JPS58127984A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPS58127984A JPS58127984A JP1035682A JP1035682A JPS58127984A JP S58127984 A JPS58127984 A JP S58127984A JP 1035682 A JP1035682 A JP 1035682A JP 1035682 A JP1035682 A JP 1035682A JP S58127984 A JPS58127984 A JP S58127984A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶の電気光学効果を利用した液晶装置の改良
に関し、より詳細には液晶分子の持つ複屈折性、即ち液
晶分子の長軸方向とそれに直交する方向とで光の屈折率
が異なる特性を利用した液晶装置に関するものである。
に関し、より詳細には液晶分子の持つ複屈折性、即ち液
晶分子の長軸方向とそれに直交する方向とで光の屈折率
が異なる特性を利用した液晶装置に関するものである。
近時、液晶装置は液晶が示す電気光学効果を応用し、）
１１時針や１卓等の数字表示パネルの表示デバイスとし
て多用されるとともに表示デバイス以外の分野１例えは
写真機やプリンタ用元像走査装筺に使用される光シヤツ
ター等のオプトエレクトロニクスの分野にも応用展開が
図られている。
１１時針や１卓等の数字表示パネルの表示デバイスとし
て多用されるとともに表示デバイス以外の分野１例えは
写真機やプリンタ用元像走査装筺に使用される光シヤツ
ター等のオプトエレクトロニクスの分野にも応用展開が
図られている。
しかし乍ら、従来の液晶装置の電気光学効果を用いて、
例えば光シヤツター動作を行わせる場合。
例えば光シヤツター動作を行わせる場合。
光の通過の９Ｎ、ＯＦＦ状態を形成するための液晶の二
方向への配向か、一方は相対向する電極間に電界を印加
し、両電極間に介在する液晶分子の配列を強制的に変化
させているのに対し、他方は初期の液晶分子配列にもと
すく分子配向にのみ依存しているため、その応答速度か
数十〜数百ｍ５ｅｅと極めて遅く、かつ光の速断も完全
でないため党シャッターとしては側底実用に供しなかっ
た。
方向への配向か、一方は相対向する電極間に電界を印加
し、両電極間に介在する液晶分子の配列を強制的に変化
させているのに対し、他方は初期の液晶分子配列にもと
すく分子配向にのみ依存しているため、その応答速度か
数十〜数百ｍ５ｅｅと極めて遅く、かつ光の速断も完全
でないため党シャッターとしては側底実用に供しなかっ
た。
そこで、この従来の液晶装置の応答速度の欠点を改良す
るため液晶セルの相対向する電極の一方を櫛形とした３
電極構造のものかチャニンにより提案された。
るため液晶セルの相対向する電極の一方を櫛形とした３
電極構造のものかチャニンにより提案された。
この３電極構造の液晶セルを使用した液晶装置は液晶分
子の光学的異方性によるレターデーションを利用したも
ので、第１図（Ａｌ（Ｂｌに示すように偏光軸か互いに
直交する２枚の偏光板Ｐｏ、 ムｎ 間に液晶セルｌ
を、該液晶セル１の櫛形電極Ｌｏ％Ｌｆ１の長さ方向（
ｙ軸方向）が両偏光板Ｐｏ、 ムｎの偏光軸に対して４
５″の傾きをもつように配置された構造を有しており、
前記液晶セル１の対向する電極ＬＯとＬｌの間に電圧Ｖ
