JPS58108699A - 中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法 - Google Patents
中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法Info
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- JPS58108699A JPS58108699A JP56207327A JP20732781A JPS58108699A JP S58108699 A JPS58108699 A JP S58108699A JP 56207327 A JP56207327 A JP 56207327A JP 20732781 A JP20732781 A JP 20732781A JP S58108699 A JPS58108699 A JP S58108699A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrodes
- ion source
- neutral particle
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は核融合装置に使用される中性粒子入射装置のイ
オン源°に係り、更に具体的にはアノ（チャ方式の電極
を用いた中性粒子入射装置のイオン源に関する。
オン源°に係り、更に具体的にはアノ（チャ方式の電極
を用いた中性粒子入射装置のイオン源に関する。
従来のアパチャ方式の電極を用いたイオン源にあっては
イオンビームの焦点の適切な測定方法がなかった為にＩ
ｐｕえ！極の加工精度が高くても、電極の４［１合せ作
業において精確に磁極を配置ｒることができず所望の位
置に焦点全得ることができなかった。従って核融合装置
等に中性粒子全入射する際にイオンビームを収束するこ
とができず、イオンビームは太さな広がり金持つために
仕切板等に該ビームの周辺部が遮られるためにエネルギ
ー密度の低いイオンビームしか得られなかった。
イオンビームの焦点の適切な測定方法がなかった為にＩ
ｐｕえ！極の加工精度が高くても、電極の４［１合せ作
業において精確に磁極を配置ｒることができず所望の位
置に焦点全得ることができなかった。従って核融合装置
等に中性粒子全入射する際にイオンビームを収束するこ
とができず、イオンビームは太さな広がり金持つために
仕切板等に該ビームの周辺部が遮られるためにエネルギ
ー密度の低いイオンビームしか得られなかった。
本発明の目的は所望の位置にイオンビームの焦点が得る
ことが可能なアパチャ方式の電極を有する中性粒子入射
装置のイオン源を提供することにある。
ことが可能なアパチャ方式の電極を有する中性粒子入射
装置のイオン源を提供することにある。
本発明の特徴はイオン全加速する加速ｌ！極、減速電極
及び接地電極の三つの磁極を、これらの電極の中心器上
の一点を中心に曲率半径の異なる曲面状に形成し且つ所
定間隔で配置すると共に、前記三つの電極に前記曲率半
径方向に連通ずる複数の透孔を穿設した点にめる。
及び接地電極の三つの磁極を、これらの電極の中心器上
の一点を中心に曲率半径の異なる曲面状に形成し且つ所
定間隔で配置すると共に、前記三つの電極に前記曲率半
径方向に連通ずる複数の透孔を穿設した点にめる。
さて、イオン源を構成する力１１速電極、減速電極、接
地電極の各電極に複数の透孔を穿設し且つこれらの三つ
の電極を所定間隔で配設し、このときの各電極の透孔全
納ぶ直線がこれらの電極の中心軸上の一点で父わる、即
ちイオンビームが焦点を結ぶように上記透孔の加工會す
ることは可能である。
地電極の各電極に複数の透孔を穿設し且つこれらの三つ
の電極を所定間隔で配設し、このときの各電極の透孔全
納ぶ直線がこれらの電極の中心軸上の一点で父わる、即
ちイオンビームが焦点を結ぶように上記透孔の加工會す
ることは可能である。
しかしながら、これらの電極の加工は一般的には個別に
行われるのでこれらの電極全所定の位置に焦点を結ぶよ
