JPS58120154A - プラズマ分布モニタ方法 - Google Patents
プラズマ分布モニタ方法Info
- Publication number
- JPS58120154A JPS58120154A JP57002201A JP220182A JPS58120154A JP S58120154 A JPS58120154 A JP S58120154A JP 57002201 A JP57002201 A JP 57002201A JP 220182 A JP220182 A JP 220182A JP S58120154 A JPS58120154 A JP S58120154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- light
- distribution
- dimensional
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
- H05H1/0012—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry
- H05H1/0037—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry by spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ分布モニタ方法に関する。詳しくは超
ＬＳＩ等の製造に用いられるスパッタプロセスやドライ
エツチングプロセス等で使用されるプラズマの状態を、
その発光を種々の方向から測定し、その測定データから
プラズマ中の化学種の二次元的、三次元的分布を算出し
、モニタする方法に関する。
ＬＳＩ等の製造に用いられるスパッタプロセスやドライ
エツチングプロセス等で使用されるプラズマの状態を、
その発光を種々の方向から測定し、その測定データから
プラズマ中の化学種の二次元的、三次元的分布を算出し
、モニタする方法に関する。
現今半導体プロセス等では、ウェットプロセスからドラ
イプロセスへと移行が進んでいる。これはドライプロセ
スの方が微細加工ができる等の理由からでおり、微細加
工を再現性良く行い又加工の均一性を確保するために、
種々のモニタが使用されてきている。
イプロセスへと移行が進んでいる。これはドライプロセ
スの方が微細加工ができる等の理由からでおり、微細加
工を再現性良く行い又加工の均一性を確保するために、
種々のモニタが使用されてきている。
しかし従来のモニタは、例えばプラズマ発光を利用した
モニタでも、モニタ対象としたプロセスを代表する点と
して１点かせいぜい数点のみを測定しており、プロセス
の一部分の状態か又は全体の平均的な状態しか捉えてい
なかった。超ＬＳＩ製造プロセスの様な超微細加工の必
要なプロセスでは、従来法における様な代表点のモニタ
リングのみでは、プロセスでのプラズマ状態に関しても
二次元的、三次元的なプラズマ分布の把握は不十分であ
り、全体の再現性の維持や、同一ロット内での加工の均
一性や、ロット間の再現性の維持やモニタリングはでき
なかった。
モニタでも、モニタ対象としたプロセスを代表する点と
して１点かせいぜい数点のみを測定しており、プロセス
の一部分の状態か又は全体の平均的な状態しか捉えてい
なかった。超ＬＳＩ製造プロセスの様な超微細加工の必
要なプロセスでは、従来法における様な代表点のモニタ
リングのみでは、プロセスでのプラズマ状態に関しても
二次元的、三次元的なプラズマ分布の把握は不十分であ
り、全体の再現性の維持や、同一ロット内での加工の均
一性や、ロット間の再現性の維持やモニタリングはでき
なかった。
本発明の目的は、上記した従来技術の有する欠点を解消
し、二次元的、三次元的なプラズマ分布を把握し、エツ
チングの均一性や再現性を維持、向上せしめてプラズマ
現象を利用したプロセスの歩留りを向上させ、プロセス
の自動化に対処し使用し得るプラズマ分布モニタ方法を
提供することにある。
し、二次元的、三次元的なプラズマ分布を把握し、エツ
チングの均一性や再現性を維持、向上せしめてプラズマ
現象を利用したプロセスの歩留りを向上させ、プロセス
の自動化に対処し使用し得るプラズマ分布モニタ方法を
提供することにある。
本発明のプラズマ分布モニタ方法の特徴は、プラズマ光
の集光方向を選択し、その選択光を分光し、プラズマを
構成している化学種の発光を検出して、１方面又は多方
面から見た当該化学種の発光分布データを取得し、得ら
れた発光分布データより、プラズマを構成している化学
種のプラズマ中での濃度分布を算出することにある。
の集光方向を選択し、その選択光を分光し、プラズマを
構成している化学種の発光を検出して、１方面又は多方
面から見た当該化学種の発光分布データを取得し、得ら
れた発光分布データより、プラズマを構成している化学
種のプラズマ中での濃度分布を算出することにある。
以下本発明の方法を図面により説明する。
第１図及び第２図は本発明の方法に使用される装置の実
施例を示すブロック図である。第１図及び第２図におい
て、１はモニタ対象となるプラズマ発光源（プラズマ装
置）である。該プラズマ発光源１からのプラズマ光２は
