JPS58128146A - 吸収処理剤 - Google Patents
吸収処理剤Info
- Publication number
- JPS58128146A JPS58128146A JP57011205A JP1120582A JPS58128146A JP S58128146 A JPS58128146 A JP S58128146A JP 57011205 A JP57011205 A JP 57011205A JP 1120582 A JP1120582 A JP 1120582A JP S58128146 A JPS58128146 A JP S58128146A
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- Japan
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- volatile
- silane
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- silicate
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシラン、ジポラ/、セレン化水素等の揮発性無
機水素化物、およびジクロルシラン、トリクロルシラン
等の揮発性無機ハロゲン化物O1k収処理剤に関する。
機水素化物、およびジクロルシラン、トリクロルシラン
等の揮発性無機ハロゲン化物O1k収処理剤に関する。
例えば半導体工業におけるIO,18Iの製造1御で鉱
気相成長用、エツチング用、ドービンダ用あゐいは拡散
用として揮発性無機水素化物シよび揮発性無機ハロゲン
化物がガス状又は液状で使用されている。ところでこれ
らは、いずれも強い毒性をもっておシ、例えばシラ/は
空気中に微量漏れても空気中の酸素と激しく反応して燃
焼すゐ性質が6〕、またジボラン、セレン化水素、ゲル
マンは強い毒性のあることはよく知られている。
気相成長用、エツチング用、ドービンダ用あゐいは拡散
用として揮発性無機水素化物シよび揮発性無機ハロゲン
化物がガス状又は液状で使用されている。ところでこれ
らは、いずれも強い毒性をもっておシ、例えばシラ/は
空気中に微量漏れても空気中の酸素と激しく反応して燃
焼すゐ性質が6〕、またジボラン、セレン化水素、ゲル
マンは強い毒性のあることはよく知られている。
従ってその取扱いには細心の注意を要するが、例えば前
記し九半導体製造工程においては、廃ガス中にこれら有
害成分が含まれている丸め安全に処理することが要求さ
れている。このため、従来よプこれら有害成分の除去処
理方法として種々提案されているが、一般には有害成分
を苛性ソーダ(Na(JH)水溶液に吸収させる方法に
よってお9、有害成分を含む廃ガスを苛性ソーダ水溶液
と向流接触させて有害成分を苛性ソーダ水溶液に吸収除
去する湿式吸収法で処理しているのが普通である。
記し九半導体製造工程においては、廃ガス中にこれら有
害成分が含まれている丸め安全に処理することが要求さ
れている。このため、従来よプこれら有害成分の除去処
理方法として種々提案されているが、一般には有害成分
を苛性ソーダ(Na(JH)水溶液に吸収させる方法に
よってお9、有害成分を含む廃ガスを苛性ソーダ水溶液
と向流接触させて有害成分を苛性ソーダ水溶液に吸収除
去する湿式吸収法で処理しているのが普通である。
この方法によると安価な苛性ソーダで処理できる利点線
あるが、ガスの種類によって線充分な吸収除去効畢を得
る丸めに装置が大型化した9、大量の苛性ソーダ水溶液
が必要になる不都合があった。
あるが、ガスの種類によって線充分な吸収除去効畢を得
る丸めに装置が大型化した9、大量の苛性ソーダ水溶液
が必要になる不都合があった。
また有害成分吸収後の廃液がアルカリ性水溶液であるた
め取扱いに不便なほか、廃秦処塩に困難で6つたプ、ま
九七の運搬輸送費が高くなる等の欠点があり、処理量が
増大する程前記欠点が大きくなってくる。
め取扱いに不便なほか、廃秦処塩に困難で6つたプ、ま
九七の運搬輸送費が高くなる等の欠点があり、処理量が
増大する程前記欠点が大きくなってくる。
本発明者等は上記事情に鑑み主として半導体製造1穆よ
りの廃ガス中の有害成分を効率よく除去することを目的
として種々考究し九結果、多孔性の無機ケイ酸塩を主成
分とすゐlj1m担体にアルカリ水溶液等を含浸させた
固型処理剤によゐと前記従来方法にない吸収効率の得ら
れることを見出し友。即ち本発明紘このような知見に基
づいてシッン、ジボツン、セレン化水素、ゲルマン等の
IR発性無機水素化物およびジクロルシラン、トリク■
ルシラン等の揮発性無機ハロゲン化物を1種以上含む廃
ガスを安全にかつ効率良く処理できる乾式吸収法による
固型処理剤に関し、第1の発明は多孔性の無機ケイ酸塩
を主成分とする固瀘担体にアルカリ水溶液を含浸、また
第2の発明は更にその上に過マンガン酸カリウム等の酸
化剤を含浸させることを特徴とするガス処理剤である。
りの廃ガス中の有害成分を効率よく除去することを目的
として種々考究し九結果、多孔性の無機ケイ酸塩を主成
分とすゐlj1m担体にアルカリ水溶液等を含浸させた
固型処理剤によゐと前記従来方法にない吸収効率の得ら
れることを見出し友。即ち本発明紘このような知見に基
づいてシッン、ジボツン、セレン化水素、ゲルマン等の
IR発性無機水素化物およびジクロルシラン、トリク■
ルシラン等の揮発性無機ハロゲン化物を1種以上含む廃
ガスを安全にかつ効率良く処理できる乾式吸収法による
固型処理剤に関し、第1の発明は多孔性の無機ケイ酸塩
