JPS58121693A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS58121693A JPS58121693A JP357582A JP357582A JPS58121693A JP S58121693 A JPS58121693 A JP S58121693A JP 357582 A JP357582 A JP 357582A JP 357582 A JP357582 A JP 357582A JP S58121693 A JPS58121693 A JP S58121693A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーダに関Ｔる。
近年半導体レーずにおいて、低しき一値電流、単一モー
ドを０指して多くのストライプ構造のレーザが翻発され
ている。代！１的なものとしてａＳｐ（チャンネルナプ
スレ−））型レーｆ％ｙｇ（テラスサブスレートン型レ
ーダがある。これらはしきい値電流を下げるために活性
層上部近くまで電流−路として拡散層を設けている。こ
の拡散層は一方で欠陥を導入しレーず素子の寿命に大き
く影響すると言われている。このため拡散層を用いない
でしきい値を下げようとするストライプＩＩ！！！が提
案されえ。
ドを０指して多くのストライプ構造のレーザが翻発され
ている。代！１的なものとしてａＳｐ（チャンネルナプ
スレ−））型レーｆ％ｙｇ（テラスサブスレートン型レ
ーダがある。これらはしきい値電流を下げるために活性
層上部近くまで電流−路として拡散層を設けている。こ
の拡散層は一方で欠陥を導入しレーず素子の寿命に大き
く影響すると言われている。このため拡散層を用いない
でしきい値を下げようとするストライプＩＩ！！！が提
案されえ。
第１図は従来のこり植生導体し−ｆｔ−示し、（１）は
ｎ型ＧａＡｇ（ガリワム砒素）ｊ＆板、（２Ｊは譲轟板
の一生向上に形成されたＰＷｌＧｍＡ−からなる電流狭
窄層であシ、該狭窄層には紙薗垂直力向に延在しかつ基
板（１）に達する深さで幅が５声５ｗ１ｉ度の溝（３）
が形成されている・（４）は上記狭窄層（２）及び溝（
３）上に順次エピタキシャル成長にて積層された第１ク
ラッド層（５Ｊ１活活層１６Ｊ及び第２クラッド層（７
）からなる発振層である。上記第１クラッド層（５へ活
性層（６）及び第２クラッド層（７Ｊは夫々ｎ型ｏａニ
ーＸ＾ｌ×ム−（ガリクムアルを砒素） （０＜Ｘく１
ン、Ｏａ ｌ−Ｙム１ｙＡｓ（０≦！〈！］及びＰｌＩ
Ｑ ａλ−翼ム／ＸＡ口からなる。（８）は上記第２ク
ラッド層１７）上に形成されたＰ型Ｑａム自からなるキ
ャップ層、（９ｊは駁キャップ層！ｌ血に形成されたｎ
型ＧａＡｇもしくは！１型ＤａムｌＡｓからなる逆バイ
アス層でＴｏｌ、ｌｌｊ逆バイアス層の上ε溝（３）と
対向する位置にはエツチングによ）キャップ層（８）に
連する深さの開口ｒｍが形成されている。■は、上ｔｉ
！、−ロ薗よシ露出したキャップ層（８）表面及び逆バ
イアス層Ｔ９Ｊ表面に形成され九オーミック性の第１電
極、０は基板（１）裏面に形成され九オー【ツク性の第
２１１極である。
ｎ型ＧａＡｇ（ガリワム砒素）ｊ＆板、（２Ｊは譲轟板
の一生向上に形成されたＰＷｌＧｍＡ−からなる電流狭
窄層であシ、該狭窄層には紙薗垂直力向に延在しかつ基
板（１）に達する深さで幅が５声５ｗ１ｉ度の溝（３）
が形成されている・（４）は上記狭窄層（２）及び溝（
３）上に順次エピタキシャル成長にて積層された第１ク
ラッド層（５Ｊ１活活層１６Ｊ及び第２クラッド層（７
）からなる発振層である。上記第１クラッド層（５へ活
性層（６）及び第２クラッド層（７Ｊは夫々ｎ型ｏａニ
ーＸ＾ｌ×ム−（ガリクムアルを砒素） （０＜Ｘく１
ン、Ｏａ ｌ−Ｙム１ｙＡｓ（０≦！〈！］及びＰｌＩ
Ｑ ａλ−翼ム／ＸＡ口からなる。（８）は上記第２ク
ラッド層１７）上に形成されたＰ型Ｑａム自からなるキ
ャップ層、（９ｊは駁キャップ層！ｌ血に形成されたｎ
型ＧａＡｇもしくは！１型ＤａムｌＡｓからなる逆バイ
アス層でＴｏｌ、ｌｌｊ逆バイアス層の上ε溝（３）と
