JPS581214A - 熱結合用のセル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔本発明の背景〕 本発明は、加熱素子あるいは熱電対と、包囲体の熱制御
のための熱感応素子、あるいは温度センサとの間の熱結
合用の、あるいは接触用のセルに関し、この熱感応素子
は、上記の加熱素子に接近して配設される。

一般的な形の場合、熱的に制御される加熱装置は、電流
の作用のもとで、熱エネルギをつくる１以上の発生源を
備え、そしてこれが、加熱されるボディに供給される。

すなわち、電流を与えられた制限内に制御するための回
路は、制御電圧の作用下にあり、そして、加熱されるボ
ディの温度を測定するための１以上の部材が、この制御
電圧ケ供給する。

動作において、制御回路が、所望される温度を得るため
に調節されると、包囲体に対する、あらゆる偶発的な温
度変化が、温度の測定装置の部分に、制御電圧の発生を
引き起し、熱エネルギ源からの電流のために、制御回路
に供給されると、これは、このエネルギの値を、適切な
方向に変化する。さらに詳しい説明には、フランス特許
第２４１８９５３号を参照されたい。

こうした装置は既知であると共に、特別な困難性なしに
、満足すべき結果を導き、この場合、温度ならびに／あ
るいは、制御に関する正確さの範囲は、通常の産業上で
出会うオーダの大きさ内にある。

しかしながら、ある特別な場合、たとえば、高精度な周
波数の発生によって、時間を規定する場合、３つの前述
された部分の装置の現実化が、特定の実施例を導く。ピ
エゾ電気の発振器のための包囲体の場合、与えられた周
波数の精度が、約１０−９でなければならない。温度の
精度は、０．０１°に以下でなければならない。加熱素
子と熱感応素子との間の理想的な熱結合用セルは、最適
な熱的結合、すなわち、加熱素子と、加熱されるボディ
との間の最小の熱抵抗、ならびに該セルの最小サイズで
、特徴づけされる。

かくして、上記の素子間の任意の熱結合は、フィードバ
ックルーズの時定数を低減する効果、すなわち、加熱素
子の応答時間を低減すると共に、より良い温度安定化を
確実にする効果を有し、一方、温度の短い、ならびに中
位の時間の変動を最小にする効果を有する。

加熱素子と、加熱されるボディとの間、の熱抵抗の改善
は、加熱素子によって供給される熱パワーを低減するこ
とを可能にする。加熱されるボディの一定の温度を維持
するためである。

すでに提案されたのは、ある装置が使用され、この場合
、加熱素子ならびに、該加熱素子を調整する熱感応素子
がそれぞれ、完全な別個のユニットを構成し、これらが
単に互いに並べて置かれることである。ユニットのそれ
ぞれは、それ自身をフィツトするもの、ならびに加熱さ
れるボディに固定するための、それ自身の装置を有する
。加熱素子ならびに、熱感応素子が、半導体回路である
場合、それぞれは、それ自身の箱すなわちケースを有す
ると共に、それ自身の固定装置を有する。それで困難の
は、これらの間の（ケースの間隔ならびに熱抵抗による
）熱的結合、すなわち接触を確実にすることである。

さらに、加熱素子と加熱されるボディとの間の熱抵抗は
、かなりなもので特定すると約、２．５℃／Ｗである。

それゆえ、現在、熱感応素子と加熱素子との間の熱結合
のためのセルであって、良好な熱結合を有すると共に、
加熱素子と加熱されるボディとの間の低い熱抵抗を有す
るものがない。

〔本発明の簡単な要約〕

本発明は、これまでに述べられたシステムの不利益をも
たないと共に、セルの重要な小形化、たとえばサイズ１
２Ｘ１２Ｘ５ｍの体積を可能にする。それゆえ、特徴と
されるのは、加熱素子ならびに熱感応素子が、あるプレ
ートによって構成される同じ熱伝導性の基体に配設され
、これに、上記の加熱と熱感応の素子が配設される。素
子は、既知の手段によって、電気的に接続される。プレ
ートは、加熱と熱感応の素子をこれらを分離するための
任意のフィッティングなしに、並べて置くことを可能に
し、これは、熱結合すなわち接触を著しく増大する。上
記の基本のプレートはさらに、加熱素子と包囲体との間
の良好な熱伝導を可能にする利点を有する。

