JPS58102445A - 電子銃構体における分圧用抵抗器 - Google Patents
電子銃構体における分圧用抵抗器Info
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- JPS58102445A JPS58102445A JP20139981A JP20139981A JPS58102445A JP S58102445 A JPS58102445 A JP S58102445A JP 20139981 A JP20139981 A JP 20139981A JP 20139981 A JP20139981 A JP 20139981A JP S58102445 A JPS58102445 A JP S58102445A
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- JP
- Japan
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- resistor
- electrodes
- glass
- electron gun
- voltage
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極線管の内部に電子銃構体と共に組み込まれ
て、この電子銃構体を*威する所定の電番に所定の電圧
を分圧して供給するための抵抗器に関するものである。
て、この電子銃構体を*威する所定の電番に所定の電圧
を分圧して供給するための抵抗器に関するものである。
本出願人は先に「%願昭53−86507号」により、
カラー陰極線管用電子銃構体に用いられる分圧用抵抗器
を提案した。上記出願による発明では、電子銃構体の近
傍KJII膜抵抗器を配し、この厚膜抵抗器の一端に外
部からアノード電圧を加えると共に所定位置で分圧され
た電圧を電子銃の所定の電極に供給するようにしている
。本発明は上記厚膜抵抗器に関するものであるが、本発
明の鰭明に先立ち、上記出願の実施例についてその概略
を第1〜6図と共に説明する6 第1〜5#lJはトリニトロン(登録商標)方式による
陰極線管lこ適用した場合の実施例を示す。
カラー陰極線管用電子銃構体に用いられる分圧用抵抗器
を提案した。上記出願による発明では、電子銃構体の近
傍KJII膜抵抗器を配し、この厚膜抵抗器の一端に外
部からアノード電圧を加えると共に所定位置で分圧され
た電圧を電子銃の所定の電極に供給するようにしている
。本発明は上記厚膜抵抗器に関するものであるが、本発
明の鰭明に先立ち、上記出願の実施例についてその概略
を第1〜6図と共に説明する6 第1〜5#lJはトリニトロン(登録商標)方式による
陰極線管lこ適用した場合の実施例を示す。
第1図及び1142図において(1)は電子銃、(2)
はガラス製のステム、(3)はステム(2)と一体的な
排気パイプ、(4)はステム(2)に設けた趨子ビン、
GzxGsは夫々円筒状を成し、互いに同軸的に配クリ
された第1〜第5グリツドs (5161は上記グリッ
ドG、〜G5を支持片(71を介して支持するためのビ
ードガラス製の支持体、+81(91はグリッドGsの
フランジQ(Ik権付けた内筒コンバージェンス電極、
aU21は上記支持体(51(61に支持片a3を介し
て支持された外側コンバージェンス電極、Iは上記7ラ
ンジ(IQに一体的に設けられた接片で、後述するよう
にこの電子銃(11が封入される陰極線管のネック部の
内周面に塗布されたカーボン膜に接触するととくより所
定の電圧が加えられる。051はグリッド01〜G、の
鍔面に金属支持片−及びリード1ilI(ハ)で両端を
支持されたセラミック勢の絶縁基板で、その表面には抵
抗体(17)がプリントされ、さらにガラスコートされ
て設けられている。抵抗体αηの一端には電1k (3
0a)が形成され、この電極(30m)とグリッドG、
とが支持片(16+で接続され、このグリッドG11i
とグリッドG。
はガラス製のステム、(3)はステム(2)と一体的な
排気パイプ、(4)はステム(2)に設けた趨子ビン、
GzxGsは夫々円筒状を成し、互いに同軸的に配クリ
された第1〜第5グリツドs (5161は上記グリッ
ドG、〜G5を支持片(71を介して支持するためのビ
ードガラス製の支持体、+81(91はグリッドGsの
