JPS58106966A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS58106966A JPS58106966A JP56205431A JP20543181A JPS58106966A JP S58106966 A JPS58106966 A JP S58106966A JP 56205431 A JP56205431 A JP 56205431A JP 20543181 A JP20543181 A JP 20543181A JP S58106966 A JPS58106966 A JP S58106966A
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- Japan
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光素子として光導電体膜を用いた固体撮像装
置に関し、特に受光部の余剰信号電荷を除去する機能を
有する固体撮像装置に関するものである。
置に関し、特に受光部の余剰信号電荷を除去する機能を
有する固体撮像装置に関するものである。
近年、２次元固体撮像装置においては、ＴＶ右カメラ小
型化を低消費電力化の要請に伴ない、光学系が１”ｌ
Ｗ’ｓ ｖ２“と小型になる傾向が強い。一方、光感度
を増大させるために、光導電体膜を半導体基板上に積層
した固体撮像装置を用いる傾向にある。そのため、イメ
ージ部の走査回路として電荷転送素子（例えばＣ０Ｄ）
を用いた固体撮像装置においては、受光部の容量が走査
回路の転送容量より大きくなる現象が発生する。
型化を低消費電力化の要請に伴ない、光学系が１”ｌ
Ｗ’ｓ ｖ２“と小型になる傾向が強い。一方、光感度
を増大させるために、光導電体膜を半導体基板上に積層
した固体撮像装置を用いる傾向にある。そのため、イメ
ージ部の走査回路として電荷転送素子（例えばＣ０Ｄ）
を用いた固体撮像装置においては、受光部の容量が走査
回路の転送容量より大きくなる現象が発生する。
この為、以下の問題が発生し撮像画面に悪影響をもたら
す。
す。
（１）受光部の信号量を全て走査回路に読み込む場合に
おいて、強い光入射で受光部の信号量が走査回路の転送
容量より大きくなった時、走査回路に読み込まれた受光
部の全信号量は走査回路であふれだす。そのため撮像画
面では縦に白線が発生する。
おいて、強い光入射で受光部の信号量が走査回路の転送
容量より大きくなった時、走査回路に読み込まれた受光
部の全信号量は走査回路であふれだす。そのため撮像画
面では縦に白線が発生する。
（２）受光部の信号量を走査回路の転送容量だけ読み込
む場合、強い光入射で受光部の信号量が走査回路の転送
容量より大きく々っだ時、１回の読み込みで走査回路の
転送容量分しか読み込まな゛いため、信号電荷の積み残
しが発生する。このため撮像画面においては残像が発生
する。
む場合、強い光入射で受光部の信号量が走査回路の転送
容量より大きく々っだ時、１回の読み込みで走査回路の
転送容量分しか読み込まな゛いため、信号電荷の積み残
しが発生する。このため撮像画面においては残像が発生
する。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、受光素子として光
導電体膜を用いた絵素を２次元的に複数配列した固体撮
像装置の、受光部の余剰信号電荷が撮像画面に与える影
響を除去出来る固体撮像素子構造を提供せんとするもの
である。すなわち、本発明は受光部の信号電荷蓄積用ダ
イオードに電位をクリップするＭＯＳ トランジスタを
新たに接続したものである。
