JPS5813021A - 高速スイッチ回路 - Google Patents

高速スイッチ回路

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Publication number
JPS5813021A
JPS5813021A JP56110668A JP11066881A JPS5813021A JP S5813021 A JPS5813021 A JP S5813021A JP 56110668 A JP56110668 A JP 56110668A JP 11066881 A JP11066881 A JP 11066881A JP S5813021 A JPS5813021 A JP S5813021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
load
transformer
switch circuit
control circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56110668A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsumasa Hosono
細野 睦正
Mutsuhiro Matsuda
松田 睦宏
Yasuhisa Nagai
永井 康久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technical Research and Development Institute of Japan Defence Agency
Original Assignee
Technical Research and Development Institute of Japan Defence Agency
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technical Research and Development Institute of Japan Defence Agency filed Critical Technical Research and Development Institute of Japan Defence Agency
Priority to JP56110668A priority Critical patent/JPS5813021A/ja
Publication of JPS5813021A publication Critical patent/JPS5813021A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は直流的な絶縁が必要でか つ、゛負荷の電圧を高速に切替えるスイッチ回路に関す
るものである。
直流的な絶縁を必要とするスイッチ 回路として、従来第1図に示すものが あった。図において+11は電源、12)は保護抵抗、
(8)はバイポーラ型のトランジスタ、(4)は負荷、
(5)はベース制限抵抗、(6)は整流回路であり以上
によってスイッチ回路部分を構成する。(71はトラン
ス、(8)は制御回路である。制御回路(81とスイッ
チ回路部分はトランス17)で直流的な絶縁がなされて
いる。
次に動作について説明する。トラン ジスタ(8)がオフのときは電源(1)の出力電圧がほ
とんど負荷(4)に印加されている。次に入力信号が制
御回路(8)に入ると、M1m回路(8)はDQ/DC
コンバータと同じ方式でトランス(7)に交互の電流が
流れるように発振を行う。この時、ト ランス(7)の2次側には第2図で示されるような電流
が流れる。これを整流回 路(6)に通すことにより第3図のような電流がトラン
ジスタ(3)のベース電流として流れる。このベース電
流によって トランジスタ181が導通して負荷(4)の両端が短絡
され負荷電圧は零となる。
入力信号がオフとなると制御回路(8)の発振が停止し
て、ペース電流が流れ なくなるのでトランジスタ(8)は再び非導通となる。
以上のようにして制御回 路(8)によって負荷電圧を制御する。ここで制御回路
(8)とスイッチ回路部分はトランス(7)によって直
流的な絶縁がなされている。
従来のスイッチ回路は以上のように 構成されているので、スイッチ時間は トランジスタ13)の性能に影響を受けもところがトラ
ンジスタ(3)は耐電圧が高くなると、スイッチスピー
ドが違くな る傾向がある。したがって電源(1:の電圧によってス
イッチ速度が制限される という欠点があった。例えば、耐電圧 s’oovのとき、一般的なスイッチングスピードはl
ll5が限度である。
この′発明は上記のような従来のもの の欠点を改良するためになされたもの であり、バイポーラ型のトランジスタ に立上りの速いトランジスタを並列に 接続して、パルストランスを介して立 上りの速いトランジスタに駆動信号を 与えゝ、信号の立上り部分をこのトランジスタで補い、
負荷に印加する電圧を 変速で切替えると共に直流的な絶縁も 可能なスイッチ回路を提供することを 目的としている。
以下、この発明の一実施例を図にっ て説明する。、第4図において、第1図と同一符号を付
したものは同−又は相 当品を示す。また、(18)は制御回路1、αつは立上
りの速いトランジスタ(以下ト   1.マランジスタ
という。)、(4)は抵抗1. (21)はパルストラ
ンスである。
次に動作を説明する。制御回路(18)からの信号はト
ランス(7)を経てバイポーラ型のトランジスタ(3)
へ供給されると共に、パルストランス(21)を経て前
記バイポーラ型トランジスタ(8)と並列に接続されて
