JPS58122541A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS58122541A JPS58122541A JP57005052A JP505282A JPS58122541A JP S58122541 A JPS58122541 A JP S58122541A JP 57005052 A JP57005052 A JP 57005052A JP 505282 A JP505282 A JP 505282A JP S58122541 A JPS58122541 A JP S58122541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- optical system
- mask pattern
- displacement meter
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、・マスクパターンをウェハ表面に投影結像さ
せて、パターン転写を行なう装置の改良に係り、特にマ
スクパターンの投影結像面とウニ八表面とを完全に一致
させ、解像度をよくした投影露光装置に関する。
せて、パターン転写を行なう装置の改良に係り、特にマ
スクパターンの投影結像面とウニ八表面とを完全に一致
させ、解像度をよくした投影露光装置に関する。
半導体ウェハ（以下単にウェハという）の表面に微細な
回路パターンを加工するために１表面に感光性薄膜が塗
布されたウェハに１マスクパターンを投影結像し転写す
るプロジェクタ１ン・マスクアライメント装置がある。
回路パターンを加工するために１表面に感光性薄膜が塗
布されたウェハに１マスクパターンを投影結像し転写す
るプロジェクタ１ン・マスクアライメント装置がある。
この装置において、ウェハ表面上にマスクパターンを解
像度よく投影結曹するためには、結像面の焦点深度以内
にウェハ表面を正確に位置決めし、マスクパターンをウ
ェハ表面上へ投影□ するのに高精度の焦点合わせが最
も重要な技術的要素となる。
像度よく投影結曹するためには、結像面の焦点深度以内
にウェハ表面を正確に位置決めし、マスクパターンをウ
ェハ表面上へ投影□ するのに高精度の焦点合わせが最
も重要な技術的要素となる。
さらにまた、ＩＣやＬＳＩの生産面から他の技術との関
連において、高い処理能力も同時に要求される。
連において、高い処理能力も同時に要求される。
先ず、プロジェクシ冒ン・マスクアライメント装置の概
要を第１図によって説明する０図において、ウニノ１１
およびマスク２は、それぞれ両者のパターン合せを行な
うために、テーブル３と４に搭載保持されており、さら
にこのテーブル３と４は、エアベアリングガイド（図示
省略）を介して左右に動作可能なように石ｌ定盤５上に
搭載された走行テーブル６上に搭載されている（駆動部
は図示省略）。投影光学系７、アライメント光学系８．
ウニノ・表面位置決め部９も石定盤５上に搭載されてい
るｎ石定盤６の下部に設けられた愼光光源１０より出た
紫外光で、マスク２を下部より照明し、投影光学系フに
よって、ウニノ・１上にマスク２のパターンを結像させ
るものである０アライメント光学系８の対物レンズ１１
の先端には、ノ１−７ミラー１２が設けられており、と
のノ為−７ミラー１２を透過してマスク、パターンがウ
ーエハ１上に結像される。
要を第１図によって説明する０図において、ウニノ１１
およびマスク２は、それぞれ両者のパターン合せを行な
うために、テーブル３と４に搭載保持されており、さら
にこのテーブル３と４は、エアベアリングガイド（図示
省略）を介して左右に動作可能なように石ｌ定盤５上に
搭載された走行テーブル６上に搭載されている（駆動部
は図示省略）。投影光学系７、アライメント光学系８．
ウニノ・表面位置決め部９も石定盤５上に搭載されてい
るｎ石定盤６の下部に設けられた愼光光源１０より出た
紫外光で、マスク２を下部より照明し、投影光学系フに
よって、ウニノ・１上にマスク２のパターンを結像させ
るものである０アライメント光学系８の対物レンズ１１
の先端には、ノ１−７ミラー１２が設けられており、と
のノ為−７ミラー１２を透過してマスク、パターンがウ
ーエハ１上に結像される。
従って、アライメント光学系８により、ウェハｌ上のパ
ターンおよびウェハｌ上に投影結１されたマスｊ・パタ
ーンを同時に観察し、パターン合わせを行なう。
ターンおよびウェハｌ上に投影結１されたマスｊ・パタ