を主成分とする固瀘担体にアルカリ水溶液を含浸、また
第2の発明は更にその上に過マンガン酸カリウム等の酸
化剤を含浸させることを特徴とするガス処理剤である。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明の構成の一つである固型担体としてはケイソウ土
、ケイ酸カルシウム、ベントナイト、鹿沼土等が使用で
きるが、種々実験を行なった結果ケイソウ土が最適であ
った。
、ケイ酸カルシウム、ベントナイト、鹿沼土等が使用で
きるが、種々実験を行なった結果ケイソウ土が最適であ
った。
次にアルカリ水溶液としては苛性ソーダ(NaOH)、
苛性カリ(KUH)、水酸化カルシウム(Oa ((J
H)m)等あるが経済的な点で苛性ソーダが好ましい。
苛性カリ(KUH)、水酸化カルシウム(Oa ((J
H)m)等あるが経済的な点で苛性ソーダが好ましい。
以上の点から、以下固型担体としてケイソウ土を、また
アルカリ水溶液として苛性ソーダ溶液を選定してシラン
を除去処理する場合について説明する。
アルカリ水溶液として苛性ソーダ溶液を選定してシラン
を除去処理する場合について説明する。
苛性ソーダ溶液の濃度は低過ぎるとシランと反応せず、
また高過ぎるとケイソウ土が溶解され、溶は良状態で紘
実際の使用にあ九〕扱いにくいので5〜50%(重量比
)としえ。
また高過ぎるとケイソウ土が溶解され、溶は良状態で紘
実際の使用にあ九〕扱いにくいので5〜50%(重量比
)としえ。
次にケイソウ土と苛性ソーダ溶液の混合重量比について
唸シランとの反応性を実験した結果、ケイソウ±IK対
し苛性ソーダ溶液を0.2〜2倍(重量比)とすると良
いことが確認された。このようにして製造した固臘処理
剤唸シッンのtlかジボツン、セレン化水素を吸収する
能力を有している。
唸シランとの反応性を実験した結果、ケイソウ±IK対
し苛性ソーダ溶液を0.2〜2倍(重量比)とすると良
いことが確認された。このようにして製造した固臘処理
剤唸シッンのtlかジボツン、セレン化水素を吸収する
能力を有している。
以下実施例1によって説明する。
〔実施例1〕
ケイソウ±100gに104苛性ソーダ水溶液150g
を含浸させたものを内・径2 cm 、高さ5゜個の筒
に100g充てんし濃度10.5%のシラン濃度を測定
するとsppm以下となつ九。を九、出口濃度がsoo
ppmに達し九時を本処理剤の破過点として本発明処理
剤1−尚シのシラン吸収量を計算すると約26 ML/
11fで6つ九。
を含浸させたものを内・径2 cm 、高さ5゜個の筒
に100g充てんし濃度10.5%のシラン濃度を測定
するとsppm以下となつ九。を九、出口濃度がsoo
ppmに達し九時を本処理剤の破過点として本発明処理
剤1−尚シのシラン吸収量を計算すると約26 ML/
11fで6つ九。
以上の実施例を前記した従来の温式吸収法と比較すると
従来法ではシランと苛性ソーダとの反応比が通常シラン
:苛性ソーダ=1:1〜2であるのに対し、本処理剤の
場合にはシラン:苛性ソーダ=l:1〜1.6となり、
吸収除去効率が高く苛性ソーダの有効利用という点でも
、本処理剤#i湿式吸収法より優れている。一般に、湿
式吸収法でもシラ/と苛性ソーダとの接触条件を最適に
することによシ高い苛性ソーダの有効利用を実現できる
が、そのためには装置が繁雑、高価になった〕運転管理
が繁雑になる等の問題点を伴なうが本処理剤の場合に嬬
何ら条件を整えずとも最大の苛性ソーダ有効利用がなさ
れる。
従来法ではシランと苛性ソーダとの反応比が通常シラン
:苛性ソーダ=1:1〜2であるのに対し、本処理剤の
場合にはシラン:苛性ソーダ=l:1〜1.6となり、
吸収除去効率が高く苛性ソーダの有効利用という点でも
、本処理剤#i湿式吸収法より優れている。一般に、湿
式吸収法でもシラ/と苛性ソーダとの接触条件を最適に
することによシ高い苛性ソーダの有効利用を実現できる
が、そのためには装置が繁雑、高価になった〕運転管理
が繁雑になる等の問題点を伴なうが本処理剤の場合に嬬
何ら条件を整えずとも最大の苛性ソーダ有効利用がなさ
れる。
次に以上述べた本処理剤に更に酸化剤の水溶液を含浸さ
せるとよシ一層顕著な効果の得られることを実験的に確
認することができた。以下これについて説明する。
せるとよシ一層顕著な効果の得られることを実験的に確
認することができた。以下これについて説明する。
酸化剤としては任意で東いが、望ましくは通常で有色で
あシ、反応すると変色するtのが便利である。この酸化
剤水溶液を含浸させ*4の紘前記処理剤と同じようにシ
ラン、ジボラン、セレン化水素を吸収できるほかゲルマ
ンをも吸収できる1更にジボラン、セレン化水素の吸収
に顕著な効果がある。以下酸化剤として過マンガン酸カ
リウムを選定した場合につき実施例2によって説明する
。
あシ、反応すると変色するtのが便利である。この酸化
剤水溶液を含浸させ*4の紘前記処理剤と同じようにシ
ラン、ジボラン、セレン化水素を吸収できるほかゲルマ
ンをも吸収できる1更にジボラン、セレン化水素の吸収
に顕著な効果がある。以下酸化剤として過マンガン酸カ
リウムを選定した場合につき実施例2によって説明する
。
〔実施例2〕
下記(イ)、 (+:0の処理剤を内径2 cm 、高
さ50cIIiの筒に100g充てんし、次のケース1
.ケース2゜ケース3で実施し九。
さ50cIIiの筒に100g充てんし、次のケース1
.ケース2゜ケース3で実施し九。
ケース1ニジラン10.5Lsを含む窒素ガスを流す。
ケ−x2 ニジ?y10.5%、 ジボラy5%を含む
窒素ガスを流す。
窒素ガスを流す。
