JPS58106537A - 金属像または金属パタ−ンの形成方法 - Google Patents

金属像または金属パタ−ンの形成方法

Info

Publication number
JPS58106537A
JPS58106537A JP57216304A JP21630482A JPS58106537A JP S58106537 A JPS58106537 A JP S58106537A JP 57216304 A JP57216304 A JP 57216304A JP 21630482 A JP21630482 A JP 21630482A JP S58106537 A JPS58106537 A JP S58106537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
solution
compound
exposure
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57216304A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0326816B2 (ja
Inventor
アリアン・モレナ−ル
ペ−テル・エデイ・ウイ−レンガ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS58106537A publication Critical patent/JPS58106537A/ja
Publication of JPH0326816B2 publication Critical patent/JPH0326816B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G03C1/705—Compositions containing chalcogenides, metals or alloys thereof, as photosensitive substances, e.g. photodope systems
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、露光後に金４イオン溶液からこの金属を物理
的現像または無電解メッキ溶液によって補力される核の
形態で堆積することができる感光性の半導電性化合物を
含有する基板あるいは該化合物からなる基板の表面の上
または下の少くとも一方に、金属像または金属パターン
を形成する方法に関するものである。
従来技術 米国特許第８，８８０，８２８号明細書は重合体の樹脂
結合剤中の半導電性顔料の層を紙支持体に設けてなる的
体上に像を形成するこのような方法を開示している。こ
の方法では、像のネガを通して露光すると）−により顔
料な可逆的に活性化し、次いで＠肥媒体を像形成性還元
−酸化系と接触させ、この結果として像を不可逆的に形
成する。
プリント回路板のような絶縁性重合体基板材料上に導電
性金嘴パターンを形成する対応する方法は米国特許第８
，６７４，４８６号明細書に記載されており、この方法
も感光性の半導電性金属化合物な練水性樹脂結合剤中に
均一に分散させてなる層を表面に設けた基鈑材料を基材
とする。この方法では、選択的露光および関連する金輌
イオンの溶液・どの接触により金属核のパターンを形成
し、次いで金属核からなる像を物理的現像剤または無電
解メッキ液により補力して導電性パターンを形成する。
これらの方法ではスクリーンパターンまたは場合によっ
てはネガを用いる必要がある。また核像の形成中および
その補力中に選択性を維持するにはカブリ防止手段を使
用するような追加の処置が必要である。
発明の目的 本発明はこれらの手段および保穫パターンの使用を不必
要にし、かつ像の形成または場合によってはパターンの
形成を著しく簡単にすることを目的とする。
発明の構成 本発明は、内部または表面上に前記感光性の半導電性金
属化合物が存在する前記基板表面を、核形成性金縞のイ
オンを含有する溶液中に浸漬し、次いで前記基板に対し
て制御されて移動しかつ前記の関連する手導′ｄ性化合
物によって吸収されるような波長をスペクトルの紫外部
または可視部に有するレーザー資力集宋ビームによりパ