ーンを同時に観察し、パターン合わせを行なう。
なお、このパターン合わせを行なう際は、露光源ｌＯか
らの光から紫外線成分をフィルターなどで除去しておく
。
らの光から紫外線成分をフィルターなどで除去しておく
。
従来のウェハの位置決めは、第２図に示すようにして行
なわれていた。
なわれていた。
即ち、前記した走行テーブル６を左方向に移動させ、ウ
ェハ表面位置決め部９の下方にウェハ１を設置する。搭
載台１３上に搭載されたウェハｌは、空間１６に真空圧
を供給することにより吸着固定される。さらにこの搭載
台１３は、その下部を球面軸受１４で支持され、ウニへ
表間の平行出しができる構造となっている。平行出し終
了後は、球面軸受１４の下部空間１５に真空圧を供給し
、吸着固定する。
ェハ表面位置決め部９の下方にウェハ１を設置する。搭
載台１３上に搭載されたウェハｌは、空間１６に真空圧
を供給することにより吸着固定される。さらにこの搭載
台１３は、その下部を球面軸受１４で支持され、ウニへ
表間の平行出しができる構造となっている。平行出し終
了後は、球面軸受１４の下部空間１５に真空圧を供給し
、吸着固定する。
一方、ウニノ・１の上方に設置されるウェア１表面位置
決め部９は、３本のピンｌツが取り付けられたプレー）
１Ｂと、このプレー） １８の平行度を調整する機構
（図示省略）とより構成されている０ 第２図の状態において、ステージ３上に設置された上下
軸１９を、ノクルスモータ躯動のボールネジ送り機構（
図示省略）により上昇させ、ウェハ１の表面を３本のビ
ンエフに押し当てる。なおピン１７は、ウニノー１の周
辺部３ケ所に当るように配設されているため、ウニノ・
搭１台１３下部の球面軸受１４の働きによシ、ウニノ・
ｌの表面と３本のピン１フが形成する平面とを一致させ
る０このようにして、ウニノ・ｌの表面平行度を調節し
た後、上下軸１９を下げ、あらかじめ設定した仮想平面
（マスクパターンの投影結像面）とウェハ表面とを一致
させ、投マスクツくターンをウニノ・表面に転写するよ
うにしていた。
決め部９は、３本のピンｌツが取り付けられたプレー）
１Ｂと、このプレー） １８の平行度を調整する機構
（図示省略）とより構成されている０ 第２図の状態において、ステージ３上に設置された上下
軸１９を、ノクルスモータ躯動のボールネジ送り機構（
図示省略）により上昇させ、ウェハ１の表面を３本のビ
ンエフに押し当てる。なおピン１７は、ウニノー１の周
辺部３ケ所に当るように配設されているため、ウニノ・
搭１台１３下部の球面軸受１４の働きによシ、ウニノ・
ｌの表面と３本のピン１フが形成する平面とを一致させ
る０このようにして、ウニノ・ｌの表面平行度を調節し
た後、上下軸１９を下げ、あらかじめ設定した仮想平面
（マスクパターンの投影結像面）とウェハ表面とを一致
させ、投マスクツくターンをウニノ・表面に転写するよ
うにしていた。
このように従来技術においては、仮想平面とウェハの表
面とを一致させるいわゆる間接的な焦点合わせであるた
め、マスクパター ン投影結像面の位置の測定誤差や、
投影光学系フやウェハ表面位置決め部９の取シ付位置の
ドリフトによる焦点面のズレなどの影餐を受は易く、安
距した解像度を得ることが困難であるという欠点があっ
た。これに伴なって製品の歩留りが悪いという欠点も有
する。
面とを一致させるいわゆる間接的な焦点合わせであるた
め、マスクパター ン投影結像面の位置の測定誤差や、
投影光学系フやウェハ表面位置決め部９の取シ付位置の
ドリフトによる焦点面のズレなどの影餐を受は易く、安
距した解像度を得ることが困難であるという欠点があっ
た。これに伴なって製品の歩留りが悪いという欠点も有
する。
本発明は、従来の上記欠点を解決した投影露光装置を提
供せんとするものである。
供せんとするものである。
即ち本発明は、ウェハ表面位置決め部に非接触変位計を
設け、この非接触変位針によって、ウニ八表面複数個所
の高さを求め、このデータにより近似平面を算出する。
設け、この非接触変位針によって、ウニ八表面複数個所
の高さを求め、このデータにより近似平面を算出する。
このようにして求めた平面が、希望する仮想平面（マス
クパターン投影結像面）と一致するように、搭載台と非
１接触変位計とを連係する制御回路によって、ウェハを
搭載した搭載台の平行度を調節し、ウェハと、仮想平面
とを一致させる。このようにし、て位置決めしたウェハ
を、走行テーブルによってアライメント光学系のハーフ
ミラ−の下部に２移行させ、ウェハ表面と、マスクパタ
