JPS5812190A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
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- JPS5812190A JPS5812190A JP56109355A JP10935581A JPS5812190A JP S5812190 A JPS5812190 A JP S5812190A JP 56109355 A JP56109355 A JP 56109355A JP 10935581 A JP10935581 A JP 10935581A JP S5812190 A JPS5812190 A JP S5812190A
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- magnetic
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- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブルメモリー置に係シ、特に磁気バブ
ル検出出力波形０６に曳に関する。
ル検出出力波形０６に曳に関する。
磁気パズルをｉ気信号−変換する磁気バブル検出器とし
て、磁気抵抗効果を利用した厚膜型検出器が通常よく用
いられる。本発明の磁気バブルメモリ装置にシいても、
この厚膜型検出器を用いる。
て、磁気抵抗効果を利用した厚膜型検出器が通常よく用
いられる。本発明の磁気バブルメモリ装置にシいても、
この厚膜型検出器を用いる。
第１開拡、厚膜型検出器の構成を示す要部平面図である
。同図においてＤ １ ＊ Ｄ ２は検出器を形成する
検出器ライン、８は磁気パズルをひも状バブルに拡大す
るパズル拡大器である。これらのパターン０１ｓＤｇ＊
榔はパーマロイ等の軟強°磁性体薄膜で形成される。ま
た５ＨｘｌｒＸ同平面内で回転する回嫁礁界であ）、Ｈ
ｌは紙面に垂直に加えられていゐバイアス磁界であ）、
共に外部から印加される外部磁界である。ａ転磁界１１
１Ｋ１％磁気パズルは慨印ｐ方向に＠送される。Ｉｍ磁
気パズルバブル拡大器８の下ｔ＠送されるとき、横力向
に拡大されてひ％状バブルになる。１はこうして拡大さ
れえひも状バブルの一つである。また、同図において、
■は外部から検出器ラインｏｌ＊Ｄ２に印加する検出器
電流である。検出出力は、ひも状バブルＢが検出器ライ
ンＤ１ま丸線Ｄｆｉの下を通過すると龜ｓＪ＠０２０同
側の電圧の差動出力によ〕得られる。
。同図においてＤ １ ＊ Ｄ ２は検出器を形成する
検出器ライン、８は磁気パズルをひも状バブルに拡大す
るパズル拡大器である。これらのパターン０１ｓＤｇ＊
榔はパーマロイ等の軟強°磁性体薄膜で形成される。ま
た５ＨｘｌｒＸ同平面内で回転する回嫁礁界であ）、Ｈ
ｌは紙面に垂直に加えられていゐバイアス磁界であ）、
共に外部から印加される外部磁界である。ａ転磁界１１
１Ｋ１％磁気パズルは慨印ｐ方向に＠送される。Ｉｍ磁
気パズルバブル拡大器８の下ｔ＠送されるとき、横力向
に拡大されてひ％状バブルになる。１はこうして拡大さ
れえひも状バブルの一つである。また、同図において、
■は外部から検出器ラインｏｌ＊Ｄ２に印加する検出器
電流である。検出出力は、ひも状バブルＢが検出器ライ
ンＤ１ま丸線Ｄｆｉの下を通過すると龜ｓＪ＠０２０同
側の電圧の差動出力によ〕得られる。
このような検出器ラインの質来パターンの例を第２図に
示す。同ＩＩ （１）は、サーペンタイン型検出器、（
荀拡逝ネルソン璽検出器、（・）はＦｌｌ検出器として
公知の検出器パターンである。
示す。同ＩＩ （１）は、サーペンタイン型検出器、（
荀拡逝ネルソン璽検出器、（・）はＦｌｌ検出器として
公知の検出器パターンである。
