JPS58102575A - 絶縁型可変抵抗装置 - Google Patents
絶縁型可変抵抗装置Info
- Publication number
- JPS58102575A JPS58102575A JP56202022A JP20202281A JPS58102575A JP S58102575 A JPS58102575 A JP S58102575A JP 56202022 A JP56202022 A JP 56202022A JP 20202281 A JP20202281 A JP 20202281A JP S58102575 A JPS58102575 A JP S58102575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulated
- resistance value
- variable resistor
- type variable
- resistor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、入力側と出力側とが絶縁されていてかつ入
力側から出力側の抵抗値を制御することが叫−な絶縁型
可変抵抗装置に関する。
力側から出力側の抵抗値を制御することが叫−な絶縁型
可変抵抗装置に関する。
従来、この槍のＭｌｔとしては、ＬＥＡ）とホトトラン
ジスタ、ムのとホトダイオード、 ＬｋＬ）とＣｄＳの
如きホトカプラが多く用いられていた。しかし、これら
のものは、ＬＥＤの発光量を制御してホトトランジスタ
、ホトダイオードあるいはＣｄＳの等価抵抗値を毅える
ものであるため、入出力特性のバラツキが大きい欠点が
あった。すなわち、画の発光効率、 ＬＥＤとホトトラ
ンジスタ等との結合度・ホトトランジスタ等の充電流特
性などのバラツキがそのまま入出力特性のバラツキとな
っていた。
ジスタ、ムのとホトダイオード、 ＬｋＬ）とＣｄＳの
如きホトカプラが多く用いられていた。しかし、これら
のものは、ＬＥＤの発光量を制御してホトトランジスタ
、ホトダイオードあるいはＣｄＳの等価抵抗値を毅える
ものであるため、入出力特性のバラツキが大きい欠点が
あった。すなわち、画の発光効率、 ＬＥＤとホトトラ
ンジスタ等との結合度・ホトトランジスタ等の充電流特
性などのバラツキがそのまま入出力特性のバラツキとな
っていた。
また、温度依存性が大きい欠点もあった。さらにホトト
ランジスタやホトダイオードは本質的に電流制御素子で
あるから、回路電圧の膨化により等価抵抗値が影響をう
ける欠点があった。
ランジスタやホトダイオードは本質的に電流制御素子で
あるから、回路電圧の膨化により等価抵抗値が影響をう
ける欠点があった。
この発明はこのような事情に置みてなされたもので、上
記欠点を解消した絶縁型可変抵抗装置を提供する。
記欠点を解消した絶縁型可変抵抗装置を提供する。
以下、図に示す実施例に基いて、この発明を詳−する。
ｊｌ１図に示す（１）はこの発明の絶縁型号置抵抗装置
の一実施例であり、ＬＥＬ）（２１ｋ）とホトトランジ
スタ（２ｂ）とからなるホトカプラ（２）、そのホトカ
プラ（２１のＬＥＤ（２ａ）をパルスドライブするパル
スドライブＨ路口）、前記ホトカプラ＋２１のホトトラ
ンジスタ（２ｂ）に直列接続された抵抗Ｗ （ｒｌおよ
びその抵抗！！！（りとホトトランジスタ（２ｂ）とに
よる直列回路に並列接続されたコンデンサｔｃ）を具備
して基本的に構成されている。
の一実施例であり、ＬＥＬ）（２１ｋ）とホトトランジ
スタ（２ｂ）とからなるホトカプラ（２）、そのホトカ
プラ（２１のＬＥＤ（２ａ）をパルスドライブするパル
スドライブＨ路口）、前記ホトカプラ＋２１のホトトラ
ンジスタ（２ｂ）に直列接続された抵抗Ｗ （ｒｌおよ
びその抵抗！！！（りとホトトランジスタ（２ｂ）とに
よる直列回路に並列接続されたコンデンサｔｃ）を具備
して基本的に構成されている。
ホトカプラ（２）は、Ｌｌｊ）とホトダイオード、 Ｌ
ＥＤとＣｄｓなどの組合せでもより、マたＬＥＩ）とホ
トトランジスタ等との距離を遠く離してこれらを光フ・
アイμ等で結合したものであってもよい。
ＥＤとＣｄｓなどの組合せでもより、マたＬＥＩ）とホ
トトランジスタ等との距離を遠く離してこれらを光フ・
アイμ等で結合したものであってもよい。
パルスドライブ回路ａ）は、第２図に示すように、一時
ａｌｌ（たとえば１０μｓｅｃ、）毎に１゛３時間だけ
ＬＩＣ真２０にドライブ電流（ｉ、）を供給するもので
あり、Ｔ１時間を０〜Ｔ０の間で任意に設定変更−Ｊｍ
４ｃ＊れている。また、ドライブ電１ｍ（’ｏ）の大き
さはホトトランジスタ（２ｂ）を完全に導通させる大き
さに設定されている。そこで、ホトトランジスタ（２ｂ
）は′ｒｏ時間毎に′五′１時間だけＯＮされることに
なり、Ｔ、時間に対するム゛１時間の比すなわち通電率
αは０〜ｌの間で任意に変更できる。
ａｌｌ（たとえば１０μｓｅｃ、）毎に１゛３時間だけ
ＬＩＣ真２０にドライブ電流（ｉ、）を供給するもので
あり、Ｔ１時間を０〜Ｔ０の間で任意に設定変更−Ｊｍ
４ｃ＊れている。また、ドライブ電１ｍ（’ｏ）の大き
さはホトトランジスタ（２ｂ）を完全に導通させる大き
さに設定されている。そこで、ホトトランジスタ（２ｂ
