JPS58103187A - レ−ザダイオ−ドモジユ−ル - Google Patents
レ−ザダイオ−ドモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS58103187A JPS58103187A JP20195381A JP20195381A JPS58103187A JP S58103187 A JPS58103187 A JP S58103187A JP 20195381 A JP20195381 A JP 20195381A JP 20195381 A JP20195381 A JP 20195381A JP S58103187 A JPS58103187 A JP S58103187A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- optical fiber
- rod lens
- end surface
- lens
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
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- G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光フアイバ伝送に用いられるレーザダイオー
ドが内蔵され、光コネクタプラグによりて光ファイバと
の光学的結合管可能ならしめるレーザダイオードモジュ
ールに関する本のである。
ドが内蔵され、光コネクタプラグによりて光ファイバと
の光学的結合管可能ならしめるレーザダイオードモジュ
ールに関する本のである。
従来、レーザダイオードモジュールとしては第1図に示
すものがあった。図において、(1)けレーザダイオー
ド、(2)はロッドレンズ、 (3)Fiレセプタクル
である。@2図は1g1図に示したレーザダイオードモ
ジュールにコネクタプラグ會装着した崗である。図にお
いて、 (4)dフ、ルール、(5)は光ファイバ、(
6)はフクロナラ)、(7)は光線軌跡、fは結像点で
ある。
すものがあった。図において、(1)けレーザダイオー
ド、(2)はロッドレンズ、 (3)Fiレセプタクル
である。@2図は1g1図に示したレーザダイオードモ
ジュールにコネクタプラグ會装着した崗である。図にお
いて、 (4)dフ、ルール、(5)は光ファイバ、(
6)はフクロナラ)、(7)は光線軌跡、fは結像点で
ある。
次に原理について説明する。@2図において。
レーザダイオード(1)から出射し九光はロッドレンズ
(2)により光路を変え結像点fで集光する。
(2)により光路を変え結像点fで集光する。
結像点fはフェルール(41に′H!荷された光ファイ
バ(5)の端面が位置するようKm整さ些ている。
バ(5)の端面が位置するようKm整さ些ている。
従来のレーザダイオードモジュールは以上のように構成
されているので、レーザダイオード(1)から出射した
光が光ファイバ(5)の端面で生ずるフレネル反射のた
め、出射光の一部が再びレーザダイオードに再入射し、
自己結合現象により動作特性が変化するという欠点があ
った。特性劣化としては、光出力の直線性の劣化、ノイ
ズの増加、波長シフト、前面光と背面光出力の比のアン
バランス等があり特にアナログ伝送では大きな問題とな
っていた。
されているので、レーザダイオード(1)から出射した
光が光ファイバ(5)の端面で生ずるフレネル反射のた
め、出射光の一部が再びレーザダイオードに再入射し、
自己結合現象により動作特性が変化するという欠点があ
った。特性劣化としては、光出力の直線性の劣化、ノイ
ズの増加、波長シフト、前面光と背面光出力の比のアン
バランス等があり特にアナログ伝送では大きな問題とな
っていた。
この発明は従来のような欠点を除去するためになされた
本ので、フェルールに装荷された光ファイバの端面に直
接接するようにレーザダイオードとの間にロッドレンズ
をレセプタクル内に固定し、レーザダイオードから出射
した光が上記光ファイバの端面で集光するように調整し
。
本ので、フェルールに装荷された光ファイバの端面に直
接接するようにレーザダイオードとの間にロッドレンズ
をレセプタクル内に固定し、レーザダイオードから出射
した光が上記光ファイバの端面で集光するように調整し
。
ロッドレンズ端面にマツチング剤を塗付することにより
、出射光が上記光ファイバの端面で反射してレーザダイ
オードに再入射することを抑えたレーザダイオードモジ
ュールを提供すること全目的としている。
、出射光が上記光ファイバの端面で反射してレーザダイ
オードに再入射することを抑えたレーザダイオードモジ
ュールを提供すること全目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第3
図はこの発明によるレーザダイオードモジ、−ルの構造
図である。第3図において。
図はこの発明によるレーザダイオードモジ、−ルの構造
図である。第3図において。
(1)Fiレーザダイオード、 (8)Fiミロラドレ
ンズ(9)はロッドレンズ(8)とほぼ屈折率が同じ液
体(マツチング剤)tは結像点である。第4図には。
ンズ(9)はロッドレンズ(8)とほぼ屈折率が同じ液
体(マツチング剤)tは結像点である。第4図には。
@3図のレーザダイオードモジュールの光学系のみを抜
き出し拡大し死因を示す。第4図において、 (1m
)はレーザダイオードチップ、αQは光線軌跡である。
き出し拡大し死因を示す。第4図において、 (1m
)はレーザダイオードチップ、αQは光線軌跡である。
レーザダイオードチップ(1m)から出射シた光はロッ
ドレンズ(8)Kより光路を変光、ロッドレンズの端面
の1点に集光スル、ソの点を結像点fと呼ぶ。ここで、
ロッドレンズ(8)の集束定数をA、光軸上屈折率tN
o、 ピッチ数fPとすると、レーザダイオードチッ
プ(1a)とロッドレンズ(8)の間@ Loは式(1
)で表わさし名O1o = −tan 2xP
−”−”・・・・(1)Noム to≧0であるので式(1)が解を持つためには−(2