このようなパターンからなる磁気パズル検出器の出力波
形の一例を第３図に示す。同図にｓＰいてＮは磁気パズ
ルが検出器ラインの下に無いと龜の”Ｏ″出力波形、Ｐ
は磁気バブルが検出器ラインの下にあると、Ｉの１１”
出力波形を示す。１１′出方腋形として、第１ビークデ
１かも第４ピークＰ４０４種類の安定なピークｔＲ形が
、１側のバブルから得られる。
形の一例を第３図に示す。同図にｓＰいてＮは磁気パズ
ルが検出器ラインの下に無いと龜の”Ｏ″出力波形、Ｐ
は磁気バブルが検出器ラインの下にあると、Ｉの１１”
出力波形を示す。１１′出方腋形として、第１ビークデ
１かも第４ピークＰ４０４種類の安定なピークｔＲ形が
、１側のバブルから得られる。
磁気バブルの有無の判別（＠１’、”０”の判別）は。
これら４種類のピーク波形の！１〜Ｐ４中の１り又゛は
２っｔ１１用して行表う。有用するピークとして、他の
ピークに比べて大きな出力波形の出る第１ＰＩ又は第３
ビークＰ３がよく用いられる。
２っｔ１１用して行表う。有用するピークとして、他の
ピークに比べて大きな出力波形の出る第１ＰＩ又は第３
ビークＰ３がよく用いられる。
出力波形による＠１′、＠Ｏ″の判別は、次のようにし
て行なわれる。第４図に示すように、ある固定した時点
−ｔＫおける出力波形の電圧Ｖが、ある基準電圧Ｖｔｈ
！シ大きいか小さいかで、＠１”、＠Ｑ″の判別を行
なう。出力電圧がｖｔｈよｐ大きいとき＠１″、小さい
とき１０′と判定する。時点＃を紘スト四−プ４１４ン
）４１に電圧ｖｔｈＦｉスレシホールｙ電圧と呼ばれる
。
て行なわれる。第４図に示すように、ある固定した時点
−ｔＫおける出力波形の電圧Ｖが、ある基準電圧Ｖｔｈ
！シ大きいか小さいかで、＠１”、＠Ｑ″の判別を行
なう。出力電圧がｖｔｈよｐ大きいとき＠１″、小さい
とき１０′と判定する。時点＃を紘スト四−プ４１４ン
）４１に電圧ｖｔｈＦｉスレシホールｙ電圧と呼ばれる
。
この出力液形によゐ１１”、＠ｏ”の判別が確実に行な
われＴｏ大めには、ストローブポイント＃ｔにおける１
１″出力電圧Ｖｌと１０”出力電圧ｖｏの差（Ｖｌ−Ｔ
ｏ）が、ある必要値Ｖｗ以上であることを要求される。
われＴｏ大めには、ストローブポイント＃ｔにおける１
１″出力電圧Ｖｌと１０”出力電圧ｖｏの差（Ｖｌ−Ｔ
ｏ）が、ある必要値Ｖｗ以上であることを要求される。
ま九、第３図において、 Ｏ”、９０°＠＠＠＠＠、３
６Ｑ”は、ａ領磁昇Ｉｎの位相を示す。位相の基準ｏ０
は、＠ＩＩＩＫ付記し九如（−１方向である。
６Ｑ”は、ａ領磁昇Ｉｎの位相を示す。位相の基準ｏ０
は、＠ＩＩＩＫ付記し九如（−１方向である。
バブルを駆動する九め外部から加えるＷ１＠磁界ＩＩＩ
として、第Ｓ図（→〜（・）Ｋ″例示した３種類の回転
磁界がよ〈用−られる。同図において、（ａ）は同波形
（サイン波駆動）、伽）は四角波形（三角波駆動）、（
・）唸へ角液形（台形波駆動）と呼ばれる。
として、第Ｓ図（→〜（・）Ｋ″例示した３種類の回転
磁界がよ〈用−られる。同図において、（ａ）は同波形
（サイン波駆動）、伽）は四角波形（三角波駆動）、（
・）唸へ角液形（台形波駆動）と呼ばれる。
ｇＩ＠磁界は％Ｘコイル、Ｙコイルに９０”位相Ｏ異な
る電流１ｘ、Ｉ、を流すことにょ）作られる。
る電流１ｘ、Ｉ、を流すことにょ）作られる。
第５図の（ａ）〜（＠）のＰＩＬ形はそれぞれ、第６図
（ａ）〜（１１）に例示したようなＸコイル電流！８及
びＹコイル電流！アを流すことによ）作ることができる
。第５図、第６図において同じ記号、同じ数値は互いに
対応する。（＆）円波形紘すイン波電流、０１）Ｅ！１
角波形は三角波電流、（＠） 入角波形は台形波電流
を流すことによ）得られる。
（ａ）〜（１１）に例示したようなＸコイル電流！８及
びＹコイル電流！アを流すことによ）作ることができる
