JPS581144A - フオトレジストの塗布方法 - Google Patents
フオトレジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPS581144A JPS581144A JP56099106A JP9910681A JPS581144A JP S581144 A JPS581144 A JP S581144A JP 56099106 A JP56099106 A JP 56099106A JP 9910681 A JP9910681 A JP 9910681A JP S581144 A JPS581144 A JP S581144A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- photoresist
- dropping
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、各種基板上にフォトレジストを塗布する方法
の改良に関するものである。
の改良に関するものである。
半導体装置の製造あるいは半導体装置の製造に用いられ
るフォトマスクの製造等には均一なフォトレジスト膜が
必要とされ、かかるフォトレジスト膜を得る方法として
は、従来より浸漬法、スプレー法、及びスピンナー法等
がち抄、中でもスピンナー法、即ち回転式塗布方法が一
般的に広く用いられている。この回転式塗布方法は、第
１図に示す如く、モータ等による回転駆動機構１に連結
したＶギフト２に直結せる回転円盤８上の例えば半導体
ウェハ４の中心にフォトレジスト液６を適量滴下し、該
ウェハ４を前記回転駆動機構１により適当な回転速度で
回転し、前記ウェハ４上のフォトレジスト液６を該ウェ
ハ表面の全面にわたって広がらせ、余剰のフォトレジス
ト液６を遠心力によってとばして前記ウェハ表面上に均
一な厚さのフォトレジスト６の薄膜を形成する方法であ
る。
るフォトマスクの製造等には均一なフォトレジスト膜が
必要とされ、かかるフォトレジスト膜を得る方法として
は、従来より浸漬法、スプレー法、及びスピンナー法等
がち抄、中でもスピンナー法、即ち回転式塗布方法が一
般的に広く用いられている。この回転式塗布方法は、第
１図に示す如く、モータ等による回転駆動機構１に連結
したＶギフト２に直結せる回転円盤８上の例えば半導体
ウェハ４の中心にフォトレジスト液６を適量滴下し、該
ウェハ４を前記回転駆動機構１により適当な回転速度で
回転し、前記ウェハ４上のフォトレジスト液６を該ウェ
ハ表面の全面にわたって広がらせ、余剰のフォトレジス
ト液６を遠心力によってとばして前記ウェハ表面上に均
一な厚さのフォトレジスト６の薄膜を形成する方法であ
る。
ところで上記回転式塗布方法によってウェハ表面にフォ
トレジスト液を塗布するに際しては、上述したように、
塗布すべきウェハ４上の中心部に実質的な塗布量より４
余分目の量のフォトレジスト液６を局部的に重複して滴
下しているので、滴下されたフォトレジスト液５中に気
泡が生じ易く、かかる気泡の混じったフオ）１／シスト
液６が回転動作によってウェハ上に広がり塗布されると
、前記゛完泡に起因してフォトレジスト膜の厚さむらが
生じるといった不都合があや、均一な厚さのフオトレジ
スト膜を得ることを困難にしていた。
トレジスト液を塗布するに際しては、上述したように、
塗布すべきウェハ４上の中心部に実質的な塗布量より４
余分目の量のフォトレジスト液６を局部的に重複して滴
下しているので、滴下されたフォトレジスト液５中に気
泡が生じ易く、かかる気泡の混じったフオ）１／シスト
液６が回転動作によってウェハ上に広がり塗布されると
、前記゛完泡に起因してフォトレジスト膜の厚さむらが
生じるといった不都合があや、均一な厚さのフオトレジ
スト膜を得ることを困難にしていた。
本発明の目的は、上記した従来法による不都合を除去す
るために％塗布すべき基板上にフォトレジスト液を滴下
させる際の滴下方法を改良し、均一なフォトレジスト族
を塗着し得るフォトレジストの塗布方法を提供すること
にある。即ち本発明は、基板上に７オトレレスト液を滴
下する際に、該レジスト液を基板上の回転中心部よシ屑
縁部に簿 向かつて渦巻状に滴下することを物像とするものである
。
るために％塗布すべき基板上にフォトレジスト液を滴下
させる際の滴下方法を改良し、均一なフォトレジスト族
を塗着し得るフォトレジストの塗布方法を提供すること
にある。即ち本発明は、基板上に７オトレレスト液を滴
下する際に、該レジスト液を基板上の回転中心部よシ屑
縁部に簿 向かつて渦巻状に滴下することを物像とするものである
。
以下図面を用いて本発明に係る塗布方法の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
壜ず第８図に示すように回転駆動機構１１に連続された
Ｖヤフト１８に直結せる回転円盤１８上に、フォトレジ
スト液を塗布すべき基板１４を従Ｉを有する案内アーム
１フと、該案内アーム１７「をそなえたレジスト液供給
機構１６を配置する。
Ｖヤフト１８に直結せる回転円盤１８上に、フォトレジ
スト液を塗布すべき基板１４を従Ｉを有する案内アーム