うに組合せ配置することは正確な焦点測定方法がない限
シネ可能である。
行われるのでこれらの電極全所定の位置に焦点を結ぶよ
うに組合せ配置することは正確な焦点測定方法がない限
シネ可能である。
今回この方法が開発されたため正確な焦点を有する電極
の組合せ配置が可能となった。その方法は、ビンの頭部
に球全萌し加速、減速、接地電極を通じ、アパチャ六に
適合する直径と長さ’５［するビンを測定子として、組
合せられた上記三つの電極に連＋［ｌｌするように挿入
し、頭部のビンの中心位置を球ガイドならび三次元位置
測定益金用いて測定する。この測定された三次元の座標
値を用い、立体幾何学の公式を適用することにより焦点
位置全計算する。これによシ焦点を有するアパチャ弐電
極を有するイオン源１２用することが可ｎヒとなった。
の組合せ配置が可能となった。その方法は、ビンの頭部
に球全萌し加速、減速、接地電極を通じ、アパチャ六に
適合する直径と長さ’５［するビンを測定子として、組
合せられた上記三つの電極に連＋［ｌｌするように挿入
し、頭部のビンの中心位置を球ガイドならび三次元位置
測定益金用いて測定する。この測定された三次元の座標
値を用い、立体幾何学の公式を適用することにより焦点
位置全計算する。これによシ焦点を有するアパチャ弐電
極を有するイオン源１２用することが可ｎヒとなった。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図はイオン源の電極、例えば加速電極を数値制御工作機
械によシ加工する様子を示している。
図はイオン源の電極、例えば加速電極を数値制御工作機
械によシ加工する様子を示している。
加速電極、減速電極、接地電極の配置はこれらの電極の
中心軸上にイオンビームが焦点を結ぶように計算上、幾
何学的配置が求まるので、この計算値に基づいて数値制
御工作機械を調整し、各電極を個別に複数の透孔を穿設
加工する。その後、第２図に示すように電極を球面状に
形成する。
中心軸上にイオンビームが焦点を結ぶように計算上、幾
何学的配置が求まるので、この計算値に基づいて数値制
御工作機械を調整し、各電極を個別に複数の透孔を穿設
加工する。その後、第２図に示すように電極を球面状に
形成する。
次に第３図に従来のイオン源と本発明に係るイオン源と
をイオンビー）・（中性粒子ビーム）のエネルギー効率
が異なることを示す。同図において１．１′は加速酸吻
、２，２′は減速電極、３゜３′はプラズマ室、２３は
中性化セル、２４゜２５．３０は中性粒子ビーム、２６
はイオンビーム、２７は仕切板、２８は核融合装置、２
９は核融合プラズマでるる。同図（４）に示す本発明に
係るイオン源ではイオンビーム（中性粒子ビーム）は広
がりがあっても焦点を結ぶために核融合装置２８内に有
効に射出される。
をイオンビー）・（中性粒子ビーム）のエネルギー効率
が異なることを示す。同図において１．１′は加速酸吻
、２，２′は減速電極、３゜３′はプラズマ室、２３は
中性化セル、２４゜２５．３０は中性粒子ビーム、２６
はイオンビーム、２７は仕切板、２８は核融合装置、２
９は核融合プラズマでるる。同図（４）に示す本発明に
係るイオン源ではイオンビーム（中性粒子ビーム）は広
がりがあっても焦点を結ぶために核融合装置２８内に有
効に射出される。
これに対し同図（ロ）に示す従来のイオン源ではイオン
ビームは焦点を結ばないために発散し仕切板２７等によ
シビームの周辺部が遮蔽されてしまい接融付装置２８内
に射出される中性粒子ビームのエネルギー効率は低下す
る。
ビームは焦点を結ばないために発散し仕切板２７等によ
シビームの周辺部が遮蔽されてしまい接融付装置２８内
に射出される中性粒子ビームのエネルギー効率は低下す
る。
次に第２図に示したような球面状に形成した各電極全所
定間隔で配置した状態全第４図に示す。
定間隔で配置した状態全第４図に示す。
以下、電極＋１．２．３）の焦点測定を第４図乃至′Ｗ
Ｊ７図に基づいて説明する。第４図において支持架台４
には〃口達電極１、減速電極２、接地電極３が所定位置
に配設されている。以下、電極の製作工８１１１１ｉｔ
