JPS58129634U - 半導体結晶の製造用アンプル - Google Patents
半導体結晶の製造用アンプルInfo
- Publication number
- JPS58129634U JPS58129634U JP2710282U JP2710282U JPS58129634U JP S58129634 U JPS58129634 U JP S58129634U JP 2710282 U JP2710282 U JP 2710282U JP 2710282 U JP2710282 U JP 2710282U JP S58129634 U JPS58129634 U JP S58129634U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ampoule
- manufacturing semiconductor
- semiconductor crystals
- semiconductor crystal
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のアンプルを示す図、第２図は該アンプル
を攪拌する装置の図、第３図より第５図までは本考案の
アンプルの第１の実施例を示す図、第６図は本考案のア
ンプルの第２の実施例を示す図である。 図において、１，１１．３１はアンプル、２は反応管、
３はヒーター、４はカム、３２は径、３２Ａ、３２Ｂは
端部、３３は突起、Ａは絞った箇所、Ｄ、 Ｆ、 Ｇ、
Ｈは円周、Ｋ、 Ｌ、 Ｍ、 Ｎ。 ０、 Ｐ、 Ｑ、 Ｒ，Ｓ、 Ｔは突起を示す。
を攪拌する装置の図、第３図より第５図までは本考案の
アンプルの第１の実施例を示す図、第６図は本考案のア
ンプルの第２の実施例を示す図である。 図において、１，１１．３１はアンプル、２は反応管、
３はヒーター、４はカム、３２は径、３２Ａ、３２Ｂは
端部、３３は突起、Ａは絞った箇所、Ｄ、 Ｆ、 Ｇ、
Ｈは円周、Ｋ、 Ｌ、 Ｍ、 Ｎ。 ０、 Ｐ、 Ｑ、 Ｒ，Ｓ、 Ｔは突起を示す。
Claims (1)
- （１）少なくとも二種以上の半導体結晶形成用材料を収
容し、該材料を加熱溶融するアンプルの内壁面に螺旋状
の突起を設けたことを特徴とする半導体結晶の製造用ア
ンプル。 ゛ “（２）前記螺旋状の突起が連続した凸形パターンで形
成されていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第（１）項に記載の半導体結晶の製造用アンプル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2710282U JPS58129634U (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体結晶の製造用アンプル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2710282U JPS58129634U (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体結晶の製造用アンプル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58129634U true JPS58129634U (ja) | 1983-09-02 |
Family
ID=30039021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2710282U Pending JPS58129634U (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体結晶の製造用アンプル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58129634U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62292690A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-19 | Katsumi Mochizuki | ２−６族化合物単結晶成長用ボ−ト |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP2710282U patent/JPS58129634U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62292690A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-19 | Katsumi Mochizuki | ２−６族化合物単結晶成長用ボ−ト |
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