というのは、これが、これまでに使用されて来た箱、す
なわちケースよりもさらに良好な熱伝導体であるからで
ある。加熱素子と熱感応素子との間の熱抵抗は、約０．
５℃／Ｗが望ましく、これらの２つの素子間の距離は、
約５／１０ｍである。加熱素子と包囲体との間の熱抵抗
は、１’Ｃ／Ｗ以下が望ましい。

基体は、電気的な絶縁材料が望ましい。それで、電気的
な絶縁性がない場合、必要なのは、電気的な絶縁シート
を、さらに特定すると、マイカのシー＝−＋を、加熱素
子の電気出力の下に、さらに特定すると、加熱素子とし
て使用されるトランジスタのコレクタの下に、配設する
ことである。上記の出方と包囲体との間の任意の電気接
触を防止するためである。この電気絶縁性のシートが、
加熱素子と包囲体との間の熱伝導のみを増加し得る。

実際、セラミックのプレートが、基体のために使用され
ると共に１選択物が、ベリリウム酸化物の基体に与えら
れる。かくして、べ、リリウム酸化物は、２．２０Ｗ／
（１！Ｉ’Ｃの、極めて高い熱伝導性を有する。金属の
コーティングは、既知の厚膜処理（スクリーンプロセス
によるプリント）によって配設されるパラジウムと銀、
あるいは銅の合金であり得る。

望ましい実施例にしたがって、本発明による熱結合用の
セルは、っぎのことを特徴とされる。

すなわち、加熱素子が基体に、起伏を有する金属のコー
ティングを介して固定され、これに沿って空気の泡を通
過でき、そして加熱素子の方向に向けられる面に起伏を
有する。それで基体は、毛細管をもつ金属のコーティン
グを担持する。加熱素子が配置される領域の空気泡を、
排出するためである。この空気泡は、液体のハンダが基
体に配設されるときに、発生する。毛細管は、ハンダが
固まる前に、毛細現象によって空気泡を排出する。加熱
素子と包囲体との間の熱伝導性が、結果として改善され
る。空気は、良好な熱絶縁材であるので、これらの空気
泡を取り除くために、良好な熱伝導体である金属のコー
ティングを使用することが望ましい。実際、起伏は、高
さが約１０から２０μｍ、間隔が約１００μｍ１すなわ
ちピークからピークへの距離が約１００μｍである毛細
管を形成する。

もうひとつの望ましい実施例によると、本発明による熱
結合用のセルは、つぎのことを特徴づけされる。すなわ
ち、加熱素子ならびに熱感応素子が、基体に配置される
金属の伝導体によって接続されることである。金属の伝
導体は、基体よりもさらに良好な熱伝導性を有する。一
般に、金属の伝導体は、基体に配設される層を構成し、
加熱と熱感応の素子は、この層に固定される。かくして
、これらの素子間の熱伝導性は、熱結合の良好な作用の
ために最適であるが、最大の特性を必要としない。連続
的な調節ならびにセツティングが、素子間の熱伝導のた
めの最良値を確定するために、遂行される。かくして、
望ましい実施例によると、金属の伝導体は、２つの部分
を有する。すなわち、第１の部分は、加熱素子と熱的に
接触し、第２の部分は１、熱感応素子と熱的に接触し、
第３の部分は、変化可能なサイズを有すると共に、２つ
の他の部分間の熱的接合を構成する。かくして、容易に
可能なことは、熱結合を、上述された第３の部分の大き
さを左右することによって調整することである。事実、
制御のための大きさの使用は、第３の部分の巾であり、
これは約１ｎである。

加熱素子は、半導体回路が望ましく、これは、ｄ、ｃ、
電圧の安定化と関連される回路を意味すると理解される
。こうした回路に関連して、参照され得るのに、ロバー
ト・ディ・バスコニ（Ｒｏｂｅｒｔ　Ｄ、Ｐａ５ｃｏｅ
　）の６ノリツドステートエレクトロニクスの基礎”〔
ジョンウイリイならびに、サン（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ
　ａｎｄ　５ｏｎ）出版、１９７６年、２２５〜２５５
ページ〕がある。とくに、こうした半導体回路は、抵抗
素子、ツェナーダイオード等によって適宜に相互接続さ
れる１以上のトランジスタを備え得、そしてこのアセン
ブリイは、半導体のベレットに適宜に配設される。

熱感応素子は、正の温度係数、あるいは負の温度係数、
またはｐｎ接合をもつサーミスタが望ましい。サーミス
タは、熱感応と加熱の素子との間の良好な熱結合をもた
らすように使用されることが望ましい。