ーンの投影結像面とのズレ量を光学的に検出して算出し
上記非接触変位計にフィードバックして、制御回路によ
ってさらに搭載台の平行度を調節し、ウェハ表面と、マ
スクパターンの投影結像面との間の直接的な誤差の補正
を行ない、ウェア１表面とマスクパターンの投影結像面
とを完全に一致させたことを特徴とするものである。
クパターン投影結像面）と一致するように、搭載台と非
１接触変位計とを連係する制御回路によって、ウェハを
搭載した搭載台の平行度を調節し、ウェハと、仮想平面
とを一致させる。このようにし、て位置決めしたウェハ
を、走行テーブルによってアライメント光学系のハーフ
ミラ−の下部に２移行させ、ウェハ表面と、マスクパタ
ーンの投影結像面とのズレ量を光学的に検出して算出し
上記非接触変位計にフィードバックして、制御回路によ
ってさらに搭載台の平行度を調節し、ウェハ表面と、マ
スクパターンの投影結像面との間の直接的な誤差の補正
を行ない、ウェア１表面とマスクパターンの投影結像面
とを完全に一致させたことを特徴とするものである。
以下図に示した実施例をもとに、その詳細を説明する。
先ず詳細な説明に当って、投影光学系７．アライメント
光学系８９石定盤５．走行テーブル６、ウェハｌおよび
マスク２のテーブル３．４およびウェハ表面位置決め部
９の構成は第１図で説明したのと同じであるので、ここ
での説明は省略する０ 第３図において、ウェア・表面位置決め機構を説明する
。図において、２１け、ウェアＮ１の表面の複数個所の
高さを非接触で計測する非接触変位計であって、第４図
にも示すように、ガイドバー２３に対し、直動のローラ
ーガイド２４を介して取シ付けられており、駆動部２５
によって第４図に示す範囲２６を往復走査するようにな
っているＯ１３は搭載台であって、ウェハ１を空間１６
に与えられる真空圧によって吸着固定し、周辺３ケ所を
支持する３ケの積層型電歪素子２０（２ケのみ図示）を
介して、テーブル３上に設置されている。この積層型電
歪素子２０と、非接触変位計２１とは、タメ換器２８．
コンピュータ２９ 、Ｄ／Ａ変換器３０．および電歪素
子ドライバ３１とから成る搭載台制御回路によって連係
きれ、非接触変位計２１の出力値に基づいて積層型電歪
素子２０を駆動し、搭載台１３の平行度を調整する。ま
た走行テーブル６は、第４図に示すように、エアーパッ
ド２７によってガイドされ、非接触変位計２１の移動方
向２６にクロスするように（第４図紙面と垂直方向）移
動する。このようにクロスする二つの動作によって、第
５図に示すようにウェハ１の全面における変位を計測す
るように表っている。ｋ！、６図はアライメント光学系
を示したものであって、アライメント光学系８は、ハー
フミラ−１２，対物レンズ１１．ミラー３５．リレーレ
ンズ３６．およびリニアイメージセンサ３３より構成さ
れ、ウェハの近似平面３２上の像が、リニアイメージセ
ンサ３３上に結像されるようにこれらの構成要素は、組
まれている。なお平面３４け゛投影光学系７により、マ
スクパターンが結像す。
光学系８９石定盤５．走行テーブル６、ウェハｌおよび
マスク２のテーブル３．４およびウェハ表面位置決め部
９の構成は第１図で説明したのと同じであるので、ここ
での説明は省略する０ 第３図において、ウェア・表面位置決め機構を説明する
。図において、２１け、ウェアＮ１の表面の複数個所の
高さを非接触で計測する非接触変位計であって、第４図
にも示すように、ガイドバー２３に対し、直動のローラ
ーガイド２４を介して取シ付けられており、駆動部２５
によって第４図に示す範囲２６を往復走査するようにな
っているＯ１３は搭載台であって、ウェハ１を空間１６
に与えられる真空圧によって吸着固定し、周辺３ケ所を
支持する３ケの積層型電歪素子２０（２ケのみ図示）を
介して、テーブル３上に設置されている。この積層型電
歪素子２０と、非接触変位計２１とは、タメ換器２８．
コンピュータ２９ 、Ｄ／Ａ変換器３０．および電歪素
子ドライバ３１とから成る搭載台制御回路によって連係
きれ、非接触変位計２１の出力値に基づいて積層型電歪
素子２０を駆動し、搭載台１３の平行度を調整する。ま
た走行テーブル６は、第４図に示すように、エアーパッ
ド２７によってガイドされ、非接触変位計２１の移動方
向２６にクロスするように（第４図紙面と垂直方向）移
動する。このようにクロスする二つの動作によって、第
５図に示すようにウェハ１の全面における変位を計測す
るように表っている。ｋ！、６図はアライメント光学系
を示したものであって、アライメント光学系８は、ハー
