JPS58114501A - 高周波伝送路 - Google Patents
高周波伝送路Info
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- JPS58114501A JPS58114501A JP21491481A JP21491481A JPS58114501A JP S58114501 A JPS58114501 A JP S58114501A JP 21491481 A JP21491481 A JP 21491481A JP 21491481 A JP21491481 A JP 21491481A JP S58114501 A JPS58114501 A JP S58114501A
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- JP
- Japan
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- choke
- high frequency
- frequency transmission
- transmission line
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/04—Fixed joints
- H01P1/045—Coaxial joints
Landscapes
- Communication Cables (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は核融合装置のプラズマ加熱用の高周波電力を伝
送する場合等に用いられる高周波伝送路に関する。
送する場合等に用いられる高周波伝送路に関する。
発明の技術的背は
一般にトカマク形核融合装置等では真空容器内に封入さ
れたプラズマ金高周波電磁波で加熱してこのプラズマを
核融合反応を生起させるに必要な温度まで加熱する。そ
して、この高周波電磁波は高周波電源で発生された高周
波電力を高周波伝送路で上記真空容器内のアンテナまで
伝送し、このアンテナから真空容器内のプラズマに向け
て照射される。そして、上記高周波伝送路は一般に同軸
給電線または導波管が用いられている。同軸給を線は導
電性材料で形成された伝送管内にこの伝送管の内面と間
隙ケもって導電性材料からなる中心導体を同心に配1直
シたもので、筒周e、電力は中心導体ケ高周波電流とし
て伝送され、また中心導体の外周面と伝送管の内周面と
の間の空間を高周波電磁波として伝送される。なお、同
軸給電線の場合、上nピ伝送管は外部導体と称されてい
る。また、導波管は伝送管の内部に中心導体は設けられ
ておらず、高周波′電力はこの伝送管内を高周波電磁波
として伝送される。なお、この場合は上記伝送管は導波
管と称されている。
れたプラズマ金高周波電磁波で加熱してこのプラズマを
核融合反応を生起させるに必要な温度まで加熱する。そ
して、この高周波電磁波は高周波電源で発生された高周
波電力を高周波伝送路で上記真空容器内のアンテナまで
伝送し、このアンテナから真空容器内のプラズマに向け
て照射される。そして、上記高周波伝送路は一般に同軸
給電線または導波管が用いられている。同軸給を線は導
電性材料で形成された伝送管内にこの伝送管の内面と間
隙ケもって導電性材料からなる中心導体を同心に配1直
シたもので、筒周e、電力は中心導体ケ高周波電流とし
て伝送され、また中心導体の外周面と伝送管の内周面と
の間の空間を高周波電磁波として伝送される。なお、同
軸給電線の場合、上nピ伝送管は外部導体と称されてい
る。また、導波管は伝送管の内部に中心導体は設けられ
ておらず、高周波′電力はこの伝送管内を高周波電磁波
として伝送される。なお、この場合は上記伝送管は導波
管と称されている。
ところで、上官eの如き核融合装置で、は真空容器内の
プラズマが消弧した際に真空容器に数基の電位変動が生
じる。このため真空容器に接続されている高周波伝送路
に直流電流が流れ、高周波電源が破損する可能性があっ
た。
プラズマが消弧した際に真空容器に数基の電位変動が生
じる。このため真空容器に接続されている高周波伝送路
に直流電流が流れ、高周波電源が破損する可能性があっ
た。
そして、従来のものはこの高周波伝送路を流れる血流v
L流を阻止するため、接続部分を第1図のように構成し
ていた。すなわちla 、1bは伝送管(この場合は外
部導体)であって、この外部導体1a、lb内には中心
導体、2 aJ bが収容されている。そして、上記外
部導体1a。
L流を阻止するため、接続部分を第1図のように構成し
ていた。すなわちla 、1bは伝送管(この場合は外
部導体)であって、この外部導体1a、lb内には中心
導体、2 aJ bが収容されている。そして、上記外