本発明の望ましい実施例によると、結合用のセルは、ハ
ーメチックな絶縁用ケースを組み込み、この物質は、基
体とほぼ同じ膨張係数を有する。カバーは、セルのすべ
てのサイドを覆うが、上記の基体のプレートは除かれる
。ケーシングはセルを、周囲媒質のダストならびに不純
物からシールする。完全なシールを確実にするために、
カバーは、プリフォームと呼ばれる金属のコーティング
によって、密着される。カバーはそれで、それがハンダ
付けされる点で金属化されると共に、基体は、カバーが
ノ・ンダ付けされる点で、金属のコーティングにてカバ
ーされる。ハンダ付けは、これらの２つの金属コーティ
ング間で行なわれると共に、それゆえ気密にされる。カ
バーと基体との間のストレスを防止するために、カバー
はセラミックの物質からつくられることが望ましい。こ
の結果、その膨張係数は、基体とほぼ同じものである。

本発明のもうひ゛とつの望ましい実施例によると、熱結
合用のセル、あるいは裏面に相対する基体面は、少なく
とも１つの金属化領域を有す　。

る。裏面のこの金属化は、チェッカー板、すなわち、裏
面に与えられた連続する金属化の矩形の形である。この
連続は、規則的である必要はない。この金属化は、かた
いハンダによって、低い熱抵抗をもつ熱結合用の一セル
の包囲体に固定することを、可能にする。裏面は完全に
金属化されない。包囲体と基体のプレートとの間に、生
じる、温度変化の結果としてのストレスを吸収するため
である。望ましくは、本発明による熱結合用セルは、つ
ぎのことに特徴づけられる。

すなわち、金属化された領域のひとつが、はぼ加熱素子
の下に配置されることである。というのは、この金属コ
ーティングが、加熱素子と包囲体との間の良好な熱伝導
を確実にするからである。包囲体にハンダ付けされる上
記の金属コーティングは、加熱素子と包囲体との間の熱
伝導のために、より良好な結果を与える。上記の面に、
セルを包囲体に固着するために使用される、熱伝導性の
ペーストを配置することからなるプロセスよりも良好な
結果を与える。上記のプロセスは、空気光てんされたギ
ャップをシ−ルすることを可能にすると共に、結果とし
て熱伝導を改善する。コーティングは、上記のギャップ
をシールすると共に、ペーストよりも良好な熱伝導体で
ある。

実際、本発明による１以上の熱結合用のセルが与えられ
る包囲体は、その周辺に他の熱感応素子を担持し、これ
らはセルに含まれないと共に、少なくとも１つの加熱素
子を、電気的に調整するか、ある制御する。これらの熱
感応素子は、包囲体まわりに配設されると共に、その温
度を直接的に評価する。これら熱感応素子の出力は、加
熱素子あるいは加熱素子群のための制御回路に接続され
る。かくして、熱結合用のセルは、低い時定数をもつ加
熱素子を調整する。

というのは、これが、１／１００秒以下であり得ると共
に、加熱素子の温度変化への急速な応答を可能にする。

包囲体の周辺に並べられる熱感応素子は、包囲体に生じ
る温度の小さな変動を検出することによって、熱調整を
改善することを可能にする。この結果、これらの場合、
より高い時定数は重要でない。周辺に配置される熱結合
用のセル、ならびに熱感応素子が与えられる包囲体は、
ピエゾ電気の発振器の相対的な周波数変化を、はぼ１０
−１０に制限することを可能にする。

一般に、包囲体まわりに幾つかの熱結合用のセルがある
。というのは、加熱と熱感応の素子が、フランス特許第
２４１８９５３号に示される方法で一゛電気的に接続さ
れるからである。

本発明は、限定されない実施例、ならびに添付図面につ
いて、これ以後、さらに詳しく記載される。

〔望ましい実施例の詳しい説明〕

第１図は、熱調整用装置の電気回路の一実施例を、概略
的に示す。これは、温度の測定回路Ａ１ならびに加熱回
路Ｂを含む。

測定回路Ａは、温度センサのための１以上の熱感応素子
を含む。たとえばＴｈｌ・・・Ｔｈｎ’で、直列に接続
される。これらのセンサは、抵抗ブリッジの分路のひと
つに含まれ、この他の素子は、Ｒ’ｌ、Ｒ’２．Ｒ’３
で、その対角線のひとつの端ＰＱはｄ、ｃ、電圧が供給
される。