フミラ−１２，対物レンズ１１．ミラー３５．リレーレ
ンズ３６．およびリニアイメージセンサ３３より構成さ
れ、ウェハの近似平面３２上の像が、リニアイメージセ
ンサ３３上に結像されるようにこれらの構成要素は、組
まれている。なお平面３４け゛投影光学系７により、マ
スクパターンが結像す。
る平面である。
以上のように構成した本実施例の作用を以下説明する。
先ずウェハ表面位置決め部９において、第３図に示すよ
うに、非接触変位２１からの出力を、Ａ／Ｄ変換器２日
で処理した後、コンピュータ２９に取り込み、ウェア・
１の複数個所における高さを求める。このデータを基に
、最小自乗法によってウェハ表面の近似平面３２を求め
、これとあらかじめ求めておいたマスクパターン結像平
面との差を計算し、これらを一致させるような各積層電
歪素子２０の駆動量を算出する。以上をコンピータ２９
で処理し、妬変換器３０を。
うに、非接触変位２１からの出力を、Ａ／Ｄ変換器２日
で処理した後、コンピュータ２９に取り込み、ウェア・
１の複数個所における高さを求める。このデータを基に
、最小自乗法によってウェハ表面の近似平面３２を求め
、これとあらかじめ求めておいたマスクパターン結像平
面との差を計算し、これらを一致させるような各積層電
歪素子２０の駆動量を算出する。以上をコンピータ２９
で処理し、妬変換器３０を。
介した後、電歪素子ドライバ３１に入力し、各積層電歪
素子２０を駆動し、ウェハ１の表面と、あらかしめ求め
ておいたマスクパター、ン結倫平面とを一致させる。こ
のようにして、ウェハ表面をあらかじめ求めておいたマ
スクパターン結像面と一致させた後、ウェハｌが７２イ
メント光学系８のハーフミラ−１２の下にくるまで、走
行面 テーブル６を移動させる。この状態を第６吟（α）図と
する。次にウェハの近似平面３２がウェハｌの表面と一
致するように、アライメント光学系８の焦点位置を移動
させる。この操作は対物レンズ１１．またはリレーレン
ズ３６を光軸方向に移動させることによって行なうこと
ができる０ζ１ハ の状態を第６ψＣｂ）に示す。
素子２０を駆動し、ウェハ１の表面と、あらかしめ求め
ておいたマスクパター、ン結倫平面とを一致させる。こ
のようにして、ウェハ表面をあらかじめ求めておいたマ
スクパターン結像面と一致させた後、ウェハｌが７２イ
メント光学系８のハーフミラ−１２の下にくるまで、走
行面 テーブル６を移動させる。この状態を第６吟（α）図と
する。次にウェハの近似平面３２がウェハｌの表面と一
致するように、アライメント光学系８の焦点位置を移動
させる。この操作は対物レンズ１１．またはリレーレン
ズ３６を光軸方向に移動させることによって行なうこと
ができる０ζ１ハ の状態を第６ψＣｂ）に示す。
次にウェハ１と平面３２とを同期させて動かし光学系フ
によシ、マスクパターンか結像されたマスクパターン結
像面３４と、ウェハ１の表１ｉ１１との一致を検出する
。この面の一致を検出する合焦点の判別方式として、例
えば、試料面の儂）η が、第７＋（α）量のようなライン状パターン３７の場
合を例に説明する。この場合のリニアイメージセンサ３
３の出力は、第７図＋（ｂ）となる。ここで、平面３２
または検出すべき像面を光軸方向に動かし、第７図痔（
幻の波高値△がピークとなる点を探る。これを最適焦点
合せ状態という。
によシ、マスクパターンか結像されたマスクパターン結
像面３４と、ウェハ１の表１ｉ１１との一致を検出する
。この面の一致を検出する合焦点の判別方式として、例
えば、試料面の儂）η が、第７＋（α）量のようなライン状パターン３７の場
合を例に説明する。この場合のリニアイメージセンサ３
３の出力は、第７図＋（ｂ）となる。ここで、平面３２
または検出すべき像面を光軸方向に動かし、第７図痔（
幻の波高値△がピークとなる点を探る。これを最適焦点
合せ状態という。
この動作をマスクパターン結像面３４と、ウェハｌの表
面パターンに対して実行し、第６図に示すプロセスで両
者の面の合焦点の判別を行なう。このようにして、合焦
点の判別を行なうことによって、平面３４とウェハ１の
表面とのズレ量を求め、ウェハ表面の位置決めを行なう
、搭載台制御回路にフィードバックし、誤差を修正する
。
面パターンに対して実行し、第６図に示すプロセスで両
者の面の合焦点の判別を行なう。このようにして、合焦
点の判別を行なうことによって、平面３４とウェハ１の
表面とのズレ量を求め、ウェハ表面の位置決めを行なう
、搭載台制御回路にフィードバックし、誤差を修正する
