JPS5810793B2 - スイツチ装置 - Google Patents

スイツチ装置

Info

Publication number
JPS5810793B2
JPS5810793B2 JP53061802A JP6180278A JPS5810793B2 JP S5810793 B2 JPS5810793 B2 JP S5810793B2 JP 53061802 A JP53061802 A JP 53061802A JP 6180278 A JP6180278 A JP 6180278A JP S5810793 B2 JPS5810793 B2 JP S5810793B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble
magnetic field
transfer
switch
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53061802A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5413232A (en
Inventor
エマーソン・ダブリユー・パグ
ミツチエル・シモンズ・コーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS5413232A publication Critical patent/JPS5413232A/ja
Publication of JPS5810793B2 publication Critical patent/JPS5810793B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • G11C19/0883Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/085Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はバブル磁区に対する改良された電流制御式転
送スイッチ、更に具体的に言えば、従来の転送スイッチ
に較べて、転送電流の大きさを実質的に減少した転送ス
イッチに関する。
バブル磁区貯蔵装置では、屡々転送スイッチを必要とす
る。
こういうスイッチは、バブル磁区がスイッチに供給され
た入力の制御の下に、新しい伝播通路に入る様に、バブ
ル磁区の通常の伝播通路を変える為に使われる。
この入力は、例えば別のバブル磁区によって供給するこ
とが出来る磁界、電流パルス、又は磁気素子の漂遊磁界
である。
普通の転送スイッチは転送動作を行なう為に切換え電流
を利用し、バブル磁区を通常の伝播通路に保持する為に
電流パルスを印加する(こういうスイッチは「保持の為
に駆動する」スイッチと呼ぶことが出来る)か、或いは
バブル磁区を新しい伝播通路に送込む為に転送動作を行
なうのに電流パルスを印加する(こういうスイッチは「
転送の為に駆動する」スイッチと呼ぶことができる)。
電流制御式転送スイッチを用いた非常に高密度の磁気バ
ブル装置を動作させる際の主な難点は、非常に小さいバ
ブル磁区を移動するのに適切な切換え電流を供給する点
にある。
一般に、バブル磁区の寸法が減少すると、バブル媒質の
磁化4πMが増加し、バブルの伝播に必要な駆動磁界H
XYの大きさも増加する。
比例の法則から、バブルの直径が減少すると、所定の転
送スイッチの設計で必要な切換え電流は略一定であるこ
とが判る。
然しバブル磁区の直径が更に小さくなると、スイッチの
構造上の特徴に課せられる最小限の線幅も減少する。
所要の切換え電流が略一定であるから、バブルの直径、
従って磁気片の構造的な特徴が下降するのにつれ、切換
えに必要な電流密度が非常に大きくなる。
電流密度の高いことが、電流を通す導体の性質に悪影響
を及ぼすエレクトロマイグレーションの為これが問題に
なる。
この問題を避ける為、電流制御以外の原理に基づいて動
作するスイッチが考え出された。
例えばバブル磁区の伝播に使われる回転駆動磁界を適正
な順序にすることにより、切換え動作を行なうことが出
来る。
これは例えばI BM TechnicalDisc
losure Bulletin、誌第15巻第7号(
1972年12月号)、第2093頁所載のWF、 B
eausoleil他の論文、並びに米国特許第361
3058号及び同第3543252号に記載されている
これは転送電流を必要としないので、理想的な解決策で
ある様に見えるが、許容し得る様な動作マージンを得る
為には、磁気片の転送スイッチ素子並びにバブル伝播素
子の形状を適切にする為にかなりの努力を必要とする。
更に、所定のバブル磁区モジュール内にある全てのスイ
ッチが必然的に同じ駆動磁界順序の作用を受けるので、
磁気片並びに装置全体の設計にかなりの拘束が加えられ
る。
駆動磁界を変えることによってバブルの通路を選択する
別の方式が、米国特許第3530446号及び同第35
41535号に記載されている。
これらの米国特許では、バブルの伝播方向を変える為、
又は回転が起るチャンネルを選択する為、回転駆動磁界
の振幅を変える。
然し、こういう方式は、所望の伝播方向を持たせる為に
素子の形状を変えたり、或いはバブル磁区を移動させる
のに使われる伝播素子の材料の性質を変えることを必要
とする場合が多いので、それ程望ましくない。
その為、余分の製造工程が必要になるし、相異なる磁気
的な性質を持つ少なくとも2種類の材料を使う必要があ
る。
電流制御式転送スイッチは、業界における開発が最も広
範囲に及んでいる形式の転送スイッチであると思われる
これは、貯蔵されている情報を保持出来る様にする為に
バブル磁区を2つの部分に分割する「複製」形のスイッ
チと、貯蔵されたバブル磁区を分割しない普通の形式の
転送スイッチとの両方がある。
こういうスイッチの多くは、マスク工程が1回の製造方
法を使える様にする為に、全部が1種類の材料で作られ
る様に設計されている。
この様な単一レベル・メタラージ(S LM)法は、特
に(直径が1ミクロン以下の)非常に小さいバブル磁区
を使う時、望ましい特徴である。
特に米国特許第3984823号には、成る順序の電流
パルスを印加して磁区を引伸してから、それを切断して
複製/転送動作を行なう複製形転送スイッチが記載され
ている。
このスイッチは、引伸し及び複製動作の間、駆動磁界の
向きを一定の方向に保つ手段を含む。
これは、駆動磁界の向きの変化がない状態で検出を行な
うことが出来る停止−始動動作が可能になり、それが信
号対雑音比及び論理回路の設計に有利であるから、利点
があると思われる。
引伸し一枚製動作の間、駆動磁界をすっかり終了させる
場合、一定の向きを持つ別の磁界を印加する。
米国特許第3984823号には、転送動作の際に駆動
磁界を変更したものを組合せて制御電流を使う転送スイ