ｃを印加すると、液晶分子は垂直配向（第１図向の２軸
方向）シ、光はそのまま液晶セルを通過するため、光は
偏光軸が互いに直交する２枚の偏光板Ｐｏ、 Δｎに
より遮断さｔＩ、光の０１’ Ｆ状態となり、一方櫛形
電極り。
子の光学的異方性によるレターデーションを利用したも
ので、第１図（Ａｌ（Ｂｌに示すように偏光軸か互いに
直交する２枚の偏光板Ｐｏ、 ムｎ 間に液晶セルｌ
を、該液晶セル１の櫛形電極Ｌｏ％Ｌｆ１の長さ方向（
ｙ軸方向）が両偏光板Ｐｏ、 ムｎの偏光軸に対して４
５″の傾きをもつように配置された構造を有しており、
前記液晶セル１の対向する電極ＬＯとＬｌの間に電圧Ｖ
ｃを印加すると、液晶分子は垂直配向（第１図向の２軸
方向）シ、光はそのまま液晶セルを通過するため、光は
偏光軸が互いに直交する２枚の偏光板Ｐｏ、 Δｎに
より遮断さｔＩ、光の０１’ Ｆ状態となり、一方櫛形
電極り。
とＬｓの間に電圧Ｖｄを印加すると、 液晶分子は平行
配向（第１図（ＢＪ Ｘ軸方向）し、Ｘ軸方向に光軸を
持つ１軸性結晶と同じ光学的特性となって。
配向（第１図（ＢＪ Ｘ軸方向）し、Ｘ軸方向に光軸を
持つ１軸性結晶と同じ光学的特性となって。
光軸が２枚の偏光板と４５＠の傾きをもつものとなるた
め光は次式で示される強度で通過し、光の０へ状態とな
る。
め光は次式で示される強度で通過し、光の０へ状態とな
る。
１ ＝ １ｏ８ｉｎ２２４８ｉｎ８−
式中、ｌＯ：偏光板Ｐｏ、 ムｎを通過する際の損失
を差し引いた後の光の強さ φ ：入射光の偏光方向と液晶分子軸方向となす角 φ＝４５’ δ：液液晶セルフの常光線と異常光線 との位相差 かクシテ、光（Ｄ Ｕ Ｎ 、 ＬＪ Ｆ Ｆ 状１ｉ
カ１ｉａｔ圧Ｖｃ、 ｖａの印加切換えにより制御され
る。この３１ｉ極構造の液晶セルを使用した液晶装置は
光の通過のＯＮ、Ｏｋ’ ｋ’状態を形成するための液
晶配向かいずれも電圧Ｖｃ％ Ｖｄの印加による強制的
なものであるため、数ｍ５ｅｏという早い応答速度か得
られる。
を差し引いた後の光の強さ φ ：入射光の偏光方向と液晶分子軸方向となす角 φ＝４５’ δ：液液晶セルフの常光線と異常光線 との位相差 かクシテ、光（Ｄ Ｕ Ｎ 、 ＬＪ Ｆ Ｆ 状１ｉ
カ１ｉａｔ圧Ｖｃ、 ｖａの印加切換えにより制御され
る。この３１ｉ極構造の液晶セルを使用した液晶装置は
光の通過のＯＮ、Ｏｋ’ ｋ’状態を形成するための液
晶配向かいずれも電圧Ｖｃ％ Ｖｄの印加による強制的
なものであるため、数ｍ５ｅｏという早い応答速度か得
られる。
しかし乍ら、このチャニンの３電極構造の液晶セルを使
用した液晶装置は液晶セルの各電極ガ°す定の厚みを有
していることにより、液晶を配向させるための電界の印
加方向が該電極の上面部と匈１１部とで４２約９０’！
なった方向となる。従って、光の通過のｔ） ｋ’ Ｆ
状態を形成する場合、液晶は電極ＬＯの上面部では２軸
方向に配向するが、他方、１ＩｉｌｋＵ１１ｂではＸ軸
方向に配向し、Ｘ軸方向に光軸をもつｌ軸性結晶と同じ
光学的特性となって光細か２枚の偏光板と４５°の傾き
をもつものとなる。そのため電極のｌＩｉ面部のみは常
に前述の光のＯＮ状励を形成するときと同様の式で示さ
れる強度の光か通過し、光のＯＮ状態が形成されること
になり。
用した液晶装置は液晶セルの各電極ガ°す定の厚みを有
していることにより、液晶を配向させるための電界の印
加方向が該電極の上面部と匈１１部とで４２約９０’！
