JPS58112377A - 半導体熱電対 - Google Patents
半導体熱電対Info
- Publication number
- JPS58112377A JPS58112377A JP56211730A JP21173081A JPS58112377A JP S58112377 A JPS58112377 A JP S58112377A JP 56211730 A JP56211730 A JP 56211730A JP 21173081 A JP21173081 A JP 21173081A JP S58112377 A JPS58112377 A JP S58112377A
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- JP
- Japan
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- region
- thermocouple
- semiconductor
- regions
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、単結晶半導体基板内に形成されたｎ型（又
はｐ型）領域の熱起電力を利用して、放射エネルギー醇
を計測するようにした半導体熱電対に関する。
はｐ型）領域の熱起電力を利用して、放射エネルギー醇
を計測するようにした半導体熱電対に関する。
赤外線ガス濃度計等を小形化して携帯用等に使用するＫ
は、小形で機械的に丈夫で安定な素子が必要であり、小
形高感度の熱電対として第１図に示すようなサーモバイ
ルが知られている。すなわち、円板状の基板１の表面に
１０〜１５対の金−コンスタンタン熱電対２がそれぞれ
放射状にがつ直列に接続され、これら熱電対２の測温接
点群は基板中央部に集められ、放射エネルギーの吸収を
良くするために金黒や白金黒による黒化処理がなされ、
基準接点群３との間に生じた熱起電力がそれぞれ直列に
合成されて端子４から外部へ出力されるようＫなってい
る。しかしながら、このようなサーモバイルは構造が複
絹で機械的振動に弱く、また組立作業に高度の技術を必
要とする欠点があった。
は、小形で機械的に丈夫で安定な素子が必要であり、小
形高感度の熱電対として第１図に示すようなサーモバイ
ルが知られている。すなわち、円板状の基板１の表面に
１０〜１５対の金−コンスタンタン熱電対２がそれぞれ
放射状にがつ直列に接続され、これら熱電対２の測温接
点群は基板中央部に集められ、放射エネルギーの吸収を
良くするために金黒や白金黒による黒化処理がなされ、
基準接点群３との間に生じた熱起電力がそれぞれ直列に
合成されて端子４から外部へ出力されるようＫなってい
る。しかしながら、このようなサーモバイルは構造が複
絹で機械的振動に弱く、また組立作業に高度の技術を必
要とする欠点があった。
しかして、近年薄膜化したサーモバイルも試作されてい
るが、十分な感度は得られていない。
るが、十分な感度は得られていない。
一方、小形で機械的に丈夫な熱形検出器として第２図に
示すような薄膜形サーミスタ・ボロメータが知られてお
り、基板５の表面に形成されたコバルト・マンガン系の
サーミスタ６は抵抗値が４〜５％／’Ｃと大きく変化し
感度も優れているが、受動素子であるため卑子７を介し
て外部から電力を供給しなければならないという欠点が
ある。また、能動素子であるシリコン太陽電池を熱形検
出器として使用した場合、応答が早（、構造が簡単で丈
夫であると共に１外部からの電力供給が不要である等の
利点があるが、太陽電池の有効波長領域が０．４５〜１
．１５μｍと狭帯緘なので、８００℃以下の低温体は測
定できないという欠点がある。
示すような薄膜形サーミスタ・ボロメータが知られてお
り、基板５の表面に形成されたコバルト・マンガン系の
サーミスタ６は抵抗値が４〜５％／’Ｃと大きく変化し
感度も優れているが、受動素子であるため卑子７を介し
て外部から電力を供給しなければならないという欠点が
ある。また、能動素子であるシリコン太陽電池を熱形検
出器として使用した場合、応答が早（、構造が簡単で丈
夫であると共に１外部からの電力供給が不要である等の
利点があるが、太陽電池の有効波長領域が０．４５〜１
．１５μｍと狭帯緘なので、８００℃以下の低温体は測
定できないという欠点がある。
さらにまた、ガスクロマトグラフ装置等に使用されてい
る熱伝導形検出器ＴＣＤ （Ｔｈｅｒｍａ／ −Ｃｏｎ
ｄｕｃｔ ｉｖｉ ｔｙ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ ）では、
第３図囚〜（Ｃ）に示すように輸送ガス（キャリアガス
