JPS58127329A - 半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法 - Google Patents
半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法Info
- Publication number
- JPS58127329A JPS58127329A JP57010373A JP1037382A JPS58127329A JP S58127329 A JPS58127329 A JP S58127329A JP 57010373 A JP57010373 A JP 57010373A JP 1037382 A JP1037382 A JP 1037382A JP S58127329 A JPS58127329 A JP S58127329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- film
- protection film
- window
- insulating protection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板上の８ｉ酸化換をドライエツチン
グ処理によって蝕刻する方法に関する。
グ処理によって蝕刻する方法に関する。
半導体集積回路の絶縁膜［１１：として、通常、Ｐ（リ
ン）拡散された８イ酸化１１（Ｐ８ＧＩりが広く使用さ
れている。この絶縁膜護膜（Ｐ８ＧＩ［）に窓をあけた
後、電極や配線材料としてムＡｌｌあるいは１１合金膜
を蒸着し、絶縁保諷膜下の各素子間の相互接続を行なっ
ている。ζこで、ムｊｌｌあるいは１１合金膜と、窓あ
けしたところの各素子との接合性が良い（電気的抵抗が
低い）ことが重要である。
ン）拡散された８イ酸化１１（Ｐ８ＧＩりが広く使用さ
れている。この絶縁膜護膜（Ｐ８ＧＩ［）に窓をあけた
後、電極や配線材料としてムＡｌｌあるいは１１合金膜
を蒸着し、絶縁保諷膜下の各素子間の相互接続を行なっ
ている。ζこで、ムｊｌｌあるいは１１合金膜と、窓あ
けしたところの各素子との接合性が良い（電気的抵抗が
低い）ことが重要である。
ところで、この絶縁ＩＩ（Ｐ８Ｇ膜）への窓あ妙は、非
常に微細な加工（２〜４μ愼０）が要求されるため、Ｃ
Ｘ７！！（フレオン）系統のガスグッズマなど応用し九
ド２イエッチング方法が用いられている。ドライエツチ
ング処理は、微細加工がで自るだけでなく、従来の水浴
ｉ１（例えば７ツ酸水嬉液）利用のエッチ処理に比べ、
廃液の必要性がなく、無公害化、あるい紘作業の自動化
が図れるなど多くの蛎点をもつ。
常に微細な加工（２〜４μ愼０）が要求されるため、Ｃ
Ｘ７！！（フレオン）系統のガスグッズマなど応用し九
ド２イエッチング方法が用いられている。ドライエツチ
ング処理は、微細加工がで自るだけでなく、従来の水浴
ｉ１（例えば７ツ酸水嬉液）利用のエッチ処理に比べ、
廃液の必要性がなく、無公害化、あるい紘作業の自動化
が図れるなど多くの蛎点をもつ。
しかしながら、絶縁保護膜の窓あけをドライエツチング
した場合、絶縁膜護膜を除去した愈の半導体基板上に、
反応ガス中の成分、あるいは反応生成物が付着した夛、
浅く拡散している。この現象は、工Ｍム分析など行なう
ことで、付着あるいは拡散された成分又は反応生成物を
明らかにできる。分析結果の１例を第１１１に示す。こ
れらの付着物あるいは拡散され九反応生成物があると、
窓あけしたところのムｊ膜と半導体基板との接合性〔電
気的抵抗）が悪いことが明らかＫされている。
した場合、絶縁膜護膜を除去した愈の半導体基板上に、
反応ガス中の成分、あるいは反応生成物が付着した夛、
浅く拡散している。この現象は、工Ｍム分析など行なう
ことで、付着あるいは拡散された成分又は反応生成物を
明らかにできる。分析結果の１例を第１１１に示す。こ
れらの付着物あるいは拡散され九反応生成物があると、
窓あけしたところのムｊ膜と半導体基板との接合性〔電
気的抵抗）が悪いことが明らかＫされている。
この接合性は、半導体装置そのものの東、不良を求める
］ｉ要な特性である。
］ｉ要な特性である。
こうした欠点を取ル除くえめに、絶縁膜（ＰａＧｍ）を
ドライエツチング処理で窓あけし先後、０、ガスプラズ
ヤ処理を施すことが、非常に有効である。０１プラズマ
Ｍ！ＩＫよシ、半導体基板上に付着したガス成分あるい
は反応生成物が、かなシ除去されることがｉａｇされた
。本発明は、このように絶縁膜護膜（ＰＨ３膜）をドラ
イエツチング処理にて窓あけし先後、Ωｇプラズマ処処
理施すことを特徴とした半導体基板の絶縁膜護膜の蝕刻
方法である。
ドライエツチング処理で窓あけし先後、０、ガスプラズ
ヤ処理を施すことが、非常に有効である。０１プラズマ
Ｍ！ＩＫよシ、半導体基板上に付着したガス成分あるい
は反応生成物が、かなシ除去されることがｉａｇされた
。本発明は、このように絶縁膜護膜（ＰＨ３膜）をドラ
イエツチング処理にて窓あけし先後、Ωｇプラズマ処処
理施すことを特徴とした半導体基板の絶縁膜護膜の蝕刻
方法である。
次に本発明の詳細な説明する。第２図には、絶縁保護膜
（ＰＨ３膜）をドライエツチング処理にて慾あけした直
後の半導体基板上の表面分析結果ｌと、その後０曹グツ
ズマ処理した半導体基板上の表面分析結果２を比較して
示している。第２図において示したように、Ｏｌプラズ
マ処理はＣ（炭素）、ＩＦ（７ツ素）＊ ’ ｇ（マブ
ネシウム）、ＮＧ（ナトリウム）などの除去に大変効果
的であることが理解できる。実際、このようＫしてＯｌ
プラズマ処理し九ものは、ムＡｍｌあるいはムｊ合金膜
と窓あけしたところの半導体基板への接合性が良い（電
気的抵抗が低い）ことが確認できた。
（ＰＨ３膜）をドライエツチング処理にて慾あけした直
後の半導体基板上の表面分析結果ｌと、その後０曹グツ
ズマ処理した半導体基板上の表面分析結果２を比較して
示している。第２図において示したように、Ｏｌプラズ
マ処理はＣ（炭素）、ＩＦ（７ツ素）＊ ’ ｇ（マブ
ネシウム）、ＮＧ（ナトリウム）などの除去に大変効果
