JPS5813021A - 高速スイッチ回路 - Google Patents
高速スイッチ回路Info
- Publication number
- JPS5813021A JPS5813021A JP56110668A JP11066881A JPS5813021A JP S5813021 A JPS5813021 A JP S5813021A JP 56110668 A JP56110668 A JP 56110668A JP 11066881 A JP11066881 A JP 11066881A JP S5813021 A JPS5813021 A JP S5813021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- load
- transformer
- switch circuit
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は直流的な絶縁が必要でか
つ、゛負荷の電圧を高速に切替えるスイッチ回路に関す
るものである。
るものである。
直流的な絶縁を必要とするスイッチ
回路として、従来第1図に示すものが
あった。図において+11は電源、12)は保護抵抗、
(8)はバイポーラ型のトランジスタ、(4)は負荷、
(5)はベース制限抵抗、(6)は整流回路であり以上
によってスイッチ回路部分を構成する。(71はトラン
ス、(8)は制御回路である。制御回路(81とスイッ
チ回路部分はトランス17)で直流的な絶縁がなされて
いる。
(8)はバイポーラ型のトランジスタ、(4)は負荷、
(5)はベース制限抵抗、(6)は整流回路であり以上
によってスイッチ回路部分を構成する。(71はトラン
ス、(8)は制御回路である。制御回路(81とスイッ
チ回路部分はトランス17)で直流的な絶縁がなされて
いる。
次に動作について説明する。トラン
ジスタ(8)がオフのときは電源(1)の出力電圧がほ
とんど負荷(4)に印加されている。次に入力信号が制
御回路(8)に入ると、M1m回路(8)はDQ/DC
コンバータと同じ方式でトランス(7)に交互の電流が
流れるように発振を行う。この時、ト ランス(7)の2次側には第2図で示されるような電流
が流れる。これを整流回 路(6)に通すことにより第3図のような電流がトラン
ジスタ(3)のベース電流として流れる。このベース電
流によって トランジスタ181が導通して負荷(4)の両端が短絡
され負荷電圧は零となる。
とんど負荷(4)に印加されている。次に入力信号が制
御回路(8)に入ると、M1m回路(8)はDQ/DC
コンバータと同じ方式でトランス(7)に交互の電流が
流れるように発振を行う。この時、ト ランス(7)の2次側には第2図で示されるような電流
が流れる。これを整流回 路(6)に通すことにより第3図のような電流がトラン
ジスタ(3)のベース電流として流れる。このベース電
流によって トランジスタ181が導通して負荷(4)の両端が短絡
され負荷電圧は零となる。
入力信号がオフとなると制御回路(8)の発振が停止し
て、ペース電流が流れ なくなるのでトランジスタ(8)は再び非導通となる。
て、ペース電流が流れ なくなるのでトランジスタ(8)は再び非導通となる。
以上のようにして制御回
路(8)によって負荷電圧を制御する。ここで制御回路
(8)とスイッチ回路部分はトランス(7)によって直
流的な絶縁がなされている。
(8)とスイッチ回路部分はトランス(7)によって直
流的な絶縁がなされている。
従来のスイッチ回路は以上のように
構成されているので、スイッチ時間は
トランジスタ13)の性能に影響を受けもところがトラ
ンジスタ(3)は耐電圧が高くなると、スイッチスピー
ドが違くな る傾向がある。したがって電源(1:の電圧によってス
イッチ速度が制限される という欠点があった。例えば、耐電圧 s’oovのとき、一般的なスイッチングスピードはl
ll5が限度である。
ンジスタ(3)は耐電圧が高くなると、スイッチスピー
ドが違くな る傾向がある。したがって電源(1:の電圧によってス
イッチ速度が制限される という欠点があった。例えば、耐電圧 s’oovのとき、一般的なスイッチングスピードはl
ll5が限度である。
この′発明は上記のような従来のもの
の欠点を改良するためになされたもの
であり、バイポーラ型のトランジスタ
に立上りの速いトランジスタを並列に
接続して、パルストランスを介して立
上りの速いトランジスタに駆動信号を
与えゝ、信号の立上り部分をこのトランジスタで補い、
負荷に印加する電圧を 変速で切替えると共に直流的な絶縁も 可能なスイッチ回路を提供することを 目的としている。
負荷に印加する電圧を 変速で切替えると共に直流的な絶縁も 可能なスイッチ回路を提供することを 目的としている。
以下、この発明の一実施例を図にっ
て説明する。、第4図において、第1図と同一符号を付