なった方向となる。従って、光の通過のｔ） ｋ’ Ｆ
状態を形成する場合、液晶は電極ＬＯの上面部では２軸
方向に配向するが、他方、１ＩｉｌｋＵ１１ｂではＸ軸
方向に配向し、Ｘ軸方向に光軸をもつｌ軸性結晶と同じ
光学的特性となって光細か２枚の偏光板と４５°の傾き
をもつものとなる。そのため電極のｌＩｉ面部のみは常
に前述の光のＯＮ状励を形成するときと同様の式で示さ
れる強度の光か通過し、光のＯＮ状態が形成されること
になり。
電極全体から見わば、完全な光の通過のｏＦＩＩ′状態
を形成することができないという欠点を有していた。
を形成することができないという欠点を有していた。
本発明は上記従来の欠点の解消のためになされたもので
、その目的は応答速度が早く、かつ完全な光の通過のＯ
ＦＦ状態が得られ、光の通過のＯＮ、Ｏｋ’に状態のコ
ントラスト比が極めて高い液晶装置を提供することにあ
る。
、その目的は応答速度が早く、かつ完全な光の通過のＯ
ＦＦ状態が得られ、光の通過のＯＮ、Ｏｋ’に状態のコ
ントラスト比が極めて高い液晶装置を提供することにあ
る。
本発明の液晶装置は偏光軸が互いに直交する２枚の偏光
板の間に、Ｓ形電極を有する透明基板と対向電極を有す
る透明基板とを両電極が相対向するように近接配置する
とともに、両透明基板間に液晶を封入した液晶セルを、
該櫛形電極か前記２板の偏光板のいずれか一方の偏光軸
と平行となるように配置したことを特徴とするものであ
る。
板の間に、Ｓ形電極を有する透明基板と対向電極を有す
る透明基板とを両電極が相対向するように近接配置する
とともに、両透明基板間に液晶を封入した液晶セルを、
該櫛形電極か前記２板の偏光板のいずれか一方の偏光軸
と平行となるように配置したことを特徴とするものであ
る。
以下１本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第２図（Δ１． （４３）は本発明の液晶装置の基本構
成を示し、ｌは液晶セル、 Ｆｏ％ ムｎは偏光板であ
る。
成を示し、ｌは液晶セル、 Ｆｏ％ ムｎは偏光板であ
る。
液晶セルｌは内面に櫛形の電極ＬＯ１Ｌ８を有する透明
基板２と内面に対向電極Ｌ１を有する透明基板３を１両
基板間に所定間隙を形成するようにスペーサ４を介して
近接配置し、該ｒｌ！ｊｓ内に正の誘電異方性を示す液
晶５を封入したものである。
基板２と内面に対向電極Ｌ１を有する透明基板３を１両
基板間に所定間隙を形成するようにスペーサ４を介して
近接配置し、該ｒｌ！ｊｓ内に正の誘電異方性を示す液
晶５を封入したものである。
前記透明基板２，３０円表面には液晶５０分子配向を容
易とする分子配向処理か施されている。
易とする分子配向処理か施されている。
前記櫛形電極１．ｏ、Ｌ２及び対向電極Ｌｌは酸化スズ
、酸化インジウム等の透明導電材料から成り。
、酸化インジウム等の透明導電材料から成り。
従来周知の薄膜手法及びエツチング加工法を採用するこ
とにより形成される。
とにより形成される。
前記櫛形電極は１１３図に示すように凹状の電極ＬＯに
凸状の電極Ｌ２を嵌入させた形状を有しており、凸状の
電極Ｌ２は共通電極として接地されており、凹状の電極
Ｌｃ＞は駆動電極あるいは接地電極としてスイッチ８の
切換えにより外部電源（不図示）に接続されるか、また
は接地端子に接続される。
凸状の電極Ｌ２を嵌入させた形状を有しており、凸状の
電極Ｌ２は共通電極として接地されており、凹状の電極