）Ｋ試料ガスＧが混入した混合ガスを測定管部８Ｃに導
き、輸送ガスのみのガスＲを比較管部８Ｄに導き、この
２つのガスの熱伝導度の差を、流通ないしは拡散の過程
を通じて発熱抵抗体８Ａ 、 ８Ｂおよび比較管部の他
の２つの発熱抵抗体により検出する。しかしながら、こ
れらの検出器ではいずれも通常５Ｗ前後の電力を消費す
ると共に応答速度も約０．１秒と遅く、安定な検出器を
得るには構造が複雑罠なってしまう欠点があった。よっ
て、この発明の目的は上述の如き欠点１問題点を除去し
た半導体熱電対を提供するととＫある。
る熱伝導形検出器ＴＣＤ （Ｔｈｅｒｍａ／ −Ｃｏｎ
ｄｕｃｔ ｉｖｉ ｔｙ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ ）では、
第３図囚〜（Ｃ）に示すように輸送ガス（キャリアガス
）Ｋ試料ガスＧが混入した混合ガスを測定管部８Ｃに導
き、輸送ガスのみのガスＲを比較管部８Ｄに導き、この
２つのガスの熱伝導度の差を、流通ないしは拡散の過程
を通じて発熱抵抗体８Ａ 、 ８Ｂおよび比較管部の他
の２つの発熱抵抗体により検出する。しかしながら、こ
れらの検出器ではいずれも通常５Ｗ前後の電力を消費す
ると共に応答速度も約０．１秒と遅く、安定な検出器を
得るには構造が複雑罠なってしまう欠点があった。よっ
て、この発明の目的は上述の如き欠点１問題点を除去し
た半導体熱電対を提供するととＫある。
以下にこの発明を訝明する。
この発明は半導体熱電対に関し、単結晶半導体基板内に
形成された複数のｎ型又はｐ型１１１竣と、これらｎ型
又はｐ型領域の一端にそれぞれ導体を蒸着せしめ、これ
ら蒸着導体により放射エネルギーを吸収すると共に、複
数のｎ型又はｐ型領域をそれぞれ直列に接続して、高感
度の熱起電力を得るようにしたものである。
形成された複数のｎ型又はｐ型１１１竣と、これらｎ型
又はｐ型領域の一端にそれぞれ導体を蒸着せしめ、これ
ら蒸着導体により放射エネルギーを吸収すると共に、複
数のｎ型又はｐ型領域をそれぞれ直列に接続して、高感
度の熱起電力を得るようにしたものである。
この発明の一実施例を示す第４図（Ａ）及び（Ｂｌにお
いて、弄す円板状のｐ型牛導体基板１０の表面にイオン
注入法轡によりリン等の不純物をドープして複数個のＬ
字状のｎ型領域１１を放射状に形成し、このｎ型領＃１
１と対称な形に複数個のＬ字状の導体１２を放射状ＫＭ
着する。その後ｎ型領域１１と導体１２の先端が基板１
０の中心部で重畳した領域１３を黒化処理して側温接点
群を形成すると共に、！′１ｆｌｌ領域１１をそれぞれ
直列に接続することＫより、合成熱起電力を１対の電極
Ｔ１及びＴ２から得るようになっている。なお、ｐ型半
導体部分１０はｎ型半導体１１のどの部分よりも電位が
正にならないようになっている。
いて、弄す円板状のｐ型牛導体基板１０の表面にイオン
注入法轡によりリン等の不純物をドープして複数個のＬ
字状のｎ型領域１１を放射状に形成し、このｎ型領＃１
１と対称な形に複数個のＬ字状の導体１２を放射状ＫＭ
着する。その後ｎ型領域１１と導体１２の先端が基板１
０の中心部で重畳した領域１３を黒化処理して側温接点
群を形成すると共に、！′１ｆｌｌ領域１１をそれぞれ
直列に接続することＫより、合成熱起電力を１対の電極
Ｔ１及びＴ２から得るようになっている。なお、ｐ型半
導体部分１０はｎ型半導体１１のどの部分よりも電位が
正にならないようになっている。
ここにおいて、ｎ型領域の熱起電力をθ、絶絶対開度Ｔ
、半導体の伝導体準位及びフェルミ単位をそれぞれＥＣ
，ＥＦ、電子の電荷をｅとすると、ｎ型領域の熱起電率
は となる。ここで、例えばリンを３×１０ 原子／ｃｒＩ
の濃度にドープしたｎ型シリコンでは、１００℃にオイ
テ熱起電率ｄ ｅ ／ ｄＴ＝ １．２ ｍＶ／’Ｃと
なり、この値はＪＩＳ Ｃ１６０Ｚに規定されている
最高感度の金属製熱電対の約１５倍の熱起電率である。
、半導体の伝導体準位及びフェルミ単位をそれぞれＥＣ
，ＥＦ、電子の電荷をｅとすると、ｎ型領域の熱起電率
は となる。ここで、例えばリンを３×１０ 原子／ｃｒＩ
の濃度にドープしたｎ型シリコンでは、１００℃にオイ
テ熱起電率ｄ ｅ ／ ｄＴ＝ １．２ ｍＶ／’Ｃと
なり、この値はＪＩＳ Ｃ１６０Ｚに規定されている
最高感度の金属製熱電対の約１５倍の熱起電率である。
しかるに、（１）式で示される熱起電率は、半導体中の
不純物濃度によって変化（不純物濃度変化→フェルミ準
位変化→熱起電率変化）するので、互換性のある熱電対
を半導体で作ることは困難であった。
不純物濃度によって変化（不純物濃度変化→フェルミ準
位変化→熱起電率変化）するので、互換性のある熱電対