対向する位置にはエツチングによ）キャップ層（８）に
連する深さの開口ｒｍが形成されている。■は、上ｔｉ
！、−ロ薗よシ露出したキャップ層（８）表面及び逆バ
イアス層Ｔ９Ｊ表面に形成され九オーミック性の第１電
極、０は基板（１）裏面に形成され九オー【ツク性の第
２１１極である。
上記半導体レーデにおいて第１電極ｔｔｕ＃を正極とし
、第２電極α２を負極として電流を印加すると、１１１
流狭窄層（２）及び逆バイアス層（９）は共に上記印加
電流に対して電流阻止層となる。従うで断る半導体レー
ザでは図中斜線で示すように開口−と溝（３）とｔ結ぶ
略！線状の狭い部分に電流が集中して流れるので、発振
層（４）りま〕活性層（６）かｂ低ｔきい値電流にて単
一モード、真円率等の特性の秀れたレーザ光を得ること
ができる。
、第２電極α２を負極として電流を印加すると、１１１
流狭窄層（２）及び逆バイアス層（９）は共に上記印加
電流に対して電流阻止層となる。従うで断る半導体レー
ザでは図中斜線で示すように開口−と溝（３）とｔ結ぶ
略！線状の狭い部分に電流が集中して流れるので、発振
層（４）りま〕活性層（６）かｂ低ｔきい値電流にて単
一モード、真円率等の特性の秀れたレーザ光を得ること
ができる。
しかし乍ら、断る半導体レーデを製造する場合、［ｆｉ
狭窄層（２）を液相エビダキシヤル成長させる第１のエ
ピタキシャルエ根と新る層（２）Ｋ ｍ （３）を形成
ｕ１第１クラッド層（５）、活性層（６ｊ、第２クラッ
ド層（７）、キャップ層（８）及び逆バイアス層（９）
を遅１８約に液相エビタキＶヤル成長させる第２のエビ
タ命Ｖヤル工程とい５２回の液相エピタキシャル成長工
程が必要となるため、ｌ朧コストが烏くなシ、また一旦
成長したＩｌ電流狭窄層２）をエツチングするので、駈
る層の結晶性が損なわれ、一枚のクエへから得られる特
性の艮いレーずの歩＊ｂが低下する間細かＴｏりた拳 第２図は上記の問題点を除去甘んとして既に提案された
半導体レーｆを示す、陶ｊ８１図と同一置所には同一＠
＠が付されている。
狭窄層（２）を液相エビダキシヤル成長させる第１のエ
ピタキシャルエ根と新る層（２）Ｋ ｍ （３）を形成
ｕ１第１クラッド層（５）、活性層（６ｊ、第２クラッ
ド層（７）、キャップ層（８）及び逆バイアス層（９）
を遅１８約に液相エビタキＶヤル成長させる第２のエビ
タ命Ｖヤル工程とい５２回の液相エピタキシャル成長工
程が必要となるため、ｌ朧コストが烏くなシ、また一旦
成長したＩｌ電流狭窄層２）をエツチングするので、駈
る層の結晶性が損なわれ、一枚のクエへから得られる特
性の艮いレーずの歩＊ｂが低下する間細かＴｏりた拳 第２図は上記の問題点を除去甘んとして既に提案された
半導体レーｆを示す、陶ｊ８１図と同一置所には同一＠
＠が付されている。
断る半導体レーダは、まずホトリソグラフィ技術によ〉
１板（１）表面に幅５μ１ｍｌ程度のメサストライプ部
Ｃυを形成し、次いで新るメチストライプ部（２ｗ両１
１１Ｍな埋込むようにＷＬ電流狭窄層２４形威し、その
後、祈る狭窄層（２Ｊ表面及びノナ１１２４１部（２υ
上に第１１ルーｆと同様に第１クラッド層（５Ｊ。
１板（１）表面に幅５μ１ｍｌ程度のメサストライプ部
Ｃυを形成し、次いで新るメチストライプ部（２ｗ両１
１１Ｍな埋込むようにＷＬ電流狭窄層２４形威し、その
後、祈る狭窄層（２Ｊ表面及びノナ１１２４１部（２υ
上に第１１ルーｆと同様に第１クラッド層（５Ｊ。
活性層（６ｊ１第２クラッド層（７）、キャップ層（８
）及び逆バイアス層（９）を順次エピタキシャル成長に
て積層することによシ得られる。
）及び逆バイアス層（９）を順次エピタキシャル成長に
て積層することによシ得られる。
従って祈る半導体レーｆは第１図の半導体レーずのよう
に電流狭窄層（至）をエツチン〜グＴる工程が省略でき
、ｉｌ電流狭窄層２）から逆バイアス層（９）ｔで連続
した液相エピタキシャル成長工程で作成Ｔることができ
る・ ゆえにｗ１１図半導体レーｆに比べてｍ！コストを低く
できる。また、祈る半導体レーデでは電流はストライプ
部ｒ２刀と開口−とを結ぶ略直繊状の狭いｔｉｔｓ分に
集中して流れるので第１１ル−ｆと同様に秀れ九特性の
