JPS58114338A - 光学式ピツクアツプ - Google Patents
光学式ピツクアツプInfo
- Publication number
- JPS58114338A JPS58114338A JP56212183A JP21218381A JPS58114338A JP S58114338 A JPS58114338 A JP S58114338A JP 56212183 A JP56212183 A JP 56212183A JP 21218381 A JP21218381 A JP 21218381A JP S58114338 A JPS58114338 A JP S58114338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pickup
- case
- semiconductor laser
- generating component
- optical axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/10—Interchangeable mountings, e.g. for replacement of head without readjustment including interchangeable electrical adjuster boards
Landscapes
- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光学式ピックアップに関するものである。
半導体レーザを使った光学式情報ｅ録装置および再生装
置（以後光学式記録再生装置と称す）は、従来よシある
ｉＩＩ！ｌｌＣヘッドによる録再方式、あるいは針によ
る再生方式と比べ、装置および配録媒体とも寿命時間が
長いことを特徴の一つとしている。
置（以後光学式記録再生装置と称す）は、従来よシある
ｉＩＩ！ｌｌＣヘッドによる録再方式、あるいは針によ
る再生方式と比べ、装置および配録媒体とも寿命時間が
長いことを特徴の一つとしている。
このうち記録媒体の方はその寿命は半永久的であるが、
装置の方には寿命があシ、その寿命は主として半導体レ
ーザの寿命によって決ま□る。しかもこの半導体レーザ
の寿命は個々のものについて大きなばらつきがあるため
、光学式記録再生装置において半導体レーザの交換が必
要不町決なものとなっている。
装置の方には寿命があシ、その寿命は主として半導体レ
ーザの寿命によって決ま□る。しかもこの半導体レーザ
の寿命は個々のものについて大きなばらつきがあるため
、光学式記録再生装置において半導体レーザの交換が必
要不町決なものとなっている。
第１図は光学式ピックアップの一例であに、半導体レー
ザ１のチップ２より出た光はコリメートレンズ３によっ
て平行光１１にな夛、偏光ビームスプリッタ４によって
上方に反射し丸後、四分の一波長板５を通過し、フォー
カスレンズ６によってディスク７の信号面に集光する。
ザ１のチップ２より出た光はコリメートレンズ３によっ
て平行光１１にな夛、偏光ビームスプリッタ４によって
上方に反射し丸後、四分の一波長板５を通過し、フォー
カスレンズ６によってディスク７の信号面に集光する。
この光はさらに信号面で反射し先後、四分の一波長板５
、偏光ビームスプリッタ４を通過し、レンズ系８によっ
てフォトディテクタ９上に結像する。
、偏光ビームスプリッタ４を通過し、レンズ系８によっ
てフォトディテクタ９上に結像する。
従来よｊ１提案されている光学式ピックアップは、第１
図のものに限らず、特に半導体レーザのみを交換するよ
うな手段は取られておらず、光学式ピックアップ全体を
交換する方法が取られることが予想される。しかしこの
方法は半導体レーザｌを交換する方法と比べてコスト的
に不利であり、将来半導体レーザ１の大量生産によるコ
ストダウンを考慮すると、半導体レーず１のみを交換す
る手段の方がますます望ましい４のとなってくる。
図のものに限らず、特に半導体レーザのみを交換するよ
うな手段は取られておらず、光学式ピックアップ全体を
交換する方法が取られることが予想される。しかしこの
方法は半導体レーザｌを交換する方法と比べてコスト的
に不利であり、将来半導体レーザ１の大量生産によるコ
ストダウンを考慮すると、半導体レーず１のみを交換す
る手段の方がますます望ましい４のとなってくる。
また、光学式ピックアップ全体を交換する場合、フォー
カスレンズ６の位置、傾きのばらつき等に応じて様々な
調整を必要とするため、ユーザ自身が交換するのは非常
〈困難で、一旦メーカに引渡して交換すること′が予想
される。これはｍ記の部品コストと合わせて、輸送手段
の点でも不経済である。
カスレンズ６の位置、傾きのばらつき等に応じて様々な
調整を必要とするため、ユーザ自身が交換するのは非常
〈困難で、一旦メーカに引渡して交換すること′が予想
される。これはｍ記の部品コストと合わせて、輸送手段
の点でも不経済である。
以上の理由から光学式ピックアップ全体を交換するよプ
も、半導体レーザｌのみを交換する方がはるかに有利で
ある。しかしながら、半導体レーザｌのチップ２の位置
は、レーザｌの外枠のある基準面に対していくらかの寸
法公差を持っているうえ、コリメートレンズ３の焦点距