を半導体で作ることは困難であった。
このため、従来は単１／ｃｎ型半導体、ｐ型半導体の判
定に熱起電力を利用する程度であった。
定に熱起電力を利用する程度であった。
しかして、近年、イオン注入法の出現で不純物の注入技
術が進み、半導体中に不純物を制御された状態で注入で
きるようになったことにより半導体基板１０内に不純物
を′Ｊｎ１度良く注入すれば、互換性のある高感度の小
形半導体熱電対を容易に得ることができる。なお、第５
１Ｍ（Ａ）及び（Ｂ） Ｋ示す如くｎ型領［１１と導体
１２の重畳部に小孔１４を設け、この小孔１４から等方
性及び異方性エツチングによりｎ型領域１１内に丸溝状
の空洞１５を設けても良い。
術が進み、半導体中に不純物を制御された状態で注入で
きるようになったことにより半導体基板１０内に不純物
を′Ｊｎ１度良く注入すれば、互換性のある高感度の小
形半導体熱電対を容易に得ることができる。なお、第５
１Ｍ（Ａ）及び（Ｂ） Ｋ示す如くｎ型領［１１と導体
１２の重畳部に小孔１４を設け、この小孔１４から等方
性及び異方性エツチングによりｎ型領域１１内に丸溝状
の空洞１５を設けても良い。
この空洞は、最近の単結晶のエツチング技術の向上によ
り、定まった形に形成される。この空洞構造は、いわゆ
る空洞放射の原理に基いて放射エネルギーを効率良（吸
収するので、吸収効果が増大する。かかる小孔１４及び
空洞１５の構造はサーモバイルのみならず、単独の放射
検出素子としても利用することができる。第４図の例で
は複数個のｎ型領域は、ｐ型半導体基板中に形成されて
いるが、サファイアの如き単結晶半絶縁性基板上に形成
することもできる。
り、定まった形に形成される。この空洞構造は、いわゆ
る空洞放射の原理に基いて放射エネルギーを効率良（吸
収するので、吸収効果が増大する。かかる小孔１４及び
空洞１５の構造はサーモバイルのみならず、単独の放射
検出素子としても利用することができる。第４図の例で
は複数個のｎ型領域は、ｐ型半導体基板中に形成されて
いるが、サファイアの如き単結晶半絶縁性基板上に形成
することもできる。
また、第６園内及び但）はこの発明の半導体装置対をガ
スクロマトグラフ装置等の熱伝導度形検出器として応用
した一例を示すものであり、方形状のｐ型半導体基板間
の表面Ｋｎ型領域２１を形成して熱電対素子とし、その
両端近傍を含む領域をエツチングした後に導体２２Ａ及
び２２Ｂを蒸着し、これら導体２２Ａ及び２２Ｂに接続
された電極２３Ａ及び２３Ｂを介してｎ型領域２１の熱
起電力を出力するようになっている。そして、ｎ型領域
２１に沿って高・不純物濃度の拡散領［２４を形成して
ヒータとし、このヒータＵを電極２５Ａ及び２５Ｂから
電力を供給して加熱するようになっている。また、熱電
対素子２１の両端に接す−るようにエツチングされたガ
ス＊２６及びｎが配設されており、基板間の上面全体を
カバーするようにパイレックスガラス等から成る板間が
装着されている。なお、板（９）の電極２３Ａ彎 、２３Ｂ上の部分３１及び電極２５Ａ 、 ２５Ｂ上の
部分３２は、いずれもエツチングにより方形状に淑り除
かれている。この構造も、半導体単結晶中への不純物注
入技術とそのエツチング技術の向上により実演１できる
。
スクロマトグラフ装置等の熱伝導度形検出器として応用
した一例を示すものであり、方形状のｐ型半導体基板間
の表面Ｋｎ型領域２１を形成して熱電対素子とし、その
両端近傍を含む領域をエツチングした後に導体２２Ａ及
び２２Ｂを蒸着し、これら導体２２Ａ及び２２Ｂに接続
された電極２３Ａ及び２３Ｂを介してｎ型領域２１の熱
起電力を出力するようになっている。そして、ｎ型領域
２１に沿って高・不純物濃度の拡散領［２４を形成して
ヒータとし、このヒータＵを電極２５Ａ及び２５Ｂから
電力を供給して加熱するようになっている。また、熱電
対素子２１の両端に接す−るようにエツチングされたガ
ス＊２６及びｎが配設されており、基板間の上面全体を
カバーするようにパイレックスガラス等から成る板間が
装着されている。なお、板（９）の電極２３Ａ彎 、２３Ｂ上の部分３１及び電極２５Ａ 、 ２５Ｂ上の
部分３２は、いずれもエツチングにより方形状に淑り除
かれている。この構造も、半導体単結晶中への不純物注
入技術とそのエツチング技術の向上により実演１できる
。
このような構成において、ヒータ飼を１［俸２５Ａ、２
５Ｂを介して加熱すると共に、ガス溝が及びガにガスＧ
１．Ｇ２流入すると、両方のガスＧ、、Ｇ２の熱伝導度
の差によってｎ型領域２１０両端に温度差が生じる。こ
れにより、導体２２Ａ 、 ２２Ｂ及び電極Ｚ３Ａ 、
２３Ｂを介して、温度差に対応した熱起電力を得るこ
とができる。