、集光方向を選択する集光方向選択機構３で選択され、
その選択光１０は分光器４に入り、分光される。集光方
向選択機構３は集光（集束）Ｖアイバより成り、レンズ
付又はレンズなしの光ファイバーを水平及び垂直方向に
モニタ対象装置の発光観測窓内なくまなく走査すること
により集光方向を選択する。当該集光ファイバーはその
先端を観測窓内即ち測定領域内をスキャンするため制御
機構７を設けるのがよい。
施例を示すブロック図である。第１図及び第２図におい
て、１はモニタ対象となるプラズマ発光源（プラズマ装
置）である。該プラズマ発光源１からのプラズマ光２は
、集光方向を選択する集光方向選択機構３で選択され、
その選択光１０は分光器４に入り、分光される。集光方
向選択機構３は集光（集束）Ｖアイバより成り、レンズ
付又はレンズなしの光ファイバーを水平及び垂直方向に
モニタ対象装置の発光観測窓内なくまなく走査すること
により集光方向を選択する。当該集光ファイバーはその
先端を観測窓内即ち測定領域内をスキャンするため制御
機構７を設けるのがよい。
分光された光１１は光検出器５で検出され、その強度が
電気信号に変えられデータ処理装置６に送られる。一方
集光方向選択機構３が制御機構７により制御されると、
その制御信号はデータ処理装置６にも送られ、光検出器
５で検出した光の集光方向に関するデータとして使用し
、データ処理を行い、プラズマ分布の二次元又は三次元
的分布を算出し、その結果を表示装置８に出力する。
電気信号に変えられデータ処理装置６に送られる。一方
集光方向選択機構３が制御機構７により制御されると、
その制御信号はデータ処理装置６にも送られ、光検出器
５で検出した光の集光方向に関するデータとして使用し
、データ処理を行い、プラズマ分布の二次元又は三次元
的分布を算出し、その結果を表示装置８に出力する。
上記装置による本発明の方法の詳細を示すと次の通りで
ある。
ある。
（１）発光分布の予測計算をしておく。発光が均一と仮
定して集光方向選択機構に於けるレンズ付又はレンズな
しの光ファイバーに入る光量を計算しておく。
定して集光方向選択機構に於けるレンズ付又はレンズな
しの光ファイバーに入る光量を計算しておく。
（１１）集光方向選択機構を測定方向に向ける。即ちレ
ンズ付又はレンズなしの光ファイバーの方向をモニタ対
象の方向に向ける。モニタ対象の発光部分をくまなく走
査する。
ンズ付又はレンズなしの光ファイバーの方向をモニタ対
象の方向に向ける。モニタ対象の発光部分をくまなく走
査する。
ｒｍ）分光器によりスペクトル分光を行う。モニタ対象
に特有の発光スペクトルのみを捉える。
に特有の発光スペクトルのみを捉える。
（ψ 分光された光を光検知器で検出する。分光後の光
の強さを電気信号に変換し、測定結果（電気信号の強さ
）をデータ装置に取り込む。
の強さを電気信号に変換し、測定結果（電気信号の強さ
）をデータ装置に取り込む。
Ｍ 予測結果との比較を行う。
（ＶＤ 比較結果の表示を行う。測定時刻、測定方向
、測定結果、予測結果との差が考察される。前記（ｉ）
→（ｉｉ）の過程へフィードバックする。
、測定結果、予測結果との差が考察される。前記（ｉ）
→（ｉｉ）の過程へフィードバックする。
第１図に示す実施例は、１方向のみから発光状況をモニ
タする例であり、この例では、データ処理装置にプラズ
マ発光部の外形についての情報を予め与えてプラズマの
二次元的分布を算出するものである。通常プラズマ発光
は減圧下で行われるので、プラズマ発光源１と集光方向
選択機構３０間には光２を通す窓で仕切られているが、
この例では窓は１つで済む。
タする例であり、この例では、データ処理装置にプラズ
マ発光部の外形についての情報を予め与えてプラズマの
二次元的分布を算出するものである。通常プラズマ発光
は減圧下で行われるので、プラズマ発光源１と集光方向
選択機構３０間には光２を通す窓で仕切られているが、
この例では窓は１つで済む。
第２図に示す実施例は、２系統の集光方向選択機構３、
分光器４、光検出器５を有するものであって、プラズマ
の三次元分布の算出には、前記例に示す様なプラズマ発
光部の外形についての情報は必要としないが、前記例で
記載した窓は２個必要となる。同本例では２方向からモ
ニタすることにより異常のある場所を指摘できるように
なる。
分光器４、光検出器５を有するものであって、プラズマ
の三次元分布の算出には、前記例に示す様なプラズマ発
光部の外形についての情報は必要としないが、前記例で
記載した窓は２個必要となる。同本例では２方向からモ
ニタすることにより異常のある場所を指摘できるように
なる。
上記により、プラズマの二次元的又は三次元的分布がモ
ニタできるようになり、プラズマ使用プロセスの精密な
モニタリングが可能となった。
ニタできるようになり、プラズマ使用プロセスの精密な
モニタリングが可能となった。
第３図には第１図及び第２図にブロック図で示す当該装
置の詳細を示す。
置の詳細を示す。
第３図において、１はモニタ対象となるプラズマ発光源
（プラズマ装置）である。当該装置は第３図に図示の如
く窓加を有する。プラズマ発光源１からの光は窓加を介
して外部に放出され集光方向選択機構３により集光方向
を選択する。集光方向選択機構３は集光（集束）レンズ