その対角線の他の端ｘＹは、差動アンプ２の２つの入力
に接続されて、レオスタツ）　Ｒ’４を組み込む出力・
入力のループ１０が与えられる。

こうした測定回路は、次のように動作する。

ランダムな包囲体の温度の場合、センサＴｈｌ・・・Ｔ
ｈｎ’は、与えられた抵抗を仮定する。抵抗ブリッジＲ
’ｌ、Ｒ〆２．ＩＲ〆３　、　Ｔｈｌ　＋　−”・＋　
Ｔｈｎ’は、バランスされないで、電圧が端ｘｙにあら
れれる。差動アンプ２は、電圧の作用のもとに、その出
力０に電気信号を供給し、これはそれで、包囲体の温度
とリンクされ、この信号は、特定の温度値のために、キ
ャンセルされるのみである。この値は、抵抗器Ｒ’２の
値を調節することによって、予じめ定められ得る。さら
に、測定回路によって供給される信号の絶対値は、レオ
スタットＲ′４の値を調節することによって、調整され
得る。

加熱回路Ｂは、一連のトランジスタを含み、これらはエ
ミッタならびにコレクタによって直列に接続され、Ｔ１
からＴｎで示される。トランジスタＴ１からＴｎは、電
圧調整器として接続され、この目的のために、各ペース
は、ダイオード・抵抗の分割ブリッジによって、定電位
に保たれる。かくしてトランジスタＴｎの場合、Ｒｎ、
ＣＲｎである。

トランジスタＴｃは、制御トランジスタとして使用され
る。列になる各トランジスタによって仮定される電圧安
定化機能の結果として、ｎのトランジスタのそれぞれ、
ならびにトランジスタＴｃは、総室圧ＶＡの分数に並べ
られる。

はぼＶＡ／ｎ＋１　　である。トランジスタＴｃのベー
スｂは、分割ブリッジＲＡ、ＲＢを横切る差動アンプの
出力に接続され、この機能は、ある接続、すなわち差動
アンプ２の特定の極性化条件を考慮した接続を、与える
ことである。

かくして、このアンプは、いわゆる６単−電圧モードの
もとに供給される。この結果、基準電圧がなく、これに
対して可能なことは、トランジスタＴｃをブロックする
ことである。適切なレシオで分割ブリッジを使用すると
、アンプの残余の出力電圧を、その低いレベルに低下す
ることができる。それを、トランジスタＴ１のペースの
ブロック電圧以下のある値にするためである。

第２図は、先行技術である熱調整用装置のとくに簡単な
実施例を示す。これは、閉じられた包囲体に含まれる発
振用のピエゾ電気結晶の温度を調整する実例化された例
である。通常、この包囲体は、最終製品の一体的な部分
を形成する。

この目的のために、２１．２２のような温度センサ、な
らびに２３．２４のような加熱トランジスタは、ピエゾ
電気の結晶を含む密な包囲体２０に直接的に固定される
。さらに包囲体は制御回路２５に直接的に適合され、こ
れはそれゆえ、サポートとして使用され、そしてプリン
ト回路の技術にしたがうと、利点をともなって製造され
る。

それゆえ接続２６は、極めてみじかい。包囲体と、２７
のような外部の保護ケーシングとの間の熱的絶縁が、等
温性の物質によるか、あるいはもし、アセンブリイがケ
ーシングにハーメチックに適合されると、周囲の空気層
によって、与えられ得る。

本発明の場合、本発明による熱結合用セルに含まれない
他の熱感応素子は、温度センサ２１゜２２と同じ機に、
包囲体２０に適合され得る。

第３図は、本発明による熱結合弁のセルを示し、これは
、基板を上からみたもので、とくに前述された先行技術
の展望内で使用され得る。

加熱素子３ならびに熱感応素子４は、セラミックのプレ
ート１に並べられる。金属のコーティング７はプレート
１に配設されると共に、いくつかの電気的に分離された
領域によって構成され、コーティング７は、電気伝導な
らびに、上記の素子３，４の電気出力６を確実にする。