レーザ光を発振する・ ところが上記電流狭窄層（２Ｊ形成にあたりて上記メサ
ストライプ５（２）の高さｈな新る電流狭窄層（２）の
層厚ｔに比して充分大きくしなければメチストライプ部
頂ｉｉｏ（２１ｍ）にまで上記電流狭窄壜切が成長する
という間層がるりた。
に電流狭窄層（至）をエツチン〜グＴる工程が省略でき
、ｉｌ電流狭窄層２）から逆バイアス層（９）ｔで連続
した液相エピタキシャル成長工程で作成Ｔることができ
る・ ゆえにｗ１１図半導体レーｆに比べてｍ！コストを低く
できる。また、祈る半導体レーデでは電流はストライプ
部ｒ２刀と開口−とを結ぶ略直繊状の狭いｔｉｔｓ分に
集中して流れるので第１１ル−ｆと同様に秀れ九特性の
レーザ光を発振する・ ところが上記電流狭窄層（２Ｊ形成にあたりて上記メサ
ストライプ５（２）の高さｈな新る電流狭窄層（２）の
層厚ｔに比して充分大きくしなければメチストライプ部
頂ｉｉｏ（２１ｍ）にまで上記電流狭窄壜切が成長する
という間層がるりた。
これはメサストライプ部（２）が低め場合、新る頂面（
Ｚｔａ）上に存在するＰ型Ｑａ＾１メルト中。
Ｚｔａ）上に存在するＰ型Ｑａ＾１メルト中。
にかなｐ′１４ｊＩ１１度の砒素成分が含まれることと
な）、祈る頂面（２１＆）よ）直接成長が始まるためで
ある。肯、祈る濃度は上εストライプ部が高くなるにｌ
Ｑれて砥、く處る。
な）、祈る頂面（２１＆）よ）直接成長が始まるためで
ある。肯、祈る濃度は上εストライプ部が高くなるにｌ
Ｑれて砥、く處る。
通常、上記構造の半導体レーザにおいて電流狭窄層（２
）をＰ型Ｇａム−゛で形成する場合、電流阻止のために
その層厚ｔは１５声厘以上必要で４）、従りて所る層の
成長時幅に２ ａｍ ５声調のメサストライプ部頂面（
２１ａ）にＰ型Ｇａ＾Ｉが成長しないためには断るスト
ライプの高さは７〜８μ冑以上必要となる。
）をＰ型Ｇａム−゛で形成する場合、電流阻止のために
その層厚ｔは１５声厘以上必要で４）、従りて所る層の
成長時幅に２ ａｍ ５声調のメサストライプ部頂面（
２１ａ）にＰ型Ｇａ＾Ｉが成長しないためには断るスト
ライプの高さは７〜８μ冑以上必要となる。
また、このとき上記メチストライプ部ｌ２Ｊ１の電流狭
窄層（２７によ〉埋込まれる領域は１板平坦１ｆｌ（１
ａ）から高さ５声繭程度までである・ 従りで第１図の半導体レーずに較べて第１クラッド層（
５）とＪ＆板（１）との接触面積、りまや電流４路が広
が）、その分しきい値電流が大きくなるという間層がＴ
ｏ−）九・また幅５μ調、高さ７〜８声鱈といったメサ
ストライプな形成することはサイドエツチング等の間層
がＴｏ〉非常に―しく量ｔｉに適していない。
窄層（２７によ〉埋込まれる領域は１板平坦１ｆｌ（１
ａ）から高さ５声繭程度までである・ 従りで第１図の半導体レーずに較べて第１クラッド層（
５）とＪ＆板（１）との接触面積、りまや電流４路が広
が）、その分しきい値電流が大きくなるという間層がＴ
ｏ−）九・また幅５μ調、高さ７〜８声鱈といったメサ
ストライプな形成することはサイドエツチング等の間層
がＴｏ〉非常に―しく量ｔｉに適していない。
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので以下実施
例につき説明する。
例につき説明する。
第５図は本発明の一実施例を示す。本実施例し−ザの特
徴は第２１！ＩＫ示し九半導体し−ｆＫお−てメチスト
ライプ１１１２１の両ｌＩｌ血に沿って溝＠を形成した
ことである。爾第２図と同一箇所には同−査りがＨされ
ている。
徴は第２１！ＩＫ示し九半導体し−ｆＫお−てメチスト
ライプ１１１２１の両ｌＩｌ血に沿って溝＠を形成した
ことである。爾第２図と同一箇所には同−査りがＨされ
ている。
内
このような溝＠、、”Ｃの？型Ｑ畠ム１の成員速度はそ
の溝の大きさによりても多少違いが生じるが、通常平坦
部（１ａ）での成員速度の６倍以上となる。例えば第４
図に示すようにメチストライプ部（２１Ｊの幅ｂｉが５
μ屑、高さｈが平坦部（１ａ）からα５μ屑で、また溝
（２）の幅−■が５ルｍ、深さｄが平坦部（１畠ンから