導電体膜を用いた絵素を２次元的に複数配列した固体撮
像装置の、受光部の余剰信号電荷が撮像画面に与える影
響を除去出来る固体撮像素子構造を提供せんとするもの
である。すなわち、本発明は受光部の信号電荷蓄積用ダ
イオードに電位をクリップするＭＯＳ トランジスタを
新たに接続したものである。
本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図に示し、そ
の動作を第４図、第６図を用いて説明する。
の動作を第４図、第６図を用いて説明する。
第１図は、受光素子として光導電体膜を有し、垂直走査
回路として２層ｐｏｌｙｓｉ電極のＣＯＤを用いたイン
ターライン転送方式の２次元の固体撮像装置を概略的に
平面図で示したものである。この固体撮像装置は、読み
込み駆動用パルスと転送駆動用パルスを混合した２相の
垂直転送駆動パルスで駆動するようにしている。同図に
おいて、ａｌ。
回路として２層ｐｏｌｙｓｉ電極のＣＯＤを用いたイン
ターライン転送方式の２次元の固体撮像装置を概略的に
平面図で示したものである。この固体撮像装置は、読み
込み駆動用パルスと転送駆動用パルスを混合した２相の
垂直転送駆動パルスで駆動するようにしている。同図に
おいて、ａｌ。
ａ２．・・−・・、ａａ−＋、ＩＬｎは、光導電体膜と
、この光導電体膜で発生した信号電荷を蓄積する信号電
荷蓄積ダイオードとよシなる受光素子列、ｂｌ、 ｂ２
．・・・・・・。
、この光導電体膜で発生した信号電荷を蓄積する信号電
荷蓄積ダイオードとよシなる受光素子列、ｂｌ、 ｂ２
．・・・・・・。
ｂｎ、、 ｂｎはＣＯＤよりなる垂直走査回路で、受光
素子列ａ５．ａ２．・・・・・・、＆ｎ−１，”ｎより
光信号電荷を読み込んで矢符骨ＰＴの方向に垂直転送す
る。ＣはＣＣＤよりなる垂直走査回路す、、 ｂ２．・
・・・・・ｌ ｂｎ ’＋ｂｎ を駆動させるための２
相の垂直転送りロックパルスφｖｔ、φｖ２であり、そ
れぞれの垂直転送りロックパルスφｖ＋、φｖ２には転
送駆動用パルスのほか、受光素子列！Ｌ、、 ａ２．・
・・・・、ａｎ−＋、ａｎから垂直走査回路す、、 ｂ
、、、・・・・・・、ｂｎ−１，ｂｎへ光信号電荷を読
み込むだめの読み込み駆動用パルスも含んでいる。ｄは
ＣＯＤよりなる水平走査回路で、垂直走査回路す、。
素子列ａ５．ａ２．・・・・・・、＆ｎ−１，”ｎより
光信号電荷を読み込んで矢符骨ＰＴの方向に垂直転送す
る。ＣはＣＣＤよりなる垂直走査回路す、、 ｂ２．・
・・・・・ｌ ｂｎ ’＋ｂｎ を駆動させるための２
相の垂直転送りロックパルスφｖｔ、φｖ２であり、そ
れぞれの垂直転送りロックパルスφｖ＋、φｖ２には転
送駆動用パルスのほか、受光素子列！Ｌ、、 ａ２．・
・・・・、ａｎ−＋、ａｎから垂直走査回路す、、 ｂ
、、、・・・・・・、ｂｎ−１，ｂｎへ光信号電荷を読
み込むだめの読み込み駆動用パルスも含んでいる。ｄは
ＣＯＤよりなる水平走査回路で、垂直走査回路す、。
ｂ２．・・・・・・、ｂｎ−１，ｂｎ より送られて
きた垂直の光信号電荷を矢符骨ＰＩＩの方向に水平転送
し、信号出力ｆとして外部回路に取シ出す。ｅは水平走
査回路ｄを駆動させるための水平転送りロックパルスφ
ＩＮ、φＨ２である。ｇ、 ｈは受光素子列ＩＪ、 ａ
２．・・・・・・。
きた垂直の光信号電荷を矢符骨ＰＩＩの方向に水平転送
し、信号出力ｆとして外部回路に取シ出す。ｅは水平走
査回路ｄを駆動させるための水平転送りロックパルスφ
ＩＮ、φＨ２である。ｇ、 ｈは受光素子列ＩＪ、 ａ
２．・・・・・・。
ａｎ−＋、ａｎ の信号電荷蓄積用ダイオードの電位
を任意の値にクリップするための電極である。