。第５図、第６図において同じ記号、同じ数値は互いに
対応する。（＆）円波形紘すイン波電流、０１）Ｅ！１
角波形は三角波電流、（＠） 入角波形は台形波電流
を流すことによ）得られる。
さて、従来の磁気バブルメモリ装置−による機出出力狡
形は、次−述べるような問題をもっている。
形は、次−述べるような問題をもっている。
すなわち、第３図の＠１′出力波形が、磁気パプルメ毫
す装置の電源電圧の変動によシ、同図中に点線で例示し
たように変化するという問題である。
す装置の電源電圧の変動によシ、同図中に点線で例示し
たように変化するという問題である。
この緒果、第４図の固定されたストローブポイント＃ｔ
Ｋ＄Ｐける＠１”出力電圧ｖ１と１０”出力電圧Ｗｏｏ
差（Ｖｌ−Ｖｏ）が変動しｓ’ （Ｖ １−Ｖ ６ ）
が必要値Ｖ菫以下となシ、出力液形による′１′″−〇
”の確実な判別が不可能になる問題を生じる。
Ｋ＄Ｐける＠１”出力電圧ｖ１と１０”出力電圧Ｗｏｏ
差（Ｖｌ−Ｖｏ）が変動しｓ’ （Ｖ １−Ｖ ６ ）
が必要値Ｖ菫以下となシ、出力液形による′１′″−〇
”の確実な判別が不可能になる問題を生じる。
したがって本発明の目的は、上記した従来の磁気バブル
メモリ装置の問題点を解消し、磁気バブルメ七り装置の
電源電圧が変動して％、安定した１１”出力波形の得ら
れる磁気バブルメモリ装置を提供しようとするものであ
る。
メモリ装置の問題点を解消し、磁気バブルメ七り装置の
電源電圧が変動して％、安定した１１”出力波形の得ら
れる磁気バブルメモリ装置を提供しようとするものであ
る。
上記の目的を遺戒する丸めに本発明による磁気パプルメ
篭り装置は、 ＶＡ＠磁界ＨＲの波形を工夫することに
よｊ１％＠１１出力波形として、“０”、′″１”判ｊ
ＮＫＩ！用す為ピークの波形を幅広くし九点に轡！ｒＬ
がある。
篭り装置は、 ＶＡ＠磁界ＨＲの波形を工夫することに
よｊ１％＠１１出力波形として、“０”、′″１”判ｊ
ＮＫＩ！用す為ピークの波形を幅広くし九点に轡！ｒＬ
がある。
以下、本発明の詳細な説明する。
＠１”出力液形が上記しえように磁気バブルメモリ装置
の電源電圧の変動によシ、第３図で述べ丸ように変化す
る原因は％ｌＩ＠磁界ｉ磁界強１．強度のためである。
の電源電圧の変動によシ、第３図で述べ丸ように変化す
る原因は％ｌＩ＠磁界ｉ磁界強１．強度のためである。
磁気パズルメモリ装置の電源電圧が変動して高くなると
、第１図で述べた回吸磁界Ｈ１Ｏ強度も賓−して強（な
る。第７図は、ＫＡ＠−界Ｏ強家を変えたと愈の、′１
”出力波形の変化す為様子ｔ１夷験によ）調べた結果で
ある。回転磁界強−りを４ｓ万・、５５６・、ａｏｏ・
と変化門せ九ときの、′ｌ″出力液形ｔＰａ＊ＰｂｅＰ
・で示す。
、第１図で述べた回吸磁界Ｈ１Ｏ強度も賓−して強（な
る。第７図は、ＫＡ＠−界Ｏ強家を変えたと愈の、′１
”出力波形の変化す為様子ｔ１夷験によ）調べた結果で
ある。回転磁界強−りを４ｓ万・、５５６・、ａｏｏ・
と変化門せ九ときの、′ｌ″出力液形ｔＰａ＊ＰｂｅＰ
・で示す。
第７図からも分かるように、回転磁界強＊Ｈｍが強くｔ
ｋ為と、第１ビーク〜第４ピーク０４つのピークはすべ
て位相が逼れ、ビータ波形の幅が狭くなる。■鳳が６０
０・以上と強くなシ過ぎ為と、各ピーク波ｌｌが着しく
中せ細つ九ｔＩＮ、形となう九。
ｋ為と、第１ビーク〜第４ピーク０４つのピークはすべ
て位相が逼れ、ビータ波形の幅が狭くなる。■鳳が６０
０・以上と強くなシ過ぎ為と、各ピーク波ｌｌが着しく
中せ細つ九ｔＩＮ、形となう九。
この結果、ス）ａ−ブポイン）４ｔｔ（第４図参照）を
、例えば第３ビークＰ３の２１０＠の位相（第７図参１
［）に設定した場合、この６％での＠１″出力値は、Ｂ
転磁界強＊Ｈｘが強くなると小さくなる。第８図は、こ
の＠１”出力値ｖｔ−実験くよ）求めた結果である。（