ッチが記載されているが、これは僅かな転送電流だけで
済むスイッチを対象とするものではない。
この米国特許のスイッチでは、転送動作の間、駆動磁界
の大きさは一定のままで、その向きは一定である。
こうすると位相の点では許容範囲が大きくなるが、非常
に小さいバブル磁区を使うスイッチの所要電流は小さく
ならない。
従って、この発明の主な目的は、少量の転送電流で済む
改良されたバブル磁区転送スイッチを提供することであ
る。
この発明の別の目的は、1ミクロン又は1ミクロン以下
のバブル磁区を転送する様に寸法を小さくしても、不利
な程大きな電流を必要としないバブル磁区転送スイッチ
を提供することである。
この発明の別の目的は、どんな設計のバブル磁区転送ス
イッチでも、転送電流の振幅が最小限で済む様な様式で
転送スイッチを作動する方式を提供することである。
この発明の別の目的は、単一レベルメタラージによって
製造することが出来ると共に、転送電流の振幅が最小限
で済むバブル磁区転送スイッチを提供することである。
この発明の別の目的は、バブル片肉にある他の装置のマ
ージンに悪影響を与えない駆動磁界順序と共に、最小限
の振幅の電流を転送スイッチに使うバブル磁区片を提供
することである。
この発明の別の目的は、磁化の反転による問題を最小限
に抑えた、改良された電流制御式SLMバブル磁区スイ
ッチを提供することである。
この発明の別の目的は、普通とは異なる形で印加される
連続的な駆動磁界サイクルを用いる改良されたバブル磁
区片を提供することである。
この発明の別の目的は、雑音信号を最小限に抑えること
が出来るようなバブル感知装置の設計をし易くする駆動
磁界サイクルを用いたバブル磁区片を提供することであ
る。
この発明の別の目的は、スイッチ並びに伝播素子のいろ
いろ異なる設計に応用することが出来る方式により、バ
ブル磁区装置の動作を改善することである。
この発明は電流制御式転送スイッチ、並びに該スイッチ
におけるバブル磁区の伝播通路を制御するのに必要な電
流の大きさを減少する方式に関する。
この方式は、電流密度が大きい為起るエレクトロマイク
レージョンの問題が特に重大となる直径の非常に小さい
バブル装置の設計に有用である。
電流のみによって作動される従来の転送スイッチは、非
常に小さいバブル装置に対しては許容し難い程大きな電
流密度を必要とする。
他方、駆動磁界によって制御される転送スイッチは、全
てのスイッチから見た駆動磁界順序が同じであるし、磁
気片上にある他の装置も同じ駆動磁界順序を受けるので
、マージンが狭い傾向があると共に、磁気片の設計の自
由が制限される。
この為、この発明は電流制御と共に駆動磁界順序の変化
を利用して、バブル磁区の通路を切換える改良された方
式を提供する。
特に、駆動磁界の大きさが減少しつつある時、又は駆動
磁界の大きさが非常に小さな値(好ましくはゼロ)であ
る時、バブル磁区の通路の選択を行ない、駆動磁界の影
響を克服する為に、電流レベルを大きくしなくてもよい
様にする。
更に、この方式は、電流の小さい転送スイッチになる様
にすると同時に、磁気片上にある他の装置のマージンに
悪影響を与えない様に、完全な磁気片をどの様にして設
計し得るかを例示する。
1実施例では、転送(通路の選択)の時に、バブル磁区
を伝播させる為に普通便われる回転駆動磁界の方向順序
を変えると共に電流パルスによって、転送通路を決定す
る。
他の時、駆動磁界順序は変更せず、普通は連続的な36
0℃回転サイクルである。
スイッチの多くの設計では、バブルが2つの磁気素子の
間にある時ではなく、バブルが磁気素子上にある時に、
バブルがたどる通路の選択が行なわれる。
こうすると、こういうスイッチでは、必要な電流の大き
さが更に減少する。
別の利点は、単一レベル・マスク形のいろいろ形式のス
イッチに伴う故障のメカニズム、即ち磁化反転の影響に
よって、導体の所でバブルの時機尚早の条片化並びに崩
壊が起ることが、この駆動磁界順序によって達成される
停止−始動動作の際には抑圧されることである。
別の実施例では、電流の小さい転送スイッチが、連続的
な3象現磁界サイクルに従う駆動磁界を用いて動作する
この駆動サイクルでは、駆動磁界が約2701こわたっ
て一定の振幅で回転し、その後一層小さい振幅に減少し
、90°先の所で再び最初の振幅から始まる。
転送電流パルスは、駆動磁界の振幅が減少しつつある間
、又はそれが小さな振幅である時に印加される。
正弦状又は三角状の駆動という様な駆動磁界の変形も使
うことが出来る。
転送素子、伝播素子、発生素子及び検出素子を含めて、
同じ磁気片上にある全ての装置が同じ「3象限形」駆動
磁界サイクルで動作し、従って、常に同じであるから、
これを「連続形」磁界サイクルと呼ぶ。
1サイクルの相異なる部分で振幅が異なる駆動磁界を用
いる種々の駆動磁界サイクルが米国特許第395229
2号に記載されている。
然し、こういうサイクルは、電流の助けを借りる一層効
率のよい転送スイッチとする為に使われているのではな
い。
この様に変更した駆動磁界サイクルは、完全なバブル磁
区記憶装置における全ての作用に普通に使われる駆動サ
イクルであるから、最初の実施例で使う駆動磁界サイク
ルよりも、スイッチの動作にとって一層便利である。
この為、全ての装置は1種類の駆動磁界サイクルだけで
設計することが出来る。
別の利点として、この形式の、転送スイツチは、複製形
バブル発生装置からのデータ・パターンを制御する為に
使うことが出来る。
更に、3象限形駆動磁界サイクルを使うことは、感知装
置内の磁区が休止状態にあるべき駆動磁界サイクルの「
停止」部分の間(振幅が減少しつつある時)だけ、感知
信号をストローブする様に、バブル検出器を構成するこ
とが出来ることになる。
この為、バブルが存在しない時、磁気抵抗形バブル検出
器が雑音を拾うことがなくなる。
この雑音を拾うことは、駆動磁界によって磁化の反転に
起因するバルクハウゼン雑音信号が生ずるので、一般的
に見られた問題であった。
駆動磁界サイクルは何通りかに変更することが出来る。
駆動磁界を最小限にした時間の間、保持磁界を使うこと
により、その必要がある場合、駆動磁界がオフである時
に、情報を保持し易くなる。
こうすると、転送用の切換え電流は若干増加するが、そ
れでも所要電流の大きさは、普通の場合よりずっと小さ
い。
この方式は、1回のマスク工程しか使わない単一レベル
・メタラージで製造された転送スイッチ或いは多重レベ
ルのメタラージで構成された転送スイッチに応用するこ
とが出来る。
SLM形スイッチでは、制御導体と、バブル伝播通路を
構成する磁気素子とは同じ材料で構成されているが、多
重レベル形スイッチでは、転送制御導体は、磁気伝播素
子にするのに使われる材料とは違う材料で構成される。
この発明の方式は、いろいろ異なる形式のスイッチに用