Ｉより成り、レンズ付又はレンズなし光ファイバーを水
平及び垂直方向にモニタ対象装置の発光観測窓内なくま
なく走査することにより集光方向を選択する。集光方向
選択機構３は光ファイバーの先端を観測窓加内即ち測定
領域内を７千ヤンするため制御機構を設けるのがよい。
（プラズマ装置）である。当該装置は第３図に図示の如
く窓加を有する。プラズマ発光源１からの光は窓加を介
して外部に放出され集光方向選択機構３により集光方向
を選択する。集光方向選択機構３は集光（集束）レンズ
Ｉより成り、レンズ付又はレンズなし光ファイバーを水
平及び垂直方向にモニタ対象装置の発光観測窓内なくま
なく走査することにより集光方向を選択する。集光方向
選択機構３は光ファイバーの先端を観測窓加内即ち測定
領域内を７千ヤンするため制御機構を設けるのがよい。
これは第１図中に符号７で図示の通りである。
次いで上記で選択された選択光は分光器４に入り、スペ
クトル分光される。当該分光器は、特定波長の光だけを
通すフィルタ部分４１と波長選択性の少ない減光効率の
異なる数種の減光フィルタ部分４２とを有する円盤型フ
ィルタ４３と、当該円盤型フィルタを回転することによ
り時間的に特定波長の光と全プラズマ光とを交互にとり
出し当該円盤型フィルタを回転させるモータと、円盤型
フィルタの回転に連動し全プラズマ光の通過量を調節す
るに最適の減光フィルタ部分を選択するマスク１５どを
有して成る。
クトル分光される。当該分光器は、特定波長の光だけを
通すフィルタ部分４１と波長選択性の少ない減光効率の
異なる数種の減光フィルタ部分４２とを有する円盤型フ
ィルタ４３と、当該円盤型フィルタを回転することによ
り時間的に特定波長の光と全プラズマ光とを交互にとり
出し当該円盤型フィルタを回転させるモータと、円盤型
フィルタの回転に連動し全プラズマ光の通過量を調節す
るに最適の減光フィルタ部分を選択するマスク１５どを
有して成る。
分光された光は光検出器５で検出する。光検出器５は円
盤型フィルタ４３を介して入射してきた光の光量（強度
）を測定する検出器５１、検出された光強度の信号を増
幅する増幅回路５２、円盤型フィルタ４３を回すモータ
４４の回転に同期させ、特定波長透過フィルタを通過し
た特定波長の光の信号と全光量に対応する信号を分離す
る同期回路５３．同期回路５３で分離された２種の信号
強度を比較し目的物質のプラズマ濃度を知る比較回路巽
とを有して成っている。
盤型フィルタ４３を介して入射してきた光の光量（強度
）を測定する検出器５１、検出された光強度の信号を増
幅する増幅回路５２、円盤型フィルタ４３を回すモータ
４４の回転に同期させ、特定波長透過フィルタを通過し
た特定波長の光の信号と全光量に対応する信号を分離す
る同期回路５３．同期回路５３で分離された２種の信号
強度を比較し目的物質のプラズマ濃度を知る比較回路巽
とを有して成っている。
又第３図において、８は表示装置（モニタ）であり、比
較回路で求められたプラズマ濃度を表示する。更に第３
図中１３は記録計である。
較回路で求められたプラズマ濃度を表示する。更に第３
図中１３は記録計である。
第３図に示す実施例に従い、これら装置による作用とと
もに本発明の詳細な説明するに、プラズマ装置１から発
生した光はプラズマ装置の窓２０を介して外部に放出さ
れ、これを集束レンズ（資）で集光し、特定波長、例え
ばＡｔ配線のエツチングであればｋＡのプラズマ光又は
ＡｔＣｔｍのプラズマ光、の光だけを通すフィルタ４１
と減光効率の異なる数種の減光フィルタよ構成る部分４
２から構成されている円盤型フィルタ４３をモータ４４
により回転させながらプラズマ光Ａが円盤の回転により
時間的に交互に特定波長の光と全プラズマ光を通す様に
し、各各の光強度を光検出器５１で検出し、強度信号に
変えて増幅回路５２で増幅した後、モータの回転に同期
してフィルタを通した特定波長光の信号と全プラズマ光
の信号を分離する同期回路５３ヲ介して各各分離して両
信号強度の比較を行うための比較回路聞に送り、両信号
強度の比較を行いあらかじめ求めておいた両信号強度と
プラズマ濃度の関係からプラズマ濃度を求め、これを表
示装置８で表示するとともに、記録計１３で記録する。
もに本発明の詳細な説明するに、プラズマ装置１から発
生した光はプラズマ装置の窓２０を介して外部に放出さ
れ、これを集束レンズ（資）で集光し、特定波長、例え
ばＡｔ配線のエツチングであればｋＡのプラズマ光又は
ＡｔＣｔｍのプラズマ光、の光だけを通すフィルタ４１
と減光効率の異なる数種の減光フィルタよ構成る部分４
２から構成されている円盤型フィルタ４３をモータ４４
により回転させながらプラズマ光Ａが円盤の回転により
時間的に交互に特定波長の光と全プラズマ光を通す様に
し、各各の光強度を光検出器５１で検出し、強度信号に
変えて増幅回路５２で増幅した後、モータの回転に同期
してフィルタを通した特定波長光の信号と全プラズマ光
の信号を分離する同期回路５３ヲ介して各各分離して両
信号強度の比較を行うための比較回路聞に送り、両信号
強度の比較を行いあらかじめ求めておいた両信号強度と
プラズマ濃度の関係からプラズマ濃度を求め、これを表
示装置８で表示するとともに、記録計１３で記録する。