部導体1a。
1bの端部には径の異なる筒状の4電筒38゜3b、3
cが突設されており、これら導電筒3a。
cが突設されており、これら導電筒3a。
3b、3cは交互に同心円状に配列され、これら導電筒
3a I、:lb、3C間には絶縁体4a。
3a I、:lb、3C間には絶縁体4a。
4bが介在されている。また、上記中心導体232bは
絶縁体5を介して互に嵌合されている。
絶縁体5を介して互に嵌合されている。
したがって、これら外部導体1a、lbおよび中心導体
2a 、 2bはこの接続部分において絶縁体4R,4
b、5によって絶縁され、@流電流が阻止されるように
構成されている。また、この外部導体1a、lbの接続
部分では導電筒J a * 3 b 13Cが同心状に
配列されているので静電容量が大きく、高周波的には短
絡されているためこの外部導体18*1b内ケ流れる高
周波電流は絶縁されない。また、外部導体、7F!。
2a 、 2bはこの接続部分において絶縁体4R,4
b、5によって絶縁され、@流電流が阻止されるように
構成されている。また、この外部導体1a、lbの接続
部分では導電筒J a * 3 b 13Cが同心状に
配列されているので静電容量が大きく、高周波的には短
絡されているためこの外部導体18*1b内ケ流れる高
周波電流は絶縁されない。また、外部導体、7F!。
1b内を流れる高周波電磁波はこれらit筒3a。
3b、3C間を通って外部に洩れるが、これら導電筒J
” + 3 b 、J c間の間隙は迷路状をなして
いるため途中での損失が大きく、外部に漏洩する’te
aの電界強度全率さくすることができる。
” + 3 b 、J c間の間隙は迷路状をなして
いるため途中での損失が大きく、外部に漏洩する’te
aの電界強度全率さくすることができる。
背景技術の問題点
前記位来のものは外部導体1s、lb″′rなわち伝送
管の接続部分において導′屯匍3a、3b。
管の接続部分において導′屯匍3a、3b。
3Cの間りから電磁阪が外部に漏洩する。したがって外
部に漏洩する電磁波の電界強度を周囲の椋器に悪影響を
与え々い程度とするには4@筒3a、3b、3cの数を
多くしなければならず、構造がきわめてa雑となる不具
合があった。
部に漏洩する電磁波の電界強度を周囲の椋器に悪影響を
与え々い程度とするには4@筒3a、3b、3cの数を
多くしなければならず、構造がきわめてa雑となる不具
合があった。
特にこの回軸給電線のW・合には中止導体28゜2bを
流れる高周波電流、によって発生する磁場は同心円状に
分布しているため、磁、力線の方向が上記導電筒3a
、 3 h 、 30間の間隙と平行となるため、この
磁場の漏れすなわちvL電磁波海れ全少なくすることが
一層困難であった。また、これら導電筒3s 、3b
、3C間に侵入した′電磁波は途中で減衰されるもので
あるから、伝送される尚周波電力の損失が生じる不具合
があった。
流れる高周波電流、によって発生する磁場は同心円状に
分布しているため、磁、力線の方向が上記導電筒3a
、 3 h 、 30間の間隙と平行となるため、この
磁場の漏れすなわちvL電磁波海れ全少なくすることが
一層困難であった。また、これら導電筒3s 、3b
、3C間に侵入した′電磁波は途中で減衰されるもので
あるから、伝送される尚周波電力の損失が生じる不具合
があった。
5−
発明の目的
本発明は直流電流を阻止することができるとともに外部
に漏洩する電磁波?きわめて少なくすることができ、ま
た伝送する高周波の損失がきわめて少なく、さらに構造
も簡単な高周波伝送路全稈ることにある。
に漏洩する電磁波?きわめて少なくすることができ、ま
た伝送する高周波の損失がきわめて少なく、さらに構造
も簡単な高周波伝送路全稈ることにある。
発明の概要
本発明は内部に高周波が伝送される伝送管と、この伝送
管の接続端部に設けられ互に密着されるチョークフラン
ジとこれらチョークフランジ間に形成されたチョーク回
路と、上8Cチョークフランジ間に介在され互に密着さ
れた両チョークフランジ間を絶縁する絶縁体とを具備し
たものである。したがって、たとえば核融合装置のプラ
ズマ加熱用の高周波電力の伝送用に使用した場合、プラ
ズマの消弧の際に生じる@流@、流を絶縁体により阻止
することかでき、またチョーク回路によって外部に漏洩
する電磁波および高周波の損失全きわめて少なくするこ
とができ、さらに構造も簡単となるものである。
管の接続端部に設けられ互に密着されるチョークフラン
ジとこれらチョークフランジ間に形成されたチョーク回
路と、上8Cチョークフランジ間に介在され互に密着さ
れた両チョークフランジ間を絶縁する絶縁体とを具備し
たものである。したがって、たとえば核融合装置のプラ
ズマ加熱用の高周波電力の伝送用に使用した場合、プラ