ターンに従って露光することを特徴とする。
先ず、内部に半導電性化合物が含有されていてレーザー
光線の入射する表面部分上に、金属核をかかる溶液から
光化学的に堆積させる。しかる後に、これ以上露光せず
に、露光を伴わない無電解堆積法によりこの接触的（ｃ
ａｔａｌｙｔｉｃ　’）核像上に償金属を堆積させるこ
とができる。この場合には、基板を同じ浴中に浸漬した
ままにしておく必要はない。
既知のプログラム技術により所要のパターンに従って弊
ビームを移動させることにより４光を行うことができる
。
本発明の他の例では、無電解メッキまたは物理的現像に
適当な金属塩およびこの金属塩の還元剤の溶液中で４元
を行う。
特公昭５０−９９，８８０号（Ｃ，Ａ、　８４　、９４
２４０ｎ（１９７６）参照）は金パターンなＧａ−Ａｓ
−表面に被着させる方法を開示している。しかし、これ
を行うために主として波４ｉｏμｍの放射を発生するＣ
０２−レーザーを使用している。この波長範囲では本発
明方法で行われるような介化学プロセスは勿論不ｃｉ７
能である。これらの刊公物に記載されている金属堆積物
は熱作用の結果であるに相違ない。
保護パターンを使用する代りに、形成すべきパターンに
従って基板に対して移動する制御された資ビームによる
放射を使用する方法による作業を可能にするには、核形
成を十分に迅速に行う必要がある。このためには本発明
方法に用いる半導電性金属化合物が、使用レーザービー
ムの強さと協働して、極めて短い露光時間を可能とする
のに十分なａｌｆに感光性であることが必要である。さ
らに、表面を浸漬させる溶液は使用する尤に対し十分に
高度な透過性を持っていることが必要である。
本発明の範囲内の極めて適当な半導゛離性金属酸化物は
二酸化チタンまたは酸化唾鉛である。
核ｆ象金属のイオンの溶液は使用した尤に対して可能な
最高の透過性を持つことが必要であるとい・う必要条件
を考１すれば、金または金合金を無電解堆積法ることが
できる溶液を核の形成および次の核の補力に用いること
は、極めて興味あることである。オランダ国特許出願第
８，１０８，１７４号およびイギリス国特肝第１，８２
２，２０８号明細醤に開示されているこれらの溶液は、
感覚性半導体に適した波長ａ囲において、例えば、無電
解鋼メッキ溶液により著しく高い透過性を持っており、
最後に挙げた溶液だけは本発明方法において比較的低ａ
ばで１す用するかあるいは溶液を通る一層短い資通路と
共に使用するのが適当である。
次に本発明を実施例について説明する。
実施・１列　　　ｌ ガラス繊維強化エポキシ樹脂［４重量％の分量の二酸化
チタン粒子（ルチル型）を分散させてなる基板材料を、
５０“Ｃにおいてメチルエチルケトン−水（１：２）混
合物で６分間処理し、次いでこれを周彼敬５０　Ｈｚの
振動ｉＣ６分間さらしながら１１当り： Ｎａ　２　Ｃｒ　２０７１２０　ｇ Ｈ２Ｓｏ、（ｄ、＝１．８４）４００ｍ／およびＨ３Ｐ
０．　（ｄ　＝１．８８　）２００　ｍｌ　　と水を含
有する溶液で処理するこ１．　Ｋより疎水性にした。
しかる借に、この基板材料を水中で洗浄し、次価酸銅　
　　　　　　　　　０．０４モルエチレンジアミン四酢
酸ノ 四ナトリウム塩　　　　　　　　０．０７２モルＮａＱ
Ｆ（０，１２モル ホルムアルデヒド　　　　　　　０．１０モルを有する
５０°Ｃの水溶液を入れた石英キュベツト中ＶＣ＃いた
。
次いで、この基板材料を前記溶液中でパルス化窒素レー
ザーの集束ビームに露光した。このレーザーは出力ＩＭ
Ｗ、波長８Ｂ？ｎｍ、パルス持続時間４Ｂ５＋およびパ
ルス周波数１０　Ｈｚであった。前記溶液を西る資の通
路を最短に維持した。有効露光時間を１２ｘｌＯ−８秒
とし、１０分間補力した後に明確な像を得た。
エポキシ−ガラス繊維材料にＺｎＯ粉末を分散させたも
のを用いた場合に匹敵する結果が得られた。
実施例　２ 二酸化チタンを充填した基板材料を、同様な予備処理工
程の債に、１１当り： エチレンジアミン四酢酸の 四ナトリウム塩　　　　　　　　０．０７２モルＮａＯ
ＨＯ，１２モル シアン化金（Ｉ）カリウム　　　　０．０１４モルを含
有し、５０−Ｃに加熱された水溶液中に置いた。
このシート材料を実施例１で用いたと同様なパルス化窒
素レーザーに露光した。明確な可視像を得るには有効露
光時間４Ｘ１０　’秒の１個のパルスで充分であった。