０はその特性を示すもので％回転磁界強［Ｈ，が５５６
・を超えると、”１”出力値Ｖが急激に減少している。
、例えば第３ビークＰ３の２１０＠の位相（第７図参１
［）に設定した場合、この６％での＠１″出力値は、Ｂ
転磁界強＊Ｈｘが強くなると小さくなる。第８図は、こ
の＠１”出力値ｖｔ−実験くよ）求めた結果である。（
０はその特性を示すもので％回転磁界強［Ｈ，が５５６
・を超えると、”１”出力値Ｖが急激に減少している。
この装置の回吸磁界変動範囲が５００ｅ〜６００・、ス
レンホールト０電圧ｖｔｈがＺ、ＳｍＶとした場合、斜
線部分で誤動作を起こす。
レンホールト０電圧ｖｔｈがＺ、ＳｍＶとした場合、斜
線部分で誤動作を起こす。
し九がって本発明の基本的な考え方は、１１”−＠０”
判別Ｋｌｌ！用する出力ビータＰＩのストローブポイン
ト＃を付近の位相での回転磁界強ＲＨ＊が弱くなるよう
に、回転磁界波形を歪まそうとするものである。いま仮
りに＃を付近でのＴｉＨｔ６δ・弱くしたとする。これ
によシ、第８図の特性（ａ）に求め九＠１”出力値Ｖの
カーブを、右に５７５・シフトさせて、特性伽）に例示
しえようなカーブを得ようとするｔのである。この特性
の右シフトによ＃）。
判別Ｋｌｌ！用する出力ビータＰＩのストローブポイン
ト＃を付近の位相での回転磁界強ＲＨ＊が弱くなるよう
に、回転磁界波形を歪まそうとするものである。いま仮
りに＃を付近でのＴｉＨｔ６δ・弱くしたとする。これ
によシ、第８図の特性（ａ）に求め九＠１”出力値Ｖの
カーブを、右に５７５・シフトさせて、特性伽）に例示
しえようなカーブを得ようとするｔのである。この特性
の右シフトによ＃）。
１１＠磁界変動範１ｌｌＫおける＠１”出力値をｖｔｈ
以上にできて、誤動作領域が等消することができる。
以上にできて、誤動作領域が等消することができる。
第９図は１本発明による一実ＩＩＡ９１の説明図であり
、第９図（ａ）はａ輯磁界波形、第９開−）はコイル電
流磁界液形を示す。第９図の例は、回転磁界波Ｓが四角
流形の場合で、ス）四−プポイント＃ｔが第３ピータＰ
３を利用した２１Ｏ＠付近の位相である場合の例であ為
。＄１８２１０＠付所の回転磁界強ＲＨ鳳を−める丸め
に、第９図は、Ｙ：１イル電流Ｉ７の電流磁界値を小さ
くしている。点線が従来の場合、実線が本発明の場合で
ある。したがって、！８電流１ｍ界値とＸアミ流磁界値
がアンバランスになっている。同図（＆）よ）明らかな
ように１本発明の場合１位相−を付近での回転磁界強度
Ｈ１が弱くなると同時Ｋ、位相−ｔと反対側の位相（Ｓ
ｔ＋１８０°）付近でのＨｌも弱くなっているのが特徴
的である。
、第９図（ａ）はａ輯磁界波形、第９開−）はコイル電
流磁界液形を示す。第９図の例は、回転磁界波Ｓが四角
流形の場合で、ス）四−プポイント＃ｔが第３ピータＰ
３を利用した２１Ｏ＠付近の位相である場合の例であ為
。＄１８２１０＠付所の回転磁界強ＲＨ鳳を−める丸め
に、第９図は、Ｙ：１イル電流Ｉ７の電流磁界値を小さ
くしている。点線が従来の場合、実線が本発明の場合で
ある。したがって、！８電流１ｍ界値とＸアミ流磁界値
がアンバランスになっている。同図（＆）よ）明らかな
ように１本発明の場合１位相−を付近での回転磁界強度
Ｈ１が弱くなると同時Ｋ、位相−ｔと反対側の位相（Ｓ
ｔ＋１８０°）付近でのＨｌも弱くなっているのが特徴
的である。
なお、同図（ｂ） Ｋ示すＩ、のような電流波形は。
Ｙコイル駆動回路の駆動電圧を低くすることにより、あ
るいは駆動回路に直列に抵抗素子を入れることｋより、
害鳥に実現することができる。
るいは駆動回路に直列に抵抗素子を入れることｋより、
害鳥に実現することができる。
第１０図は、第８図の特性（ａ）の例に対して、第９図
の例を実権した場合の結果を示す。−を方向のＨ１強強
度５０ｓ弱めた結果が（ｂ）、１０６・弱め九結果−ｔ