１５戸Ｉ１１程度である基板ｔｉｔ上ＶｃＰ型ＯａＡｇ
のメルトを接触させて液相成長を行なうと、平坦１（Ｉ
ＪよにＰ型Ｑａ＾■層（２３がａ１声調成員する間に溝
□□□円にも完全ｆｃＰｆｌｉＱｍＡ−が成長する。こ
のとき、斬る成長層（２）はメサストライプ部ｒ２刀の
側内に沿りて１板平坦１（１＆）から０．２〜１３声調
の高さの位ｉｌｌ！で成長していたが、メチストライプ
部頂面（２１＆）には全くＰ型Ｇａム８は成長しなかり
た。
の溝の大きさによりても多少違いが生じるが、通常平坦
部（１ａ）での成員速度の６倍以上となる。例えば第４
図に示すようにメチストライプ部（２１Ｊの幅ｂｉが５
μ屑、高さｈが平坦部（１ａ）からα５μ屑で、また溝
（２）の幅−■が５ルｍ、深さｄが平坦部（１畠ンから
１５戸Ｉ１１程度である基板ｔｉｔ上ＶｃＰ型ＯａＡｇ
のメルトを接触させて液相成長を行なうと、平坦１（Ｉ
ＪよにＰ型Ｑａ＾■層（２３がａ１声調成員する間に溝
□□□円にも完全ｆｃＰｆｌｉＱｍＡ−が成長する。こ
のとき、斬る成長層（２）はメサストライプ部ｒ２刀の
側内に沿りて１板平坦１（１＆）から０．２〜１３声調
の高さの位ｉｌｌ！で成長していたが、メチストライプ
部頂面（２１＆）には全くＰ型Ｇａム８は成長しなかり
た。
これは上記溝Ｑ内での成員速度が上記平坦ｆｓ（１１ン
での成員速度の５倍以上となることに関係し、りまシ析
る＃Ｉ（２）周囲の砒素部分がこの溝＠内に集中し、メ
チストライプ部頂面（２１ａン上のノルド中にはほとん
ど存在しないためである。
での成員速度の５倍以上となることに関係し、りまシ析
る＃Ｉ（２）周囲の砒素部分がこの溝＠内に集中し、メ
チストライプ部頂面（２１ａン上のノルド中にはほとん
ど存在しないためである。
ここに本実施例の半導体レーずではメサストライプ部（
２ルの幅に５声調、基板平坦部（１ａ）からの高さを１
声肩とし、また溝四の幅を５声簿、深さな基板平坦部（
１ａ］か＆１声麿とし、上記１板平坦ｆｉｌ（１ｍ）に
約α５声調厚のｒ型Ｇａ五一層（電流狭窄層（２）慶形
成した。斬る場合、メチストライプ部ｆ２ＪＪは＆緻平
坦部（ｌａンよシα７声篇程度の高さまで［流狭窄層（
２）により１Ｉｉｉ［ｋｌが填込まれ、かクメチストラ
イプ部（２１の頂面には、上記ｒ型（ｉａ＾麿はほとん
ど成長しなかりた・従って不実施例レーずでは１１３２
図に示した従来の半導体レーずに比べてｊ＆板（１）と
第１クラッド層（５）との接触面積が小さくな〉、シき
い１ｉｌ電流も小さくて丁む。また上記メサストライプ
５ｃａＪＪの実質的な高さりま）溝＠底部からの高さは
２声ｓｗ程度であるので、チイドエッチング等の間細か
生じることもない、更に電流狭窄層（２）〜逆バイアス
層（９７まで一連の連続液相エピタキシャル成長で形成
可能であるので駄産コス）が低くできる。
２ルの幅に５声調、基板平坦部（１ａ）からの高さを１
声肩とし、また溝四の幅を５声簿、深さな基板平坦部（
１ａ］か＆１声麿とし、上記１板平坦ｆｉｌ（１ｍ）に
約α５声調厚のｒ型Ｇａ五一層（電流狭窄層（２）慶形
成した。斬る場合、メチストライプ部ｆ２ＪＪは＆緻平
坦部（ｌａンよシα７声篇程度の高さまで［流狭窄層（
２）により１Ｉｉｉ［ｋｌが填込まれ、かクメチストラ
イプ部（２１の頂面には、上記ｒ型（ｉａ＾麿はほとん
ど成長しなかりた・従って不実施例レーずでは１１３２
図に示した従来の半導体レーずに比べてｊ＆板（１）と
第１クラッド層（５）との接触面積が小さくな〉、シき
い１ｉｌ電流も小さくて丁む。また上記メサストライプ
５ｃａＪＪの実質的な高さりま）溝＠底部からの高さは
２声ｓｗ程度であるので、チイドエッチング等の間細か
生じることもない、更に電流狭窄層（２）〜逆バイアス
層（９７まで一連の連続液相エピタキシャル成長で形成
可能であるので駄産コス）が低くできる。
％５図は、上記第１〜第５ｖＡに示した半導体レーザの
歩留シを示したもので、具体的には一枚の半導体基板上
に上記各レーｆを成員させ九際に、しきい値電流工ｔｈ
が５ＯＮ１＾以下となる成長層の割合を調べ九もので
ある。回申、１〜Ｉは大々上＆０！、第１〜第３図に示
した構造の半導体レーデの場合を示す。