ズマの消弧の際に生じる@流@、流を絶縁体により阻止
することかでき、またチョーク回路によって外部に漏洩
する電磁波および高周波の損失全きわめて少なくするこ
とができ、さらに構造も簡単となるものである。
6一
発明の実施例
1ず、第2図を参照して本発明の第1実施例全説明する
。この第1実施例は本発明を核融合装を置のプラズマ加
熱用の高周波電力を伝送するのに用いられる同軸給電線
に適用したものである。図中118.11b内には中心
線に沿って導電性材料からなる棒状の中心導体12a。
。この第1実施例は本発明を核融合装を置のプラズマ加
熱用の高周波電力を伝送するのに用いられる同軸給電線
に適用したものである。図中118.11b内には中心
線に沿って導電性材料からなる棒状の中心導体12a。
12bが収容されている。なお、これら中心導体12a
、12bは適宜間隔で支持部材(図示せず)によって外
部導体113.11bの中心に支持されている。そして
、一方の上記中心導体12aの端部には嵌合凹部13が
形成され、また他方の中心導体12bの端部K1−1e
合突部14が形成されている。そして、この嵌合凹部1
3と嵌合突部14とは電気絶縁性材料からなる絶縁体1
5’f介して嵌合されている。したがって、これら中心
導体12a 、12bは絶縁体15によって互に電気的
に絶縁されこの中心導体1.28.12bに直流電流が
流れようとする場合、この@流電流全阻止するように構
成されている。なお、これら中心導体12B、12bの
端部には嵌合凹部13および嵌合突部14が形成され、
これらが絶縁体15を介して嵌合しているので、これら
中心導体12B、12bの接続部分の静電容量には比較
的大きく、よってこれら中心導体12B、12bli流
れる高周波電流にはこの接続部分をRねる。
、12bは適宜間隔で支持部材(図示せず)によって外
部導体113.11bの中心に支持されている。そして
、一方の上記中心導体12aの端部には嵌合凹部13が
形成され、また他方の中心導体12bの端部K1−1e
合突部14が形成されている。そして、この嵌合凹部1
3と嵌合突部14とは電気絶縁性材料からなる絶縁体1
5’f介して嵌合されている。したがって、これら中心
導体12a 、12bは絶縁体15によって互に電気的
に絶縁されこの中心導体1.28.12bに直流電流が
流れようとする場合、この@流電流全阻止するように構
成されている。なお、これら中心導体12B、12bの
端部には嵌合凹部13および嵌合突部14が形成され、
これらが絶縁体15を介して嵌合しているので、これら
中心導体12B、12bの接続部分の静電容量には比較
的大きく、よってこれら中心導体12B、12bli流
れる高周波電流にはこの接続部分をRねる。
また、上記外部導体1111.11bの端部にはそれぞ
れチョークフランジ16a、16bが取付けられている
。そして、これらチョークフランジ16a、16bは互
に密着され、これらチョーク7ランジ16s、16b間
にはチョーク回路17が形成されている。このチョーク
回路17は一方のチョークフランジ16aの端面に形成
された円形のラジアル線路I8と、このラジアル線路1
8の周縁部から外部導体11a。
れチョークフランジ16a、16bが取付けられている
。そして、これらチョークフランジ16a、16bは互
に密着され、これらチョーク7ランジ16s、16b間
にはチョーク回路17が形成されている。このチョーク
回路17は一方のチョークフランジ16aの端面に形成
された円形のラジアル線路I8と、このラジアル線路1
8の周縁部から外部導体11a。
11bと同心に軸方向に向って延長された蟻状の同軸線
路19とかも構成されている。そして、上記ラジアル線
路18および同軸線路19の長さは、外部導体11B、
11b内全伝送される高周波電磁波の波長全λとしたと
き、それぞれλ/4となるように構成されている。普た
、上記チョークフランジ16a、16bの周辺部間には
電気絶縁性材料からなる絶縁体2oが介在され、これら
チョーク7ランジ16s、16b間の電気的絶縁がなさ
れている。また上記チョークフランジ1611.16b
の周縁部および絶縁体20を貫通してボルト2ノ・・・
が設けられ、これらボルト21・・・にはナツト22・
・・が螺合され、これらボルト21・・・およびナツト
22・・・にょクチヨークフランジ16a、16bが互
に結合されている。なお、このボルト21・・・および
ナツト22・・・とチョーク7ランジ168.16bと
の間には絶縁スリーブ23・・・および絶縁ワッシャ2
4・・・が介在されチョーク7ランジ16a。
路19とかも構成されている。そして、上記ラジアル線
路18および同軸線路19の長さは、外部導体11B、
11b内全伝送される高周波電磁波の波長全λとしたと
き、それぞれλ/4となるように構成されている。普た