ケース3ニゲルマン5%を含む窒素ガスを流す。
げ)処理剤:ケイソウ±100gに10%苛性ソーダ溶
液150gを含浸させ丸もの (ロ)処理剤:ケイソウ±100gに5gの過マンガン
酸カリウムを溶かし7’hl(l苛性ソーダ溶液150
gを含浸させた もの 上記実施条件においてそれぞれのケースのガスを10
Go(1/!1ain fiシ、60分以内の排出ガス
中のシラン。ジボランおよびゲルマンの濃度を測定し九
処、区表の如き結果が得られ九。
液150gを含浸させ丸もの (ロ)処理剤:ケイソウ±100gに5gの過マンガン
酸カリウムを溶かし7’hl(l苛性ソーダ溶液150
gを含浸させた もの 上記実施条件においてそれぞれのケースのガスを10
Go(1/!1ain fiシ、60分以内の排出ガス
中のシラン。ジボランおよびゲルマンの濃度を測定し九
処、区表の如き結果が得られ九。
本実施例で明らかな過多処理剤(ロ)によって処通する
と、ジボツン、ゲルマンの除去に特に効果を示すことが
分かる。を九以上の吸収効果の他、過マンガン酸カリは
苛性ソーダのような塩基性中で酸化力が強くなシ好都合
になるほか酸化力の低下に従って紫色から順次緑色、茶
かつ色、白色と変化するので、処理剤の破過が外見から
一目で分るという効果がある。
と、ジボツン、ゲルマンの除去に特に効果を示すことが
分かる。を九以上の吸収効果の他、過マンガン酸カリは
苛性ソーダのような塩基性中で酸化力が強くなシ好都合
になるほか酸化力の低下に従って紫色から順次緑色、茶
かつ色、白色と変化するので、処理剤の破過が外見から
一目で分るという効果がある。
以上述べ走通p本発明はきわめて簡単な構成によって、
シラン、ジボラン、セレン化水素、ゲルマン等の揮発性
無機水素化物および揮発性無機ハロゲン化物を乾式吸収
法によって効率よく処理できる処理剤に係るもので69
、その実施効果が大きいものである。特に半導体製造工
程の廃ガスを処理する場合、従来はアルシン、ホスフィ
ンを乾式で、シラン、ジボランを湿式で処理せざるを得
なかったが、本発明の提供によシ処理系を乾式で統一で
きるので装置の簡略化、小皺化をもたらすばかりか作業
の省力化も期待できる。
シラン、ジボラン、セレン化水素、ゲルマン等の揮発性
無機水素化物および揮発性無機ハロゲン化物を乾式吸収
法によって効率よく処理できる処理剤に係るもので69
、その実施効果が大きいものである。特に半導体製造工
程の廃ガスを処理する場合、従来はアルシン、ホスフィ
ンを乾式で、シラン、ジボランを湿式で処理せざるを得
なかったが、本発明の提供によシ処理系を乾式で統一で
きるので装置の簡略化、小皺化をもたらすばかりか作業
の省力化も期待できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 多孔性の無機ケイ酸塩を主成分とする固型担体に
アルカリ水溶液を含浸させて表ることを特徴とする揮発
性無機水素化物および揮発性無機710ゲン化物の吸収
処理剤。 2 多孔性の無機ケイ酸塩を主成分とするmm担体にア
ルカリ水溶液と共に酸化剤水溶液な含浸させてなること
を特徴とする揮発性無機水素化物および揮発性無機ハロ
ゲン化物の吸収処理剤。 龜 多孔性の無機ケイ酸塩を主成分とする固型担体がケ
イソウ出であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の吸収処理剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57011205A JPS58128146A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 吸収処理剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57011205A JPS58128146A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 吸収処理剤 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293194A Division JPS63156537A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 揮発性無機水素化物および揮発性無機ハロゲン化物の吸収処理剤並びにその吸収処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128146A true JPS58128146A (ja) | 1983-07-30 |
| JPH0257974B2 JPH0257974B2 (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=11771510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57011205A Granted JPS58128146A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 吸収処理剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128146A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125233A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 排ガスの高度処理方法 |