歩留シを示したもので、具体的には一枚の半導体基板上
に上記各レーｆを成員させ九際に、しきい値電流工ｔｈ
が５ＯＮ１＾以下となる成長層の割合を調べ九もので
ある。回申、１〜Ｉは大々上＆０！、第１〜第３図に示
した構造の半導体レーデの場合を示す。
第５図がらも明らかな如く、本実施例では歩留りよく低
しきい値の半導体シーｆｔ−得ることができる。
しきい値の半導体シーｆｔ−得ることができる。
面木実施例ではＧａムｌ＾１系材料の半導体レーデにつ
いて説明したが、これに限るものではなく、本発男は他
の半導体材料を用いた半導体レーデにも適用できる・ 以上の説明から明らかな如く、本発明の半導体レーザは
低じき一値、高真円率となシ、かつ低い輩産コストで歩
９Ｍシ良く生産することができる。
いて説明したが、これに限るものではなく、本発男は他
の半導体材料を用いた半導体レーデにも適用できる・ 以上の説明から明らかな如く、本発明の半導体レーザは
低じき一値、高真円率となシ、かつ低い輩産コストで歩
９Ｍシ良く生産することができる。
第１図及び第２図は従来の半導体レーデな示す断面図、
第５図及びｊ８４図は本発明における半導体レーデの一
実施例な示す断面図及び要部拡大断面図、第５図は第１
〜第６図に示した半導体レーずの渉留シを示すグラフで
ある。 （１１−ｆｉ型ＧａＡｍ（半導体）基板、（２）−ｉｉ
ａ挟窄層、（４）・・・発振層、ＣＩ）・・・メチスト
ライプ（ｓ）。 Ｑ・・・溝。 第３図 １０ ’ ＩＩ 第５図
第５図及びｊ８４図は本発明における半導体レーデの一
実施例な示す断面図及び要部拡大断面図、第５図は第１
〜第６図に示した半導体レーずの渉留シを示すグラフで
ある。 （１１−ｆｉ型ＧａＡｍ（半導体）基板、（２）−ｉｉ
ａ挟窄層、（４）・・・発振層、ＣＩ）・・・メチスト
ライプ（ｓ）。 Ｑ・・・溝。 第３図 １０ ’ ＩＩ 第５図
Claims (1)
- （１）−生１にメチストライブ及び象メチストライブの
両ｍ面に沿うて延在する１１ｔを有Ｔる第１辱竜型の半
導体１板、該基板の上記ノチス（ライブの頂ａＯを除く
上記−上向に堆積されえ第２導電型ｇＪ電流狭窄層、該
狭窄層及び上記メチストライプ頂面上に堆積し、レーず
光を発する発振層からなることを特徴とＴる半導体レー
ダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP357582A JPS58121693A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP357582A JPS58121693A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121693A true JPS58121693A (ja) | 1983-07-20 |
| JPH0250633B2 JPH0250633B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=11561245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP357582A Granted JPS58121693A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121693A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880889A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP357582A patent/JPS58121693A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880889A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250633B2 (ja) | 1990-11-02 |
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