を任意の値にクリップするための電極である。
第２図は、第１図のイメージ部の構造を概略的に示した
平面図である。第３図（＆）は、第２図の■−■線断面
を概略的に示したものであシ、第３図（ｂ）は第２図の
■−■線断面を概略的に示したものである。説明を容易
にするため共通の構成要素のものは同一の番号にしであ
る。第２図、第３図（ａ）。
平面図である。第３図（＆）は、第２図の■−■線断面
を概略的に示したものであシ、第３図（ｂ）は第２図の
■−■線断面を概略的に示したものである。説明を容易
にするため共通の構成要素のものは同一の番号にしであ
る。第２図、第３図（ａ）。
（ｂ）において、１は金属電極２を介して光導電体膜３
と電気的に接続され、光導電体膜３で発生する光信号電
荷を蓄積するだめの接合ダイオード部であり、半導体基
板４に対し逆の導電形を有する拡散層で形成されている
。６は接合ダイオード部１に蓄積される信号電荷を転送
ライン側に読み込むディプレッション形のＭＯＳ ）ラ
ンジスタで形成した読み込みゲート部であり、６は埋め
込み型のＣＯＤで形成した垂直転送ラインを示す。そし
て、光導電体膜３と接合ダイオード部１とを電気的に接
合する金属電極２の面積が、そのまま１絵素の受光面積
となる。６ａは、垂直転送ライン６の一部領域をなす信
号電荷蓄積用の蓄積領域であシ、また６ｂは蓄積領域６
ａの信号電荷を転送する遷移領域である。７，８は垂直
転送ライン６を形成するＣＣＤのポリシリコン転送電極
であシ、接合ダイオード部１から垂直転送ライ／６へ信
号電荷を読み込むＭＯＳ ）ランジスタで形成した読み
込みゲート部６のゲート電極を兼ねる。９はフィールド
酸化膜、１０はチャンネルストッパー、１１はポリシリ
コン転送電極７，８および金属電極２の間を絶縁分離す
るだめの酸化膜、１２は光導電体膜３にバイアス電荷を
供給する透明電極膜、１３は光導電体膜３と接している
金属電極２が半導体基板４上に形成された接合ダイオー
ド部１と電気的コンタクトを取る部分を示し、１４はゲ
ート酸化膜である。１６は半導体基板４に対し逆の導電
形を有する拡散層、１６はポリシリコンのゲート電極、
１７はゲート酸化膜である。ここで、拡散層１．１６と
ポリシリコン電極１６とによりＭＯＳトランジスタを形
成し、ポリシリコン電極１６゜拡散層１６はそれぞれ外
部から独立に任意の電圧にバイアスされる。１８はゲー
トチャンネル部を示す。
と電気的に接続され、光導電体膜３で発生する光信号電
荷を蓄積するだめの接合ダイオード部であり、半導体基
板４に対し逆の導電形を有する拡散層で形成されている
。６は接合ダイオード部１に蓄積される信号電荷を転送
ライン側に読み込むディプレッション形のＭＯＳ ）ラ
ンジスタで形成した読み込みゲート部であり、６は埋め
込み型のＣＯＤで形成した垂直転送ラインを示す。そし
て、光導電体膜３と接合ダイオード部１とを電気的に接
合する金属電極２の面積が、そのまま１絵素の受光面積
となる。６ａは、垂直転送ライン６の一部領域をなす信
号電荷蓄積用の蓄積領域であシ、また６ｂは蓄積領域６
ａの信号電荷を転送する遷移領域である。７，８は垂直
転送ライン６を形成するＣＣＤのポリシリコン転送電極
であシ、接合ダイオード部１から垂直転送ライ／６へ信
号電荷を読み込むＭＯＳ ）ランジスタで形成した読み
込みゲート部６のゲート電極を兼ねる。９はフィールド
酸化膜、１０はチャンネルストッパー、１１はポリシリ
コン転送電極７，８および金属電極２の間を絶縁分離す
るだめの酸化膜、１２は光導電体膜３にバイアス電荷を
供給する透明電極膜、１３は光導電体膜３と接している
金属電極２が半導体基板４上に形成された接合ダイオー