フランジQ(Ik権付けた内筒コンバージェンス電極、
aU21は上記支持体(51(61に支持片a3を介し
て支持された外側コンバージェンス電極、Iは上記7ラ
ンジ(IQに一体的に設けられた接片で、後述するよう
にこの電子銃(11が封入される陰極線管のネック部の
内周面に塗布されたカーボン膜に接触するととくより所
定の電圧が加えられる。051はグリッド01〜G、の
鍔面に金属支持片−及びリード1ilI(ハ)で両端を
支持されたセラミック勢の絶縁基板で、その表面には抵
抗体(17)がプリントされ、さらにガラスコートされ
て設けられている。抵抗体αηの一端には電1k (3
0a)が形成され、この電極(30m)とグリッドG、
とが支持片(16+で接続され、このグリッドG11i
とグリッドG。
とがり一ド嶽σ罎で接続されている。菫な抵抗体(17
)の所定位皺には電極(30b)が形成され、この電極
(50b)とグリッドG4とがリード&mで接続されて
いる。さらに電極(30m)から所定の長さ隔った位置
には電極(30c)が形成され、この電1j (30c
)とコンi(−ジエンスミ極ana3とがリードScl
υで接続されている。またさらに抵抗体r1nの他端部
には電極(30d )が形成され、この電極(3[1d
)と端子ビン(41)とがリードlII■で接続され
ている。尚、コンバージェンス電41(Ill(121
は互いに電気的に接続さねている。
)の所定位皺には電極(30b)が形成され、この電極
(50b)とグリッドG4とがリード&mで接続されて
いる。さらに電極(30m)から所定の長さ隔った位置
には電極(30c)が形成され、この電1j (30c
)とコンi(−ジエンスミ極ana3とがリードScl
υで接続されている。またさらに抵抗体r1nの他端部
には電極(30d )が形成され、この電極(3[1d
)と端子ビン(41)とがリードlII■で接続され
ている。尚、コンバージェンス電41(Ill(121
は互いに電気的に接続さねている。
上記構成による電子銃(11は第3図のように陰極線管
のネック部(ハ)内に封入される。このネック部(ハ)
の内周面iζは接片Iが接触するカーボン膜■が形成さ
れており、このカーボン膜(ハ)は図示せずもファンネ
ル部に設けた電圧供給ボタンと電気的に接続され、外部
からこのボタンを介して例えば約30KVの高電圧が加
えられている。
のネック部(ハ)内に封入される。このネック部(ハ)
の内周面iζは接片Iが接触するカーボン膜■が形成さ
れており、このカーボン膜(ハ)は図示せずもファンネ
ル部に設けた電圧供給ボタンと電気的に接続され、外部
からこのボタンを介して例えば約30KVの高電圧が加
えられている。
上記構成によれば、カーボン膜Q41ζこ加えられた高
電圧は接片(14+を介してコンバージェンス電極(8
)(9)及びグリッドGsに加えられる。才たグリッド
G5の電圧はリード*Q9を介してグリッドG、に加え
られると共に、支持片ablを介して抵抗体(1’/I
の一端部に加えられる・これによってコンバージェンス
電極181 (91及びグリッドG、、G、 は同電
位に保たれる・才な抵抗体a71<加えられた電圧は1
点で分圧されてリード!IIQIIを介してコンバージ
ェンス電極antiaに加えられ、さらにb点で分圧さ
れてリードS■を介してグリッドG4に加えられる。こ
t−++ζよってコンバージェンス電極011(121
の電位をコンバージェンス電極181(91の電位より
やや低くシ(例えば29KV)、グリッドG4の電位を
さらに低くする(例えば12KV)ことがで音る。また
抵抗体(17+の他端部はリード線のを介してビン(4
m)に接続さね、このビン(4a)はorf抵抗器(ハ
)を介してアースされている。この可費抵抗器(ハ)は
グリッド04′Ikひコンバージェンス11極(Ill
(121の電位を微調整するために設けられる。尚、グ
リッドG、、G、には所定のビン(4;を介して外部か
ら所定の電圧が夫々加えられる。
電圧は接片(14+を介してコンバージェンス電極(8
)(9)及びグリッドGsに加えられる。才たグリッド
G5の電圧はリード*Q9を介してグリッドG、に加え
られると共に、支持片ablを介して抵抗体(1’/I
の一端部に加えられる・これによってコンバージェンス
電極181 (91及びグリッドG、、G、 は同電
位に保たれる・才な抵抗体a71<加えられた電圧は1