特にこの時の特定波長のプラズマ光が全プラズマ光に対
して著しく強度が弱い場合、単一の検出器で同一感度で
測定する場合、精度上の問題が生ずるのを防ぐため円盤
型フィルタの回転に同期して最適の減光フィルタ部分を
選択するマスク（シャッタ）を回転させ全プラズマ光の
光量を調節する。
して著しく強度が弱い場合、単一の検出器で同一感度で
測定する場合、精度上の問題が生ずるのを防ぐため円盤
型フィルタの回転に同期して最適の減光フィルタ部分を
選択するマスク（シャッタ）を回転させ全プラズマ光の
光量を調節する。
本発明によれば、前記の如くプラズマの二次元的又は三
次元的分布がモニタできるようになり、これによりプラ
ズマ使用プロセスの精密なモニタリングが可能となった
が、更に第３図に示す如き装置、方法によれば次の如き
利点がある。即ち最近半導体や薄膜の製造技術にプラズ
マ技術が盛んに利用され、京大中ホトレジストやＭ配線
等のプラズマによるエツチングは広く行われる様になっ
てきており、これらのエツチングを精度よく行い、エツ
チングの終点を適確に把握することが必要になってきて
いる。そのためＫはプラズマ中のエツチング物質の発生
量を絶えずモニタする必要がある。
次元的分布がモニタできるようになり、これによりプラ
ズマ使用プロセスの精密なモニタリングが可能となった
が、更に第３図に示す如き装置、方法によれば次の如き
利点がある。即ち最近半導体や薄膜の製造技術にプラズ
マ技術が盛んに利用され、京大中ホトレジストやＭ配線
等のプラズマによるエツチングは広く行われる様になっ
てきており、これらのエツチングを精度よく行い、エツ
チングの終点を適確に把握することが必要になってきて
いる。そのためＫはプラズマ中のエツチング物質の発生
量を絶えずモニタする必要がある。
従来こうしたプラズマのモニタとしては、プラズマによ
り発光する光をプラズマ装置に設備された窓から２つの
光路な通し、その一方は注目する特定の波長のプラズマ
光のみを通すフィルタを介し第１の検出器で強度を測定
し、他方フィルタを通さない光を第２の検出器により測
定し、両者の比較を行うことが行なわれている。しかし
この方法では検出器が２個必要なため高価になることと
、検出器間の感度や特性の差を補正する必要があり、又
プラズマの発生個所（２つの光路のもとになる光とり出
し位置）間での発光状態の違いによる誤差が入るなどの
問題点を有する。これに対し、本発明の第３図に示す装
置、方法によれば、プラズマ装置から発生する特定の波
長を有する目的とするプラズマ物質からのプラズマ光と
、プラズマ装置内で発生する全光量を測定し、特定波長
の光と全光量の比較を行うことにより、目的とするプラ
ズマ物質の濃度を高精度に測定することができ、これに
よりプラズマ中のエツチング物質の発生量を絶ニスモニ
タしつつ、エツチングを精度よく行い、エツチングの終
点を適確に把握することができる。更に本発明の方法、
装置によれば検出器は一個で足り、従来２つの検出器を
使って測定していたプラズマ濃度を単一の検出器により
検出できるようになり、コストが低減され、２つの検出
器間の物性等の違いによる補正が不要となり、簡便な測
定が行われる様になった。同第２図では光検出器が２個
図示されているが、２方向からモニタすることにより異
常のある場所を指摘できる様になしたもので、個々には
光検出器は１個である。
り発光する光をプラズマ装置に設備された窓から２つの
光路な通し、その一方は注目する特定の波長のプラズマ
光のみを通すフィルタを介し第１の検出器で強度を測定
し、他方フィルタを通さない光を第２の検出器により測
定し、両者の比較を行うことが行なわれている。しかし
この方法では検出器が２個必要なため高価になることと
、検出器間の感度や特性の差を補正する必要があり、又
プラズマの発生個所（２つの光路のもとになる光とり出
し位置）間での発光状態の違いによる誤差が入るなどの
問題点を有する。これに対し、本発明の第３図に示す装
置、方法によれば、プラズマ装置から発生する特定の波
長を有する目的とするプラズマ物質からのプラズマ光と
、プラズマ装置内で発生する全光量を測定し、特定波長
の光と全光量の比較を行うことにより、目的とするプラ
ズマ物質の濃度を高精度に測定することができ、これに
よりプラズマ中のエツチング物質の発生量を絶ニスモニ
タしつつ、エツチングを精度よく行い、エツチングの終
点を適確に把握することができる。更に本発明の方法、
装置によれば検出器は一個で足り、従来２つの検出器を
使って測定していたプラズマ濃度を単一の検出器により
検出できるようになり、コストが低減され、２つの検出
器間の物性等の違いによる補正が不要となり、簡便な測
定が行われる様になった。同第２図では光検出器が２個
図示されているが、２方向からモニタすることにより異
常のある場所を指摘できる様になしたもので、個々には
光検出器は１個である。
第１図、第２図及び第３図は本発明の方法及びそれに使
用される装置の実施例を説明するブロック図及び構成図
である。 １・・・プラズマ発光源、３・・・集光方向選択機構、
４・・・分光器、５・・・光検出器、９・・・信号線。 代理人 弁理士 秋 本 正 実
用される装置の実施例を説明するブロック図及び構成図