n−1)≦P≦T塁(n=1.2,3.・・・)・・・
・・・・・・(2)を満足する必要がある。
ドレンズ(8)Kより光路を変光、ロッドレンズの端面
の1点に集光スル、ソの点を結像点fと呼ぶ。ここで、
ロッドレンズ(8)の集束定数をA、光軸上屈折率tN
o、 ピッチ数fPとすると、レーザダイオードチッ
プ(1a)とロッドレンズ(8)の間@ Loは式(1
)で表わさし名O1o = −tan 2xP
−”−”・・・・(1)Noム to≧0であるので式(1)が解を持つためには−(2
n−1)≦P≦T塁(n=1.2,3.・・・)・・・
・・・・・・(2)を満足する必要がある。
式(1)(2)の関係式を満足しているとき、レーザダ
イオードチップ(1m)から出射した光は結像点tで集
光する。第5図は第3図に示したレーザダイオードモジ
ュールにコネクタプラグf’A着した図である。図にお
いてレーザダイオード(1)から出射した光はロッドレ
ンズ(8)により光路を変え、結像点tで集光するが、
結像点2にはフェルール(4)に装荷された光ファイバ
(5)の端面が位置している。ロッドレンズ(8)の−
面の結像点tにはマツチング剤(9)が塗付されている
ので、結像点tK集光した光はフレネル反射することな
く光ファイバ(5)に結合することができる。マツチン
グ剤(9)としてはシリコンオイル等がある。
イオードチップ(1m)から出射した光は結像点tで集
光する。第5図は第3図に示したレーザダイオードモジ
ュールにコネクタプラグf’A着した図である。図にお
いてレーザダイオード(1)から出射した光はロッドレ
ンズ(8)により光路を変え、結像点tで集光するが、
結像点2にはフェルール(4)に装荷された光ファイバ
(5)の端面が位置している。ロッドレンズ(8)の−
面の結像点tにはマツチング剤(9)が塗付されている
ので、結像点tK集光した光はフレネル反射することな
く光ファイバ(5)に結合することができる。マツチン
グ剤(9)としてはシリコンオイル等がある。
なお、$4図において用いているレーザダイオードチッ
プ(l&)は、その他の図で用いているレーザダイオー
ド(1)を拡大したときに便宜上用いた言葉であって1
本文で用いている限り同一の機能のものとして考えてよ
い。
プ(l&)は、その他の図で用いているレーザダイオー
ド(1)を拡大したときに便宜上用いた言葉であって1
本文で用いている限り同一の機能のものとして考えてよ
い。
以上説明したように、この発明によれば、コネクタプラ
グのフェルールに装荷された光ファイバの端面に直接接
するようにレーザダイオードとの闇にロッドレンズをレ
セプタクル内に固定し、レーザダイオードから出射した
光が上記光ファイバ肩面で集光するように調整し、ロッ
ドレンズ湖面にマツチング剤を塗付することにより、レ
ーザダイオードから出射した光が上記光ファイバの端面
で反射してレーザダイオードに再入射することを抑えた
レーザダイオードモジュールを提供することが可能であ
る。
グのフェルールに装荷された光ファイバの端面に直接接
するようにレーザダイオードとの闇にロッドレンズをレ
セプタクル内に固定し、レーザダイオードから出射した
光が上記光ファイバ肩面で集光するように調整し、ロッ
ドレンズ湖面にマツチング剤を塗付することにより、レ
ーザダイオードから出射した光が上記光ファイバの端面
で反射してレーザダイオードに再入射することを抑えた
レーザダイオードモジュールを提供することが可能であ
る。
$1(2)は従来のレーザダイオードモジュールの構造
図、第2図は181図に示したレーザダイオードモジュ
ールにコネクタプラグヲ装着したときの構造図、第3図
はこの発明による反射対策を施したレーザダイオードモ
ジュールの構造図、第4図は@3図のレーザダイオード
モジ。 −ルの光学系を示す図、185図は第3図に示したレー
ザダイオードモジュールにコネクタプラグ?r−装着し
た図でるり9図&l−いて、 (X)Fiし〜ザダイオ
ード、(1m)はレーザダイオードチップ。 (2)Fiミロラドレンズ (3)Fiレセプタクル、
(4)はフェルール、(5)は光ファイバ、(6)はフ
クロナツト。 (7)は光線軌跡、(8)はロッドレンズ、(9)はマ
ツチング剤、αQは光線軌跡、f及びfFi結像点であ
る。 なお1図中同一あるいは相当部分KFi同一符号を付し
て示しである。 代理人 葛 野 信 − 第1図 w42図
図、第2図は181図に示したレーザダイオードモジュ
ールにコネクタプラグヲ装着したときの構造図、第3図
はこの発明による反射対策を施したレーザダイオードモ
ジュールの構造図、第4図は@3図のレーザダイオード
モジ。 −ルの光学系を示す図、185図は第3図に示したレー
ザダイオードモジュールにコネクタプラグ?r−装着し
た図でるり9図&l−いて、 (X)Fiし〜ザダイオ
ード、(1m)はレーザダイオードチップ。 (2)Fiミロラドレンズ (3)Fiレセプタクル、
(4)はフェルール、(5)は光ファイバ、(6)はフ
クロナツト。 (7)は光線軌跡、(8)はロッドレンズ、(9)はマ
ツチング剤、αQは光線軌跡、f及びfFi結像点であ
る。 なお1図中同一あるいは相当部分KFi同一符号を付し
て示しである。 代理人 葛 野 信 − 第1図 w42図
Claims (2)
- (1) レーザダイオードが内蔵され、光コネクタを
介して光ファイバに光学的に結合されるレーザダイオー
ドモジュールにおいて、フェルールに装荷された上記光
ファイバの端面に。 直播接するように上記レーザダイオードとの間に光軸面
からの距離の#1ぼ二乗に比例して嘱少する屈折4cを
有する二乗屈折率分布杉しンス(CXXラドレンズを設
け、さらに上記レーザダイオードと上記ロッドレンズ間
の間隙。 t+#icxツトレンスの長さ調整することにより上記
レーザダイオードから出射した光が上記ロッドレンズの
一端面に入射したあと、他端面内で結像するように@成
したことを特徴とするレーザダイオードモジュール。 - (2)上記ロッドレンズの上記光ファイバと接する1i
nK、上記ロッドレンズとはぼ屈折率が同じ液体(マツ