に説明する。電極は第４図に示すように曲面形成して組
立てた状態の電極の焦点Ｇにビームが通るすべての透孔
の中心線の延長線が投影するように、前述の如く予めそ
の曲面形成時の寸法変化＠を見込んだ透孔の位置を設定
して第５図の如く単品電極毎に平板状態下で透孔の穿設
加工を行う。次に前に述べたように第２図の如く曲面形
成して第４図の如く支持架台４の一ヒに組立てられる。
Ｊ７図に基づいて説明する。第４図において支持架台４
には〃口達電極１、減速電極２、接地電極３が所定位置
に配設されている。以下、電極の製作工８１１１１ｉｔ
に説明する。電極は第４図に示すように曲面形成して組
立てた状態の電極の焦点Ｇにビームが通るすべての透孔
の中心線の延長線が投影するように、前述の如く予めそ
の曲面形成時の寸法変化＠を見込んだ透孔の位置を設定
して第５図の如く単品電極毎に平板状態下で透孔の穿設
加工を行う。次に前に述べたように第２図の如く曲面形
成して第４図の如く支持架台４の一ヒに組立てられる。
測定子５，６は第６図（４）、■に示すような形状であ
るが、第４図の直径りの透孔１２に挿通するように一端
全直径ｄ（Ｄ）ｄ）の円柱軸とし、他端に一定寸法の球
全備え、更に７ＪＯ速電極１の着座面から球の中心まで
の寸法が夫々、Ｌ、ｔである２棟類とし、円柱軸の直径
ｄの寸法が僅少差のものを各々、鑞数個用意する。測定
子５．６の位置検出を行う三次元測定機のグローブ７の
形状は第７図に示すようにプローブ７はその一端を第６
図（４）、（ト）に示す測定子５．６の球に嵌合する凹
部７Ａ’に有し、他端を第４図に示す三次元測定器スピ
ンドル８の穴８Ａに嵌合する円柱軸とする。
るが、第４図の直径りの透孔１２に挿通するように一端
全直径ｄ（Ｄ）ｄ）の円柱軸とし、他端に一定寸法の球
全備え、更に７ＪＯ速電極１の着座面から球の中心まで
の寸法が夫々、Ｌ、ｔである２棟類とし、円柱軸の直径
ｄの寸法が僅少差のものを各々、鑞数個用意する。測定
子５．６の位置検出を行う三次元測定機のグローブ７の
形状は第７図に示すようにプローブ７はその一端を第６
図（４）、（ト）に示す測定子５．６の球に嵌合する凹
部７Ａ’に有し、他端を第４図に示す三次元測定器スピ
ンドル８の穴８Ａに嵌合する円柱軸とする。
焦点検査法は次のように行う。第４図に示す三次元測定
器スピンドル８の穴８Ａにプローブ７を低め込み、ボル
ト９で固定する。電極１．２．３全支持架台４の上に組
立てたもの全三次元測定機テーブル１０上に設置し、電
極１，２．３の透孔１２に挿通させる測定子５ケ複数１
１Ｎの中から選定し、第４図の如く取付ける。この時の
組合せ電極に設けたイオン貫通孔１２の最大透過直径は
測定子５０円柱軸５Ｃの直径ｄとなる。次に三次元測定
機スピンドル８會下降させ、測定子５０球５Ａにグロー
ブ７の凹部ｒｈ會ｖ合さぞ、三次元測定（幾により測定
子５の球５Ａの中心である点ＰＩ′におりる゛電極の中
心軸Ｎおよび三次元座標値テーブル１０の上面全原点と
する三次元座標値（Ｘ］。
器スピンドル８の穴８Ａにプローブ７を低め込み、ボル
ト９で固定する。電極１．２．３全支持架台４の上に組
立てたもの全三次元測定機テーブル１０上に設置し、電
極１，２．３の透孔１２に挿通させる測定子５ケ複数１
１Ｎの中から選定し、第４図の如く取付ける。この時の
組合せ電極に設けたイオン貫通孔１２の最大透過直径は
測定子５０円柱軸５Ｃの直径ｄとなる。次に三次元測定
機スピンドル８會下降させ、測定子５０球５Ａにグロー
ブ７の凹部ｒｈ會ｖ合さぞ、三次元測定（幾により測定
子５の球５Ａの中心である点ＰＩ′におりる゛電極の中
心軸Ｎおよび三次元座標値テーブル１０の上面全原点と
する三次元座標値（Ｘ］。
Ｙ＋ ＋ Ｚｌ ’ ）全測定する。次に三次元測定器
スピンドル８を上昇させ、測定子５を抜き取り、透孔１
２に６１１］定子５の円柱＋ａｌｌの直径ｄと同一寸法
の測定子６を選定し取付け、三次元測定域スビ／ドル８
を下降させ測定子６の球６Ａにプローブ７の凹部７Ａ′
ｆｆ：嵌合させ、三次元測定機ｅ（よシ測定子６の球６
Ａの中ＩＬＬ？である点Ｐ２’における三次元座標値（