Ｌｃ＞は駆動電極あるいは接地電極としてスイッチ８の
切換えにより外部電源（不図示）に接続されるか、また
は接地端子に接続される。
また前記対向電極Ｌｔは制御電極として外部電源（不図
示）Ｋ接続されている。
示）Ｋ接続されている。
前記櫛形電極の凹状電極ＬＯはスイッチ８により接地端
子に接続された時、櫛形電極Ｌｏ％Ｌｉはすべて接地さ
れ、該横形電極Ｌｏ、Ｌｇと対向電極Ｌｌとの間で制御
電圧Ｗｅが印加される。 この制御電圧Ｗｅの印加によ
り液晶５は液晶セル１の基板２．３に対し垂直方向に強
制的に配向される。
子に接続された時、櫛形電極Ｌｏ％Ｌｉはすべて接地さ
れ、該横形電極Ｌｏ、Ｌｇと対向電極Ｌｌとの間で制御
電圧Ｗｅが印加される。 この制御電圧Ｗｅの印加によ
り液晶５は液晶セル１の基板２．３に対し垂直方向に強
制的に配向される。
また横形電極の凹状電極Ｌｏが態動電源に接続された時
、Ｉｓ形電極のＬｏとＬｍとの間で駆動電圧Ｖａが、ま
た対向電極Ｌ１と櫛形電極Ｌ３との間で制御電圧〜Ｃか
印加され、この駆動電圧Ｖｄ及び制御電圧Ｖｅの印加に
より、液晶５は両電圧の電界の合成による方向、すなわ
ち液晶セル１の基板２゜３に対し斜め方向に配向される
。
、Ｉｓ形電極のＬｏとＬｍとの間で駆動電圧Ｖａが、ま
た対向電極Ｌ１と櫛形電極Ｌ３との間で制御電圧〜Ｃか
印加され、この駆動電圧Ｖｄ及び制御電圧Ｖｅの印加に
より、液晶５は両電圧の電界の合成による方向、すなわ
ち液晶セル１の基板２゜３に対し斜め方向に配向される
。
尚、前記櫛形電極Ｌｏ、Ｌｍの歯数は第３図に示す３個
のものに特定されるものではなく、液晶セルｌの大きさ
に応じその歯数を任意に変更することが可能である。
のものに特定されるものではなく、液晶セルｌの大きさ
に応じその歯数を任意に変更することが可能である。
前記偏光＆ｒＯ及びムｎはそれぞれ液晶セルｌの前部及
び後部、すなわち光の入射側及び出射側に配置されてお
り、その偏光軸は互いに直交している。また、偏光板Ｐ
ａの偏光軸か液晶セルｌの櫛形電極に平行となっている
が、これに代えて偏光板ムｎをその偏光軸か液晶セル１
の櫛形電極番こ平行となるよう配置することもできる。
び後部、すなわち光の入射側及び出射側に配置されてお
り、その偏光軸は互いに直交している。また、偏光板Ｐ
ａの偏光軸か液晶セルｌの櫛形電極に平行となっている
が、これに代えて偏光板ムｎをその偏光軸か液晶セル１
の櫛形電極番こ平行となるよう配置することもできる。
かくして、本発明の液晶装置において偏光板Ｐａの前部
に光源としてタングステンを発光エレメントとする豆ラ
ンプ（不図示）を配置し、液晶セル１の対向１１極Ｌｓ
と櫛形電極ＬＯ１ｌｄ間に制御電圧ＶＣを印加した場合
、液晶５の分子は液晶セル１の基板に対し垂直方向（第
２図φ）Ｚ軸方向）に配向し、ｙ軸方向に偏光軸を有す
る偏光板ｋｌｓｃおいてｙ軸方向に偏光された光は液晶
５により吸収をうけることなくそのまま液晶セル１内を
通過する。この液晶セルｌを通過したｙ軸方向の光はＸ
軸方向に偏光軸を有する偏光板Δｎにより完全に吸収さ
れ、遮断されて光の通過の（Ｊ Ｆ ｋ’状状態形成さ
れる。
に光源としてタングステンを発光エレメントとする豆ラ
ンプ（不図示）を配置し、液晶セル１の対向１１極Ｌｓ
と櫛形電極ＬＯ１ｌｄ間に制御電圧ＶＣを印加した場合
、液晶５の分子は液晶セル１の基板に対し垂直方向（第
２図φ）Ｚ軸方向）に配向し、ｙ軸方向に偏光軸を有す