いることが出来るが、その若干の形式を説明する。
切換えの際の磁界順序の変化 第1A図は、従来知られている様な大ループ/小ループ
形バブル磁区記憶装置の一部分を示す。
図示の回路はバブル磁区材料20に設けられる。
この材料は去の中にバブル磁区を維持することが出来る
任意の材料であってよい。
このバブル磁区記憶装置は書込み大ループ22を持ち、
磁界HXYが媒質20の平面内で向きを変える時、バブ
ル磁区が矢印24の向きに大ループに沿って移動する。
この図では、書込み大ループ22がT形棒26及びI形
棒28で構成される。
書込み転送ゲート30が破線の囲みの中に示す素子を含
んでおり、小ループ32に貯蔵する為、書込み大ループ
22から小ループ32にバブル磁区を選択的に転送する
為に使われる。
小ループ32も、図示例では、T形棒34及び■形棒3
6で構成される。
やはり破線の囲みの中に示した、小ループ32の他端に
ある読出し転送ゲート38を使って、小ループ32から
読出し大ループ40ヘパプル磁区を選択的に転送する。
典型的には、読出し大ループ40はT形棒42及び■形
棒44で構成される。
磁界HXYの向きが変わると、ループ40内のバブル磁
区が矢印46の向きに検出器(図に示してない)まで移
動する。
バイアス磁界Hbがバイアス磁界源48によって発生さ
れ、材料20内のバブル磁区の寸法を安定にする為に使
われる。
駆動磁界源50を用いて平面内駆動磁界HXYを発生す
る。
典型的には、駆動磁界源50はコイルに流れる電流の種
々の組合せによって所望の形の駆動磁界が発生される様
に、バブル磁区片の周囲に直角位相に配置された、電流
を通すコイルで構成される。
転送電流源52は、書込み転送ゲート30及び読出の転
送ゲート36にある導体に電流制御入力を供給する為に
使われる。
磁界源48,50並びに転送電流源52は、制御装置5
4からの入力によって同期して動作する。
記憶装置内にあるいろいろな素子の動作を同期させる為
、装置54がバブル磁区記憶装置全体の種々の装置に対
してクロック入力並びにトリガ・パルス入力を供給する
第1B図に書込み転送ゲート30を示す。
この転送ゲートは、Y形棒56、導体C1、■形棒58
及び導体C2で構成される。
I形棒58の両側に■形棒60がある。
導体C1、C2がY形棒56及び■形棒58と同じ材料
で構成されているから、この図にはSLM形スイッチを
示しである。
典型的には、NiFeの様な透磁性材料を使う。
転送を行なう時の書込み転送ゲート30の動作は次の通
りである。
磁界HXYが方向1にある時、バブル磁区はY形棒56
の下端の位置Aにある。
この時磁界HXYを停止して振幅を減少し、磁界を回転
させずに、HXYの向きを1−3−1の順序で変える。
HXYが3の方向にある時、バブルがI形棒58の頂き
の位置Bに移動する。
導体C1゜C2に適当な電流を印加してこの移転を助け
ることが出来る。
その後、磁界HXY力坊向1に反転すると、バブルは■
形棒58の底の位置Cに行くか、又は■形棒56上の位
置Aに戻るかを選べる。
この選択は、線C1及びC2に適当なパルス電流を加え
ることによって決定することが出来る。
1−3−1の順序の結果として、バブルが位置Aにとど
まる場合、普通の1−2−3−4−1−の回転を磁界H
XYが再び開始した時に、バブルは書込み大ループ26
を伝播し続ける。
即ち、バブル磁区は矢印62の方向に沿って書込み転送
スイッチ30に入り、矢印64の方向に沿ってこのスイ
ッチから出て行く。
他方、前述の1−3−1の順序の結果、バブルが■形棒
58の底の位置Cにとどまっている場合、バブルは矢印
66の方向に小ループ32へ移動する。
これによって転送動作が行なわれる。小ループから読出
し大ループ40への読出しも同様に行なわれるが、パル
ス順序は3−1−3を使う。
この動作が第1C図に示されており、この図に読出し転
送スイッチ38が示されている。
スイッチ38は1形棒68、T形棒70及び導体C3、
C4で構成される。
小ループにある素子72及び1形棒74の一部分も示し
である。
磁界HXYの回転に応答して、バブル磁区が小ループ3
2内を矢印76の向きに移動する。
HXYが方向3にある時、バブル磁区は■形棒68の頂
きの位置りにある。
HX Y/がゼロまで減少し、その後方向1に反転する
と、このバブルが■形棒68の底の位置Eに移動する。
この移動を助ける為に、導体C3゜C4に適正な向きの
電流を印加することが出来る。
その後磁界HXYが位相3に反転すると、バブルは位置
りに戻ることも出来るし、或いはT形棒70上の位置F
へ移動することも出来る。
磁界HXYが再び3−4−1−2−3−の回転を開始す
る時、前者が選択されれば、バブルは小ループ32内に
とどまっているが、後者が選択されれば、バブルが読出
し大ループ40に読出される。
バブルが位置A(第1B図)にある時、位置D(第1C
図)にあるバブルはなく、その逆も真であるから、書込
み及び読出し動作は互いに影響しない。
他方、他の全ての伝播素子上にあるバブルは、実質的に
動作マージンを失なうことなく、3−1−3及び1−3
−1の変化に耐えることが出来なければならない。
実験室の試験によると、バブルは実際にバイアス磁界の
成る範囲にわたり、−直線上にある2つの1形棒の間を
移動し得ることが判った。
この為、この形式の始動−停止動作は、記憶装置片で首
尾よく達成することができる。
回転磁界)Ixyを停止して振幅を減少した時に、転送
スイッチの電流を印加することに注意されたい。
例えば1−3−1の変化は、HXはゼロの値のままでい
るが、その間HYがゼロまで減少し、次いで負の同じ大
きさまで増加することを意味する。
従って、この変化の間に転送電流を印加すれば、電流パ
ルスを印加する時、駆動磁界HxY=HX+HYの振幅
が減少しているから、必要な電流の大きさが減少する。
第2A図、第2B図及び第2C図は、転送を希望する時
、駆動磁界順序の変化と共に、非常に小さい電流レベル
の転送電流を利用して転送動作を行なうスイッチの他の
実施例を示す。
第2A図の回路を記憶装置としての構成は第1A図の回
路と同じであるから、同じ作用素子を表わすのに同じ参
照数字を用いている。
即ち、第2A図は書込み大ループ22、貯蔵小ループ3
2及び読出し大ループ40を示している。
(破線の囲みの中にある)書込み転送ゲート30を使っ
て、バブル磁区を書込み大ループ22から小ループ32
に転送する。
これに対応して、破線の囲みの中に示す読出し転送ゲー
ト38を使ってバブル磁区を小ループ32から選択的に
取出し、読出し大ループ40に伝播させる。
第2A図の記憶装置内にある種々の装置が、駆動磁界H
XYの向きの変化に応答して動作する。
普通の動作では、これは連続的に回転する磁界であって
、一定の向きに360°にわたって移動する。
然し、第2B図及び第2C−図から判る様に、書込み導