点で分圧されてリード!IIQIIを介してコンバージ
ェンス電極antiaに加えられ、さらにb点で分圧さ
れてリードS■を介してグリッドG4に加えられる。こ
t−++ζよってコンバージェンス電極011(121
の電位をコンバージェンス電極181(91の電位より
やや低くシ(例えば29KV)、グリッドG4の電位を
さらに低くする(例えば12KV)ことがで音る。また
抵抗体(17+の他端部はリード線のを介してビン(4
m)に接続さね、このビン(4a)はorf抵抗器(ハ
)を介してアースされている。この可費抵抗器(ハ)は
グリッド04′Ikひコンバージェンス11極(Ill
(121の電位を微調整するために設けられる。尚、グ
リッドG、、G、には所定のビン(4;を介して外部か
ら所定の電圧が夫々加えられる。
以上によtlFi、接片Iから得られる電圧に基き、こ
の電圧を抵抗体07]で分圧して各電極に加えることに
より、各W+極を所定の電位に保持することができる。
の電圧を抵抗体07]で分圧して各電極に加えることに
より、各W+極を所定の電位に保持することができる。
尚、本実施例では抵抗体(171からコンバージェンス
電圧とフォーカス電圧とを抵抗分割で取り出しているが
、コンバージェンス電圧のみまたはフォーカス電圧のみ
を取り出すようにしてもよい。コンバージェンス電圧の
みを取り出す場合の一例としては、グリッドG4への給
電を抵抗体(171からではなく、従来のように端子ビ
ン(4)から0ないし5KVの電圧を供給することによ
り行わわる場合がある。
電圧とフォーカス電圧とを抵抗分割で取り出しているが
、コンバージェンス電圧のみまたはフォーカス電圧のみ
を取り出すようにしてもよい。コンバージェンス電圧の
みを取り出す場合の一例としては、グリッドG4への給
電を抵抗体(171からではなく、従来のように端子ビ
ン(4)から0ないし5KVの電圧を供給することによ
り行わわる場合がある。
またフォーカス電圧のみを増り出す場合はコンバージェ
ンス電極のない場合であって、トリニトロン方式以外の
陰極線管に対しても適用される。
ンス電極のない場合であって、トリニトロン方式以外の
陰極線管に対しても適用される。
この場合については第1図のコンiく−ジエンスミ極1
8+ +910υazのないものを考えわばよい。
8+ +910υazのないものを考えわばよい。
以上によれば、カーボン膜c!4)に高1圧を供給する
ために、陰極線管のファンネル部に簡単な構造のアノー
ドボタンを1個設けるだけでよく、従来用いられていた
同軸ボタンを用いる必要がなくなる。Iた従来性われて
いた管内のケーブル配憩工根も省略でき、組立て作業を
容易に行うことができる勢の効果か得られる0 次iこ分圧用の厚膜抵抗器について述べる。
ために、陰極線管のファンネル部に簡単な構造のアノー
ドボタンを1個設けるだけでよく、従来用いられていた
同軸ボタンを用いる必要がなくなる。Iた従来性われて
いた管内のケーブル配憩工根も省略でき、組立て作業を
容易に行うことができる勢の効果か得られる0 次iこ分圧用の厚膜抵抗器について述べる。
厚膜抵抗器は第1W!J及び第2図に示すように、基板
051に抵抗体(171及U 1K ’I1M (30
a) 〜(30d) ヲ形成した構造を有している。こ
のよう番こ陰極線管の内部に組み込まれて使用される抵
抗体fiηの材料に要求される条件としては、(II、
1liiik耐えること、(2)、気化量の少いとと
i31%スパッタリングの少いこと、(41,抵抗値便
化の少いこと、等である・(11については、陰極線管
の製造工Iff(おけるフリットシールやノッキング時
の高温によるガスの放出に基く、真空度の低下が重要な
問題となる。
051に抵抗体(171及U 1K ’I1M (30
a) 〜(30d) ヲ形成した構造を有している。こ
のよう番こ陰極線管の内部に組み込まれて使用される抵
抗体fiηの材料に要求される条件としては、(II、
1liiik耐えること、(2)、気化量の少いとと
i31%スパッタリングの少いこと、(41,抵抗値便
化の少いこと、等である・(11については、陰極線管
の製造工Iff(おけるフリットシールやノッキング時
の高温によるガスの放出に基く、真空度の低下が重要な
問題となる。
フリットシールの工程では、430t:’位で加熱が行
われるが、この加熱によるガスの発生が少いこ々が必要