）は′ｒｏ時間毎に′五′１時間だけＯＮされることに
なり、Ｔ、時間に対するム゛１時間の比すなわち通電率
αは０〜ｌの間で任意に変更できる。
第３図に示す（３ｆは、上記パルスドライブ回路（３）
の具体的な一例であり、アンプ（Ａ１）および（Ａ１）
からなる三角波発生回路と、コンパレータ（Ａ、）とか
ら構成されている。ポテンショメータなどによってコン
パレータ（＾、）の比較電圧（Ｖｉ）を変えると、過電
率αを０〜１の範囲で綾化できる。
の具体的な一例であり、アンプ（Ａ１）および（Ａ１）
からなる三角波発生回路と、コンパレータ（Ａ、）とか
ら構成されている。ポテンショメータなどによってコン
パレータ（＾、）の比較電圧（Ｖｉ）を変えると、過電
率αを０〜１の範囲で綾化できる。
１゛、は、三角波の周期によって決定される。
５３１図を再び釡照してｉ明すると、抵抗！（りおよび
コンデンサ側の値は、それらによる時定数が前記Ｔ拳よ
り十分大（たとえば１００倍以上）になるように選定さ
れている。
コンデンサ側の値は、それらによる時定数が前記Ｔ拳よ
り十分大（たとえば１００倍以上）になるように選定さ
れている。
そこで、抵抗器（りを流れる電流は実際にはパルス状で
あるが、コンデンサ０の働きを考慮した定常状膳を考え
ると、点４Ｐ）（Ｍｌの電位差■は略一定となり、かつ
実質的に一定の電流ｌが点Ｆ）−＆Ｊｌ＠を流れると考
えられる。
あるが、コンデンサ０の働きを考慮した定常状膳を考え
ると、点４Ｐ）（Ｍｌの電位差■は略一定となり、かつ
実質的に一定の電流ｌが点Ｆ）−＆Ｊｌ＠を流れると考
えられる。
さて、定常状騙でＴ１時間当りに点ン１−Ｑ間を流れる
電気量りを考えると、ｌ１ＥｆｌＬ値が１であるから、 ｑ錦ｔ、■、 ・・・・・・・・・ （１）である。
電気量りを考えると、ｌ１ＥｆｌＬ値が１であるから、 ｑ錦ｔ、■、 ・・・・・・・・・ （１）である。
ところが、実際に流れる電気量はホトトランジスタ（２
ｂ）を流れるものだけであるから、抵抗器（りの抵抗値
をｒとして、 ・ である。これら１１１ （２）式より１を消去してＵＳ
すれば、 となる。
ｂ）を流れるものだけであるから、抵抗器（りの抵抗値
をｒとして、 ・ である。これら１１１ （２）式より１を消去してＵＳ
すれば、 となる。
点（Ｐ）−８４間の等価抵抗値には、（３）式を４鳳し
て、とｒする・ （４）式より、Ａ（Ｐ）−４６曲の等価抵抗値には、抵
抗ｍ ｔｒ）の抵抗値ｒに比例し、過電率αに逆比例し
て決まることが分るが、この装置（１）に怠いてαは０
〜ｌの閾で−ｊ変であるから、結局、等価抵抗値鼠は１
〜ｏｏの閣で可変である。
て、とｒする・ （４）式より、Ａ（Ｐ）−４６曲の等価抵抗値には、抵
抗ｍ ｔｒ）の抵抗値ｒに比例し、過電率αに逆比例し
て決まることが分るが、この装置（１）に怠いてαは０
〜ｌの閾で−ｊ変であるから、結局、等価抵抗値鼠は１
〜ｏｏの閣で可変である。
３３４図に示す（１１は、上記装＠ （１１を利用した
サーモスタット回路の一例である。この回路叫は、サー
ミスタ（＆ｒ）が低温であるときはコンパレータ■がリ
レーコイル（２）を通電し、サーミスタ（１１−１−）
が高温になるとリレーコイル（２）の通電を停止するよ
うに働く。この情愛わりの動作点は、次式が満たされる
点である。
−この（５）式より、等価抵抗値鼠を毅えることによっ
て動作点を度えられることが分る。つまり、ｋを大にす
れば動作点は低温側に移動し、ｋを小にすれば動作点は
高温側暢移動する。
サーモスタット回路の一例である。この回路叫は、サー
ミスタ（＆ｒ）が低温であるときはコンパレータ■がリ
レーコイル（２）を通電し、サーミスタ（１１−１−）
が高温になるとリレーコイル（２）の通電を停止するよ
うに働く。この情愛わりの動作点は、次式が満たされる
点である。
−この（５）式より、等価抵抗値鼠を毅えることによっ
て動作点を度えられることが分る。つまり、ｋを大にす
れば動作点は低温側に移動し、ｋを小にすれば動作点は
高温側暢移動する。
以上の氏明から理解されるように、この発明の絶縁型可
変抵抗装置は、入力側と出力側とが絶縁され、かつ入力
信号に応じて出力がＯＮ／Ｌ）、ｙされる絶縁型スイッ
チ手段に対し、その入力側４ｃ前記ＯＮ／ｇＦｒの時間
比を回置制御する通電率制御手段を接続する゛と共に、
一方の出力側に抵抗器を直列接続し、さらにその直列回
路に並列にコンデンサを接続してなるものであり、通電
率を変化させることによって等価抵抗値を度史すること
ができる。
変抵抗装置は、入力側と出力側とが絶縁され、かつ入力
信号に応じて出力がＯＮ／Ｌ）、ｙされる絶縁型スイッ
チ手段に対し、その入力側４ｃ前記ＯＮ／ｇＦｒの時間
比を回置制御する通電率制御手段を接続する゛と共に、
一方の出力側に抵抗器を直列接続し、さらにその直列回
路に並列にコンデンサを接続してなるものであり、通電
率を変化させることによって等価抵抗値を度史すること
ができる。
そして、その等価抵抗値は前記（４）式で示されるよう
に通電率と抵抗器の抵抗値とで決まるから、バラツキが
従来より着しく小さくなる。また温度依存性も小さくｔ
′る。また、回路電圧に等価抵抗値が影響されることも
な（なる。さらに通電率を制御する方式なのでアナログ