。
この誤差修正動作を毎回実行してもよいことは勿論であ
るが、この光学的焦点合わせ動作だけ定期的に実行し、
誤差修正を定期的に行なうことによって、時間の短縮を
計ることも可能である。
るが、この光学的焦点合わせ動作だけ定期的に実行し、
誤差修正を定期的に行なうことによって、時間の短縮を
計ることも可能である。
また、ウェハ表面の計測は、ウェハ表面の複数個所を測
定できればよいのであるから、本実施例のように１ケの
素子で走査計測、するものに限定されるものではなく、
第８図に示すように複数個の素子を取シ付け、固定した
構造であってもよい。
定できればよいのであるから、本実施例のように１ケの
素子で走査計測、するものに限定されるものではなく、
第８図に示すように複数個の素子を取シ付け、固定した
構造であってもよい。
また、合焦点検出用パターンは、第 ｔ、示す複数本の
平行ラインパターンの方が、一本のラインよシも検出感
度を高くとることができん以上詳述した通シ本発明によ
れば、ウェハ表面位置決め部に非接触変位針を設け、こ
の非接触変位計によってウェハ表面複数個所の高さを求
め、このデータにより近似平面を算出し、との近似平面
と、あらかじめ求めたマスクパターン投影結像面とが一
致するように、制御回路によってウェハ搭載台の平行度
を調節し、さらにアライメント光学系によって、光学的
にマスクパターンの投影結像面とのズレ量を検出して、
制御回路にフィードバックして、誤差修正を行なうよう
にしたので、投影光学系くよって投影されたマスクパタ
ーンの投影結像面と、ウェハ表面とを直接的に一致させ
ることができ、解像度の廃い転写が可能となり、製品の
歩留りを向上させることができた０また、誤差修正動作
を定期的に行なうことにより、ウニノ・の表面調整時間
が短縮され、１つ誤差修正動作を定期的に行なうことに
より、マスクパターンの投影結像面とウェハ表面とを直
接的に一致させることができ、解像度の高い転写を高速
に処理することができるなど、製造面において本多大の
効果を有するものである０
平行ラインパターンの方が、一本のラインよシも検出感
度を高くとることができん以上詳述した通シ本発明によ
れば、ウェハ表面位置決め部に非接触変位針を設け、こ
の非接触変位計によってウェハ表面複数個所の高さを求
め、このデータにより近似平面を算出し、との近似平面
と、あらかじめ求めたマスクパターン投影結像面とが一
致するように、制御回路によってウェハ搭載台の平行度
を調節し、さらにアライメント光学系によって、光学的
にマスクパターンの投影結像面とのズレ量を検出して、
制御回路にフィードバックして、誤差修正を行なうよう
にしたので、投影光学系くよって投影されたマスクパタ
ーンの投影結像面と、ウェハ表面とを直接的に一致させ
ることができ、解像度の廃い転写が可能となり、製品の
歩留りを向上させることができた０また、誤差修正動作
を定期的に行なうことにより、ウニノ・の表面調整時間
が短縮され、１つ誤差修正動作を定期的に行なうことに
より、マスクパターンの投影結像面とウェハ表面とを直
接的に一致させることができ、解像度の高い転写を高速
に処理することができるなど、製造面において本多大の
効果を有するものである０
第１図は、投影露光装置の概略説明用図、第２図は従来
のウニノ・表面位置決め部の断面図、第３図乃至第９図
は本願実施例であって、第３図はウェハ表面位置決め部
の断面図、第４図は第３図をたて断面して示した図、第
６図はウェハ表面の複数個所の高さを走査している状態
を平面図によって示しだ図、第６図はアライメント光学
系の光路図、第１図は焦点合わせに用いるパターンと検
出出力との関係を示す図、第８図はウェハ表面位置決め
部において、非接触変位計を多数設けた他の実施例を、
ま、た第９図は焦点合わせに用いるパターンを多数設け
、この多数のパターンと検出出力との関係を示す他の実
施例をそれぞれ示した図である。 ｌ・・・ウェス ２・・・マスク ）・・・投影光学
系８・・・アライメント光学系 ９・・・ウェハ表面位
置決め部 １３・・・ウェハ搭載台 ２１・・・非接触
変位計２０・・・積層型電歪素子 ２８・・・Ａ／、変
換器 ２９・・・コンピュータ ３ｏ・・・ルう変換器
３１・・・電歪素子ドライバ。 １人弁理士薄田利幸 第４図 −ｉ５ 口 オ Ｔ 図 （久） ｖ（ｂ） オ ８ 図 ２１ 牙 ブ 図 （αン
のウニノ・表面位置決め部の断面図、第３図乃至第９図
は本願実施例であって、第３図はウェハ表面位置決め部