離もある！１度のばらつきがあるため、半４体レーザ１
ｏみを交換しても、コリメートレンズ３の通過ｗｋＫ光
軸対称の平行光線を得ることはできな込。
も、半導体レーザｌのみを交換する方がはるかに有利で
ある。しかしながら、半導体レーザｌのチップ２の位置
は、レーザｌの外枠のある基準面に対していくらかの寸
法公差を持っているうえ、コリメートレンズ３の焦点距
離もある！１度のばらつきがあるため、半４体レーザ１
ｏみを交換しても、コリメートレンズ３の通過ｗｋＫ光
軸対称の平行光線を得ることはできな込。
すなわち、第２図に示したように半導体レーザｌのチッ
プ２がコリメートレンズ３の光軸かうｆれ九場合は、レ
ンズ３０通過後平行光ｍＦ！得られるが光軸に対して傾
いた光束となる。また第３図に示したようにチップ２が
コリメートレンズ３の焦点よシも外側にあると、レンズ
３の通過後の光は集束光となる。これとは逆に焦点の内
側にチップ２があると、レンズ３０通過後に＠散光にな
ってしまう、また第４図のようにチップ２が正しい位置
にあってもコリメートレンズ３の焦点距離が長いとレン
ズ３０通過後に発散光になるし、逆にレンズ３の焦点距
離が短いと集束光になってしまう・ し是がって、この今明の目的は、煩雑な調整を行なうこ
となしに、藺単に半導体Ｖ−ずな交換することができ、
しかも半導体レーダの交換に伴う交換部品が少なくて済
む光学式ピックアップを提供することである。
プ２がコリメートレンズ３の光軸かうｆれ九場合は、レ
ンズ３０通過後平行光ｍＦ！得られるが光軸に対して傾
いた光束となる。また第３図に示したようにチップ２が
コリメートレンズ３の焦点よシも外側にあると、レンズ
３の通過後の光は集束光となる。これとは逆に焦点の内
側にチップ２があると、レンズ３０通過後に＠散光にな
ってしまう、また第４図のようにチップ２が正しい位置
にあってもコリメートレンズ３の焦点距離が長いとレン
ズ３０通過後に発散光になるし、逆にレンズ３の焦点距
離が短いと集束光になってしまう・ し是がって、この今明の目的は、煩雑な調整を行なうこ
となしに、藺単に半導体Ｖ−ずな交換することができ、
しかも半導体レーダの交換に伴う交換部品が少なくて済
む光学式ピックアップを提供することである。
この発明の一実施例を第５図および第６図に示す。図に
おいて、１０はピックアップ本体ケース、１１は光軸対
称平行光線発生部品である。この平行光線発生部品１１
ｔｊ半導体レーず１とコリメートレンズ３とを円筒形ケ
ース１２内に組込み、コリメートレンズ３０通過後の光
がコリメートレンズ３の光軸に対して軸対称な平行光線
となるように予じめ調整したものである。円筒形ケース
１２の一端には端板１２Ｍが取付けられ、端板１２１の
背面に半導体レーザ１の端子ビン１３が突出している。
おいて、１０はピックアップ本体ケース、１１は光軸対
称平行光線発生部品である。この平行光線発生部品１１
ｔｊ半導体レーず１とコリメートレンズ３とを円筒形ケ
ース１２内に組込み、コリメートレンズ３０通過後の光
がコリメートレンズ３の光軸に対して軸対称な平行光線
となるように予じめ調整したものである。円筒形ケース
１２の一端には端板１２Ｍが取付けられ、端板１２１の
背面に半導体レーザ１の端子ビン１３が突出している。
円筒形ケース１２は外周面に位置決めビン１４を有して
いる。ピックアップ本体ケース１０は第１図の偏光ビー
ムスプリッタ４と、四分の一波長板５と、フォーカスレ
ンズ６と、レンズ系８と、フォトディテクタ９とを内蔵
しており、かつ平行光線発生部品１１を嵌挿する円孔状
の嵌挿孔１８を有している。嵌挿孔１５の膚１ｉ１ｉＫ
は平行光線発生部品１１の位置決めビン１４が嵌合する
凹部１６が設けられている。平行光線発生部品１１はピ
ックアップ本体ケース１０の嵌挿孔ｌ。５に、凹部１・
と位置決めビン１４とを合せて挿入され、ビス１７によ
シビックアップ本体ケース１０のねじ孔１８に着脱可能
に取付けられる。
いる。ピックアップ本体ケース１０は第１図の偏光ビー
ムスプリッタ４と、四分の一波長板５と、フォーカスレ
ンズ６と、レンズ系８と、フォトディテクタ９とを内蔵
しており、かつ平行光線発生部品１１を嵌挿する円孔状
の嵌挿孔１８を有している。嵌挿孔１５の膚１ｉ１ｉＫ
は平行光線発生部品１１の位置決めビン１４が嵌合する
凹部１６が設けられている。平行光線発生部品１１はピ
ックアップ本体ケース１０の嵌挿孔ｌ。５に、凹部１・
と位置決めビン１４とを合せて挿入され、ビス１７によ
シビックアップ本体ケース１０のねじ孔１８に着脱可能
に取付けられる。
このように、半導体レーザ１とコリメートレンズ３とを
一体化して平行光線発生部品１１とし、予じめ調整する
ようにし九ので、半導体レーｆ１の交換に際して平行光
線発生部品１１ごと交換すれば、常に光軸対称の平行光
線が得られ、レーず交換後も・フォトディテクタ９上に
正しい像を結ばせることが可能となる。平行光線発生部
品１１とピツクアップ本体ケースｌＯとの周方向の位置
決めは平行光線発生部品１１の位置決め突部１４とピッ
クアップ本体ケース１０の凹部１６との嵌合により行な
われる。これにより、決められ九個光方向を持った軸対
称の平行光線をピックアップ本体ケース１０の光学系に
入射させることができる。