したものは同−又は相 当品を示す。また、(18)は制御回路1、αつは立上
りの速いトランジスタ(以下ト 1.マランジスタ
という。)、(4)は抵抗1. (21)はパルストラ
ンスである。
したものは同−又は相 当品を示す。また、(18)は制御回路1、αつは立上
りの速いトランジスタ(以下ト 1.マランジスタ
という。)、(4)は抵抗1. (21)はパルストラ
ンスである。
次に動作を説明する。制御回路(18)からの信号はト
ランス(7)を経てバイポーラ型のトランジスタ(3)
へ供給されると共に、パルストランス(21)を経て前
記バイポーラ型トランジスタ(8)と並列に接続されて
いる。トランジスタ(19)へ供給されそれぞれを制御
して変速スイッチ ングを行う。このような構成のスイッ チ回路によるとトランジスタ(81のオン時間の連れを
トランジスタ(19)により次のようにして補うことが
できる。まず 、トランジスタ(81とトランジスタで19)がオフの
状態にあると1、電源11+の電圧はほとんど負荷(4
)に印加されている。次に入力信号が制御回路(18)
に入るとパルストランス(21)を経てトランジスタ(
19)を導通させる方向に一定パルス幅のゲー ト電圧が印加されmeそれと同時にト ランジスタ131にもトランス(71と整流回路(6)
を通して第3図に示すような駆動べ一電流が流れる。
ランス(7)を経てバイポーラ型のトランジスタ(3)
へ供給されると共に、パルストランス(21)を経て前
記バイポーラ型トランジスタ(8)と並列に接続されて
いる。トランジスタ(19)へ供給されそれぞれを制御
して変速スイッチ ングを行う。このような構成のスイッ チ回路によるとトランジスタ(81のオン時間の連れを
トランジスタ(19)により次のようにして補うことが
できる。まず 、トランジスタ(81とトランジスタで19)がオフの
状態にあると1、電源11+の電圧はほとんど負荷(4
)に印加されている。次に入力信号が制御回路(18)
に入るとパルストランス(21)を経てトランジスタ(
19)を導通させる方向に一定パルス幅のゲー ト電圧が印加されmeそれと同時にト ランジスタ131にもトランス(71と整流回路(6)
を通して第3図に示すような駆動べ一電流が流れる。
このようにすると負荷(引は、まず最
初にスイッチ時間の短いトランジスタ
(19)により高速に短絡される。そして、このトラン
ジスタα9)が非導通となる頃にはトランジスタ(8)
が導通状態となっているので負荷(41の短絡状態が維
持される。その後は電源電圧と保護抵抗値 及び、トランジスタ(8)の直流増幅率で決まる小さな
ペース電流を与えることに より、任意の時間だけ負荷(4:の短絡状態を保つこと
ができる。
ジスタα9)が非導通となる頃にはトランジスタ(8)
が導通状態となっているので負荷(41の短絡状態が維
持される。その後は電源電圧と保護抵抗値 及び、トランジスタ(8)の直流増幅率で決まる小さな
ペース電流を与えることに より、任意の時間だけ負荷(4:の短絡状態を保つこと
ができる。
このときの各部の波形を示したもの
が第6図である。同図で(a)は制御回路α8)からの
入力信号である。(b)はトランジスタ(8)のみを動
作させたときの出力波形、(C)はパルストランス(2
1)を介してトランジスタ(19)のゲートに印加され
る電圧波形、(d)はトランジスタ(19)のみを動作
させたときの出力波形、である。
入力信号である。(b)はトランジスタ(8)のみを動
作させたときの出力波形、(C)はパルストランス(2
1)を介してトランジスタ(19)のゲートに印加され
る電圧波形、(d)はトランジスタ(19)のみを動作
させたときの出力波形、である。
そして、ここでトランジスタ(19)の駆動パルス幅を
トランジスタ(31のスイッチ内聞よりも長くしておく
と、第6図 eのような立上りの速い出力波形が得 られる。なお、ここでVは最初負荷に 印加されていた電圧である。。
トランジスタ(31のスイッチ内聞よりも長くしておく
と、第6図 eのような立上りの速い出力波形が得 られる。なお、ここでVは最初負荷に 印加されていた電圧である。。
以上の考え方に基づいて構成したス
イッチ回路によれば電圧to ovでa/μS程度の速
さで負荷の電圧を切替え ることができる。
さで負荷の電圧を切替え ることができる。
なお、上記実施例では従来のスイッ
チ素子としてトランジスタを用いた例
を示したが、真空管式スイッチヤリレ
イ等を用いた場合でも上記実施例と同
様の効果を毒する。
以上のように、この発明によればバ
イポーラ型トランジスタと立上りの速
いトランジスタを並列に接続して、そ
れぞれをトランスを介して駆動するよ
うにしているので、DC的絶縁が行え
て、しかも高速に電圧を切替えること
ができる効果が得られる。
第1図は従来のスイッチ回路を示す
構成図1、第2図及び第3図はトランジスタ)8)の駆
動用信号の波形を示す図、第4図はこの発明の一実施例