Ｘ２１ Ｙ２ｓ Ｚｔ ’ ｌ全測定する。このように
してＨｆ保個所の三次元座標１［ケ測定するのであるが
、第４図におけるＰ ｌ’ ＋ Ｐ ｘ ’におけるＺ
Ｉｋｌｌ座標、Ｚｌ ’ ＋ Ｚｌ ’は三次元測定
機テーブルｌＯの土面よシの座標血でめるため、イオン
ビームレットの焦点Ｇｉ原点とする点ｐ、／・Ｐ２′の
Ｚ軸の匪襟値會それぞれＺ ｓ ＋ Ｚ２とすると、第
４図に示す如く焦点Ｇから加速電極１の内向１での距離
（曲率半径）がＲ１三次元測定器テーブル１０上面から
加速電極１の内面と接し且つ中心岬ＩＮと直交する＠線
までの距肯１ｔがＨ”？？あるから、 Ｚｌ ＝Ｚ＋’＋（ｆ（、＋Ｈ） ・・・・・
・・・・・・・（１）Ｚ２ ＝Ｚ２’＋ （ＲＨ）
・・・・・・・・・・・・（２）となる。以上に
より第４図の点ＰＩ ’ ＊ Ｐ２′は第８図の点ＰＩ
、Ｐ２に置換され、電極１，２゜３のイオン貫通孔が理
論焦点平面Ｑ上に投影する座標全電極１，２．３の中心
軸Ｎからの変位（イオンビームレット収束寸法）は次の
ようにして算出される。
スピンドル８を上昇させ、測定子５を抜き取り、透孔１
２に６１１］定子５の円柱＋ａｌｌの直径ｄと同一寸法
の測定子６を選定し取付け、三次元測定域スビ／ドル８
を下降させ測定子６の球６Ａにプローブ７の凹部７Ａ′
ｆｆ：嵌合させ、三次元測定機ｅ（よシ測定子６の球６
Ａの中ＩＬＬ？である点Ｐ２’における三次元座標値（
Ｘ２１ Ｙ２ｓ Ｚｔ ’ ｌ全測定する。このように
してＨｆ保個所の三次元座標１［ケ測定するのであるが
、第４図におけるＰ ｌ’ ＋ Ｐ ｘ ’におけるＺ
Ｉｋｌｌ座標、Ｚｌ ’ ＋ Ｚｌ ’は三次元測定
機テーブルｌＯの土面よシの座標血でめるため、イオン
ビームレットの焦点Ｇｉ原点とする点ｐ、／・Ｐ２′の
Ｚ軸の匪襟値會それぞれＺ ｓ ＋ Ｚ２とすると、第
４図に示す如く焦点Ｇから加速電極１の内向１での距離
（曲率半径）がＲ１三次元測定器テーブル１０上面から
加速電極１の内面と接し且つ中心岬ＩＮと直交する＠線
までの距肯１ｔがＨ”？？あるから、 Ｚｌ ＝Ｚ＋’＋（ｆ（、＋Ｈ） ・・・・・
・・・・・・・（１）Ｚ２ ＝Ｚ２’＋ （ＲＨ）
・・・・・・・・・・・・（２）となる。以上に
より第４図の点ＰＩ ’ ＊ Ｐ２′は第８図の点ＰＩ
、Ｐ２に置換され、電極１，２゜３のイオン貫通孔が理
論焦点平面Ｑ上に投影する座標全電極１，２．３の中心
軸Ｎからの変位（イオンビームレット収束寸法）は次の
ようにして算出される。
第８図に理論焦点十而ＱＸ電極の中心軸へ及び前記点Ｐ
ｌ’ 、Ｐ２ ’に焦点Ｇ’ｔ−原点としてＸＹＺ直交
座標系で示した点Ｐｓ ＋ Ｐ２の関係會示す。
ｌ’ 、Ｐ２ ’に焦点Ｇ’ｔ−原点としてＸＹＺ直交
座標系で示した点Ｐｓ ＋ Ｐ２の関係會示す。
同図において点Ｐ１＋ Ｐ２ ｋ通る直線が電極の中心
間１１Ｎ（Ｚ軸）に直交する理論焦点平面Ｑとの交点を
ＰとしたときのＸ、Ｙ座標（ｘ、ｙ）が求めるイオンビ
ームレットの焦点寸法であり、次に示す余弦方程式にＪ
ニジ求められる。
間１１Ｎ（Ｚ軸）に直交する理論焦点平面Ｑとの交点を
ＰとしたときのＸ、Ｙ座標（ｘ、ｙ）が求めるイオンビ
ームレットの焦点寸法であり、次に示す余弦方程式にＪ
ニジ求められる。
上式（３）において２＝０とすると、
・・・・・・・・・・・・（４）
ここで焦点Ｇ （０，０，０）から点Ｐまでの距離をｒ
とすると、 ｒ＝ Ｘ２ Ｖ２ ”−・・・・（
５）となるので上式（４） 、 （５）よりイオンビー
ムレットの焦点寸法ｒが算出される。上記の如き焦点測
定法により、焦点盆有するアパチャ方式の電極會有する
イオン源の製作が可能となった。
とすると、 ｒ＝ Ｘ２ Ｖ２ ”−・・・・（
５）となるので上式（４） 、 （５）よりイオンビー
ムレットの焦点寸法ｒが算出される。上記の如き焦点測
定法により、焦点盆有するアパチャ方式の電極會有する
イオン源の製作が可能となった。
以上に説明した如く本発明ではイオン全所定速度で加速
する加速電極、減速電極及び接地電極の三つの電極を、
これらの電極の中心軸上の一点を中ｌｂに曲率半径の異