の断面図、第４図は第３図をたて断面して示した図、第
６図はウェハ表面の複数個所の高さを走査している状態
を平面図によって示しだ図、第６図はアライメント光学
系の光路図、第１図は焦点合わせに用いるパターンと検
出出力との関係を示す図、第８図はウェハ表面位置決め
部において、非接触変位計を多数設けた他の実施例を、
ま、た第９図は焦点合わせに用いるパターンを多数設け
、この多数のパターンと検出出力との関係を示す他の実
施例をそれぞれ示した図である。 ｌ・・・ウェス ２・・・マスク ）・・・投影光学
系８・・・アライメント光学系 ９・・・ウェハ表面位
置決め部 １３・・・ウェハ搭載台 ２１・・・非接触
変位計２０・・・積層型電歪素子 ２８・・・Ａ／、変
換器 ２９・・・コンピュータ ３ｏ・・・ルう変換器
３１・・・電歪素子ドライバ。 １人弁理士薄田利幸 第４図 −ｉ５ 口 オ Ｔ 図 （久） ｖ（ｂ） オ ８ 図 ２１ 牙 ブ 図 （αン
Claims (1)
- テーブルの上に載置されたウェハを、ウェハ表面位置決
め部の下に位置させ、ウェハ表面の位置決めを行なった
後、走査テーブルによってウェハをアライメント光学系
のハーフミラ−下部に移行させ、投影光学系によって、
マスクのパターンをウェハ上に結像させ、アライメント
光学系によってウェハ上のパターンと投影結像されたマ
スクパターンとを合せて、投影転写する装置において、
上記テーブルを高さ方向および平行度を電気的に調整可
能にし、表面位置決め部に非接触変位計を設け、該非接
触変位計とテーブルの高さ方向および平行度を調整する
調整部とを、制御回路で連係し、一方前記アライメント
光学系を検出素子面上に像を結ぶ試料面の位置を光軸方
向Ｋ １１ ＰＪ可能なパターン検出光学系となし、骸
光学系によって検出され九像のコントラストより最適な
焦点合わせ状態を検出し、非接触変位針に入力し、ウニ
へ真面とウェハ表面に投影されたマスクパターン結像面
とを−ｔｃさせることを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005052A JPS58122541A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005052A JPS58122541A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122541A true JPS58122541A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11600625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57005052A Pending JPS58122541A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108913A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Canon Inc | 電歪素子制御装置 |
| JPS6321930U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 | ||
| JP2006345941A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | S T Chem Co Ltd | 防虫カバー |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP57005052A patent/JPS58122541A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108913A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Canon Inc | 電歪素子制御装置 |
| JPS6321930U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 | ||
| JP2006345941A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | S T Chem Co Ltd | 防虫カバー |
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