ド部１と電気的コンタクトを取る部分を示し、１４はゲ
ート酸化膜である。１６は半導体基板４に対し逆の導電
形を有する拡散層、１６はポリシリコンのゲート電極、
１７はゲート酸化膜である。ここで、拡散層１．１６と
ポリシリコン電極１６とによりＭＯＳトランジスタを形
成し、ポリシリコン電極１６゜拡散層１６はそれぞれ外
部から独立に任意の電圧にバイアスされる。１８はゲー
トチャンネル部を示す。
次に、第４図、第５図を用いて第２図を第３図（ＩＬ）
、 Ｏ））に示した本発明に係る固体撮像装置の動作を
説明する。第４図は垂直走査用駆動パルスである。同図
（ａ）においてφマ１Ｒは読み込みパルス、φｖ１〒は
転送パルス、Ｒは読み込みパルスφＹ＋１の振幅、Ｔは
読み込みパルスφマ１丁の振幅を示し、Ｔ（は１フレ一
ム期間（３３ｍ ５ｅｃ） 、Ｔｙは１フイ一ルド期間
（１６，５ｔｎ ５ｅｃ）を示す。同図（ｂ）において
、φマ２Ｒは読み込みパルス、φマ２丁は転送パルス、
Ｒは読み込みパルスφマ２Ｒの振幅、Ｔは転送パルスφ
ｖ２丁の振幅を示し、ＴＢは垂直ブランキング期間を示
す。
、 Ｏ））に示した本発明に係る固体撮像装置の動作を
説明する。第４図は垂直走査用駆動パルスである。同図
（ａ）においてφマ１Ｒは読み込みパルス、φｖ１〒は
転送パルス、Ｒは読み込みパルスφＹ＋１の振幅、Ｔは
読み込みパルスφマ１丁の振幅を示し、Ｔ（は１フレ一
ム期間（３３ｍ ５ｅｃ） 、Ｔｙは１フイ一ルド期間
（１６，５ｔｎ ５ｅｃ）を示す。同図（ｂ）において
、φマ２Ｒは読み込みパルス、φマ２丁は転送パルス、
Ｒは読み込みパルスφマ２Ｒの振幅、Ｔは転送パルスφ
ｖ２丁の振幅を示し、ＴＢは垂直ブランキング期間を示
す。
ここで、垂直走査回路の駆動パルスφマ１．φマ２にお
いては、各々のパルス系において１フレーム（３３ｍｓ
ｅｃ）毎に読み込みパルスが立ち、かつφｖ１とφマ２
闇では１フイールド（１６，５ｍ ５ｅｃ）毎に交互に
なっている（インターレース走査）。また、φｖ１とφ
マ２の転送パルスは位相が反転している（２相駆動であ
る）。また第４図において、ｔ１〜もは任意の時刻での
位相を示したものである。
いては、各々のパルス系において１フレーム（３３ｍｓ
ｅｃ）毎に読み込みパルスが立ち、かつφｖ１とφマ２
闇では１フイールド（１６，５ｍ ５ｅｃ）毎に交互に
なっている（インターレース走査）。また、φｖ１とφ
マ２の転送パルスは位相が反転している（２相駆動であ
る）。また第４図において、ｔ１〜もは任意の時刻での
位相を示したものである。
第６図は、第４図の駆動パルづ系を用いたときの本発明
の固体撮像装置の読み込み時と光積分時の単位絵素部の
ポテンシャル状態を示したものである。第６図（ａ）に
おいて、ｖＤＤとφＢ（）はそれぞれＭＯＳトランジス
タ（ＴＲＩ）のドレイン端子とゲート端子を示す。Ｃ，
Ｒは光導電体膜３を等価回路で示したもので、φＢは光
導電体膜３に、透明電極１２を介して印加されるバイア
ス電位である。
の固体撮像装置の読み込み時と光積分時の単位絵素部の
ポテンシャル状態を示したものである。第６図（ａ）に
おいて、ｖＤＤとφＢ（）はそれぞれＭＯＳトランジス
タ（ＴＲＩ）のドレイン端子とゲート端子を示す。Ｃ，
Ｒは光導電体膜３を等価回路で示したもので、φＢは光
導電体膜３に、透明電極１２を介して印加されるバイア
ス電位である。
φｖ１は、垂直走査駆動パルスである。第５図＜ｂ）〜
（ｄ）は第５図（＋Ｌ）に対応する部分のポテンシャル
状態を示しており、これを用いて動作を説明する。
（ｄ）は第５図（＋Ｌ）に対応する部分のポテンシャル
状態を示しており、これを用いて動作を説明する。