５Ｂを介して加熱すると共に、ガス溝が及びガにガスＧ
１．Ｇ２流入すると、両方のガスＧ、、Ｇ２の熱伝導度
の差によってｎ型領域２１０両端に温度差が生じる。こ
れにより、導体２２Ａ 、 ２２Ｂ及び電極Ｚ３Ａ 、
２３Ｂを介して、温度差に対応した熱起電力を得るこ
とができる。
一方、第７図及び第８図はそれぞれその変形例を示すも
のであり、第７図の例は２つのガス溝か及びｎを並べる
と共に、その側部に熱電素子２１を配設するようにした
ものである。そして、熱雷素子２１の電極２３Ａとヒー
タ冴の１！極２５Ａとを１個所にまとめ、熱電素子２１
の電極２３ＢとヒータＵの電極２５Ｂとを１個所にまと
めている。また、第８図の例は熱電素子２１をコの字状
に形成すると共に、その内側にコの字状のヒータ々を配
設し、電極２３Ａ 、 ２３Ｂ 、 ２５Ａ 、 ２５
Ｂを１個所にまとめたものである。かかる（・ずれの装
置によっても上述と同様の検出を行なうことができる。
のであり、第７図の例は２つのガス溝か及びｎを並べる
と共に、その側部に熱電素子２１を配設するようにした
ものである。そして、熱雷素子２１の電極２３Ａとヒー
タ冴の１！極２５Ａとを１個所にまとめ、熱電素子２１
の電極２３ＢとヒータＵの電極２５Ｂとを１個所にまと
めている。また、第８図の例は熱電素子２１をコの字状
に形成すると共に、その内側にコの字状のヒータ々を配
設し、電極２３Ａ 、 ２３Ｂ 、 ２５Ａ 、 ２５
Ｂを１個所にまとめたものである。かかる（・ずれの装
置によっても上述と同様の検出を行なうことができる。
なお、以上の１明では半導体基板をｐ型とし、ｎ型領域
を熱電対として使用したカζ、半導体基板をｎ型としｐ
型領塚を炉、電対として使用するようにしても良い。
を熱電対として使用したカζ、半導体基板をｎ型としｐ
型領塚を炉、電対として使用するようにしても良い。
辺上＾り明したように、この発明の牛導体熱電対は、イ
オン柱入法等により単結晶半導体基板内に容易Ｋ１１１
！感度、極小形の＃電対として形成できるので、轡械的
に丈夫かつ安定しており、放射温度計やガス濃麿計等の
小形化に役立つと共に１大量生産でき経済的である。
オン柱入法等により単結晶半導体基板内に容易Ｋ１１１
！感度、極小形の＃電対として形成できるので、轡械的
に丈夫かつ安定しており、放射温度計やガス濃麿計等の
小形化に役立つと共に１大量生産でき経済的である。
なお、上述では半導体基板の形状を円形ないしは方形状
としているが、その形状は任童である。
としているが、その形状は任童である。
９４１図は従来のサーモパイルの構造を示す正面図、第
２図はサーミスタ・ボロメータの構造を示す斜耕ト」、
第３図（５）〜（ｑはそれぞれ従来のガスクロマトグラ
フ装置で使用された熱伝導形検出器の断面図、第４図（
Ａｌ及び（Ｂｌはこの発明の一構造例を示す正面図及び
そのｘ −ｘ’断面図、第５回内及び（Ｂ）はこの発明
の他の構造例を示す１１１１面図及びそのＸ−Ｘ／断面
図、第６図（５）及び（Ｂ）はこの発明を熱伝導形検出
器に応用した場合の一構造例を示す正面図及びそのＸ−
Ｘ／断面図、第７図及び第８図はそれぞれその変形例を
示す構造図である。 １・・・基板、２・・・熱電対、４・・・端子、１０
、２ｉｊ・・・ｐ型半導体基板、１１ 、２１・・・ｎ
型領域（Ｍｔ素子）、１２ 、２２Ａ 、 ２２Ｂ・・
・導体、１４・・・小孔、１５・・・空洞、カ、２７・
・・ガス溝、３０・・・板。 出炉人代理人 安 形 雄 三第１図
第２図 （Ａ） 弗４ 図 （，４） （Ｂ） 弗５ 口 （Ａ） 〃 （β） Δ １２ ｔ：ｙ ｔｔ ｔｕ 弗 ６ 図 ＃７７図 弗６図 」 １１２７
２図はサーミスタ・ボロメータの構造を示す斜耕ト」、
第３図（５）〜（ｑはそれぞれ従来のガスクロマトグラ
フ装置で使用された熱伝導形検出器の断面図、第４図（
Ａｌ及び（Ｂｌはこの発明の一構造例を示す正面図及び
そのｘ −ｘ’断面図、第５回内及び（Ｂ）はこの発明
の他の構造例を示す１１１１面図及びそのＸ−Ｘ／断面
図、第６図（５）及び（Ｂ）はこの発明を熱伝導形検出
器に応用した場合の一構造例を示す正面図及びそのＸ−
Ｘ／断面図、第７図及び第８図はそれぞれその変形例を
示す構造図である。 １・・・基板、２・・・熱電対、４・・・端子、１０
、２ｉｊ・・・ｐ型半導体基板、１１ 、２１・・・ｎ
型領域（Ｍｔ素子）、１２ 、２２Ａ 、 ２２Ｂ・・
・導体、１４・・・小孔、１５・・・空洞、カ、２７・
・・ガス溝、３０・・・板。 出炉人代理人 安 形 雄 三第１図
第２図 （Ａ） 弗４ 図 （，４） （Ｂ） 弗５ 口 （Ａ） 〃 （β） Δ １２ ｔ：ｙ ｔｔ ｔｕ 弗 ６ 図 ＃７７図 弗６図 」 １１２７
Claims (1)