１フと、該案内アーム１７「をそなえたレジスト液供給
機構１６を配置する。
この状態で前記基板１４を適当な低回転速度で回転する
と共に置所前記基板１４上の中心に配設されたしＶスト
液供給管１６のノズ／ｌ／１６ａよりフォトレジスト液
ｇｏを適量に滴下しながら該供給管１６を前記駆動部１
９によって基板１４周縁部に向かって所定速度で移動さ
せる。かくするととＫより、第８図の上面図及び第８図
の■−璽′切断線に沿った第４図の新面図に示されるよ
うに、前記基板１４表面に渦巻状にフォトレジスト液２
０を滴下する。との時のフォトレジスＦ液２００滴下渦
巻数は、用いられる基板１４の表面積の大きさに応じて
適当に変化させればよく、かかる滴下方法により、基板
１４上に滴下されたフォトレジスト液ｇｏ中に気泡の混
入することがなくなる。またたとえ前記により滴下され
たフオＦしＶスト液８０中に気泡が混入することがあっ
ても容易に脱泡される。
と共に置所前記基板１４上の中心に配設されたしＶスト
液供給管１６のノズ／ｌ／１６ａよりフォトレジスト液
ｇｏを適量に滴下しながら該供給管１６を前記駆動部１
９によって基板１４周縁部に向かって所定速度で移動さ
せる。かくするととＫより、第８図の上面図及び第８図
の■−璽′切断線に沿った第４図の新面図に示されるよ
うに、前記基板１４表面に渦巻状にフォトレジスト液２
０を滴下する。との時のフォトレジスＦ液２００滴下渦
巻数は、用いられる基板１４の表面積の大きさに応じて
適当に変化させればよく、かかる滴下方法により、基板
１４上に滴下されたフォトレジスト液ｇｏ中に気泡の混
入することがなくなる。またたとえ前記により滴下され
たフオＦしＶスト液８０中に気泡が混入することがあっ
ても容易に脱泡される。
しかる後、引続いて前記基板１４を回転駆動機構１１に
よって回転させれば、前記渦巻状のフォトレジスト液Ｂ
Ｏは、遠心力によって基板１４面上に流動拡大されて前
記基板１４表面上に適当４厚さに塗布される。この時、
前記フォトレジスト液８０中に気泡の混入がないので、
フォトレジスト液２０の塗布厚のむらがなくなり、均一
な厚さに塗布される。
よって回転させれば、前記渦巻状のフォトレジスト液Ｂ
Ｏは、遠心力によって基板１４面上に流動拡大されて前
記基板１４表面上に適当４厚さに塗布される。この時、
前記フォトレジスト液８０中に気泡の混入がないので、
フォトレジスト液２０の塗布厚のむらがなくなり、均一
な厚さに塗布される。
以上の説明から明らかなように本発明によるフォトレジ
ストの塗布方法によれば、半導体基板あるいはフオＦマ
スク用基板等１ｔＪ−にフォトレＶスを膜を塗着するこ
とができる利点を有し、塗布工程の歩留り、信頼性が向
上する。を九本実施例で説明したレジスト液の滴下方法
によれば従来のように金分目に滴下する必要がなく、レ
ジストの消費量を大幅に低減することができる等、実用
上すぐれた効果を有するものであシ、半導体基板上に例
えば拡散コーディング剤あるいは耐熱ポリマ等を塗布す
る場金等に適用して極めて有利である。
ストの塗布方法によれば、半導体基板あるいはフオＦマ
スク用基板等１ｔＪ−にフォトレＶスを膜を塗着するこ
とができる利点を有し、塗布工程の歩留り、信頼性が向
上する。を九本実施例で説明したレジスト液の滴下方法
によれば従来のように金分目に滴下する必要がなく、レ
ジストの消費量を大幅に低減することができる等、実用
上すぐれた効果を有するものであシ、半導体基板上に例
えば拡散コーディング剤あるいは耐熱ポリマ等を塗布す
る場金等に適用して極めて有利である。
第１図は従来の回転塗布方法を説明する図、第□８図は
本発明に係るフォトレジストの塗布方法の一実施例に用
いる装置の要部断面図、第８図及び第４図は本発明に係
るフォトレジストの塗布方法によって基板上にフォトレ
ジスト液を渦巻状に滴下された状態を示す上面図及びそ
の新面図であ私図において、１１は回転駆動機構、１ｇ
はＶヤフト、１８は回転円盤、１４は基板、１６はレジ
スト液供給機構、１６はレジスト液供給管、１６ａは供
給管のノズル、１７は案内アーム、１８は案内穴、１９
は駆動部、Ｂｏは渦巻状に滴下され九フォトレジスト液
を示す。 第１図 第３図 ２７３
本発明に係るフォトレジストの塗布方法の一実施例に用
いる装置の要部断面図、第８図及び第４図は本発明に係
るフォトレジストの塗布方法によって基板上にフォトレ
ジスト液を渦巻状に滴下された状態を示す上面図及びそ
の新面図であ私図において、１１は回転駆動機構、１ｇ
はＶヤフト、１８は回転円盤、１４は基板、１６はレジ
スト液供給機構、１６はレジスト液供給管、１６ａは供
給管のノズル、１７は案内アーム、１８は案内穴、１９
は駆動部、Ｂｏは渦巻状に滴下され九フォトレジスト液
を示す。 第１図 第３図 ２７３
Claims (1)
- 回転軸を有する円盤上にレジストを塗布すべき基板を載
置し、前記基板上にフォトレジスト液を滴下して回転塗
布する方法において、前記基板上にフォトレジスト液を
滴下する際に、該ＶジスＦ液を基板上の回転中心部より
周縁部に向かって渦巻状に滴下することを持重とするフ
ォトレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099106A JPS581144A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | フオトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099106A JPS581144A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | フオトレジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581144A true JPS581144A (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=14238575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099106A Pending JPS581144A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | フオトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581144A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102177U (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-10 | 株式会社東芝 | 回転塗布装置 |
| JPS62183885A (ja) * | 1986-12-19 | 1987-08-12 | Toshiba Corp | 回転塗布方法 |
| EP0643334A1 (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-15 | AT&T Corp. | Resist deposition |
| WO2000058023A3 (en) * | 1999-03-31 | 2001-02-01 | Transitions Optical Inc | Spin and spray coating process and articles manufactured by this process |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5431280A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Photo resist coating device |
| JPS5541864A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS57130570A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-13 | Hitachi Ltd | Spinner coating method and apparatus |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56099106A patent/JPS581144A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5431280A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Photo resist coating device |
| JPS5541864A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS57130570A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-13 | Hitachi Ltd | Spinner coating method and apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102177U (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-10 | 株式会社東芝 | 回転塗布装置 |
| JPS62183885A (ja) * | 1986-12-19 | 1987-08-12 | Toshiba Corp | 回転塗布方法 |
| EP0643334A1 (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-15 | AT&T Corp. | Resist deposition |
| WO2000058023A3 (en) * | 1999-03-31 | 2001-02-01 | Transitions Optical Inc | Spin and spray coating process and articles manufactured by this process |
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