第６図（ｂ）〜（ｄ）において、ψＯＦＦはφｖ１＝Ｏ
ｖＯ時、ψ丁はφｖ１：φＹｆＴの時１ φＢはφマ１
＝φマＩＲの時の読み込みパルスが印加された時の電位
である。ｖＤＤはトランジスタＴＲＩのドレイン端子ｖ
ｎｎに任意の電圧が印加された時のドレインの電位を示
し、ｖＤＤはゲート端子φＤＧに任意の電圧が印加され
た時のゲートチャンネル部の電位を示す。また、喝は信
号電荷で、Ｑｓ’は余剰信号電荷である。
ｖＯ時、ψ丁はφｖ１：φＹｆＴの時１ φＢはφマ１
＝φマＩＲの時の読み込みパルスが印加された時の電位
である。ｖＤＤはトランジスタＴＲＩのドレイン端子ｖ
ｎｎに任意の電圧が印加された時のドレインの電位を示
し、ｖＤＤはゲート端子φＤＧに任意の電圧が印加され
た時のゲートチャンネル部の電位を示す。また、喝は信
号電荷で、Ｑｓ’は余剰信号電荷である。
ここで・Ｑｓ＝ ００・（ψＲ−ψＯａ） ・・・
・・・・・・（１）Ｃｏ：蓄積ダイオード１と電気的に
接続している全容量。
・・・・・・（１）Ｃｏ：蓄積ダイオード１と電気的に
接続している全容量。
の関係が成り立つ。
次に、掃き出しＭＯＳトランジスタＴＲＩによって余剰
信号電荷Ｑｓ’が掃き出される様子を第６図（ｂ）、
ＣＣ）ｓ （ｄ）を用いて順を追って説明する。
信号電荷Ｑｓ’が掃き出される様子を第６図（ｂ）、
ＣＣ）ｓ （ｄ）を用いて順を追って説明する。
第６１図すに示す様に、ｔ＝ｔ１〜ｔ２の時すなわち光
積分期間の時、蓄積ダイオード１の電位は読み込みパル
スφマ１ＲのリセットレベルψＲから信号光の強度に応
じて上昇してくる。しかし、この時、掃き出しＭＯＳト
ランジスタＴＲＩのゲート電位ψＤＧを受光部の信号電
荷量Ｑ８が、転送ラインのＣ，ＣＤの転送容量Ｑ■ｃと
同じになる様に設定しておけば、たとえ強い光が入射し
てもＱｇ＝ Ｑａｎ以上の余剰の信号電荷量は全て、Ｔ
ＲＩのドレイン１６側に掃き出されてしまう。このとき
、ＴＲＩのドレイン１６側に掃き出される為には ２ ・・・・・・・・・＠）ｖＤＤ −
ｖＤＤ の関係が成立していなければならない。また、掃き出し
トランジスタＴＲＩのゲート電位ψＤＧを蓄積ダイオー
ド１の読み込みゲート部の転送、＜ルスφｖ＋’ｒ 印
加時の電位ψ！よシ大きく、すなわちψｎａ＞ψ！
・・・・・・・・・（３）と設定しておけば
、光積分期間にどんなに強い光が入射しても、信号電荷
がψ！を越えて転送ラインにあふれ出すことはない。
積分期間の時、蓄積ダイオード１の電位は読み込みパル
スφマ１ＲのリセットレベルψＲから信号光の強度に応
じて上昇してくる。しかし、この時、掃き出しＭＯＳト
ランジスタＴＲＩのゲート電位ψＤＧを受光部の信号電
荷量Ｑ８が、転送ラインのＣ，ＣＤの転送容量Ｑ■ｃと
同じになる様に設定しておけば、たとえ強い光が入射し
てもＱｇ＝ Ｑａｎ以上の余剰の信号電荷量は全て、Ｔ
ＲＩのドレイン１６側に掃き出されてしまう。このとき
、ＴＲＩのドレイン１６側に掃き出される為には ２ ・・・・・・・・・＠）ｖＤＤ −
ｖＤＤ の関係が成立していなければならない。また、掃き出し
トランジスタＴＲＩのゲート電位ψＤＧを蓄積ダイオー
ド１の読み込みゲート部の転送、＜ルスφｖ＋’ｒ 印
加時の電位ψ！よシ大きく、すなわちψｎａ＞ψ！
・・・・・・・・・（３）と設定しておけば
、光積分期間にどんなに強い光が入射しても、信号電荷
がψ！を越えて転送ラインにあふれ出すことはない。
次に第５図（Ｃ）に示す様に、ｔ−１５〜ｔ４のとき読
み込みパルスφＩＲが印加されて、信号電荷Ｑｓが蓄積
ダイオード１から転送ライン側に読み込まれる。
み込みパルスφＩＲが印加されて、信号電荷Ｑｓが蓄積