、上記チョークフランジ16a、16bの周辺部間には
電気絶縁性材料からなる絶縁体2oが介在され、これら
チョーク7ランジ16s、16b間の電気的絶縁がなさ
れている。また上記チョークフランジ1611.16b
の周縁部および絶縁体20を貫通してボルト2ノ・・・
が設けられ、これらボルト21・・・にはナツト22・
・・が螺合され、これらボルト21・・・およびナツト
22・・・にょクチヨークフランジ16a、16bが互
に結合されている。なお、このボルト21・・・および
ナツト22・・・とチョーク7ランジ168.16bと
の間には絶縁スリーブ23・・・および絶縁ワッシャ2
4・・・が介在されチョーク7ランジ16a。
16b間の電気絶縁?確保している。
次に上記第1実施例の作用全説明する。高周波は上記外
部導体118.11b内を高周波電磁波の形で伝送され
、また中心導体12a。
部導体118.11b内を高周波電磁波の形で伝送され
、また中心導体12a。
12bおよび外部導体118.11bVCは筒周9−
波電流が流れている。そして、上記チョーク7ランジ1
68.16b間には絶縁体20が介在され、また中心導
体12B 、12bの端部間にも絶縁体15が介在され
ており、これら外部導体1111.11b問および中心
導体128゜12b間は互に電気的に絶縁されている。
68.16b間には絶縁体20が介在され、また中心導
体12B 、12bの端部間にも絶縁体15が介在され
ており、これら外部導体1111.11b問および中心
導体128゜12b間は互に電気的に絶縁されている。
したがって核融合装置内のプラズマ消弧の際に真空容器
に電位変動が生じてもこれら外部導体11B。
に電位変動が生じてもこれら外部導体11B。
11bおよび中心導体128.12bVC直流電流が流
れることが阻止され、高周波電源等が破損することはな
い。
れることが阻止され、高周波電源等が破損することはな
い。
また、外部導体11a、11b内を伝送される高周波電
磁波はチョーク回路17のラジアル線路18の一端から
これらラジアル線路18および周軸線路19内に導入さ
れた電磁波とが干渉する。そして上記ラジアル線路18
および同軸線路19の長さはそれぞれλ/4に設定され
ているので、B点においてはチョーク7ランジ1161
3.16b内に発生する電圧の電圧最大点となり、高周
波電流に対しては、これらチョー10− クフランジ16B、16bが完全に導通されたと同じ状
態となる。またA点では′延圧零点となplこのA点に
おいては実際にチョーク7ランジ168.16b間に間
隙があるにもかかわらずこのA点には導体の壁があるの
と同じ状態となる。よってこの外部導体118.11b
は高周波電流に対しては完全に導通されかつ隙間なく接
合されたと同じ状態となり、この接合部分から外部に漏
洩する高周波電磁波はきわめて少なく、また損失も生じ
ない。また、このものはチョーク7ランジlOa、16
b間にラジアル線路18と同軸線路19からなるチョー
ク回路17に設けただけのものであり、従来のものに比
較してその構造がきわめて簡単となる。
磁波はチョーク回路17のラジアル線路18の一端から
これらラジアル線路18および周軸線路19内に導入さ
れた電磁波とが干渉する。そして上記ラジアル線路18
および同軸線路19の長さはそれぞれλ/4に設定され
ているので、B点においてはチョーク7ランジ1161
3.16b内に発生する電圧の電圧最大点となり、高周
波電流に対しては、これらチョー10− クフランジ16B、16bが完全に導通されたと同じ状
態となる。またA点では′延圧零点となplこのA点に
おいては実際にチョーク7ランジ168.16b間に間
隙があるにもかかわらずこのA点には導体の壁があるの
と同じ状態となる。よってこの外部導体118.11b
は高周波電流に対しては完全に導通されかつ隙間なく接
合されたと同じ状態となり、この接合部分から外部に漏
洩する高周波電磁波はきわめて少なく、また損失も生じ
ない。また、このものはチョーク7ランジlOa、16
b間にラジアル線路18と同軸線路19からなるチョー
ク回路17に設けただけのものであり、従来のものに比
較してその構造がきわめて簡単となる。
なお、本発明は上記の第1実施例には限定されない。
たとえば第3図には本発明の第2実施例全示す。この第
2実施例は上記チョーク回路17のラジアル線路18お
よび同軸線路19内に誘電率の高い材料たとえば合成樹
脂材料からなる誘電体25全充填したものである。そし
て、この第2実施例ではこの誘電体25内での高周波電
磁波の波長をλ!としたとき、上記ラジアル線路18お
よび同軸線路19の長さをそれぞれλAに設定しである
。この第2実施例はラジアル線路18および同軸線路1
9内に誘電体25が充填されているので、この誘電体2
