形状を有する金属膜と
、この金属膜で囲まれた中空部を埋めると共に該金属膜
の表面を被覆して設けられた有機物質膜と、上記中空部
に埋め込んだ有機物質膜に埋め込まれたＸ線吸収部材か
らなるマスク／母ターンと、前記金属膜および有機物質
膜からなる平板体の周辺近傍に取着された枠体とを具備
してなることを特徴とするＸ線露光用マスク。 - （２）前記金属膜は、金或いは白金からなるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光
用マスク。 - （３）基板の導電性表面に絶縁膜を被着する工程と、上
記絶縁膜に格子状の溝およびマスク／４ターンに応じた
溝を形成する工程と、次いで前記基板の導電性表面に電
気メッキを施し上記６溝に金属膜を形成する工程と、次
いで前記絶縁膜を除去する工程と、次いで前記基板の導
電性表面および金属膜上に有機物質膜を被着する工程と
、しかるのち前記基板の中央部を除去する工程とを具備
したことを特徴とするｘｍｇ光用マスクの製造方法。 - （４）前記基板は、導電性の板体からなるもの或いは非
導電性の板体表両に導電膜を被着してなるものである。 ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のＸ線露光
用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198861A JPS58100426A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198861A JPS58100426A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100426A true JPS58100426A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16398134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198861A Pending JPS58100426A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100426A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388823A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線ステツパ−用マスクおよびその製造方法 |
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP56198861A patent/JPS58100426A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388823A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線ステツパ−用マスクおよびその製造方法 |
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
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