体Cw及び読出し導体cRに転送電流を印加する転送動
作の間、磁界HXYの順序を変える。
図面を簡単にするため、第1A図に示した種々の磁界源
及び電流源は、第2図には示してない。
第2B図で、書込み転送ゲート30は書込み導体Cwが
交差している■形棒78で構成される。
1形棒78及び導体Cwは、SLM形スイッチにしたい
場合、同じ材料で構成することが出来る。
;この図には、小ループ32の一部分を構成する磁気素
子80と、バブル磁区を読出し大ループ40へ持って来
る伝播通路の一部分として使われる■形棒82も示され
ている。
磁界HXYが方向1にある時、バブル磁区は磁気素子7
8の頂きの位置Aにある。
バブル磁区を小ループへ転送したくない場合、磁界HX
Yの回転を続ける。
バブルは左側のT形棒80へ伝播する。
他方、小ループ32に転送したい場合、磁界HXYを位
相1で停止し、ゼロまで減少する。
希望によっては、転送スイッチのマージンを改善する為
、数エルステッドの小さな保持磁界を方向1に印加する
ことができる。
然し、こういう保持磁界は絶対に必要なものではない。
次に導体Cwに適正な向きの電流を印加し、棒78上の
位置Aにあるバブル磁区をこの棒の底にある位置Bへ持
って来ることが出来る。
その後、回転磁界HXYを再開するが、方向1ではなく
、方向2から再開する。
その時、位置Bにあるバブル磁区が矢印84の向きに、
垂直方向下向きに小ループ32へ移動する。
その後、導体Cwの電流を取去ることが出来る。
この始動−停止動作を受けた後、記憶装置内の他の位置
にあるバブル磁区は正常に伝播を続けるが、この磁界順
序の変更の間に、1つのバブル磁区が首尾よく小ループ
に転送されている。
転送用■形棒78に付した破線86は、回転磁界Hxy
を位相2で再開する際、広いマージンを維持し易くする
為、素子78に付加することが出来る別の棒を表わす。
然し、棒86は転送スイッチに絶対に不可欠なものでは
ない。
第2C図は読出し用転送スイッチ38を示す。
このスイッチは読出し導体(4が交差している■形棒8
8で主に構成されている。
書込み転送スイッチ30と同じく、破線で示した棒90
を付加して、読出し転送の際に広いマージンを維持する
助けにすることが出来る。
磁気素子92は小ループ32の一部分であり、■形棒9
4は、小ループ32から取出したバブル磁区を読出し大
ループ40へ持って来る伝播通路の一部分である。
この為、バブル磁区は普通は小ループ32内を矢印96
の向きに伝播する。
それを読出し大ループ40に転送したい時にだけ、バブ
ル磁区が矢印98で示す方向に沿って移動する。
読出しの場合、磁界HXYが方向1にある時にI形棒8
8の頂きの位置Cにあるバブル磁区を考える。
このバブル磁区を小ループ内に保持したい場合、磁界H
XYは引続いて2−3−4−の方向に回転する。
バブル磁区を読出し大ループ40に転送したい場合、磁
界HXYは方向1にある時にオフに転する。
適正な向きの電流を導体CRに印加し、バブルを位置C
から■形棒88の底の位置りに転送する。
その後回転磁界HXYを方向2から再開すると、バブル
は下向きに伝播を続け、I形棒94に移動し、その後矢
印98の向きに移動する。
2番目の実施例(3象現形磁界サイクル)の説明から明
らかな様に、普通の360°の回転の代りに連続的な3
象現形磁界サイクルを使うことが出来、この変更した順
序は方向1で磁界をオフに転じ、その後方向2でオンに
転する。
この3象現形サイクルは伝播並びに切換えの両方に使う
ことが出来、従って「連続的」である。
この場合磁界の変化は、方向1でオフにし、次に方向2
で再びオンにするから、実質的に3象現形サイクルであ
る。
第3A図は前述の様式で動作する別の形式のスイッチを
示す。
即ち、スイッチを通るバブル磁区の通路を決定する為に
スイッチに電流を印加するのと同時に、印加磁界の順序
を変更する形式である。
詳しく言うと、このスイッチは主に磁気素子100で構
成される。
磁気素子100が棒部分102を持ち、これは磁界HX
Y(第3B図)が方向2にある時に、棒102の端に磁
極2を発生する為に使われる。
磁気素子104がバブル磁区小ループの角廻り素子とし
て使われ、この為通常、磁区は矢印106の向きに下向
きに移動してスイッチに入る。
磁気I形棒10B、110も設けられている。
導体Cが磁気素子100の一部分と交差する。
動作について説明すると、磁界HXYが回転する時、バ
ブル磁区が矢印106の向きに磁気素子100に向って
下向きに移動する。
HXYが方向1にある時、この磁界を停止してゼロまで
減少する。
この為、バブル磁区は素子100の頂きの極位置1にあ
る。
このバブル磁区を小ループの外へ転送したい時、適正な
向きの電流を導体Cに印加する。
このスイッチ電流1sは第3B図に示した期間中に印加
される。
次の方向2では、バブル磁区は■形棒110上の極位置
2又は棒102の左側の端の極位置2のいずれにも行く
ことが出来るから、磁界Hxyにとって方向1が決め手
となる方向である。
導体Cに小さな電流1sを流すことにより、バブルは素
子110又は100の極位置2のいずれか一方に移る。
小ループの外へ転送したい場合、電流1sを印加して、
バブルを素子100に沿って下向きに移動させる。
その後、磁界HxYを方向2から再開すると、バブル磁
区は素子100に沿った極位置2に来る。
磁界の方向(位相)2及び2′の間で電流18を取去る
その後磁界HXYは3−4−1−2という様に普通の回
転を続け、バブル磁区を引続いて伝播させる。
小ループの外へバブル磁区を転送することを希望する度
に、磁界HxYの同じ始動−停止順序を使う。
磁気棒110,102の長さによって、スイッチが「保
持の為に駆動する」形式又は「転送の為に駆動する」形
式のいずれになるかが決まる。
例えば、スイッチを「転送の為に駆動する」形式にした
い場合、電流18がない時、バブル磁区は小ループを引
続いて伝播すべきである。
「転送の為に駆動する」形式では、棒110の極位置2
は棒102の端にある極位置2より強くすべきである。
その様にする1つの方法は、棒110を棒102より長
くすることである。
スイッチを「保持の為に駆動する」形式にしたい場合、
磁界HXYが回転する時、バブル磁区が普通の様に回転
磁界に追従し、小ループから出て行くことになる。
この動作様式では、棒102の極2を棒110の極より
強くする為、棒102を棒110より長くする。
この動作様式では:バブルを小ループ内に保持する為に
電流18が必要である。
第4A図及び第4B図は、スイッチ電流18の。
2種類の異なった大きさに対し、第3A図のスイッチに
対する準静止時マージン曲線を示す。
第4A図では、電流18の大きさが5mAであり、バブ
ルの直径は5ミクロンである。
この曲線のデータをとる為に、方向1の保持磁界は使わ
なかった。