による高 速スイッチ回路の構成図、第5図は前 記実施例における入力信号と各部の動 作波形の関係を示す図である。 (!1・・・・直流電源、セ2)・・・・保護抵抗、1
8)・・・・トランジスタ、(41・・・・負荷、(5
)・・・・制限抵抗、(6)・・・・整流回路、(71
・・・・トランス、(81・・・・制御回路、αω・・
・・立上りの速いトランジスタ、■)・・・・抵抗、Q
υ・・・・パルストランス。 なお、図中、同一符号は同−又は相 当部分を示す。□ 第1図 第2凶 第3図 14凶 15図
動用信号の波形を示す図、第4図はこの発明の一実施例
による高 速スイッチ回路の構成図、第5図は前 記実施例における入力信号と各部の動 作波形の関係を示す図である。 (!1・・・・直流電源、セ2)・・・・保護抵抗、1
8)・・・・トランジスタ、(41・・・・負荷、(5
)・・・・制限抵抗、(6)・・・・整流回路、(71
・・・・トランス、(81・・・・制御回路、αω・・
・・立上りの速いトランジスタ、■)・・・・抵抗、Q
υ・・・・パルストランス。 なお、図中、同一符号は同−又は相 当部分を示す。□ 第1図 第2凶 第3図 14凶 15図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電源と、これに直列に接続された保 護抵抗と、前記直列回路の両端に接続 された負荷と、前記負荷と並列に接続 され制御信号に応じこの負荷の両端を 短絡するスイッチ素子及びこのスイッ チ素子に並列に接続された立上りの速 いトランジスタと、割部信号源からの 制御信号を前記スイッチ素子と前記ト ランジスタに直流的に絶縁して伝達す るトランスとを備えた高速スイッチ回 路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56110668A JPS5813021A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 高速スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56110668A JPS5813021A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 高速スイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5813021A true JPS5813021A (ja) | 1983-01-25 |
Family
ID=14541431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56110668A Pending JPS5813021A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 高速スイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5813021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904889A (en) * | 1987-12-03 | 1990-02-27 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Circuit for driving electronic devices with a low supply voltage |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562735A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-13 | Ibm | Switching device |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56110668A patent/JPS5813021A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562735A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-13 | Ibm | Switching device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904889A (en) * | 1987-12-03 | 1990-02-27 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Circuit for driving electronic devices with a low supply voltage |
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