加熱素子３はトランジスタで、これは、金属のコーティ
ング７のひとつに電気的に接続される。

そのエミッタのためにＥで１．そのペースのためにＢで
、そのコレクタのためにＣで、熱圧縮によって組み込ま
れる電気ワイアにより接続される。熱感応素子４は、チ
ップ形のダイオードであり得、あるいはスクリーンプロ
セスのプリントされた、またはガラス封入されたサーミ
スタであり得る。熱感応素子が、ガラス封入されたサー
ミスタ、あるいはダイオードである場合、これは、金属
のコーティング７に、接着によって組み込まれる電気ワ
イアによって、電気的に接続される。もし熱感応素子が
、スクリーンプロセスでプリントされたサーミスタであ
ると、金属のコーティング７ならびにサーミスタは、電
気的な接続点に浸透し、後者の場合、第３図に示される
。熱感応素子の出力は、第１図の素子Ｔｈｌ・・・・・
・Ｔｈｎ′のひとつの出力の場所に接続される。加熱素
子の出力は、トランジスタＴ１・・・・・・Ｔｎのひと
つの出力の場所に接続される。カバーを密着するための
位置が、セラミックのプレート１の周辺の２で示される
。

第４図は、本発明による熱結合用セルのコーティングの
配列を示し、カバーの密着点、ならびに上記のセルの素
子出方で示している。すなわち上記カバーの密着の位置
２の、セルを通る断面である。連続するコーティング、
あるいはセルの層は、次の如くである。

セラミックプレートの裏面の金属化されたコーティング
は−４７ならびに４８で示される。

セルが包囲体にハンダ付けされるのを可能にし、一方、
加熱素子と包囲体との間の熱条件を良好にする。この目
的のために、裏面は、加熱素子３に対向する表面４８で
金属化される。この金属化されたコーティングは、裏面
全部にわたって広がらないと共に、部分４７でのみ遂行
される。包囲体ならびにセルの物質の膨張係数の違いに
よるストレスを、制限するためである。

−セラミックのプレート１、 一セルの電気出力６、 一絶縁性のコーティング４５．４６、これらは、カバー
密着の金属化されたコーティングの出力６を、電気的に
絶縁する。

一絶縁性のコーティング４６が、出力６間に配置される
と共に、絶縁性のコーティング４５の下の出力６の存在
による、誘電性コーティング４５の上方表面のレベル差
違を防止する誘電性のシーリングである。

一カバー４１を密着するために使用される誘電性コーテ
ィング４５の金属化されたコーティング４４、このコー
ティング４５は、位置２全体にわたって拡がる。

一金属化されたコーティング４４と、カッ（−４１の間
の実際の密着、あるいはプリフォーム、この密着は気密
である。

一カバー４１の金属化されたコーティング４２−カバー
４１ 第５図は、本発明による熱結合用のセルを示し、基板の
上からみたもので、熱感応素子は、ガラス封入されたサ
ーミスタである。第３図と同じ素子は、第５図で同じ参
照符号を担持する。

この熱結合用のセルは、第３図のセルとは異なり、この
場合、金属のコーティング５は、セラミックのプレート
１に配設されて、加熱素子３と、熱感応素子４との間の
熱伝導体として作用する。とくにサーミスタが、ガラス
封入される場合、必要とすることは、熱感応素子と加熱
素子との間の熱伝導性を増加することである。というの
は、ガラスが、熱の絶縁材であるからである。熱伝導体
５は、３つの部分である。すなわち、第１の部分、これ
に加熱素子が固定され、第２の部分、これに熱感応素子
が固定され、そして第３の部分が、２つの他の部分を熱
的に相互接続する。最良の熱的結合を与える熱伝導の制
御は、第３の部分の巾を変形することによって行なわれ
る。第３の部分の長さは、はぼ１龍が良好である。

第６図は、セルの裏面を示す。ふたたび、第４図と同じ
素子が、同じ参照符号を担持する。

裏面はほぼ正方形で、このサイドの巾は約１２露である
。面４８は、基板１の裏面に金属化されるが、はぼ正方
形で、裏面の中央に位置され、このサイドは、裏面のサ
イドと平行である。面４８の正方形の大きさは、加熱素
子の大きさに等しいか、あるいは大きい。この正方形の
サイドの大きさのオーダは、６０である。面４８によっ
て形成される正方形と、裏面の正方形状との間には、ス
トリップがあって、これが、面４８にわたって均一に離
間される金属化された部分４７を担持するつ部分４７は
、正方形、あるいは矩形で、これらのサイドは、面４８
のサイドと平行であると共に、これらの大きさは、約１
から２露である。７ｍ１ｍにほぼ等しい長さと、５鶴に
ほぼ等しい巾の矩形がと（に、面４８に使用される。