である。才たノッキング工程では電子銃の組立て完了後
に、コンバージェンス電極と端子ビンとの間に、定格の
2〜3倍である50〜60KVの高圧パルスを印加して
、各グリッドG、〜G。
われるが、この加熱によるガスの発生が少いこ々が必要
である。才たノッキング工程では電子銃の組立て完了後
に、コンバージェンス電極と端子ビンとの間に、定格の
2〜3倍である50〜60KVの高圧パルスを印加して
、各グリッドG、〜G。
間で放電を生じさせることkよって、円筒状グリッドの
エツジに不責に形成された細かい](りを取り除くよう
にしている。上記の高圧は抵抗体a7+にも加えられる
ことになり、このため抵抗体aDには、その抵抗1[R
と電流■とによるL2Rに甚く高熱が発生する。この熱
によって抵抗体a9が変質して抵抗wLRが変化したり
、ガスを放出したりしないようにすることが必要である
・抵抗値Rは300〜1000Jに選ばれるが、その安
定度に厳しい稍縦を要求される。この他に重要な問題と
して、ノッキングによる高電界によって生じる沿面放電
のために抵抗体anのパターン間でスパッタリングが生
じ、このために抵抗値Rが変化したり、スパッター物質
が電子銃に対して悪影会を及ばずので、とわを防止する
ことが必要である。
エツジに不責に形成された細かい](りを取り除くよう
にしている。上記の高圧は抵抗体a7+にも加えられる
ことになり、このため抵抗体aDには、その抵抗1[R
と電流■とによるL2Rに甚く高熱が発生する。この熱
によって抵抗体a9が変質して抵抗wLRが変化したり
、ガスを放出したりしないようにすることが必要である
・抵抗値Rは300〜1000Jに選ばれるが、その安
定度に厳しい稍縦を要求される。この他に重要な問題と
して、ノッキングによる高電界によって生じる沿面放電
のために抵抗体anのパターン間でスパッタリングが生
じ、このために抵抗値Rが変化したり、スパッター物質
が電子銃に対して悪影会を及ばずので、とわを防止する
ことが必要である。
以上のような要求を実用上満足できるものとして、本実
施例では抵抗体(171の材料としてRLJO2−ガラ
ス系を用いている。−例として悔珪酸ガラスを結合剤と
し、これ婆こ&I02粉末とTI、Al2O,勢の添加
剤とを加え、さらにエチルセルロース等の有機バインダ
とBOA勢の溶剤で混合、fjt押してペースト化した
ものが用いられる。基板aa+とじては、90〜97−
のアルミナから成るものが用いられる。この基板上に拗
02−ガラス糸ペーストをスクリーン印刷法により、第
1m及び第2図のよう務こジグザグ状あるいは波状に形
成する。次に750〜850Cで40〜60分焼成する
ことにより、抵抗体anを得ることができる。尚、Ru
O2−ガラス系ねる。焼成後における抵抗体071の膜
厚は10〜15μmである。
施例では抵抗体(171の材料としてRLJO2−ガラ
ス系を用いている。−例として悔珪酸ガラスを結合剤と
し、これ婆こ&I02粉末とTI、Al2O,勢の添加
剤とを加え、さらにエチルセルロース等の有機バインダ
とBOA勢の溶剤で混合、fjt押してペースト化した
ものが用いられる。基板aa+とじては、90〜97−
のアルミナから成るものが用いられる。この基板上に拗
02−ガラス糸ペーストをスクリーン印刷法により、第
1m及び第2図のよう務こジグザグ状あるいは波状に形
成する。次に750〜850Cで40〜60分焼成する
ことにより、抵抗体anを得ることができる。尚、Ru
O2−ガラス系ねる。焼成後における抵抗体071の膜
厚は10〜15μmである。
次に電極(30a)〜(30d)について述べる。
一般に斯種厚膜抵抗器の電極材料としては、抵抗体α9
の場合と同様に前記(11〜(4:で述べた条件力S要
求される。本実施例では電極材料として、抵抗比が抵抗
体Q71よりも高く、面積抵抗が低l/Nものを用いて
いる。第4図A%Bは厚膜抵抗器の第1の実施例を示す
ものであり、以下その製造方法を述べる。
の場合と同様に前記(11〜(4:で述べた条件力S要
求される。本実施例では電極材料として、抵抗比が抵抗
体Q71よりも高く、面積抵抗が低l/Nものを用いて
いる。第4図A%Bは厚膜抵抗器の第1の実施例を示す
ものであり、以下その製造方法を述べる。
先ず、アルミナ基@ 051 ic R55O2−ガラ
ス糸ペーストをスクリーン印刷により塗布し、電極(3