このマージン曲線は、駆動磁界HXYの関数として垂直
バイアス磁界Hbを示している。
破線は。360°の回転磁界HXYを使った時の真直ぐ
な軌跡の伝播を示す。
実線は第3B図に示す磁界順序HxYを使った時の切換
えマージンを示す。
領域■はスイッチが首尾よく動作した時のマージンを示
し、傾城■は、スイッチ電流を印加してもバブルが小ル
ープ内にとどまる領域を示す。
領域■ではスイッチ内で脱落並びに複製が起り、従つて
、相異なるスイッチの動作不良が起った。
第4B図は、方向1に直流保持磁界が存在する状態で、
転送電流を7.5 m Aにした時のマージン曲線を示
す。
第4A図のマージン曲線と同じく、破線は360°の回
転駆動磁界I(xyを使った時の真直ぐな軌跡の伝播を
示す。
実線は第3B図に示す変更磁界順序を用いた場合のスイ
ッチの動作を示す。
即ち、領域■はスイッチのマージンが良好である場合を
示し、領域■及び■は第3A図の転送スイッチの不良領
域を示す。
駆動磁界の連続的な3象限形サイクル この実施例は、360°の駆動磁界サイクルの1象現の
間、実質的にオフ(即ちHXYの振幅が減少した)連続
的な駆動磁界HXYを用いて、バブル磁区を1つの伝播
通路から別の伝播通路へ転送する為に使われる種々のス
イッチを示す。
スイッチ動作を希望する時、駆動磁界を停止し、その後
の時点で(反対方向の様な)異なる方向から再開する前
述の磁界順序と対照的に、この実施例では3象現形駆動
磁界順序が連続的に印加される。
即ち、この3象限形サイクルが記憶装置動作にとって正
常のサイクルである。
磁気回路の内、転送スイッチ以外の所でのバブルの運動
は、記憶装置内の全ての装置が3象限形磁界サイクルを
印加することによって動作するので、切換え動作によっ
て撹乱を受けない。
第5A図乃至第8図は、転送スイッチ及び伝播素子の両
方を動作させる前述の3象限形磁界サイクルを発生する
為に使うことが出来る種々の波形を示している。
例えば第5A図は、正弦状成分HX及びHYから成る正
弦状駆動磁界を示しており、第5B図は第5A図の波形
に対する正味の磁界のりサージュ波形である。
磁界Hx及びHYが、周知の様に、X及びY駆動コイル
に流れる正弦状電流波形によって発生される。
例えば種々の駆動磁界サイクル並びにこういうサイクル
を発生する回路を示す米国特許第3952292号を参
照されたい。
第5A図では、正弦状駆動磁界HX及びHYは互いに時
間tだけ位相がずれている。
この図でt=τ/4である。
ここでてはHX又はHYのいずれかの周期である。
これは、スイッチ電流を印加する間、HXYをゼロにし
たい場合にとり得る最短遅延時間である。
即ち、第5B図で、磁界HXYは方向2から方向1に進
む時、270°にわたって連続的に回転する。
その後ゼロに減少し、方向2から再開する。
勿論、磁界の方向1及び2の間、HXYがゼロである時
にスイッチ電流18を印加することが出来る。
磁界HXYに対抗する必要がないので、こうすると所要
のスイッチ電流が最小限で済む。
第6A図は遅延時間t=τ/8である場合の波形Hx及
びHYを示す。
これらの波形のリサージュ図形が第6B図に示されてお
り、この図から、磁界HXYが位相1及び2の間にある
象限では、完全にゼロにならないことは明らかである。
この磁界サイクルにすると、データ速度は僅か(10%
)増加するが、HXYがゼロに達するt≧τ/4の遅延
時間の場合の利点が幾分失なわれる。
即ち、第6A図及び第6B図の磁界サイクルを使う時に
必要な切換え電流の大きさは、第6図の場合には磁界H
xYがゼロにならないので、第5A図及び第5B図の磁
界サイクルを使う場合に必要な切換え電流の大きさより
も大きくなる。
磁界成分HX及びHYを発生する為に使う実際の駆動回
路の不完全なタイミング並びに実際の立上り特性の為、
公称遅延時間がτ/4より長い磁界サイクルを使うこと
が望ましい。
第7図は遅延時間を一τ/4である正弦状駆動磁界Hx
Yを示す。
然し、方向1に保持磁界H1が印加される。
これは直流磁界であって、磁界HXYがオフである時に
情報を保持し易くする。
勿論、転送動作の間、正味の磁界HXY+H1がゼロで
はないから、ここで説明している始動−停止形スイッチ
の切換え電流1Sを幾分増加することが必要である。
回路の動作を長い開停止する際、持久型にする為に保持
磁界H1を使う場合、磁界HXYが位相2−3−4−1
と回転する間、反対方向(方向3)の直流磁界をコイル
から供給すると、マージンを改善することが出来る。
こうすると、駆動磁界HXYの他に磁界H1を印加する
場合に較べて、バブルの伝播に対するマージンが改善さ
れると共に、データ速度が改善され。
正弦状駆動磁界はこの実施例の不可欠の構成要素ではな
い。
例えば、X及びY駆動コイル三角形の電流パルスを加え
て、第8図のリサージュ図形に示す様な三角形駆動磁界
HXYを発生することが出来る。
三角形の駆動磁界も、他の形式の駆動磁界も、ここで説
明する3象限形の様式でスイッチを動作させるのに満足
な磁界サイクルを発生する。
この点、3象限形動作を幾分変更し、磁界Hxyの振幅
の変化が1象限より短い期間又はそれより長い期間に亘
って起る様にしてもよいことに注意されたい。
基本的な動作は、連続的であるが、バブルの通路を決定
する為にスイッチ電流を印加する時には大きさが変化す
る駆動磁界を使うことである。
この駆動磁界がバブルの伝播並びに切換え動作の為に使
われる。
第9図、第12図及び第13図は、3象限形駆動磁界サ
イクルを使うことが出来る種々のスイッチ及び伝播素子
を示す。
これらの伝播素子及びスイッチは例にすぎず、当業者で
あれば、3象限形駆動サイクルを用いて非常によく動作
する他の構成要素並びに形状を容易に設計することが出
来よう。
詳しく説明すると、第9図はバブル磁区を移動させるY
−1形棒磁気回路を示す。
こういう回路は従来公知であり、1976年7月28田
と出願された係属中の米国特許出願通し番号第7093
58号に詳しく記載されている。
具体的に言うと、2つの小ループML1及びL2の一部
分が示されている。
3象限形磁界サイクルHxYにより、これらの小ループ
内のバブル磁区がY形棒114及び1形棒116に沿っ
て、矢印112の向きに伝播する。
各々の小ループの底に角のY形棒素子118がある。
入力シフト・レジスタSR1がY形棒120及び1形棒
122で構成される。
レジスタSR1は入力源から、矢印124で示す方向に
沿って磁区を小ループに持って来る為に使われる。
レジスタSR1から小ループに磁区を転送する為、破線
で示した書込み転送スイッチ126が設けられている。
これは第1B図に示した形式のY形棒で構成された転送
スイッチである。
この実施例では、この転送スイッチはY形棒128を持
ち、導体CがY形棒の根元側の脚と交差する。
Y形棒128はNiFeの様な任意の磁気材料で構成す