いる。トランジスタ(19)へ供給されそれぞれを制御
して変速スイッチ ングを行う。このような構成のスイッ チ回路によるとトランジスタ(81のオン時間の連れを
トランジスタ(19)により次のようにして補うことが
できる。まず 、トランジスタ(81とトランジスタで19)がオフの
状態にあると1、電源11+の電圧はほとんど負荷(4
)に印加されている。次に入力信号が制御回路(18)
に入るとパルストランス(21)を経てトランジスタ(
19)を導通させる方向に一定パルス幅のゲー ト電圧が印加されmeそれと同時にト ランジスタ131にもトランス(71と整流回路(6)
を通して第3図に示すような駆動べ一電流が流れる。
このようにすると負荷(引は、まず最 初にスイッチ時間の短いトランジスタ (19)により高速に短絡される。そして、このトラン
ジスタα9)が非導通となる頃にはトランジスタ(8)
が導通状態となっているので負荷(41の短絡状態が維
持される。その後は電源電圧と保護抵抗値 及び、トランジスタ(8)の直流増幅率で決まる小さな
ペース電流を与えることに より、任意の時間だけ負荷(4:の短絡状態を保つこと
ができる。
このときの各部の波形を示したもの が第6図である。同図で(a)は制御回路α8)からの
入力信号である。(b)はトランジスタ(8)のみを動
作させたときの出力波形、(C)はパルストランス(2
1)を介してトランジスタ(19)のゲートに印加され
る電圧波形、(d)はトランジスタ(19)のみを動作
させたときの出力波形、である。
そして、ここでトランジスタ(19)の駆動パルス幅を
トランジスタ(31のスイッチ内聞よりも長くしておく
と、第6図 eのような立上りの速い出力波形が得 られる。なお、ここでVは最初負荷に 印加されていた電圧である。。
以上の考え方に基づいて構成したス イッチ回路によれば電圧to ovでa/μS程度の速
さで負荷の電圧を切替え ることができる。
なお、上記実施例では従来のスイッ チ素子としてトランジスタを用いた例 を示したが、真空管式スイッチヤリレ イ等を用いた場合でも上記実施例と同 様の効果を毒する。
以上のように、この発明によればバ イポーラ型トランジスタと立上りの速 いトランジスタを並列に接続して、そ れぞれをトランスを介して駆動するよ うにしているので、DC的絶縁が行え て、しかも高速に電圧を切替えること ができる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のスイッチ回路を示す 構成図1、第2図及び第3図はトランジスタ)8)の駆
動用信号の波形を示す図、第4図はこの発明の一実施例
による高 速スイッチ回路の構成図、第5図は前 記実施例における入力信号と各部の動 作波形の関係を示す図である。 (!1・・・・直流電源、セ2)・・・・保護抵抗、1
8)・・・・トランジスタ、(41・・・・負荷、(5
)・・・・制限抵抗、(6)・・・・整流回路、(71
・・・・トランス、(81・・・・制御回路、αω・・
・・立上りの速いトランジスタ、■)・・・・抵抗、Q
υ・・・・パルストランス。 なお、図中、同一符号は同−又は相 当部分を示す。□ 第1図 第2凶       第3図 14凶 15図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電源と、これに直列に接続された保 護抵抗と、前記直列回路の両端に接続 された負荷と、前記負荷と並列に接続 され制御信号に応じこの負荷の両端を 短絡するスイッチ素子及びこのスイッ チ素子に並列に接続された立上りの速 いトランジスタと、割部信号源からの 制御信号を前記スイッチ素子と前記ト ランジスタに直流的に絶縁して伝達す るトランスとを備えた高速スイッチ回 路。
JP56110668A 1981-07-17 1981-07-17 高速スイッチ回路 Pending JPS5813021A (ja)

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JP56110668A JPS5813021A (ja) 1981-07-17 1981-07-17 高速スイッチ回路

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JP56110668A JPS5813021A (ja) 1981-07-17 1981-07-17 高速スイッチ回路

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JPS5813021A true JPS5813021A (ja) 1983-01-25

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ID=14541431

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4904889A (en) * 1987-12-03 1990-02-27 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Circuit for driving electronic devices with a low supply voltage

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS562735A (en) * 1979-06-12 1981-01-13 Ibm Switching device

Patent Citations (1)

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