的ノイズに強く、入力側と出力側が絶縁されていること
から、絶縁型スイッチ手段と通電率制御手段とを遠く喝
すことができ、遠隔制御システムに好適に利用すること
ができる特長もある。
に通電率と抵抗器の抵抗値とで決まるから、バラツキが
従来より着しく小さくなる。また温度依存性も小さくｔ
′る。また、回路電圧に等価抵抗値が影響されることも
な（なる。さらに通電率を制御する方式なのでアナログ
的ノイズに強く、入力側と出力側が絶縁されていること
から、絶縁型スイッチ手段と通電率制御手段とを遠く喝
すことができ、遠隔制御システムに好適に利用すること
ができる特長もある。
電図−の働単μ氏明
第１図はこの発明の絶縁！ｇ”Ｊ変抵抗装置の一実施例
の構ｗｉ、配明図、１８２図は第１区に示す装置に怠け
るＬＪＬ）のドライブ電流波形図、第３図は第１図に示
す装置におけるパルスドライブ回路の具体的−例の回路
構成図、第４図は第１図に示す装置を用いたサーモスタ
ット回路の構成梶明図である。
の構ｗｉ、配明図、１８２図は第１区に示す装置に怠け
るＬＪＬ）のドライブ電流波形図、第３図は第１図に示
す装置におけるパルスドライブ回路の具体的−例の回路
構成図、第４図は第１図に示す装置を用いたサーモスタ
ット回路の構成梶明図である。
（１）・・・絶縁ＷＯＪ変抵抗装゛置装（２）−ホトカ
プラ、（３）・・・パルスドライブ回路、（す・・・抵
抗器、ｒ）コンデンサ。
プラ、（３）・・・パルスドライブ回路、（す・・・抵
抗器、ｒ）コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入力側と出力側とが絶縁され、かつ入力信号に応じ
て出力か ／。ｋ、、される絶縁型スイッチ手段に対し
、その入力＠に前記ｕＮＡ）ｙｙの時間比を回置制御す
る通電率ｆｉ！ｌ１１１手段を接続すると共に、一方の
出力側に抵抗量を１列１１１１Ｌ、さらにその直列回路
に並列にコンデンサを接続してなる絶縁型づ皺抵抗装置
。 ２ 絶縁製スイッチ手段が、ホトカプラである請求の軸
［１１１１ｍ記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202022A JPS58102575A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 絶縁型可変抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202022A JPS58102575A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 絶縁型可変抵抗装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102575A true JPS58102575A (ja) | 1983-06-18 |
| JPS6352804B2 JPS6352804B2 (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=16450620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56202022A Granted JPS58102575A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 絶縁型可変抵抗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102575A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338067A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-07 | Hitachi Metals Ltd | Steel pipe storage conveyor |
| JPS5452448A (en) * | 1977-10-03 | 1979-04-25 | Toshiba Corp | Signal transfer circuit |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56202022A patent/JPS58102575A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338067A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-07 | Hitachi Metals Ltd | Steel pipe storage conveyor |
| JPS5452448A (en) * | 1977-10-03 | 1979-04-25 | Toshiba Corp | Signal transfer circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6352804B2 (ja) | 1988-10-20 |
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