実施例　８ 実施例１と同様にして二酸化チタン顔料を充填した板を
疎水性にし、次いで実施例１と同様な無電解銅メッキ溶
液中に置き、アルゴンイオンレーザ−（出力約０．７０
　Ｗ、波長８８４．１３５１および８６４ｎｍ）に１６
秒間連続的に露光した。露光中この板を約７朋の距離に
わたって直線状に移動させた。露光後溶液中に約１０分
間留めた後に導電性の良好な銅ラインを得た。
実施例　４ 実施例１と同様にしてＴｉＯ□顔料を充填し、予備処理
した板を１１当り： ＰｄＣ！、２　　　　５．６ｘ１０　モルＨＣ１Ｏ、１
２モルおよび 「テンサゲクス（Ｔｅｎｓａｇｅｘ　：商品名）　ＤＰ
　２４Ｊすなわちアルキルアリールポリグリコールエー
テルザルフェートからなる湿潤剤 ０．４電量％ を含有する水溶液中に１ｄいた。
この板に対する露光は実施例８のアルゴンイオンレーザ
−（出力約０．７０　Ｗ　）を用いて１　、　ｌ／２゜
’Ｑ　”１４　’　”ｉ６　、電２および鴇秒の露光時
間の範囲で行った。５０℃に加熱した銅メツキ浴液中に
約１分間留めた後に、すべての露光時間において蕗資板
に黒色像を得た。
実施例　５ Ａｔ２０８セラミツクからなる板をアセチルアセトフチ
タフ２５重奮％とプロパノ−ルー２７５重着％とからな
る溶液中に浸漬し、次いでこの溶液から徐々に取出した
。ヘヤ・ドライヤーを用いて乾燥した後に、この板を５
００″（ｌＣ８分間維持し、次いで熱分解により二酸化
チタンなＡｌ２Ｏ８基板」二に形成した。次いでこの板
を１を当１′ｌニジアン化金（Ｉ）カリウム　　　　０
．０１４モル価酸銅　　　　　　　　　　０．００５モ
ルエチレンシアεン四酢酸の 四ナトリウム塩　　　　　　　　０．０７２モルＮａＯ
ＨＯ，１２モルお、Ｌび ホルムアルデヒド　　　　　　　０．１１’１モルを含
有する水溶液を入れたキュベツト中に留いた。
こい板を実施例４と同様な４″＃時間範囲で露光・させ
た。露光後溶液中に１５分間留めた汝に適正な可視金属
像が形成した。
フルーイランペンファブリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　露党後に金属イオン溶液からこの金属を物理的現像
    または無電解メッキ溶液によって補力される核の形態で
    堆積することができる感光性の半導電性化合物が内部ま
    たは表面上に存在する基板材料あるいは該化合物からな
    る基板材料の表面の上または下の少くとも一方に、金属
    像または金属パターンを形成するに当り、 内部ｆたは表面上に前記感光性の半導電性化合物が存在
    する前記基板表面を、核形成性金属のイオンを含有する
    溶液中に浸漬し、次いで前記基板に対して制御されて移
    動しかつ前記の関連する半導シ性化合物によって吸収さ
    れるような波長をスペクトルの紫外部または可視部に有
    するレーザー″＃の集束ビームによりパターンに従って
    露光することを特徴とする金聞像または金属パターンの
    形成方法。 ＆　無電解メッキまたは物理的現像に適当な金属塩およ
    びこの金属塩の還元剤の溶液中で露光を行う特許請求の
    範囲第１項に記載の方法。 ８　感光性の半導電性化合物が二酸化ナタンまたは酸化
    亜鉛である特許請求の範囲第１項または第２項ＶＣ紀載
    の方法。 小　金または金合金を堆積させるための無電解溶液を核
    の形成および次の核の補力に用いる特許請求の範囲第１
    〜８項のいずれか一つの項に記載の方法。
JP57216304A 1981-12-15 1982-12-11 金属像または金属パタ−ンの形成方法 Granted JPS58106537A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8105633 1981-12-15
NL8105633A NL8105633A (nl) 1981-12-15 1981-12-15 Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58106537A true JPS58106537A (ja) 1983-06-24
JPH0326816B2 JPH0326816B2 (ja) 1991-04-12