(Im)〜(3(Jd)を所定形状に形成する。ガラス
ペーストとれる。次に)luo 2−ガラス系ペースト
の面積抵抗の高いものを各電極間ζζ図示のような波状
に塗布して、抵抗体aηを形成する。この場合各電極(
30a )〜(30d)の互いに対向する縁部が若干覆
われるようなガードパターン(31g)〜(31f)が
設けられる。
ス糸ペーストをスクリーン印刷により塗布し、電極(3
(Im)〜(3(Jd)を所定形状に形成する。ガラス
ペーストとれる。次に)luo 2−ガラス系ペースト
の面積抵抗の高いものを各電極間ζζ図示のような波状
に塗布して、抵抗体aηを形成する。この場合各電極(
30a )〜(30d)の互いに対向する縁部が若干覆
われるようなガードパターン(31g)〜(31f)が
設けられる。
次に電極及び抵抗体が形成された基tIi、(151を
焼成することによって、第4図A、Bの抵抗器を得るこ
とができる。尚、焼成後における電4t(30m)〜(
30d)の膜厚は10μm前後である。
焼成することによって、第4図A、Bの抵抗器を得るこ
とができる。尚、焼成後における電4t(30m)〜(
30d)の膜厚は10μm前後である。
この抵抗器では、低い抵抗値の電@(30a)〜(3[
Jd )の縁部を高い抵抗値のガードパターン(31m
)〜(61f)で横っているので、ノッキング時の放電
によるアークが電極に集中しζこくくなり、スパッタリ
ングを抑えることができる。尚、第5図に亀2の冥施例
として示すように、電Q(30m)〜(30d)の各々
の全体を抵抗体(+71で被模するようにしてもよい。
Jd )の縁部を高い抵抗値のガードパターン(31m
)〜(61f)で横っているので、ノッキング時の放電
によるアークが電極に集中しζこくくなり、スパッタリ
ングを抑えることができる。尚、第5図に亀2の冥施例
として示すように、電Q(30m)〜(30d)の各々
の全体を抵抗体(+71で被模するようにしてもよい。
その場合は接触抵抗が多少増すが、膜厚が薄いので夾用
上間組はない。
上間組はない。
第6図A、Bは第6の実迦例を示すもので、着’lit
(15+ (1)1t & (30a) 〜(5CI
d)及び抵抗体anを含む表面にガラス層(至)を設け
ることによって、ガスの放出及びスパッタリングによる
抵抗値変化を防止するようにしたものである。ガラス層
(至)としては−1砿珪酸沿ガラスにAj20.の微粉
末を10〜40916程度混入したガラスペーストが用
いられる。−例れに有機バインダと溶剤を10〜20嘩
加オて混合したものをスクリーン印刷により塗布する。
(15+ (1)1t & (30a) 〜(5CI
d)及び抵抗体anを含む表面にガラス層(至)を設け
ることによって、ガスの放出及びスパッタリングによる
抵抗値変化を防止するようにしたものである。ガラス層
(至)としては−1砿珪酸沿ガラスにAj20.の微粉
末を10〜40916程度混入したガラスペーストが用
いられる。−例れに有機バインダと溶剤を10〜20嘩
加オて混合したものをスクリーン印刷により塗布する。
この際膜厚を厚くするために、50〜120メツシユ(
厚さ200〜600μm )のスクリーンを使用して、
2層または3層に重ねて印刷する。次に550〜650
Cで20〜60分焼成して、膜厚200〜4005m
のガラス層aつを得るo httos粉末は、ガラス層
c3々の機械的!iIi&を上けることを目的として混
入される◎即ち、ガラス層04の膜厚を厚くすると、外
力によりブラックが入り易くなるので、これを防止する
ために混入されている・これと共にガラス層Qのj11
張係数をアルミナ基板(151のI#ms数に近づける
ことができる効果も侍られる。
厚さ200〜600μm )のスクリーンを使用して、
2層または3層に重ねて印刷する。次に550〜650
Cで20〜60分焼成して、膜厚200〜4005m
のガラス層aつを得るo httos粉末は、ガラス層
c3々の機械的!iIi&を上けることを目的として混
入される◎即ち、ガラス層04の膜厚を厚くすると、外
力によりブラックが入り易くなるので、これを防止する
ために混入されている・これと共にガラス層Qのj11
張係数をアルミナ基板(151のI#ms数に近づける
ことができる効果も侍られる。
尚、謝6図では、電極(30m) 〜(30d)にガイ
ドパターンを設けていないが、紺5図あるいは第6図の