5内すなわちラジアル線路18および同軸線路19の長
さが短かくな一す、チョーク7ランジ168゜16bを
小形化できる。
2実施例は上記チョーク回路17のラジアル線路18お
よび同軸線路19内に誘電率の高い材料たとえば合成樹
脂材料からなる誘電体25全充填したものである。そし
て、この第2実施例ではこの誘電体25内での高周波電
磁波の波長をλ!としたとき、上記ラジアル線路18お
よび同軸線路19の長さをそれぞれλAに設定しである
。この第2実施例はラジアル線路18および同軸線路1
9内に誘電体25が充填されているので、この誘電体2
5内すなわちラジアル線路18および同軸線路19の長
さが短かくな一す、チョーク7ランジ168゜16bを
小形化できる。
また、第4図および第5図には本発明の第3実施例?示
す。この第3実施例は電気絶縁性を有しかつ誘電率の高
い材料たとえば合成樹脂材料で第5図に示す如く円板部
26Bと環状の円環突部、26b紫有する絶縁誘電体2
6全一体に形成し、この絶縁誘電体26をチョークフラ
ンジ16a、16b間に介在させ、円板部26Bの内側
縁部をラジアル線路18内に隙間なく嵌入し、また円環
突部、?6bi同軸線路19内に隙間なく嵌入し、さら
に円板部26aの外側縁部間に介在させたものである。
す。この第3実施例は電気絶縁性を有しかつ誘電率の高
い材料たとえば合成樹脂材料で第5図に示す如く円板部
26Bと環状の円環突部、26b紫有する絶縁誘電体2
6全一体に形成し、この絶縁誘電体26をチョークフラ
ンジ16a、16b間に介在させ、円板部26Bの内側
縁部をラジアル線路18内に隙間なく嵌入し、また円環
突部、?6bi同軸線路19内に隙間なく嵌入し、さら
に円板部26aの外側縁部間に介在させたものである。
そして、この第3実施例のものはこの絶縁誘電体26が
絶縁体と誘電体の両方の作用を兼用する。また、この第
3笑施例に次のような利点會有する。すなわち、たとえ
ば一方の外部導体11aに直流電圧が印加された場合、
チョークフランジ76a116b間に生じる電界は鋭利
な突部すなわち8点に集中する。このためB点近傍で放
電が生じやすくなる。この場合、第2図に示す第1実施
例の如くラジアル線路18および同軸線路19内が空間
であるとこの空間内で放電が生じ、絶縁破壊が生じやす
い。また、第3図に示す第2実施例の如く絶縁体20と
誘電体25とが別体であると絶縁体20と誘電体25と
の間のわずかな間隙を通って放電が生じやすく、絶縁破
壊が生じやすい。これに対してこの第3実施例のものは
絶縁体と誘電体を兼用する一体の絶縁誘電体26が介在
されているのでB点近傍に電界が集中しても放電が生じ
難く、絶縁破壊が生じ難い。
絶縁体と誘電体の両方の作用を兼用する。また、この第
3笑施例に次のような利点會有する。すなわち、たとえ
ば一方の外部導体11aに直流電圧が印加された場合、
チョークフランジ76a116b間に生じる電界は鋭利
な突部すなわち8点に集中する。このためB点近傍で放
電が生じやすくなる。この場合、第2図に示す第1実施
例の如くラジアル線路18および同軸線路19内が空間
であるとこの空間内で放電が生じ、絶縁破壊が生じやす
い。また、第3図に示す第2実施例の如く絶縁体20と
誘電体25とが別体であると絶縁体20と誘電体25と
の間のわずかな間隙を通って放電が生じやすく、絶縁破
壊が生じやすい。これに対してこの第3実施例のものは
絶縁体と誘電体を兼用する一体の絶縁誘電体26が介在
されているのでB点近傍に電界が集中しても放電が生じ
難く、絶縁破壊が生じ難い。
13−
着た、第6図には本発明の第4実施例を示す。
この第4実施例は外部導体118.11b内に8F、等
の絶縁ガスを加圧封入する場合に好適するものである。
の絶縁ガスを加圧封入する場合に好適するものである。
このものは前記第3実施例と同様の絶縁誘電体26と他
方のチョークフランジ16bとの間にOリング等のシー
ル部材27を介在させ、気密性を同上させて外部導体1
18゜11b内の絶縁ガスの漏洩を防止したものである
。なお、絶縁誘導体26と一方のチョーク7ランジ16
Bとの間では絶縁誘電体26の円環突部26bが同軸線
路19内に密嵌しているので気密性が保たれ、この一方
のチョーク7ランジ16aと絶縁誘電体26との間には
シール部材を介在させる必要はない。
方のチョークフランジ16bとの間にOリング等のシー
ル部材27を介在させ、気密性を同上させて外部導体1
18゜11b内の絶縁ガスの漏洩を防止したものである
。なお、絶縁誘導体26と一方のチョーク7ランジ16
Bとの間では絶縁誘電体26の円環突部26bが同軸線
路19内に密嵌しているので気密性が保たれ、この一方
のチョーク7ランジ16aと絶縁誘電体26との間には
シール部材を介在させる必要はない。