なる曲面状に形成し且つ所定間隔で配置すると共に、前
記三つの電極に前記曲率半径方向に連通する複数の透孔
全穿設するよう（９） に構成したので本発明によれば上記各電極の中心軸上の
所望の位置にイオンビームの焦点全形成することが可能
な中性粒子入射装置のイオン源を実現できる。
する加速電極、減速電極及び接地電極の三つの電極を、
これらの電極の中心軸上の一点を中ｌｂに曲率半径の異
なる曲面状に形成し且つ所定間隔で配置すると共に、前
記三つの電極に前記曲率半径方向に連通する複数の透孔
全穿設するよう（９） に構成したので本発明によれば上記各電極の中心軸上の
所望の位置にイオンビームの焦点全形成することが可能
な中性粒子入射装置のイオン源を実現できる。
第１図はイオン源に使用される電極全数値制御工作機械
により加工する様子全示す説明図、第２図は電極を球面
状に形成した状態を示す図、第３図は従来のイオン源と
本発明に係るイオン源におけるイオンと一ムの収束状態
を比較するための説明図、第４図は各電極を球面状に加
工した後に所定間隔で配置した状態を示す図、第５図は
電極を曲面加工する前に平板状態で複数の透孔全穿設し
た状態金示す図、第６図は組合せ配置された電極の焦点
測定を行うための測定子の外観を示す斜視図、第７図は
測定子の位置全三次元測定器により測定する際に使用さ
れるグローブの外観を示す斜視図、第８図は電極の焦点
測定においてイオンビームレットの収束半径を算出する
だめの説明図で必る。 （１０） ｌ・・・加ｊポ電極、２・・・減速電極、：３・・・接
地″電極、５゜６・・・測定子、２１・・・ヒータ、２
２・・・プラズマ室、２８・・・核融會装置、２９・・
・核融什プラズマ。 代理人 斤理士 高傭明夫 ｔｌｌ） 第 ） 閃 第２図 第 ３図 ５
により加工する様子全示す説明図、第２図は電極を球面
状に形成した状態を示す図、第３図は従来のイオン源と
本発明に係るイオン源におけるイオンと一ムの収束状態
を比較するための説明図、第４図は各電極を球面状に加
工した後に所定間隔で配置した状態を示す図、第５図は
電極を曲面加工する前に平板状態で複数の透孔全穿設し
た状態金示す図、第６図は組合せ配置された電極の焦点
測定を行うための測定子の外観を示す斜視図、第７図は
測定子の位置全三次元測定器により測定する際に使用さ
れるグローブの外観を示す斜視図、第８図は電極の焦点
測定においてイオンビームレットの収束半径を算出する
だめの説明図で必る。 （１０） ｌ・・・加ｊポ電極、２・・・減速電極、：３・・・接
地″電極、５゜６・・・測定子、２１・・・ヒータ、２
２・・・プラズマ室、２８・・・核融會装置、２９・・
・核融什プラズマ。 代理人 斤理士 高傭明夫 ｔｌｌ） 第 ） 閃 第２図 第 ３図 ５
Claims (1)
- １、イオンを発生するフィラメントと、該フィラメント
から発生するイオン全加速するための加速′に他、減速
電極及び接地電極の少なくとも三つの電極とを有する中
性粒子入射装置のイオン源において、前記三つの電極を
、これらの電極の中心軸上の一点全中心に曲率半径の異
なる曲面状に形成し且つ所定間隔で配置すると共に、前
記三つの電極に前記曲率半径方向に連通する複数の透孔
を穿設したことｆ％ｍとする中性粒子入射装置のイオン
源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207327A JPS58108699A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207327A JPS58108699A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108699A true JPS58108699A (ja) | 1983-06-28 |
| JPH0313720B2 JPH0313720B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16537916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56207327A Granted JPS58108699A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 中性粒子入射装置用イオン源の電極組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108699A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330350U (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-27 | ||
| JPH05330278A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-14 | Tatsufumi Araki | クリーニング店の伝票 |
| JP2023081884A (ja) * | 2018-12-07 | 2023-06-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
| US12106936B2 (en) | 2018-12-17 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55122342A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-20 | Hitachi Ltd | Lead-out electrode structure of ion source |
| JPS5645600A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-25 | Hitachi Ltd | Perforated ion source assembly* adjustment* and device therefor |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56207327A patent/JPS58108699A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55122342A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-20 | Hitachi Ltd | Lead-out electrode structure of ion source |
| JPS5645600A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-25 | Hitachi Ltd | Perforated ion source assembly* adjustment* and device therefor |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6330350U (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-27 | ||
| JPH05330278A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-14 | Tatsufumi Araki | クリーニング店の伝票 |
| JP2023081884A (ja) * | 2018-12-07 | 2023-06-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
| US12106936B2 (en) | 2018-12-17 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313720B2 (ja) | 1991-02-25 |
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