ることが出来るが、導体Cは同じ材料か、或いは金の様
な他の導電材料で構成することができる。
■形棒130が、小ループと転送スイッチ126との間
に配置されている。
次にスイッチ126の動作を説明する。
磁界HXYが方向2にある時、バブル磁区がY形棒12
8の左側アームの極位置2にある。
磁xx Yが方向3に回転すると、バブル磁区がY形棒
128に沿って、この素子の根元の極位置3へ移動する
その後磁界HXYが位相3及び4の間でゼロになる。
位相3及び4の間に、適正な極性の電流18を導体Cに
印加すると、磁界HXが方向4にある時、バブル磁区が
■形棒130上の極位置4に移動する。
電流18がない時、バブル磁区はY形棒128の右側ア
ームの極位置4に移動する。
この為、スイッチ126は通常オフであり、導体Cに電
流18が存在しない限り、バブル磁区は小ループに転送
されない。
これは「転送の為に駆動する様式のスイッチの動作であ
り、これが好ましい。
勿論、バブル磁区を小ループに転送せずに、レジスタ8
R1内に保持したい場合、周知の様にそれらをこのレジ
スタに再循環させ又は消滅させることができる。
小ループ内にあるバブル磁区は、磁界HXYが振幅を変
えずに360°にわたって連続的に回転する時と全く同
じ様に、Y形棒114及び■形棒116に沿って伝播す
る。
希望によっては、前に述べた様に、磁界HXYの他に、
方向3の小さな保持用直流磁界を印加することが出来る
そうした場合、この小さな保持磁界を克服しなければな
らない為、切換え電流18は僅かながら増加しなければ
ならない。
第10図は第9図のY形棒スイッチ126の準静止動作
における上側マージンを示す曲線である。
実線の曲線は3象限形磁界サイクルで動作する場合のマ
ージン曲線であり、破線は駆動磁界HXYに普通の完全
な360°の磁界サイクルを使ったスイッチ動作のマー
ジン曲線である。
このグラフから明らかな様に、普通の360°の磁界サ
イクルを使う時、スイッチ動作のマージンが低下する。
この為、3象限形磁界サイクルは、上側マージンを増加
するという点で、SLM形スイッチの動作を改善する。
この改善は、導体のN i F eにおける磁化反転効
果を軽減することによって得られる。
勿論、伝播素子の様な他の構成要素は、3象限形磁界サ
イクルを印加する間、普通の様に動作する。
バブルの運動がこの3象限サイクルによって悪影響を受
けないから、磁気回路内の他の所でのバブルの運動は切
換え動作によって撹乱を受けないから、磁気回路は他の
利点が得られる様に設計することが出来る。
例えば第9図に示す形式の停止−始動形スイッチを使っ
て、バブル磁区を発生する為にヘヤピン形ループに大電
流を使う代りに、複製発生装置からのデータの流れを小
さな電流で制御することが出来る。
3象限サイクルを使うことに伴う別の利点は、磁気抵抗
形感釦装置が雑音を拾うことに関係することである。
駆動磁界HXYの向きが変わると、感知装置内の磁化の
反転に起因するバルクハウゼン雑音信号が生ずるので、
バブル磁区が存在しない時、この様な雑音を拾うことが
普通に起る。
3象限サイクルを使うと、感知装置は、磁界’XYの内
、HXYを最小限にした象限の間だけ感知信号をストロ
ーブする様に構成することが出来る。
この為、こういう種類の雑音が実質的にない状態で磁区
が感知される。
3象限サイクルを使うことによるもう1つの利点は、第
10図に示す様に、スイッチ動作のマージンが一層よく
なることである。
更に詳しく言うと、スイッチは、切換えの際、導体Cに
沿ってバブルの崩壊を生ずることがよくある。
然し、バブル磁区がY形棒128の根元に沿って導体の
下を移動する時に磁界HXYを最小限にしたので、切換
えの間も、スイッチが切換えの為に付勢されていない時
も、この崩壊が抑圧される。
勿論、記憶回路の設計という点から見た3象限サイクル
の最も明白で基本的な利点は、これが記憶装置動作の正
常のサイクルであることである。
即ち、磁気回路内の他の所にあるバブルの運動はこの磁
界サイクルによって撹乱を受けない。
これが、駆動磁界HXYの方向を変えた最初の実施例に
示す始動−停止形スイッチに較べて何よりも大きな利点
である。
そういう実施例では、バブル片肉の伝播回路並びにその
他の構成要素は、磁界サイクルの変化を許容出来る様な
ものにしなければならない。
第12図及び第13図は第11図の3象限形磁界サイク
ルで動作するスイッチを示す。
この磁界サイクルは普通のT形及び■形棒に沿ってバブ
ル磁区を移動させる為にも使われる。
前に第3A図及び第3B図について述べた様に、この3
象限すイクルが、バブルの通路の、切換えだけでなく、
普通のバブルの伝播にも使われることを別にすれば、こ
の3象限サイクルは第3A図のスイッチの動作について
述べた磁界サイクルと同様である。
即ち、以下説明するスイッチ動作は、本質的には前に第
3A図及び第3B図について述べた所と同じである。
詳しく説明すると、第12図は、バブル磁区が矢印13
2の向きに時計廻りに移動する小ループMLで構成され
た回路の一部分を示す。
この小ループは臼型的にはT形棒134及び■形棒13
6で構成される。
T形棒のトグル・スイッチが変形T形棒138及び■形
棒140で構成される。
シフト・レジスタSR1がT形棒142及び■形棒14
4で構成される。
レジスタSR1は、第11図に示した磁界サイクルによ
り、バブル磁区を矢印146の向きに右へ移動させる為
に使われる。
T形棒の転送スイッチにより、バブル磁区を小ループM
Lから取出すことが出来る。
磁界HxYが位相1から位相4に移る時、バブル磁区が
小ループの右側に沿って位置Aから位置B、更に位置C
へ移動する。
位相4ではバブルがCにあるが、位相1では変形T形棒
138上の位置りにある。
位置りは、磁界の次の位相2で、バブルが位置Eにも位
置E′にも行くことが出来るから、臨界的な位置である
導体Cの小さな電流により、バブルを位置E又はE′の
いずれにも向けることが出来る即ち、導体Cに第1の向
きの電流を通すと、バブルがyへ行く様に刺激され、反
対向きの電流により、バブルはEに行く様に刺激される
バブルがEへ行く場合、バブルは小ループを出て、レジ
スタSR1へ伝播する。
バブルが位置Rへ行く場合バブルは小ループ内に保持さ
れる。
磁気棒140,148の長さにより、導体Cに電流がな
い場合、バブルが通常位置E又は位置Eのいずれに行く
かが決まる。
即ち、電流パルスを印加した時以外、バブルを小ループ
内に保持したい場合、位置Eに関連する極は位置yに関
連する極よりも強くすべきである。
この為、棒140を148より長くする。
第13図に示す書込みスイッチは、第12図の読出しス
イッチと同様に動作する。
この為、小ループはやはりMLで表わし、入力シフト・
レジスタをSR1と記しである。