ｌＸ（＠）である。（ａ）は従来の場合であ夛％（峠に
比べて１１”出・力値Ｖが期待通勤右にシフトし、（６
）の場合は約５石・、（６）の場合は約１０′５・シフ
トす為結果が得られた。
の例を実権した場合の結果を示す。−を方向のＨ１強強
度５０ｓ弱めた結果が（ｂ）、１０６・弱め九結果−ｔ
ｌＸ（＠）である。（ａ）は従来の場合であ夛％（峠に
比べて１１”出・力値Ｖが期待通勤右にシフトし、（６
）の場合は約５石・、（６）の場合は約１０′５・シフ
トす為結果が得られた。
なお、第９図で述べたような回転磁界波形ａｔ１０〜ｔ
ｓｏ＠１１＆歪ませても、他の動作特性を悪くするよう
な副作用は全く生じ奏かつえ。この−例を第１１図に示
す。第１１図は、回転磁界強度を変ええときのバイアス
磁界マージンを求めた結果である。第１１図（荀は％ｒ
Ｂ＠磁界強【６として。
ｓｏ＠１１＆歪ませても、他の動作特性を悪くするよう
な副作用は全く生じ奏かつえ。この−例を第１１図に示
す。第１１図は、回転磁界強度を変ええときのバイアス
磁界マージンを求めた結果である。第１１図（荀は％ｒ
Ｂ＠磁界強【６として。
Ｘ方向磁界ＨＩＫＩＹ方向磁界Ｈ酊の両方を同時に変え
九場合のいわゆる従来のＨｌ−Ｈ，マージン−纏である
。上下２つの纏の間がバイアスマージン幅になる。Ｈｌ
が５０６・以下になるとバイアスマージン幅が急激に減
少している。ξれに対して第１１−図伽）は、Ｘ方向磁
界１３１１Ｋを５５５・に固定して。
九場合のいわゆる従来のＨｌ−Ｈ，マージン−纏である
。上下２つの纏の間がバイアスマージン幅になる。Ｈｌ
が５０６・以下になるとバイアスマージン幅が急激に減
少している。ξれに対して第１１−図伽）は、Ｘ方向磁
界１３１１Ｋを５５５・に固定して。
Ｙ方向礁界職１だけを変化させた場合０Ｈａｙ Ｈｍマ
ージン自纏であ為。Ｈｍｙ１５１Ｉ４５０・以下に弱く
なっても、バイアスマージン幅はほとんど減少しなかっ
た。
ージン自纏であ為。Ｈｍｙ１５１Ｉ４５０・以下に弱く
なっても、バイアスマージン幅はほとんど減少しなかっ
た。
これらの結果から、 ＠＠磁界強ｌｌ！Ｈ鳳を部分的（
例えばＨ社）Ｋｌｌくする歪量は５〜ｔｓ５・が最適で
ある。
例えばＨ社）Ｋｌｌくする歪量は５〜ｔｓ５・が最適で
ある。
以上説明しえ如く本発明によれば、ストローブポイント
での＠１″出力値対ａ転磁界強度のカーブを右（強１大
の方向）Ｋシフトで！、磁気バブルメ４９１１置の電源
電圧変動による１情劣化を防止でき、安電な１１″出力
波形を得ることができる。
での＠１″出力値対ａ転磁界強度のカーブを右（強１大
の方向）Ｋシフトで！、磁気バブルメ４９１１置の電源
電圧変動による１情劣化を防止でき、安電な１１″出力
波形を得ることができる。
なお、上Ｏ実總例の説ｆ１社１回吸磁界液形が四角波形
の場合、ストローブポイントが第３ピーク位相の場合で
あったが、他の場合に対しても本発明は全く同様に適用
できる。
の場合、ストローブポイントが第３ピーク位相の場合で
あったが、他の場合に対しても本発明は全く同様に適用
できる。
第１図社磁気−バブル検出器の構成を示す図、第２図は
検出器パターン例を示す図、第３図は出力波形の一例を
示す図、第４図は出力波形から１”。 ＠Ｏ”の判別を行なう説明図、第５図及びｔｓ６図は回
転磁界波形及びコイル電流波形を示す図で、第７図、第
８図は本発明の詳細な説明する図、＃Ｅ９図、第１０図
は本発明の一実施例の説明図、第１１図は回転磁界波形
とバイアスマージン特性例を示す図である。 Ｐ・・・゛・＠１ｕｌｌ出力、Ｎ・・・・加”出力％Ｐ
１−４４−−−−ｇｌ−、、ｊ１４ピークｒＩＬ形、θ
０．。 ・位相、ａｔ・・・・スト党−ブポイント、ｖｔｈ・・
・・スレシホールド電圧、Ｉｘ・拳・・Ｘライルミ流、
Ｉγ・・・・Ｙコイル電流。 Ｉ＋９−