第７図ならびに第８図によると、金属化されたコーティ
ング７は、溝あるいはチューブ５０によって分離された
起伏５１を有し、このサイズは、これらが、残された空
気泡を取り除く大きさである。すなわち、加熱素子を、
毛細現象の力の作用によって、金属化されたコーティン
グ７に密着するあいだに取り除く。起伏５１はスクリー
ンプロセスのプリントによってつくられる。実例化され
た場合、これらの高さは、１゜から２０ミクロンであり
、これらの巾は、約５０ミクロンであり一１約５−０ミ
クロンの隙間によって分離され、これが、はぼ１００ミ
クロンの離間を与える。

【図面の簡単な説明】

第１図は、先行技術である熱調整用装置の電気回路例を
示す。 第２図は、先行技術の調整用装置が与えられた包囲体で
ある。 第３図は、本発明による熱結合用のセルであって、基体
を上からみている。 第４図は、本発明による熱結合用セルの層の配列を、カ
バーのハンダ付け、あるいは密着点で示すと共に、セル
のエレメントの出力、あるいは出口を示す・ 第５図は、本発明による熱結合用の回路で、基体を上か
らみており、熱感応素子は、ガラス封入されたサーミス
タである。 第６図は、基体の裏面の金属化を示す。 第７図ならびに第８図はそれぞれ、加熱素子を支持する
金属化の実施例の平面図ならびに断面図である。 ２０・・・・・・包囲体 ２１．２２・・・・・・温度センサ ２３．２４・・・・・・加熱トランジスタ３・・・・・
・加熱素子 ４・・・・・・熱感応素子 ４１・・・・・・カバー如修参崇半 １・・・・・・プレート（基体） 特許出願人 コンパニー　デレクトロニーク　エ　ドピエゾーエレク
トリシテーセー、工、ぺ、工。 代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）包囲体の熱制御のための加熱素子の熱感応素子との
   間の熱結合用のセルであって、上記の熱感応素子が、上
   記の加熱素子の近（に配置され、ここで、該加熱素子な
   らびに熱感応素子が、同じ熱伝導用の基体に配置される
   ことを特徴とした熱結合用のセル。 ２）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記の
   基体が、電気的な絶縁体であるセル。 ３）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記の
   基体が、ベリリウム酸化物からなるセル。 ４）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記の
   加熱素子が、起伏を組み込む金属のコーティングによっ
   て、上記の基体に固定され、該起伏は、密着のあいだに
   形成される空気泡の通過に使用されると共に、上記の加
   熱素子の方向に向けられ金回に組み込まれるセル。 ５）上記第４項による熱結合用のセルであって、上記の
   起伏は、高さが約１０から２０μｍ、巾が約５０μ篤の
   毛細管であると共に、間隔が約１００μｍで並べられて
   いるセル。 ６）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記の
   加熱素子ならびに熱感応素子が、上記の基体に配設され
   る金属の電導体によって接続され、これは、３つの部分
   になって、第１の部分は、上記の熱感応素子と熱的に接
   触し、第２の部分は、上記の加熱素子と熱的に接触し、
   第３の部分は、大きさが変化可能で、上記の第１ならび
   に第２の部分を熱的に相互接続するようにしたセル。 ７）上記第６項による熱結合用のセルであって、上記の
   第３の部分の長さが、はぼＩｍであるセル。 ８）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記の
   加熱素子が、第１の半導体回路であるセル。 ９）上記第８項による熱結合用のセルであって、上記の
   加熱素子が、トランジスタであるセル。 ｌＯ）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記
   の熱感応素子が、第２の半導体回路であるセル。 １１）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記
   の熱感応素子が、サーミ、スタであるセル。 １２）上記第１０項による熱結合用のセルであって、上
   記の熱感応素子が、ｐｎ接合であるセルＱ １３）上記第１項による熱結合用セルであって、上記の
   加熱ならびに熱感応の素子に相対する上記基体の面が、
   少なくともひとつの金属化された領域を有するセル。 １４）上記第１３項による熱結合用のセルであって、上
   記の金属化された領域のひとつが、上記の加熱素子の下
   にほぼ並べられるセル。 １５）上記第１項による熱結合用のセルであって、上記
   のセルが、カバーを有して、これが、後者を密封的に絶
   縁し、そしてこの物質が、ある膨張係数を有し、この係
   数は、上記の基体のそれとほぼ同じであるセル。 １６）上記第１５項による熱結合用のセルであって、上
   記のカバーが、上記基体の金属化にノ・ンダ付けされる
   セル。 １７）サーモスタット的に制御される包囲体であって、
   これが、上記第１項から第１６項のいずれかひとつによ
   る１以上の熱結合用のセルを、備える包囲体。