である。 １・・・プラズマ発光源、３・・・集光方向選択機構、
４・・・分光器、５・・・光検出器、９・・・信号線。 代理人 弁理士 秋 本 正 実
Claims (1)
- プラズマの発光をモニタする方法において、当該プラズ
マ光の集光方向を選択し、その選択光を分光し、プラズ
マを構成している化学種の発光を検出して、一方面又は
多方面から見た当該化学種の発光分布データを取得し、
得られた発光分布データより、プラズマ中での尚該化学
種の濃度分布状態を算出することを特徴とするプラズマ
分布モニタ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57002201A JPS58120154A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | プラズマ分布モニタ方法 |
| US06/455,802 US4541718A (en) | 1982-01-12 | 1983-01-05 | Plasma monitoring method and plasma monitor |
| EP83100174A EP0083944A3 (en) | 1982-01-12 | 1983-01-11 | Plasma monitoring method and plasma monitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57002201A JPS58120154A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | プラズマ分布モニタ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120154A true JPS58120154A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11522738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57002201A Pending JPS58120154A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | プラズマ分布モニタ方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4541718A (ja) |
| EP (1) | EP0083944A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58120154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532476A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 高度に収束された光を収集する配置の方法および装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4644173A (en) * | 1984-07-09 | 1987-02-17 | The Babcock & Wilcox Company | Flame quality analyzer with fiber optic array |
| KR910000273B1 (ko) * | 1985-05-09 | 1991-01-23 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 플라즈마 처리장치 |
| TW260857B (ja) * | 1993-03-04 | 1995-10-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5654796A (en) * | 1995-12-22 | 1997-08-05 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for mapping plasma characteristics |
| US6269278B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-31 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6157447A (en) * | 1998-04-23 | 2000-12-05 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6275740B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-08-14 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6090302A (en) * | 1998-04-23 | 2000-07-18 | Sandia | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6419801B1 (en) * | 