る偏光板ｋｌｓｃおいてｙ軸方向に偏光された光は液晶
５により吸収をうけることなくそのまま液晶セル１内を
通過する。この液晶セルｌを通過したｙ軸方向の光はＸ
軸方向に偏光軸を有する偏光板Δｎにより完全に吸収さ
れ、遮断されて光の通過の（Ｊ Ｆ ｋ’状状態形成さ
れる。
尚、この時、液晶セルｌの各電極が一定の厚みを有して
いることに起因して、電極側面部に位置する液晶がＸ軸
方向に配向されたとしても、その配向方向は偏光板Ｐｏ
の偏光軸（ｙ軸方向）と直交する方向であるため、偏光
板Ｐｏを通過したｙ軸方向の光は該電極側面部の液晶ｃ
Ｘ軸方向に配向した液晶）により完全に徴収され、液晶
セル１を通過することはない。従ってこの液晶装置は液
晶セルｌの電極側面部においても完全な光の通過のｔ）
ＦＦ状態が形成される。
いることに起因して、電極側面部に位置する液晶がＸ軸
方向に配向されたとしても、その配向方向は偏光板Ｐｏ
の偏光軸（ｙ軸方向）と直交する方向であるため、偏光
板Ｐｏを通過したｙ軸方向の光は該電極側面部の液晶ｃ
Ｘ軸方向に配向した液晶）により完全に徴収され、液晶
セル１を通過することはない。従ってこの液晶装置は液
晶セルｌの電極側面部においても完全な光の通過のｔ）
ＦＦ状態が形成される。
また液晶セル１の櫛形電極のＬｏとＬ２開に駆動電圧Ｖ
ｄを、対向電極Ｌ１と櫛形電極のＬＩ間に制御電圧〜Ｃ
を同特に印加した場合、液晶５の分子は液晶セルｌの基
板に対し斜め方向（第２図ＧＢ）の２軸とＸ軸の合成に
よる軸方向）に配向し、ｙ軸方向に偏光軸を有する偏光
板Ｆｏに詔いてｙ軸方向に偏光された光はその一部が液
晶５によりＸ軸方向に旋光され液晶セル１を通過する。
ｄを、対向電極Ｌ１と櫛形電極のＬＩ間に制御電圧〜Ｃ
を同特に印加した場合、液晶５の分子は液晶セルｌの基
板に対し斜め方向（第２図ＧＢ）の２軸とＸ軸の合成に
よる軸方向）に配向し、ｙ軸方向に偏光軸を有する偏光
板Ｆｏに詔いてｙ軸方向に偏光された光はその一部が液
晶５によりＸ軸方向に旋光され液晶セル１を通過する。
この液晶セルｌを通過したＸ軸方向に旋光された光はそ
のままＸ軸方向に偏光軸を有する偏光板ムｎを通過し、
光の通過のＯＮ状態か形成される。これにより光の通過
のＯＮ、ＣＵＦＦ状塾か状態される。
のままＸ軸方向に偏光軸を有する偏光板ムｎを通過し、
光の通過のＯＮ状態か形成される。これにより光の通過
のＯＮ、ＣＵＦＦ状塾か状態される。
次に本発明の作用効果を以下に示す実施例に基づき説明
する。
する。
下記の実施例においては液晶セル及び偏光板を第２図に
示すように配置するとともＣζ横形電極は第３図に示す
形状とした。そして光源としては１ｉｅ−Ｎｅレーザー
（λ＝６３２８Ｋ）を使用し、各液晶セルに駆動電圧Ｖ
ｄ、制御電圧Ｖｃをそれぞれ印加して液晶装置としての
応答速度（立上り時間及び立下り時間）及び光の通過の
０Δ、ＯＦＦ状態のコントラスト比を測定した。
示すように配置するとともＣζ横形電極は第３図に示す
形状とした。そして光源としては１ｉｅ−Ｎｅレーザー
（λ＝６３２８Ｋ）を使用し、各液晶セルに駆動電圧Ｖ
ｄ、制御電圧Ｖｃをそれぞれ印加して液晶装置としての
応答速度（立上り時間及び立下り時間）及び光の通過の
０Δ、ＯＦＦ状態のコントラスト比を測定した。
尚、応答速度としての立上り時間（Ｌｗｒｉｔｅ）、立
下り時間（１ｅｒａｓｅ ）及びコントラスト比は次式
により規定する。
下り時間（１ｅｒａｓｅ ）及びコントラスト比は次式