抵抗器番こ、ガラス層(2)を形成するよう−こしても
よい。才たガ)ス層O7のうちの最上層の50〜100
sn 程度の部分を、)J20.を混入しないガラスで
形成するようにしてもよいOA/20.を混入すると若
干耐圧が下るが、上述のようにすれば、抵抗1はの変化
を抑えながら耐圧を大きくとることができる。
ドパターンを設けていないが、紺5図あるいは第6図の
抵抗器番こ、ガラス層(2)を形成するよう−こしても
よい。才たガ)ス層O7のうちの最上層の50〜100
sn 程度の部分を、)J20.を混入しないガラスで
形成するようにしてもよいOA/20.を混入すると若
干耐圧が下るが、上述のようにすれば、抵抗1はの変化
を抑えながら耐圧を大きくとることができる。
上述したガラス層(至)を般けた厚膜抵抗詐を用いるこ
とにより、ノッキング時における抵抗体(171のパタ
ーン間の放電によるスパッタリングに葺く抵抗変化を大
巾に軽減することができる。しかしながらノッキングに
よる抵抗値変化の問題は未だ充分改善されたとは云えず
、ノッキング[4こ尚も大巾な抵抗値変化が見られる場
合があった0本発明は上記問題をさらに改善するもので
、以下本発明の実施例を図面と共に説明する。
とにより、ノッキング時における抵抗体(171のパタ
ーン間の放電によるスパッタリングに葺く抵抗変化を大
巾に軽減することができる。しかしながらノッキングに
よる抵抗値変化の問題は未だ充分改善されたとは云えず
、ノッキング[4こ尚も大巾な抵抗値変化が見られる場
合があった0本発明は上記問題をさらに改善するもので
、以下本発明の実施例を図面と共に説明する。
本宛#U者寺はノッキングによる抵抗体aDの抵抗値変
化の他の原因の一つが、抵抗体(17+とグリッド間の
放電番こめることをつきとめた。即ち、第2図及び第6
図の場合、グリッドG、はG、と接続されているため、
ノッキング時#c 60 KVの高圧パルスが加えられ
ると、G、も略60KVになる。一方、抵抗体(171
g′)o、と対向する部分は接地側に近いため低い電位
となっている。従って、この部分とG、との電位差が大
きくなり、この間に放電が生じる。
化の他の原因の一つが、抵抗体(17+とグリッド間の
放電番こめることをつきとめた。即ち、第2図及び第6
図の場合、グリッドG、はG、と接続されているため、
ノッキング時#c 60 KVの高圧パルスが加えられ
ると、G、も略60KVになる。一方、抵抗体(171
g′)o、と対向する部分は接地側に近いため低い電位
となっている。従って、この部分とG、との電位差が大
きくなり、この間に放電が生じる。
この放電電流Iは第7図に示すように抵抗体aηの一部
(17a)を通じて接地へ流れる。この放電電流Iによ
り抵抗体(17)の上記部分(17m)の抵抗値が変化
する・このような現象は特に、管径の細いmIIIA線
管番こ生じ易い。
(17a)を通じて接地へ流れる。この放電電流Iによ
り抵抗体(17)の上記部分(17m)の抵抗値が変化
する・このような現象は特に、管径の細いmIIIA線
管番こ生じ易い。
本発明は上記放電電流■を直接接地−に逃すようにした
もので、第8〜9図にその実施例を示す。
もので、第8〜9図にその実施例を示す。
本発明は48図に示すように、前記ガラス層(至)の表
面に第2の抵抗体(至)を設けたものである。この抵抗
体−は抵抗体071と同一成分から成るもので1示のよ
うに絶縁基板Q5の長手方向に沿って所定巾で形成され
、その一端部がil!地細亀他(30d)に接続され、
他端部はグリッド0.(図示せず)と略対向する位置t
で延長されている。
面に第2の抵抗体(至)を設けたものである。この抵抗
体−は抵抗体071と同一成分から成るもので1示のよ
うに絶縁基板Q5の長手方向に沿って所定巾で形成され
、その一端部がil!地細亀他(30d)に接続され、
他端部はグリッド0.(図示せず)と略対向する位置t
で延長されている。
抵抗体(17)のパターンは前述した第4〜6図のもの
ても勿論よいが、紺9図に示すパターンであってもよい
。
ても勿論よいが、紺9図に示すパターンであってもよい
。
第9図の場合は、電極(30c )が別の抵抗体(17
b)を介して電極(30暑)と接続さねている。この場
合電極(30a)がアノード電位となり、電41 (3
0c)がコンバージェンス電位となる。第8図のII!