的であることが理解できる。実際、このようＫしてＯｌ
プラズマ処理し九ものは、ムＡｍｌあるいはムｊ合金膜
と窓あけしたところの半導体基板への接合性が良い（電
気的抵抗が低い）ことが確認できた。
以上説明したように、本発明は半導体集積回路の絶縁膜
護膜として用いたＰ ８ ｅ！［ｔ−、ガスプラズマに
よりエツチング処理した後、０雪ガスプラズマを照射す
ることで、半導体基板上の汚染除去を効果的に、かつ簡
単に行なうものである。
護膜として用いたＰ ８ ｅ！［ｔ−、ガスプラズマに
よりエツチング処理した後、０雪ガスプラズマを照射す
ることで、半導体基板上の汚染除去を効果的に、かつ簡
単に行なうものである。
なお、絶縁膜Ｓ膜としてリンを拡散したＰＨ３膜につい
て説明したが、リン以外の元素を含んだ８４駿化膜ある
いは他に何も含まない８１酸化膜に′）いても適用でき
ることは云うまでもない。
て説明したが、リン以外の元素を含んだ８４駿化膜ある
いは他に何も含まない８１酸化膜に′）いても適用でき
ることは云うまでもない。
又、０１ガスプ２ズ！単体でなく、０雪ガスを含む何ら
かのガスプラズマを照射することＫよυ、汚染除去する
場合においても、本発明の１例と見なすことができる。
かのガスプラズマを照射することＫよυ、汚染除去する
場合においても、本発明の１例と見なすことができる。
第１図には、絶縁膜ｍ１ｌｌ（Ｐ！ｉＧ）をドライエツ
チング処理して窓あけし九直後の表面分析結果の１例を
示す図。第２図にはドライエツチング直後の表面分析結
果１．及びその後０１プラズマ処理した半導体基板上の
表面分析結果２を両者比較した図。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務
チング処理して窓あけし九直後の表面分析結果の１例を
示す図。第２図にはドライエツチング直後の表面分析結
果１．及びその後０１プラズマ処理した半導体基板上の
表面分析結果２を両者比較した図。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁膜としての８（酸化膜を形成する工程２、上記
Ｓイ酸化膜を覆うフォトレジストの塗布工程及び露光工
程 ３、上記半導体基板をグツズ！ガスによシトライエツチ
ングする工程 上記工程を含み、第３の工１の後、Ｏｌ又は０！を含む
混合ガスプラズマ照射による、半導体基板上の汚染除去
を特徴とする半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010373A JPS58127329A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010373A JPS58127329A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127329A true JPS58127329A (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=11748336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57010373A Pending JPS58127329A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127329A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127636A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-07 | Nec Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6197824A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置のコンタクトホ−ル形成方法 |
| JPS61240631A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPH02219231A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-08-31 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路内の移動性イオン汚染を低減するための方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687325A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-26 JP JP57010373A patent/JPS58127329A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687325A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127636A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-07 | Nec Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6197824A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置のコンタクトホ−ル形成方法 |
| JPS61240631A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPH02219231A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-08-31 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路内の移動性イオン汚染を低減するための方法 |
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