| US4535072A (en) * | 1982-09-14 | 1985-08-13 | Nihon Sanso Kabushiki Kaisha | Absorbent for treating gases containing the materials used for semiconductor products and process of treating such gases with the same |
| JPS60175522A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-09 | World Giken:Kk | 半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物 |
| JPS60187335A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Nippon Sanso Kk | 粒状吸収処理剤 |
| JPS6190726A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-08 | Nippon Paionikusu Kk | 除去剤 |
| JPS61129026A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-17 | Nippon Paionikusu Kk | 排ガスの浄化方法 |
| JPS6372338A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-02 | Sadaka Sonobe | 有害ガス吸着剤 |
| JPS63156537A (ja) * | 1987-11-20 | 1988-06-29 | Nippon Sanso Kk | 揮発性無機水素化物および揮発性無機ハロゲン化物の吸収処理剤並びにその吸収処理方法 |
| JPS63214321A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-07 | Koujiyundo Silicon Kk | 珪素化合物を含むガスの処理方法 |
| DE4243389A1 (de) * | 1992-12-21 | 1994-06-23 | Sued Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Sorptionsmitteln zur Aufnahme von Flüssigkeiten |
| WO1998013138A1 (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-02 | W.R. Grace & Co.-Conn | Adsorbent compositions for odor removal |
| EP1087906A4 (en) * | 1998-04-09 | 2005-11-09 | Uhp Materials Inc | PREPARATION AND PURIFICATION OF DIBORANESE |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5067784A (ja) * | 1973-10-23 | 1975-06-06 |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP57011205A patent/JPS58128146A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5067784A (ja) * | 1973-10-23 | 1975-06-06 |
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| US4784837A (en) * | 1982-09-14 | 1988-11-15 | Nihon Sanso Kabushiki Kaisha | Absorbent for treating gases containing the materials used for semiconductor products and process of treating such gases with the same |
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| JPS63214321A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-07 | Koujiyundo Silicon Kk | 珪素化合物を含むガスの処理方法 |
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| KR100731836B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2007-06-25 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 디보란의 제조 및 정제 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0257974B2 (ja) | 1990-12-06 |
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