施例は上記第9図のパターンが形成された抵抗器を用い
た場合を示している。この場合、絶縁基板a9の寸法は
、例えば巾9m、長さ821III、厚さ0.8■であ
り、抵抗体(至)の寸法は巾61W11長さ25−1厚
さ10〜15−である。才たガラス層(至)は例えは厚
さ500μmに形成され、抵抗体07)の抵抗値は例え
V1600MΩである。
b)を介して電極(30暑)と接続さねている。この場
合電極(30a)がアノード電位となり、電41 (3
0c)がコンバージェンス電位となる。第8図のII!
施例は上記第9図のパターンが形成された抵抗器を用い
た場合を示している。この場合、絶縁基板a9の寸法は
、例えば巾9m、長さ821III、厚さ0.8■であ
り、抵抗体(至)の寸法は巾61W11長さ25−1厚
さ10〜15−である。才たガラス層(至)は例えは厚
さ500μmに形成され、抵抗体07)の抵抗値は例え
V1600MΩである。
上記構成によれは、ノッキング時に電極(30m)(3
(Jd)間に高圧が加えられて、グリッドG5との間で
放電が生じても、第10−に示すように放電亀fiIが
第2の抵抗体(至)を通じて直硬誉地−に流れる。即ち
、抵抗体−が一種の避雷針の役目をして、抵抗体anを
保睡することがで舎る。
(Jd)間に高圧が加えられて、グリッドG5との間で
放電が生じても、第10−に示すように放電亀fiIが
第2の抵抗体(至)を通じて直硬誉地−に流れる。即ち
、抵抗体−が一種の避雷針の役目をして、抵抗体anを
保睡することがで舎る。
sepの抵抗器を用いて実験を行った結果では、抵抗体
(至)を般けない場合は、600MΩの抵抗値に対して
、ノッキング後、100MΩの抵抗値の減少が見られた
が、抵抗体(至)を般けた場合は、0〜2MΩ程度の抵
抗値の減少にとど才った。また抵抗体(の長さは25〜
3ScW&の範囲で効果は殆んど変らなかった。また抵
抗体缶の巾は4■より6−の方がより効果が認めらねた
。
(至)を般けない場合は、600MΩの抵抗値に対して
、ノッキング後、100MΩの抵抗値の減少が見られた
が、抵抗体(至)を般けた場合は、0〜2MΩ程度の抵
抗値の減少にとど才った。また抵抗体(の長さは25〜
3ScW&の範囲で効果は殆んど変らなかった。また抵
抗体缶の巾は4■より6−の方がより効果が認めらねた
。
尚、抵抗体嬢を設けない場合は、ガラス層0′Aの表面
がチャージアップして高電位になると、抵抗体(7)と
の間で放電が生じ、このときガラス層(イ)が破壊され
るおそれがある。本発明では抵抗体(至)によりガラス
層0々の表面が常に接地電位ζζ保たれるので、そのよ
うなことがない。
がチャージアップして高電位になると、抵抗体(7)と
の間で放電が生じ、このときガラス層(イ)が破壊され
るおそれがある。本発明では抵抗体(至)によりガラス
層0々の表面が常に接地電位ζζ保たれるので、そのよ
うなことがない。
以上述べたように本発明は、例えtf#!1a14及び
纂2図のように陰極線管の内部に組み込まれて用いられ
且つ絶縁基板上の抵抗体を含む表面にガラス層か形成さ
れて成る抵抗器において、上記ガラス層の表面−と、一
端が接地される第2の抵抗体を用いた電子銃傘体におけ
る分圧用抵抗器に係るものである。
纂2図のように陰極線管の内部に組み込まれて用いられ
且つ絶縁基板上の抵抗体を含む表面にガラス層か形成さ
れて成る抵抗器において、上記ガラス層の表面−と、一
端が接地される第2の抵抗体を用いた電子銃傘体におけ
る分圧用抵抗器に係るものである。
従って本発明によれば、陰極線管の製造工程におけるノ
ッキング等による高温、高圧ζこ対してより安定で、抵
抗値精度の高い厚膜抵抗器を得ることができる。
ッキング等による高温、高圧ζこ対してより安定で、抵
抗値精度の高い厚膜抵抗器を得ることができる。
第1図は抵抗器の使用状態の一例を示す斜視図、第2図
は抵抗器から電子銃の電極に分圧することを示す回路図
、第3図は陰極線管のネック部の概略的な側面断面図、
第4Fj!JA%Bは本発明を適用し得る抵抗器の第1
の実施例を示す平面図及び断面−面図、第5図は第2の
実施例を示す断面細面図、第68tJA、Bは第3の実
施例を示す平面図及び断In側面図、第7図は上記抵抗
器とグリッドG。 との関係を示す模式図、謝8図は本発明の実施例を示す
tI+夜図、第9図は第8図の抵抗器のガラス 層
を取去った場合の平面図、第10図は本発明抵抗器とグ
リッドG、との関係を示す模式図である・才だ図面に用
いられた符号において、 (11・・・・・・・・・・・・・・・電子銃a〜・・
・・・・・・・・・・・・・絶縁基板(171・・・・
・・・・・・・・・・・抵抗体G、〜G5・・・・・・
グリッド cカ・・・・・・・・・・・・・・ガラス層a1・・・
・・・・・・・・・・・・第2の抵抗体である。 代理人 上屋 勝 (自発)手続補正書 昭和57年2月 4日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和 年特許願第2015?9号 6 事件との関係 特許出願人 東京部品用区北品用6丁目7番蕊号 (218)ソニー株式会社 6、補正により増加する発明の数 (1)、明細書路14頁8行目r (30a) Jを「
30(0」に訂正し、「(30C)」を[30(1)
Jに訂正する。 (2)、同#!15頁8行目「鐸」を「■」に訂正する
◎(3)、同頁13行1r体(7)」を「体(171J
に訂正する・−以 上−