チング剤)を塗付したことを特徴とする特I!F請求の
範囲第(1)項記載のレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20195381A JPS58103187A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | レ−ザダイオ−ドモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20195381A JPS58103187A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | レ−ザダイオ−ドモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103187A true JPS58103187A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16449504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20195381A Pending JPS58103187A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | レ−ザダイオ−ドモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103187A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023447A (en) * | 1989-06-19 | 1991-06-11 | Fujitsu Limited | Photo-semiconductor module employing semi-spherical lens to enhance detection |
| JPH04243179A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | コネクタ着脱形半導体レーザモジュール |
| CN110635350A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-12-31 | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 | 一种插拔类半导体激光器的耐压制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150095A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-24 | Nec Corp | Semiconductor laser device with coupling circuit |
| JPS5535369A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Coupling device of semiconductor laser and optical fiber |
| JPS55146986A (en) * | 1979-05-03 | 1980-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor photoelement and its manufacturing |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP20195381A patent/JPS58103187A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150095A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-24 | Nec Corp | Semiconductor laser device with coupling circuit |
| JPS5535369A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Coupling device of semiconductor laser and optical fiber |
| JPS55146986A (en) * | 1979-05-03 | 1980-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor photoelement and its manufacturing |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023447A (en) * | 1989-06-19 | 1991-06-11 | Fujitsu Limited | Photo-semiconductor module employing semi-spherical lens to enhance detection |
| JPH04243179A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | コネクタ着脱形半導体レーザモジュール |
| CN110635350A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-12-31 | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 | 一种插拔类半导体激光器的耐压制备方法 |
| CN110635350B (zh) * | 2019-08-02 | 2020-12-01 | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 | 一种插拔类半导体激光器的耐压制备方法 |
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