さらに、本発明は第7図に示す第5実施例の如く、導波
管にも適用できる。この第5実施例は伝送管、この場合
には導波管11 ’a*11 ’bの内部に中心導体が
設けられていない点を除き前記第1実施例と同様の構成
である。
管にも適用できる。この第5実施例は伝送管、この場合
には導波管11 ’a*11 ’bの内部に中心導体が
設けられていない点を除き前記第1実施例と同様の構成
である。
14−
発明の効果
上述の如く本発明は伝送管の端部にチョーク7ランジを
設けてこのチョークフランジ紫密看し、これらチョーク
7ランジ間にチョーク回路全形成し、またこのチョーク
7ランジ間に絶縁体を介在して両チョーク7ランジkm
気的に絶縁したものである。したがって伝送管はこの接
続部分で絶縁されるので、たとえば核融合装置のプラズ
マ加熱用の高周波′成力の伝送用に使用した場合、プラ
ズマ消弧の際に@流電圧が印加されてもこの伝送管に静
流電流が流れるのが阻止され高周波電源等の破損を防止
することができる。′!た、チョーク回路を設けたので
伝送管内の高周波電磁波の漏れがきわめて少なく、また
伝送される高周波軍刀の損失もきわめて小さい。しかも
このチョーク回路はチョークフランジ間にラジアル線路
と同I!ll線路とを形成しただけのものであ!ll構
造も簡単である等その効果は大である。
設けてこのチョークフランジ紫密看し、これらチョーク
7ランジ間にチョーク回路全形成し、またこのチョーク
7ランジ間に絶縁体を介在して両チョーク7ランジkm
気的に絶縁したものである。したがって伝送管はこの接
続部分で絶縁されるので、たとえば核融合装置のプラズ
マ加熱用の高周波′成力の伝送用に使用した場合、プラ
ズマ消弧の際に@流電圧が印加されてもこの伝送管に静
流電流が流れるのが阻止され高周波電源等の破損を防止
することができる。′!た、チョーク回路を設けたので
伝送管内の高周波電磁波の漏れがきわめて少なく、また
伝送される高周波軍刀の損失もきわめて小さい。しかも
このチョーク回路はチョークフランジ間にラジアル線路
と同I!ll線路とを形成しただけのものであ!ll構
造も簡単である等その効果は大である。
第1図は従来例の縦断面図である。第2図は本発明の第
1実施例の縦断面図、第3図は第2図実施例の縦断面図
、第4図は第3実施例の縦断面図、第5図は同第3実施
例の絶縁誘導体の斜視図、第6図は第4実施例の縦断面
図、第7図は第5実施例の縦断面図である。 118.11b・・・外部導体(伝送管)、11’ a
I 11’ b−・・導波管(伝送V)、12B。 12b・・・中心導体、16B+16b・・・チョーク
フランジ、17・・・チョーク回路、18・・・ラジア
ル線路、19・・・同軸線路、20・・・絶縁体、25
・・・誘電体、26・・・絶縁誘電体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第5図 牙6図 牙70 11 ′1423 24 22 手続補正書 昭和5祈3.ル5日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 特願昭56−214914号 2、発明の名称 高周波伝送路 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)束児芝浦電気株式会社 4、代理人 5、自発補正
1実施例の縦断面図、第3図は第2図実施例の縦断面図
、第4図は第3実施例の縦断面図、第5図は同第3実施
例の絶縁誘導体の斜視図、第6図は第4実施例の縦断面
図、第7図は第5実施例の縦断面図である。 118.11b・・・外部導体(伝送管)、11’ a
I 11’ b−・・導波管(伝送V)、12B。 12b・・・中心導体、16B+16b・・・チョーク
フランジ、17・・・チョーク回路、18・・・ラジア
ル線路、19・・・同軸線路、20・・・絶縁体、25
・・・誘電体、26・・・絶縁誘電体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第5図 牙6図 牙70 11 ′1423 24 22 手続補正書 昭和5祈3.ル5日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 特願昭56−214914号 2、発明の名称 高周波伝送路 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)束児芝浦電気株式会社 4、代理人 5、自発補正
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 送管の接続端部に設けられ互に端面が密着されたチョー
クフランジと、これらチョークフランジ間に形成された
チョーク回路と、上=eチョークフランジ間に介在され