検出器パターン例を示す図、第３図は出力波形の一例を
示す図、第４図は出力波形から１”。 ＠Ｏ”の判別を行なう説明図、第５図及びｔｓ６図は回
転磁界波形及びコイル電流波形を示す図で、第７図、第
８図は本発明の詳細な説明する図、＃Ｅ９図、第１０図
は本発明の一実施例の説明図、第１１図は回転磁界波形
とバイアスマージン特性例を示す図である。 Ｐ・・・゛・＠１ｕｌｌ出力、Ｎ・・・・加”出力％Ｐ
１−４４−−−−ｇｌ−、、ｊ１４ピークｒＩＬ形、θ
０．。 ・位相、ａｔ・・・・スト党−ブポイント、ｖｔｈ・・
・・スレシホールド電圧、Ｉｘ・拳・・Ｘライルミ流、
Ｉγ・・・・Ｙコイル電流。 Ｉ＋９−
Claims (1)
- Ｌ 磁気バブルの有無を検出するバブル検出手段とｖＲ
＠磁界を発生する手段を備えた磁気バブルメモリ装置Ｋ
ｋいて、Ｙコイル電流又Ｈｘコイル電流の一方を他方よ
〕弱くしてＹボイル磁界とｘコイル磁界をアンバランス
ＫＬ、＠１”ＩＩ□”を判別するス）ａ−プポイント位
相での回転磁界強覆を弱くした磁気バブルメモリ装置・
λ Ｉｉ！＠磁界強変ｔ５〜１５″６・弱くした特許請
求第１項記載Ｏ磁駕バブ↑メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109355A JPS5812190A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109355A JPS5812190A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812190A true JPS5812190A (ja) | 1983-01-24 |
| JPS613024B2 JPS613024B2 (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=14508119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56109355A Granted JPS5812190A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550388A (en) * | 1983-08-03 | 1985-10-29 | Hitachi, Ltd. | Method of controlling stop operation of rotating magnetic field for magnetic bubble memory device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201823U (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-26 |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP56109355A patent/JPS5812190A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550388A (en) * | 1983-08-03 | 1985-10-29 | Hitachi, Ltd. | Method of controlling stop operation of rotating magnetic field for magnetic bubble memory device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS613024B2 (ja) | 1986-01-29 |
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