JPS58116726A - アモルフアスシリコンの製造方法 - Google Patents

アモルフアスシリコンの製造方法

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Publication number
JPS58116726A
JPS58116726A JP56212959A JP21295981A JPS58116726A JP S58116726 A JPS58116726 A JP S58116726A JP 56212959 A JP56212959 A JP 56212959A JP 21295981 A JP21295981 A JP 21295981A JP S58116726 A JPS58116726 A JP S58116726A
Authority
JP
Japan
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amorphous silicon
gas
plasma processing
sulphur hexafluoride
etamutau
Prior art date
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Pending
Application number
JP56212959A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuyoshi Takeshita
竹下　哲義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS58116726A publication Critical patent/JPS58116726A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアモルファスシリコン堆積室の前処理方法に＠
するものである。
健米、アモルファスシリコン（以下ａ−８１と略す）成
績第−ｉＩＡ椙としての１−８１櫓積室前処珈方法には
一般に窒素ガスやアルゴンガス、もしくはその混合カス
によるプラズマ処珈方法が広く用いられている。アモル
ファス半導体として応用上置も注目を集めている水素化
ａ−８１は、通常シランガスのグロー放電分解によって
成膜される。水素化ａ−８１は価電子制御か可能な仁と
よＶ％種の半導体素子活性層として有用であるか、ａ−
８１躾中の欠陥や含有水素の制御、セして価電子制御を
確実にすることＦｉ牛尋体素子としてａ−８１の有ｐＢ
性確立のために最も重要なことである。したかつて作製
室内部の清＃度によって成績され几ａ−８１の膜質制御
ｉ１１に影４Ｉを及ぼすことは許さｎない。しかし前記
の窒素ガスやアルゴンガスなどのプラズマ処理では前処
理方法として容易で安価であるか、成膜されたａ−８１
の膜質に大きなばらつきか生じるという欠点を有する。
また塩素ガスによるプラズマ処虐方法が考えら詐るか、
その蒸気は呼吸６粘ＪＩＩＮを侵し、皮膚ＫＩＩ！触す
ると火傷奮起こさせるなどの人体への患影響會及すとい
う欠点を有する。
本発明は上記事実を鑑みて考えられｔもので。
比較的安価かつ容易で作製されたａ−８１の膜質にばら
つきが少ないａ−８１＊ｌｌ１ｉ４［前処理方法を炎供
することを目的とする。Ａ体的な方法としてＦｉ。
ａ−８１＠槓前に六弗化硫黄によるプラズマ処理を場積
室に施すことＫある。
実施例を 本発町による前処塩方沃は水素化ａ−８１膜質制御のは
らつき１少なくするものとして、前処理に六弗化硫黄會
流量１０　＃Ｃ０１１〜５００　ｍ０６ｍ、　ＲＦパワ
ー１０１Ｆ〜１００Ｗで１０分〜５０分放電処珈後ａ−
８ｉ櫓積に入ったもので、嵐好な結果を得た。
上記処ｊｉｌ！！後、ｉａ＊ガスｔ−流量５０　ａｃａ
ｒｎ〜５００８ｅＯＩｌ　、　Ｒ？パワー１０Ｗ　〜１
００Ｗで１０分〜３０分放電処珈したものは、さらに良
好な結果を得た。
以下に、従来技術との比較をしてみる。Ｒ？パワー５０
Ｗで （１）六弗化硫黄ガスｔ−ａ量１１００５ｏａ、１５分
間のプラズマ処理。
＜２１　　（１）の処理後、窒素ガス會流量２００５ｏ
ｏｎ１５分間のプラズマ処理。
１３）　　（２１のｗｉ業ガスによるプラズマ処理のみ
／、１・１施した後、シランガス４０１ａ０６Ｗ１．水
素ガス１６０ｓｃｃｍｆｉ（、、Ｒ１１パワーＳＯＷで
、６０分間堆積した水素化ａ−−１の光体導度の蛾大及
び最小値纂１−に示す。いずれも１０回堆積を行なった
結果である。
第　　Ｉｌｌ 本発明の六弗化硫黄によるプラズマ処理を前処理方ｆ＆
に用いた（１：及び伏）は、いずれも堆積され九本素化
ａ−＆１の光体導度のばらり自は小さく、良好なａ−８
１４積室前処理方法である。
以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. グロー放電分解によるアモルファスシリコン製造！１Ｉ
    Ｉｌで、アモルファスシリコン成績前の堆積室処虐方法
    として六弗化硫黄ガスによるプラズマ逃ｍ會用いること
    ｔｓ値とするアモルファスシリコンの製造方法。
JP56212959A 1981-12-29 1981-12-29 アモルフアスシリコンの製造方法 Pending JPS58116726A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56212959A JPS58116726A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 アモルフアスシリコンの製造方法

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JP56212959A JPS58116726A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 アモルフアスシリコンの製造方法

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JPS58116726A true JPS58116726A (ja) 1983-07-12

Family

ID=16631120

Family Applications (1)

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JP56212959A Pending JPS58116726A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 アモルフアスシリコンの製造方法

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4679531A (en) * 1984-11-08 1987-07-14 Mazda Motor Corporation Intake system for internal combustion engine
JPS62124233U (ja) * 1986-01-30 1987-08-07
JPS62124232U (ja) * 1986-01-30 1987-08-07
JPS62124234U (ja) * 1986-01-31 1987-08-07

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62124233U (ja) * 1986-01-30 1987-08-07
JPS62124232U (ja) * 1986-01-30 1987-08-07
JPS62124234U (ja) * 1986-01-31 1987-08-07

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