る互に密着された両チョークフランジ間を絶縁する絶縁
体と全具備したこと全特徴とする高周波伝送路。 (Q 前Pチョーク回路は放射方向に向って延長された
円形のラジアル線路と、このラジアル線路の周縁から軸
方向に向って延長された環状の同軸線路とから構成され
ているものであることを特徴とする前WF特許請求の範
囲第1項記載の高周波伝送路。 (3)前記チョーク回路は内部に誘導体が充填されてい
るものであること全特徴とする前記特許請求の範囲第1
項記載の高周波伝送路。 (4) 前言ご@電体と前記絶縁体とは一体に形成さ
れているものであることを特徴とする特許許請求の範囲
第2項記載の高周波伝送路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21491481A JPS58114501A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 高周波伝送路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21491481A JPS58114501A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 高周波伝送路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114501A true JPS58114501A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16663663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21491481A Pending JPS58114501A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 高周波伝送路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114501A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120705A (en) * | 1989-06-28 | 1992-06-09 | Motorola, Inc. | Superconducting transmission line cable connector providing capacative and thermal isolation |
| WO2000057509A1 (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Lockheed Martin Missiles And Space | Radio frequency thermal isolator |
| JP2007527092A (ja) * | 2003-05-06 | 2007-09-20 | テールズ | 低スプリアス放射マイクロ波チューブ |
| WO2024043138A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21491481A patent/JPS58114501A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120705A (en) * | 1989-06-28 | 1992-06-09 | Motorola, Inc. | Superconducting transmission line cable connector providing capacative and thermal isolation |
| WO2000057509A1 (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Lockheed Martin Missiles And Space | Radio frequency thermal isolator |
| US6392510B2 (en) * | 1999-03-19 | 2002-05-21 | Lockheed Martin Corporation | Radio frequency thermal isolator |
| JP2007527092A (ja) * | 2003-05-06 | 2007-09-20 | テールズ | 低スプリアス放射マイクロ波チューブ |
| WO2024043138A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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