小ループMLがT形棒150及び■形棒152で構成さ
れる。
磁界HXY(第11図)が印加されると、バブル磁区が
矢印154で示す様に、小ループに沿って時計廻りに移
動する。
転送スイッチを使って、磁区を入力レジスタSR1から
小ループを持って来る。
転送スイッチは広義にみると、変形I形棒154及び変
形T形棒156で構成される。
T形棒156は根元部分158を持ち、その長さが極E
の強さを決定する。
導体CがT形棒156と交差する。
入力レジスタSR1がT形棒160及びI形棒162で
構成される。
動作について説明すると、磁界HXYの向きが変わる時
、磁区がSR1に沿って位置Aから位置B、C,D、E
等へ移動する。
位相1では、バブル磁区がT形棒156の底にある位置
りにある。
磁界Hが位置2に移動すると、極位置E又はE′のいず
れかへ移動することが出来る。
この場合も、(位相1及び2の間でHXYの振幅が減少
している間)導体Cの電流の向きにより、HxYが位相
2になった時、こ(62つの位置のどちらがバブル磁区
を受取るかが決定される。
バブルが位置E全行く場合、大ループを伝播し続ける。
バブルが位置yへ行く場合、磁界HXが継続する時、バ
ブルは位置F、G、Hへ入り、こうして小ループ;に入
る。
棒158の長さは、位置yの強さを位置Eの強さに対し
て調節する為に使われる。
この発明を例示する為に幾つかの異なる構造上の形状を
説明したが、当業者であれば、この他の形状も使うこと
が出来ることが理解されよう。
例2えば、最初の実施例について説明した始動−停止形
磁界順序は、非対称半ディスク(C形棒)の様な構造や
、曲線或いは三角形の伝播素子で構成された連続ディス
ク構造に使うことが出来る。
特に、3象限形伝播サイクルをこういう構造に用いて、
バブル磁区をうまく伝播させることが出来ると共に、C
形棒の伝播素子から成る半ディスクと両立し得る様に設
計された転送スイッチに首尾よく使うことが出来る。
この発明はバブル磁区がたど・る通路を決定する為に制
御電流を使う転送スイッチを主な対象とするものである
が、更に具体的に言えば、転送に必要な電流の大きさを
最小限に抑えたこの様なスイッチを提供する方式を対象
とする。
この為、平面内駆動磁界が非常に少さな振幅まで減少し
つつあるか或いは減少した時間の間、転送作動を行なう
更に、磁区片上にある他の磁気素子のマージンを乱さず
に、こういうことを達成する方式並びに構造を提供した
【図面の簡単な説明】
第1A図は転送動作の間、駆動磁界順序を変えた始動−
停止様式で動作する転送スイッチを用いた大ループ/小
ループ形バブル磁区記憶装置の回路図、第1B図及び第
1C図は第1A図に示したスイッチの動作を説明する為
に第1A図の回路の一部分を示す図、第2A図は第1A
図の回路に用いた書込み及び読出し転送スイッチとは異
なる書込み転送スイッチ(第2B図)及び読出し転送ス
イッチ(第2C図)を用いた大ループ/小ループ形バブ
ル磁区記憶装置の回路図、第2B図及び第2C図は転送
動作の間、駆動磁界HXYの順序を変更する始動−停止
動作様式における第2A図の転送スイッチの動作を説明
する為の図、第3A図は第3B図の駆動磁界を用いて始
動−停止動作様式で動作させることが出来るT形棒トグ
ル・スイッチを示す図、第3B図は第3A図のトグル・
スインその動作に使われる駆動磁界の変化を示す線図、
第4A図及び第4B図は始動−停止様式で動作する第3
A図のスイッチのマージン曲線を示すグラフ、第5A図
、第5B図、第6A図、第6B図、第7図及び第8図は
電流制御式転送スイッチに必要な電流の大きさを減少す
る為に用いることが出来る駆動磁界HXYの種々の3象
限形波形を示す線図で、第5A図及び第5B図は1種類
の正弦状駆動磁界を示し、第6A図及び第6B図は別の
種類の正弦状駆動磁界を示し、第7図は保持磁界と一緒
に用いる正弦状駆動磁界を示し、第8図は三角形態動磁
界を示す。 第9図は3象限形駆動磁界で動作する伝播素子及び転送
スイッチを用いたバブル磁区片の図、第10図は第9図
の転送スイッチが、普通の360°にわたって回転する
駆動磁界で動作する場合並びにこの発明に従って3象限
形駆動磁界で動作する場合の上側マージン曲線を示すグ
ラフ、第11図は第12図及び第13図に示すバブル磁
区回路でバブル磁区の転送を行なう為に使われる3象限
形駆動磁界HXYを示す線図、第12図及び第13図は
第11図に示した磁界サイクルによって動作する転送ス
イッチ及び伝播素子を用いたバブル磁区回路の一部分を
示す図である。 30・・・書込み転送スイッチ、50・・・駆動磁界源
、52・・・転送電流源、56・・・Y形棒、58・・
・■形棒、CI 、C2・・・導体、HxY・・・駆動
磁界。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 磁界の再配向に応答して磁気バブル磁区が移動する
    通路を選択するためのスイッチ装置であって、上記磁界
    が再配向するにつれてバルブ磁区が移動するための上記
    通路を定める少なくとも1つの磁気素子と、上記スイッ
    チを経て上記バルブ磁区が辿る通路の選択を行なうため
    の電流を通す導体と、上記通路選択時においても上記磁
    界を同一方向に回転させる手段と、上記磁界の振幅を減
    じるための手段と、上記磁界の振幅が減じられる時に保
    持磁界を加える手段と、上記磁界の振幅が減じられる時
    に上記導体を通して電流を流すための手段とより成るス
    イッチ装置。 2 上記磁界が上記導体における上記電流の存在時及び
    不在時の両方において連続的なサイクルを呈する事を特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のスイッチ装置。
JP53061802A 1977-06-30 1978-05-25 スイツチ装置 Expired JPS5810793B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/811,734 US4174540A (en) 1977-06-30 1977-06-30 Bubble domain transfer switches

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5413232A JPS5413232A (en) 1979-01-31
JPS5810793B2 true JPS5810793B2 (ja) 1983-02-28

Family

ID=25207415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53061802A Expired JPS5810793B2 (ja) 1977-06-30 1978-05-25 スイツチ装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4174540A (ja)