- 単結晶半導体基板内に形成された１個又は複数のｎ型半
導体又はｐ型半導体領域と、これらｎ型又はｐ型領域の
両端に蒸着された導体を具え、前記半導体領域と導体に
まり熱電対を形成せしめ、この熱電対の測温接点に熱エ
ネルギーを吸収せしめて熱起電力を得るようにしたこと
を特徴とする半導体熱電対。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211730A JPS58112377A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 半導体熱電対 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211730A JPS58112377A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 半導体熱電対 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112377A true JPS58112377A (ja) | 1983-07-04 |
| JPH0234193B2 JPH0234193B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=16610641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211730A Granted JPS58112377A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 半導体熱電対 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122676A (ja) * | 1983-12-06 | 1986-01-31 | コムビナ−ト フオルクスアイグナ− ベトリ−ブ ケラミシエ ヴエルケ ヘルムスドルフ | 熱電センサ |
| US4971632A (en) * | 1987-06-23 | 1990-11-20 | British Gas Plc | Miniature thermoelectric converters |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8938885B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-01-27 | The Gillette Company | Razor handle with a rotatable portion |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810874A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Anritsu Corp | 熱電対素子 |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56211730A patent/JPS58112377A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810874A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Anritsu Corp | 熱電対素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122676A (ja) * | 1983-12-06 | 1986-01-31 | コムビナ−ト フオルクスアイグナ− ベトリ−ブ ケラミシエ ヴエルケ ヘルムスドルフ | 熱電センサ |
| US4971632A (en) * | 1987-06-23 | 1990-11-20 | British Gas Plc | Miniature thermoelectric converters |
| US4983225A (en) * | 1987-06-23 | 1991-01-08 | British Gas Plc | Process of manufacturing miniature thermoelectric converters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234193B2 (ja) | 1990-08-01 |
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