により規定する。
Ｌｙｒｉｃｓ ＝ ［ｄｅｌａｙ ＋［ｒｔｓａＴ＋ｅ
ｒａｓｅ ＝ ［ｄｅｃａｙ 式中、［ｄｅｌａｙ＝透過光強度の敞小値から透過光強
度の最 大儀の１０％になる までの立上り時間 Ｔ／ｒｉｓｅ＝透過光強度の最大値 の１０％から９０％ になるまでの時間 ’Ｃｄｅｅａｙ ＝透過光強度の最大値の９０％から１
０％ になるまでの時間 式中、 ｌ’ｍａｘ ：透過光強度の最大値’ｌ’ｍｉ
ｎ ：透過光強度の最小値 〔実施例１〕 液晶セル及び偏光板を下記のものより錆成し、制御電圧
（Ｖりとして３５Ｖ（ｒ＊ｍ、ｓ）％＆駆動電圧 Ｍ
）としてａｓＶ（ｒ、ｍ、ｓ）を印加し応答速度及びフ
ントラスト比を測定した。
ｒａｓｅ ＝ ［ｄｅｃａｙ 式中、［ｄｅｌａｙ＝透過光強度の敞小値から透過光強
度の最 大儀の１０％になる までの立上り時間 Ｔ／ｒｉｓｅ＝透過光強度の最大値 の１０％から９０％ になるまでの時間 ’Ｃｄｅｅａｙ ＝透過光強度の最大値の９０％から１
０％ になるまでの時間 式中、 ｌ’ｍａｘ ：透過光強度の最大値’ｌ’ｍｉ
ｎ ：透過光強度の最小値 〔実施例１〕 液晶セル及び偏光板を下記のものより錆成し、制御電圧
（Ｖりとして３５Ｖ（ｒ＊ｍ、ｓ）％＆駆動電圧 Ｍ
）としてａｓＶ（ｒ、ｍ、ｓ）を印加し応答速度及びフ
ントラスト比を測定した。
液晶セル
＆用Ｍ晶： Ｚ Ｌ Ｉ −１５５７（メルク社製）透
ＢＡ基板ニガラス基板 電極材料：酸化インジウム 透り基板間隙（液晶層厚）：１２ｓμｍ偏光板 ＢＮ−３８（ポラロイド社製） （測定結果） 応答速度 立上り時間（Ｔ／ｗｒｉｔｅ ） ＝ Ｑ、 ５ ｍ５
ｅ（１立下り時間（ＴＪｄｅｅａｙ） ＝０．６ ｍ５
６ｃコントラスト比 〔実施例２〕 実施例１の透明基板間隙（液晶層厚）を６．０μｍとし
た液晶セルを用い制御電圧（Ｖｃ ）とし゛て６０〜（
ｒ＊ｍ＊ｓ ）＆動電圧（Ｖｄ ）として６０Ｖ（ｒ。
ＢＡ基板ニガラス基板 電極材料：酸化インジウム 透り基板間隙（液晶層厚）：１２ｓμｍ偏光板 ＢＮ−３８（ポラロイド社製） （測定結果） 応答速度 立上り時間（Ｔ／ｗｒｉｔｅ ） ＝ Ｑ、 ５ ｍ５
ｅ（１立下り時間（ＴＪｄｅｅａｙ） ＝０．６ ｍ５
６ｃコントラスト比 〔実施例２〕 実施例１の透明基板間隙（液晶層厚）を６．０μｍとし
た液晶セルを用い制御電圧（Ｖｃ ）とし゛て６０〜（
ｒ＊ｍ＊ｓ ）＆動電圧（Ｖｄ ）として６０Ｖ（ｒ。
ｍ、ｓ）を印加し実施例１と同一方法で応答速度、及び
コントラスト比を測定した。
コントラスト比を測定した。
（測定結果）
応答速度
立上り時間（’（ｗｒｉｔｅ ） ＝ ０．２５ ｍ５
ｅｃ立下り時間（ｆｉｄｅｃａｙ ） ＝ ０．５ ｍ
！ｌｅｅコントラスト比 〔実施例３〕 実施例１ａＪ透明基板間隙（液晶層厚）を６．０μｍと
した液晶セルを用い、制御電圧（Ｖｃ ）として８Ｑ
Ｖ （ｒ、ｍ、Ｉ ）、駆動電圧（Ｖｄ ）として８０
Ｖ （ｒ、ｍ、ｓ ）を印加し、実施例１と同一方法で
応答速度及びコントラスト比を測定した。
ｅｃ立下り時間（ｆｉｄｅｃａｙ ） ＝ ０．５ ｍ
！ｌｅｅコントラスト比 〔実施例３〕 実施例１ａＪ透明基板間隙（液晶層厚）を６．０μｍと
した液晶セルを用い、制御電圧（Ｖｃ ）として８Ｑ
Ｖ （ｒ、ｍ、Ｉ ）、駆動電圧（Ｖｄ ）として８０
Ｖ （ｒ、ｍ、ｓ ）を印加し、実施例１と同一方法で
応答速度及びコントラスト比を測定した。
（測定結果）
応答速度