は抵抗器から電子銃の電極に分圧することを示す回路図
、第3図は陰極線管のネック部の概略的な側面断面図、
第4Fj!JA%Bは本発明を適用し得る抵抗器の第1
の実施例を示す平面図及び断面−面図、第5図は第2の
実施例を示す断面細面図、第68tJA、Bは第3の実
施例を示す平面図及び断In側面図、第7図は上記抵抗
器とグリッドG。 との関係を示す模式図、謝8図は本発明の実施例を示す
tI+夜図、第9図は第8図の抵抗器のガラス 層
を取去った場合の平面図、第10図は本発明抵抗器とグ
リッドG、との関係を示す模式図である・才だ図面に用
いられた符号において、 (11・・・・・・・・・・・・・・・電子銃a〜・・
・・・・・・・・・・・・・絶縁基板(171・・・・
・・・・・・・・・・・抵抗体G、〜G5・・・・・・
グリッド cカ・・・・・・・・・・・・・・ガラス層a1・・・
・・・・・・・・・・・・第2の抵抗体である。 代理人 上屋 勝 (自発)手続補正書 昭和57年2月 4日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和 年特許願第2015?9号 6 事件との関係 特許出願人 東京部品用区北品用6丁目7番蕊号 (218)ソニー株式会社 6、補正により増加する発明の数 (1)、明細書路14頁8行目r (30a) Jを「
30(0」に訂正し、「(30C)」を[30(1)
Jに訂正する。 (2)、同#!15頁8行目「鐸」を「■」に訂正する
◎(3)、同頁13行1r体(7)」を「体(171J
に訂正する・−以 上−
Claims (1)
- 絶縁基板の表面に長手方向に沿って第1の抵抗体が形成
されると共に、上記絶縁基板が電子銃構体の一部に、こ
の電子銃構体を構成する複数の電極の配列方向と上記長
手方向とが略平行となるようにして配され、上記第1の
抵抗体の一端部がアノード電圧に保持されると共に、他
端部が充分に低い電圧に保持さね、上記第1の抵抗体の
所定位置で分圧された電圧が上記電子銃一体の所定の電
接に供給されるように成され、さらに上記絶縁基鈑の上
記第1の抵抗体を含む表面にガラス層が形成された抵抗
器において、上記ガラス場の表面に謝2の抵抗体を上記
長手方向に沿って形成し、この@2の抵抗体の−I+1
lilsを上記j11の抵抗体の上記低電圧鉤趨部と接
続したことを特徴とする電子銃構体におりる分圧用抵抗
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20139981A JPS58102445A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 電子銃構体における分圧用抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20139981A JPS58102445A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 電子銃構体における分圧用抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102445A true JPS58102445A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16440440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20139981A Pending JPS58102445A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 電子銃構体における分圧用抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102445A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124339A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
| JPS6313242A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
| US4786842A (en) * | 1984-05-24 | 1988-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistor assembly |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20139981A patent/JPS58102445A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124339A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
| US4786842A (en) * | 1984-05-24 | 1988-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistor assembly |
| JPS6313242A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
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