Family

ID=19838548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57216304A Granted JPS58106537A (ja) 1981-12-15 1982-12-11 金属像または金属パタ−ンの形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4426442A (ja)
EP (1) EP0081889B1 (ja)
JP (1) JPS58106537A (ja)
DE (1) DE3267190D1 (ja)
NL (1) NL8105633A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10344385B2 (en) 2013-08-09 2019-07-09 Lg Chem, Ltd. Method for forming conductive pattern by direct radiation of electromagnetic wave, and resin structure having conductive pattern thereon

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3237205C2 (de) * 1982-10-07 1985-11-07 Karl-Heinz Dipl.-Chem. 8900 Augsburg Stadler Verfahren zum Abscheiden von Metallen und/oder Halbmetallen auf Photoleitern sowie die Verwendung dieses Verfahrens
NL8702219A (nl) * 1987-09-16 1989-04-17 Philips Nv Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat.
US4814259A (en) * 1987-11-09 1989-03-21 Rockwell International Corporation Laser generated electrically conductive pattern
NL9000502A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker.
US5206102A (en) * 1991-11-15 1993-04-27 Rockwell International Corporation Photoelectrochemical imaging system
US5260108A (en) * 1992-03-10 1993-11-09 International Business Machines Corporation Selective seeding of Pd by excimer laser radiation through the liquid
US5378508A (en) * 1992-04-01 1995-01-03 Akzo Nobel N.V. Laser direct writing
US5834069A (en) * 1996-04-30 1998-11-10 Zentox Corporation In situ method for metalizing a semiconductor catalyst
FR2822167B1 (fr) 2001-03-15 2004-07-16 Nexans Procede de metallisation d'une piece substrat
GB2385863A (en) * 2001-10-29 2003-09-03 Qinetiq Ltd High resolution patterning method
JP4521228B2 (ja) * 2003-07-28 2010-08-11 正也 市村 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置
EP1610597A1 (de) * 2004-06-22 2005-12-28 Technomedica AG Ausscheiden von Kupfer zur Erzeugung von Leiterbahnen
US9435035B2 (en) 2010-01-15 2016-09-06 Byd Company Limited Metalized plastic articles and methods thereof
CN102071424B (zh) * 2010-02-26 2012-05-09 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
CN102071411B (zh) 2010-08-19 2012-05-30 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
KR101988241B1 (ko) * 2012-10-04 2019-06-12 도레이 카부시키가이샤 도전 패턴의 제조 방법
CN103813651B (zh) * 2013-11-07 2017-05-10 溧阳市江大技术转移中心有限公司 一种覆铜板的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3052541A (en) 1959-01-14 1962-09-04 Gen Aniline & Film Corp Photographic reproduction process and apparatus therefor
US3380823A (en) 1966-06-20 1968-04-30 Itek Corp Photocopying method
NL157659B (nl) 1967-09-22 1978-08-15 Philips Nv Werkwijze voor het langs fotografische weg vervaardigen van elektrisch geleidende koperpatronen.
US3732100A (en) * 1968-04-01 1973-05-08 Itek Corp Method of making electrical capacitors
FR1601856A (en) * 1968-09-12 1970-09-21 Display system
US3672744A (en) 1970-10-06 1972-06-27 Ibm Holographic system and process utilizing a wet cell phase hologram

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10344385B2 (en) 2013-08-09 2019-07-09 Lg Chem, Ltd. Method for forming conductive pattern by direct radiation of electromagnetic wave, and resin structure having conductive pattern thereon

Also Published As

Publication number Publication date
EP0081889B1 (en) 1985-10-30
JPH0326816B2 (ja) 1991-04-12
US4426442A (en) 1984-01-17
EP0081889A2 (en) 1983-06-22
DE3267190D1 (en) 1985-12-05
NL8105633A (nl) 1983-07-01
EP0081889A3 (en) 1983-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58106537A (ja) 金属像または金属パタ−ンの形成方法
US5328811A (en) Method of printing an image on a substrate particularly useful for producing printed circuit boards
DE69231893T2 (de) Verfahren und Zusammensetzungen für die stromlose Metallisierung
EP0175253B1 (de) Verfahren zur partiellen Aktivierung von Substratoberflächen
EP0357124B1 (en) Method of selectively providing a metal from the liquid phase on a substrate by means of a laser
EP0180101B1 (en) Deposition of patterns using laser ablation
US5260108A (en) Selective seeding of Pd by excimer laser radiation through the liquid
DE3421989A1 (de) Verfahren zum metallisieren von keramischen oberflaechen
DK146780B (da) Fremgangsmaade til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte moenstre
US4511597A (en) Method for depositing a metal on a surface
JPS61113295A (ja) 非導電性基材上に金属図形を形成する方法
US3791340A (en) Method of depositing a metal pattern on a surface
JPH04268070A (ja) 基板上に金属層を形成するための方法
Metev et al. Pattern generation by laser-induced oxidation of thin metal films (microcircuit fabrication)
US5112434A (en) Method for patterning electroless metal on a substrate followed by reactive ion etching
JPH09111463A (ja) 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法
KR19980071752A (ko) 무전해 도금용 활성화 촉매액 및 무전해 도금 방법
US4304849A (en) Methods of depositing metallic copper on substrates
CA1050357A (en) Process for the formation of real images and products produced thereby
CA1045909A (en) Processes and products of sensitizing substrates
JPS6177393A (ja) 基板表面を部分金属化する方法
CA1082817A (en) Method of depositing metal conducting patterns on large area surfaces
JPH0577748B2 (ja)
GB2160712A (en) Forming conductive tracks on circuit boards
JPS61104083A (ja) 無電解めつき方法