JP (1) JPS5810793B2 (ja)
CA (1) CA1124400A (ja)
DE (1) DE2828125A1 (ja)
FR (1) FR2396385A1 (ja)
GB (1) GB1562587A (ja)
IT (1) IT1112688B (ja)
NL (1) NL7805793A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4175289A (en) * 1978-06-05 1979-11-20 International Business Machines Corporation Serrated Y-bar magnetic bubble switch
US4513396A (en) * 1983-06-29 1985-04-23 Burroughs Corporation Method of operating a magnetic bubble memory with a drive field that temporarily stops

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3876995A (en) * 1973-08-08 1975-04-08 Hewlett Packard Co Magnetic bubble switches
JPS5441181B2 (ja) * 1973-11-08 1979-12-07
JPS5441182B2 (ja) * 1973-11-21 1979-12-07
JPS5092647A (ja) * 1973-12-14 1975-07-24
JPS5548390B2 (ja) * 1974-03-11 1980-12-05
JPS566067B2 (ja) * 1974-07-17 1981-02-09
JPS5710505B2 (ja) * 1974-12-05 1982-02-26
US4081861A (en) * 1975-02-10 1978-03-28 Texas Instruments Incorporated Matrixed magnetic bubble memories
US4070658A (en) * 1975-12-31 1978-01-24 International Business Machines Corporation Ion implanted bubble propagation structure

Also Published As

Publication number Publication date
US4174540A (en) 1979-11-13
CA1124400A (en) 1982-05-25
JPS5413232A (en) 1979-01-31
FR2396385A1 (fr) 1979-01-26
NL7805793A (nl) 1979-01-03
GB1562587A (en) 1980-03-12
DE2828125A1 (de) 1979-01-11
IT7825059A0 (it) 1978-06-28
IT1112688B (it) 1986-01-20
FR2396385B1 (ja) 1980-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4142250A (en) Bubble translation switch using magnetic charged wall
JPS5810793B2 (ja) スイツチ装置
US4020476A (en) Magnetic bubble memories with nonobstructing crossings between conductor and permalloy patterns
US4014009A (en) Magnetic bubble propagate arrangement
US3832701A (en) Transfer circuit for single wall domains
EP0030149B1 (en) Bubble memory with minor-major loop configurations
US4355373A (en) Magnetic bubble memory
US4334291A (en) Ion-implanted magnetic bubble memory with domain confinement rails
US3713119A (en) Domain propagation arrangement
US4007445A (en) Minimum structure bubble domain propagation
US4246648A (en) Phase controlled replicate/swap gate for bubble memories
US4271485A (en) Bubble domain storage using improved transfer switch
US4156937A (en) Noncirculating register for bubble memory systems
JPS5812672B2 (ja) 磁界アクセス形slmバブル装置の作動装置
CA1104253A (en) Bubble domain storage using improved transfer switch
US4027297A (en) Gapless magnetic bubble propagation path structure
US3984823A (en) Magnetic bubble field-access replicator operative with the drive field in a fixed orientation
CA1086861A (en) Integrated bubble nucleator
US4275459A (en) Magnetic bubble detector arrangement
WO1982001959A1 (en) Magnetic bubble memory
US4246649A (en) Phase controlled gating
US4577290A (en) Replicator with improved propagation performance
JPH0215489A (ja) 磁気バブル装置及びその駆動方法
JPS6113313B2 (ja)
JPH0554630A (ja) 磁気記憶素子及びその駆動方法