ダイオード１から転送ライン側に読み込まれる。
そして第６図（ｄ）に示す様に、ｔ ＝ ｔｓ以降受光
部は再び光積分期間に入り、一方転送ライン側では先程
の読み込まれた信号電荷Ｑｓが転送ノクルスの印加によ
り垂直転送され、水平走査回路を経て外部回路に信号と
して取り出される。
部は再び光積分期間に入り、一方転送ライン側では先程
の読み込まれた信号電荷Ｑｓが転送ノクルスの印加によ
り垂直転送され、水平走査回路を経て外部回路に信号と
して取り出される。
以上の様に、本発明は掃き出しトランジスタを設け、受
光部の全信号電荷量ＱｓがＣＯＤの転送ラインの転送容
−量Ｑｓａｃと等しくなる様に、ゲート電位とドレイン
電位を設定しているので、転送容量以上の余剰信号電荷
を掃き出しトランジスタのドレイン側に掃き出すことが
できる。また、光積分時の掃き出しトランジスタのゲー
ト電位及びドレイン電位を転送パルスが印加された時の
読み込みゲート部の電位より高く設定しておくことによ
り、たとえどんなに強い光が入射しても、転送途中で光
信号電荷が転送ライン側にあふれだすのを防ぐことがで
きる。このため、どんなに強い入射光下においても撮像
画面の残像、ブルーミング及びスメア−をなくすことが
出来る。さらに、光導電体膜には掃き出しトランジスタ
のゲート端子、ドレイン端子とは独立にバイアス電圧が
印加できるので、残像２ ブルーミング及びスメア−を
おさえた上でかつ光導電体膜のニーポイントや耐圧を考
慮した最適の光導電体膜へのバイアス設定が可能となる
。
光部の全信号電荷量ＱｓがＣＯＤの転送ラインの転送容
−量Ｑｓａｃと等しくなる様に、ゲート電位とドレイン
電位を設定しているので、転送容量以上の余剰信号電荷
を掃き出しトランジスタのドレイン側に掃き出すことが
できる。また、光積分時の掃き出しトランジスタのゲー
ト電位及びドレイン電位を転送パルスが印加された時の
読み込みゲート部の電位より高く設定しておくことによ
り、たとえどんなに強い光が入射しても、転送途中で光
信号電荷が転送ライン側にあふれだすのを防ぐことがで
きる。このため、どんなに強い入射光下においても撮像
画面の残像、ブルーミング及びスメア−をなくすことが
出来る。さらに、光導電体膜には掃き出しトランジスタ
のゲート端子、ドレイン端子とは独立にバイアス電圧が
印加できるので、残像２ ブルーミング及びスメア−を
おさえた上でかつ光導電体膜のニーポイントや耐圧を考
慮した最適の光導電体膜へのバイアス設定が可能となる
。
尚、以上の実施例において、掃き出しトランジスタのゲ
ート端子とドレイン端子を独立にしであるものについて
述べたが、ゲート端子とドレイン端子が電気的に接続さ
れているものにおいても同様の効果は期待できる。又、
混合パルス駆動の例について述べたが、同様の効果は読
み込みと転送を各々独立のゲート電極−駆動パルスで行
なう方式においても期待できる。更に、走査回路として
ＭＯＳトランジスタを用いた方式や、ＢＢＤを用以上述
べた様に、本発明によれば固体撮像装置における余剰電
荷を確実に除去出来るので、その工業的価値は極めて高
い。
ート端子とドレイン端子を独立にしであるものについて
述べたが、ゲート端子とドレイン端子が電気的に接続さ
れているものにおいても同様の効果は期待できる。又、
混合パルス駆動の例について述べたが、同様の効果は読
み込みと転送を各々独立のゲート電極−駆動パルスで行
なう方式においても期待できる。更に、走査回路として
ＭＯＳトランジスタを用いた方式や、ＢＢＤを用以上述
べた様に、本発明によれば固体撮像装置における余剰電
荷を確実に除去出来るので、その工業的価値は極めて高
い。