一体化して平行光線発生部品１１とし、予じめ調整する
ようにし九ので、半導体レーｆ１の交換に際して平行光
線発生部品１１ごと交換すれば、常に光軸対称の平行光
線が得られ、レーず交換後も・フォトディテクタ９上に
正しい像を結ばせることが可能となる。平行光線発生部
品１１とピツクアップ本体ケースｌＯとの周方向の位置
決めは平行光線発生部品１１の位置決め突部１４とピッ
クアップ本体ケース１０の凹部１６との嵌合により行な
われる。これにより、決められ九個光方向を持った軸対
称の平行光線をピックアップ本体ケース１０の光学系に
入射させることができる。
まえ、半導体ル−ザｌの交換に伴なって交換され、６１
１品はコリメートレンズ３だけであるから、ビックアフ
デの全体を交換する場合と比べて交換部品が少なく、安
価にレーザ交換をすることができる。
１品はコリメートレンズ３だけであるから、ビックアフ
デの全体を交換する場合と比べて交換部品が少なく、安
価にレーザ交換をすることができる。
第７Ｆｇ＃ｉ第５図の位置決め突部１４と凹部１６Ｃ代
わりに半導体レーず１とレーザ電源とを結ぶ丸めの端子
ビン１９とソケット２・０とを設けえもので、これを差
し込むことにより位置決めと同時に結線４行なうことが
できるようにし九ものである。その他は第１の実施例と
同様である。
わりに半導体レーず１とレーザ電源とを結ぶ丸めの端子
ビン１９とソケット２・０とを設けえもので、これを差
し込むことにより位置決めと同時に結線４行なうことが
できるようにし九ものである。その他は第１の実施例と
同様である。
なお、前記各実施例は平行光線発生部品１１の外殻に円
筒形ケース１２を用いて位置決め手段を設けたが、平行
光線発生部品１１の外殻を角筒形とすれば位置決め手段
は不安である。
筒形ケース１２を用いて位置決め手段を設けたが、平行
光線発生部品１１の外殻を角筒形とすれば位置決め手段
は不安である。
以上のように、この発明の光学式ビックアラ１ハ、半導
体レーザとコリメートレンズとを一体に組合せて平行光
線発生部品とし、この組合せ部品ごと交換を行なうよう
にしたため、次のような効果が得られる。■交換する部
品が少ないため、安価にレーザ交換をすることができる
。■ユーザ側で簡単に交換することができる。■光学系
の光軸に対して、常に軸対称の平行光線を入射させるこ
とができる。
体レーザとコリメートレンズとを一体に組合せて平行光
線発生部品とし、この組合せ部品ごと交換を行なうよう
にしたため、次のような効果が得られる。■交換する部
品が少ないため、安価にレーザ交換をすることができる
。■ユーザ側で簡単に交換することができる。■光学系
の光軸に対して、常に軸対称の平行光線を入射させるこ
とができる。
第１図は従来の光学式ピアツクアップの一例を示す説明
図、第２図ないし第４図はその半導体レーザのチップの
位置の変化およびコリメートレンズの焦点距離の変化に
応じた光線の伏線を示した説明図、第５図はこの発明の
一実施例の分解斜視図、第６図はその先軸対称平行光線
発生部品の断面を示す説明図、第７図は他の実施例の分
解斜視図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・チップ、３・・・コリ
メートレンズ、９・・・ディテクタ、１０−・・ピック
アップ本体ケース、−１１−・・光軸対称平行光線発生
部品、１２・・・円筒形ケース、１５・・・嵌挿孔、１
９°・・端子ビン、２０・・・ソケット 第１図 第４図
図、第２図ないし第４図はその半導体レーザのチップの
位置の変化およびコリメートレンズの焦点距離の変化に
応じた光線の伏線を示した説明図、第５図はこの発明の
一実施例の分解斜視図、第６図はその先軸対称平行光線
発生部品の断面を示す説明図、第７図は他の実施例の分
解斜視図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・チップ、３・・・コリ
メートレンズ、９・・・ディテクタ、１０−・・ピック
アップ本体ケース、−１１−・・光軸対称平行光線発生
部品、１２・・・円筒形ケース、１５・・・嵌挿孔、１
９°・・端子ビン、２０・・・ソケット 第１図 第４図
Claims (2)
- （１） ピックアップ本体ケースと、半導体レーザと
コリメートレンズとを一体に組合せてなシ前記ピックア
ップ本停ケースに着脱可能に取付けられ走光軸対称平行
光線発生部品と、前部ピックアップ本体ケースに取付け
られ九フォトディテクタと、前記ビッグアップ本体ケー
ス内に設けられて前記光軸対称平行光線発生部品で発生
した先様を記録媒体に集光しかつその反射光を前記フォ
トディテクタに結侭させる光学系とを備え九光学式ピッ
クアップ・ - （２）前記光軸対称平行光線発生部品が、円筒形ケース
Ｋ１１ｌ記半導体レーザと前記コリメートレンズとを収
めかつ前記円筒形ケースの外側にこの円筒形ケースと軸
心方向が平行になる端子ピンを設は九ものからなり、前
記ピックアップ本体ケースが前記元軸対称平行光線発生
部品の前記円筒形ケースを嵌入する嵌挿部と前記端子ビ
ンが差込まれるソケットとを有する特許請求のｍｔｓ第