1998-04-23 | 2002-07-16 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6254717B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-03 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6261470B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6221679B1 (en) * | 1998-04-23 | 2001-04-24 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6223755B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-05-01 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6165312A (en) * | 1998-04-23 | 2000-12-26 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6192826B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-02-27 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6246473B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-06-12 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6134005A (en) * | 1998-04-23 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6077386A (en) * | 1998-04-23 | 2000-06-20 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6169933B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-01-02 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6132577A (en) * | 1998-04-23 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6123983A (en) * | 1998-04-23 | 2000-09-26 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| JP2021144832A (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ計測装置、及びプラズマ計測方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2734418A (en) * | 1956-02-14 | Spectrometer system with receiver | ||
| US2909924A (en) * | 1954-12-15 | 1959-10-27 | Du Pont | Radiation temperature measurement |
| US3317737A (en) * | 1963-11-05 | 1967-05-02 | Kopsel Manfred | Photoelectric device for measuring the spectral line intensities of a radiating plasma with background radiation correction means |
| US3298275A (en) * | 1965-04-19 | 1967-01-17 | Cons Electrodynamics Corp | Comparison signal circuit for measuring intensity of spectral lines |
| SE355073B (ja) * | 1970-04-30 | 1973-04-02 | Aga Ab | |
| US3794425A (en) * | 1972-08-22 | 1974-02-26 | Shell Oil Co | Scanning infrared spectroscopic analyzer using rotating variable filter |
| GB1447972A (en) * | 1972-10-26 | 1976-09-02 | Ici Ltd | Plasma emission spectroscopy |