第１図はインターライン転送方式の２次元向体撮像装置
の全体図、第２図は本発明の一実施例における固体撮像
装置のイメージ部分の平面図、第３図（ＩＬ）は第２図
（７）ＩＩ−Ｉ［断面図、第３図（ｂ）は第２図の■−
■断面図、第４図は本発明の一実施例における固体撮像
装置を駆動する垂直走査用駆動パルス波形図、第５図（
ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における固体撮像装置
の動作を示すボテンシャル状態図を示す。 １６・・・・・・掃き出しトランジスタのドレイン拡散
層、１６・・・・・・掃き出しトランジスタのゲート電
極、１８・・・・・・掃き出しトランジスタのチャンネ
ル部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 （αン ３図 第４図
の全体図、第２図は本発明の一実施例における固体撮像
装置のイメージ部分の平面図、第３図（ＩＬ）は第２図
（７）ＩＩ−Ｉ［断面図、第３図（ｂ）は第２図の■−
■断面図、第４図は本発明の一実施例における固体撮像
装置を駆動する垂直走査用駆動パルス波形図、第５図（
ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における固体撮像装置
の動作を示すボテンシャル状態図を示す。 １６・・・・・・掃き出しトランジスタのドレイン拡散
層、１６・・・・・・掃き出しトランジスタのゲート電
極、１８・・・・・・掃き出しトランジスタのチャンネ
ル部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 （αン ３図 第４図
Claims (1)
- 光信号を電気信号に変換する光導電体膜と、前記光導電
体膜で発生する光信号電荷を蓄積するダイオードと、前
記ダイオードの信号電荷を転送する信号転送回路と、前
記ダイオードに接続された過剰電荷排出用ＭＯ８）ラン
ジスタとを有することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205431A JPS58106966A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205431A JPS58106966A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106966A true JPS58106966A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16506741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205431A Pending JPS58106966A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106966A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273667A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56205431A patent/JPS58106966A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273667A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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