（１）項記載の光学式ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212183A JPS58114338A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 光学式ピツクアツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212183A JPS58114338A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 光学式ピツクアツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114338A true JPS58114338A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16618287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212183A Pending JPS58114338A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 光学式ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114338A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329330A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Canon Inc | 光学式情報記録再生装置 |
| WO1993005553A1 (en) * | 1991-09-10 | 1993-03-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Pre-aligned diode laser for external cavity operation |
| US5289485A (en) * | 1991-09-10 | 1994-02-22 | Micracor, Inc. | Multi-element optically pumped external cavity laser system |
| US5327444A (en) * | 1989-04-20 | 1994-07-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid state waveguide lasers |
| US5327447A (en) * | 1989-04-20 | 1994-07-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Waveguide optical resonant cavity laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503097U (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-13 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56212183A patent/JPS58114338A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503097U (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-13 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329330A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Canon Inc | 光学式情報記録再生装置 |
| US5327444A (en) * | 1989-04-20 | 1994-07-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid state waveguide lasers |
| US5327447A (en) * | 1989-04-20 | 1994-07-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Waveguide optical resonant cavity laser |
| WO1993005553A1 (en) * | 1991-09-10 | 1993-03-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Pre-aligned diode laser for external cavity operation |
| US5289485A (en) * | 1991-09-10 | 1994-02-22 | Micracor, Inc. | Multi-element optically pumped external cavity laser system |
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