| US4164373A (en) * | 1978-01-12 | 1979-08-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Spectrometer employing optical fiber time delays for frequency resolution |
| JPS57207850A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-20 | Hitachi Ltd | Monitoring apparatus of plasma luminous distribution |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP57002201A patent/JPS58120154A/ja active Pending
-
1983
- 1983-01-05 US US06/455,802 patent/US4541718A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-01-11 EP EP83100174A patent/EP0083944A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532476A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 高度に収束された光を収集する配置の方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0083944A2 (en) | 1983-07-20 |
| US4541718A (en) | 1985-09-17 |
| EP0083944A3 (en) | 1984-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58120154A (ja) | プラズマ分布モニタ方法 | |
| US5225888A (en) | Plasma constituent analysis by interferometric techniques | |
| US8358416B2 (en) | Methods and apparatus for normalizing optical emission spectra | |
| US5208644A (en) | Interference removal | |
| US4569592A (en) | Plasma monitor | |
| JPH10154693A (ja) | トレンチ形成プロセスのリアルタイム現場監視のための方法 | |
| US6716300B2 (en) | Emission spectroscopic processing apparatus | |
| CN115135989B (zh) | 用于宽带光反射光谱的方法和系统 | |
| JP3316012B2 (ja) | 顕微ラマン分光光度計を用いた温度測定装置 | |
| US4962516A (en) | Method and apparatus for state analysis | |
| EP0204855A1 (en) | Method and apparatus for state analysis | |
| JPH05179467A (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JP2002005635A (ja) | エッチング深さ測定方法および測定装置並びにエッチング装置 | |
| CA2326626A1 (en) | Method and apparatus for analysis of gas compositions | |
| JPS635529A (ja) | エツチング終点検出装置 | |
| KR102552376B1 (ko) | Xyz 정밀 스테이지를 포함한 진공용 박막 두께 측정장치 | |
| US5528648A (en) | Method and apparatus for analyzing contaminative element concentrations | |
| KR20220126944A (ko) | 진공용 박막 두께 측정 장치 | |
| JP2895816B2 (ja) | Ｉｃｐ発光分光分析装置 | |
| KR20240111877A (ko) | 플라즈마 공정 균일도 변화 모니터링 장치 및 이를 이용한 플라즈마 공정 균일도 변화 모니터링 방법 | |
| JP2001004544A (ja) | ラマン分光装置 | |
| SU1074827A1 (ru) | Способ определени координат точек фотометрировани и устройство дл его осуществлени | |
| JP2023164360A (ja) | 高スペクトル及び時間分解能グロー放電分光測定デバイス及び方法 | |
| JPH07225186A (ja) | 蛍光／ラマン分光光度計 | |
| JPS606852A (ja) | プラズマのモニタ方法およびモニタ |