立上り時間（Ｚｗｒｉｔｅ ） ＝ ９．１５ ｍ５ｅ
ｃ立下り時間（Ｔ／ｄｅｏａｙ ） ＝ ０．２５ ｍ
５ｅｅコントラスト比 〔比較例〕 実施例１の液晶セル及び２枚の偏光板を第１図に示すよ
うに配置し、制御電圧（Ｖｃ ）として３５Ｖ （ｒ＊
’Ｕ−” ） 、駆動電圧（Ｖａ ）として３５ｖ（ｒ
、ｍ、ｓ）を印加し応答速度及びコントラスト比を測定
した。
ｃ立下り時間（Ｔ／ｄｅｏａｙ ） ＝ ０．２５ ｍ
５ｅｅコントラスト比 〔比較例〕 実施例１の液晶セル及び２枚の偏光板を第１図に示すよ
うに配置し、制御電圧（Ｖｃ ）として３５Ｖ （ｒ＊
’Ｕ−” ） 、駆動電圧（Ｖａ ）として３５ｖ（ｒ
、ｍ、ｓ）を印加し応答速度及びコントラスト比を測定
した。
（測定結果）
応答速度
立上り時間（Ｔ、ｗｒｉｔｅ ） ＝ １，５ ｒｎｓ
ｅｔ３立下り時間（’ｆ／ｄｅｃａｙ ） ＝ ９．３
５ ｍ５ｓｅコントレスト比 本発明の液晶装置によれば、上記実施例及び比較例の測
定結果からも判るように偏光軸が互いに直交する２枚の
偏光板の間に液晶セルを該液晶セルの櫛形電極が２枚の
偏光板のいずれか一方の偏光軸と平行となるように配置
したことにより、従来の液晶装置に比し、光の通過のＯ
ＮＮ状上ＯＦｋ゛状態とのコントラスト比が飛躍的に改
良され、かつ応答速度も極めて早く、特に立下り時間か
改良された液晶装置′が得られる。
ｅｔ３立下り時間（’ｆ／ｄｅｃａｙ ） ＝ ９．３
５ ｍ５ｓｅコントレスト比 本発明の液晶装置によれば、上記実施例及び比較例の測
定結果からも判るように偏光軸が互いに直交する２枚の
偏光板の間に液晶セルを該液晶セルの櫛形電極が２枚の
偏光板のいずれか一方の偏光軸と平行となるように配置
したことにより、従来の液晶装置に比し、光の通過のＯ
ＮＮ状上ＯＦｋ゛状態とのコントラスト比が飛躍的に改
良され、かつ応答速度も極めて早く、特に立下り時間か
改良された液晶装置′が得られる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれは種々の変艷
は可能である。
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれは種々の変艷
は可能である。
第１図停止（Ｂｌは従来の液晶装置の構造を説明するた
めの図、第２図ＧＡＩ（Ｂ）は本発明の液晶装置の構造
を説明するための図％ｊＩ３図は櫛形電極の一例を示す
平面図である。 １：液晶セル ２，３：透明基板 ５：液晶 ＬＯ１Ｌ８：櫛形電極 Ｌｌ：対向電極Ｐｏ、 Δ
ｎ：偏光板 特許８１人 京都セラミック株式会社 代表者 Ｓ 盛 和 矢 筒 村 孝 夫 特開昭５８−１２７９８４ （５）
めの図、第２図ＧＡＩ（Ｂ）は本発明の液晶装置の構造
を説明するための図％ｊＩ３図は櫛形電極の一例を示す
平面図である。 １：液晶セル ２，３：透明基板 ５：液晶 ＬＯ１Ｌ８：櫛形電極 Ｌｌ：対向電極Ｐｏ、 Δ
ｎ：偏光板 特許８１人 京都セラミック株式会社 代表者 Ｓ 盛 和 矢 筒 村 孝 夫 特開昭５８−１２７９８４ （５）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 偏光軸が互いに直交する２枚の偏光板の間に。 櫛形電極を有する透明基板と対向電極を有する透明基板
とを両電極が相対向するように近接配置するとともに１
両透明基板間に液晶を封入した液晶セルを、該横形電極
が前記２枚の偏光板のいずれか一方の偏光軸と平行とな
るように配置したことを特徴とする液晶装置
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035682A JPS58127984A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 液晶装置 |
| US06/455,932 US4585311A (en) | 1982-01-25 | 1983-01-06 | Liquid crystal device having interdigitated electrodes |
| DE3302332A DE3302332A1 (de) | 1982-01-25 | 1983-01-25 | Fluessigkristallvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035682A JPS58127984A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127984A true JPS58127984A (ja) | 1983-07-30 |
Family
ID=11747892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035682A Pending JPS58127984A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127984A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107513A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 距離検出装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917697A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
| JPS5075060A (ja) * | 1973-11-02 | 1975-06-20 | ||
| JPS5075448A (ja) * | 1973-11-05 | 1975-06-20 |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP1035682A patent/JPS58127984A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917697A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
| JPS5075060A (ja) * | 1973-11-02 | 1975-06-20 | ||
| JPS5075448A (ja) * | 1973-11-05 | 1975-06-20 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107513A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 距離検出装置 |
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