JPS58130237A - 銀−酸化物接点材料 - Google Patents
銀−酸化物接点材料Info
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- JPS58130237A JPS58130237A JP57012737A JP1273782A JPS58130237A JP S58130237 A JPS58130237 A JP S58130237A JP 57012737 A JP57012737 A JP 57012737A JP 1273782 A JP1273782 A JP 1273782A JP S58130237 A JPS58130237 A JP S58130237A
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Landscapes
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- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
Ｓｎ 、Ｚｎ 、ｓｂを重量比で５％以上含有する銀合
金を内部酸化して複合接点材料を製造するのには多くの
困難がある。
金を内部酸化して複合接点材料を製造するのには多くの
困難がある。
このために、上記した種類の銀合金にＢ工を０、Ｏ／〜
／、０％含めて、この銀合金を内部酸化するのに本発明
者は先きに成功した。
／、０％含めて、この銀合金を内部酸化するのに本発明
者は先きに成功した。
これは、次の如き管見によるものである。
内部酸化の機構は、酸化核の発生と同位置に於いて、溶
質金属が拡散集中し酸化物粒子として成長する過程を経
て地合金が純懺となり、その中を酸素が拡散して進行す
るものである。ところが、Ａｇ−Ｓｎ 、Ａｇ−ｓｂ
、Ａｇ−Ｚｎ合金に於いて、溶解したインゴットを板状
に圧延し酸化する一般の場合、板表面より拡散する垂直
な方向に対しそれを遮断する直角面の方向に溶質金属の
拡散係数が大きく、垂直方向への拡散係数は小さい。
質金属が拡散集中し酸化物粒子として成長する過程を経
て地合金が純懺となり、その中を酸素が拡散して進行す
るものである。ところが、Ａｇ−Ｓｎ 、Ａｇ−ｓｂ
、Ａｇ−Ｚｎ合金に於いて、溶解したインゴットを板状
に圧延し酸化する一般の場合、板表面より拡散する垂直
な方向に対しそれを遮断する直角面の方向に溶質金属の
拡散係数が大きく、垂直方向への拡散係数は小さい。
その結果、酸化皮膜が板表面に堆積して遂に内部酸化が
進行しなくなる。これ等溶質金属の鎖中を拡散する異方
性は、合金濃度が高まるにつれて大きくなる。
進行しなくなる。これ等溶質金属の鎖中を拡散する異方
性は、合金濃度が高まるにつれて大きくなる。
前述の如く内部酸化進行機構が困難なこの種の銀合金を
選択酸化する方法としては、銅結晶粒の成長を防Ｉにし
且つ微細化し、非晶質の溶質金属をａｔ Ｗ壁に出来る
だけ比表面積の大きな形で酸化物として析出する様にす
ることである。
選択酸化する方法としては、銅結晶粒の成長を防Ｉにし
且つ微細化し、非晶質の溶質金属をａｔ Ｗ壁に出来る
だけ比表面積の大きな形で酸化物として析出する様にす
ることである。
一般に酸素は銀の結晶粒界と粒内を拡散するのであるが
、拡散速度は、結晶粒界と結晶粒内とを比較すると結晶
粒界の方が大きく、酸化物は酸化の進行につれて粒内の
ポテンシャルが減じて粒界に漸次析出する。即ち、粒界
を中心として、選択酸化するために銀に対して高温では
固溶度を有するが常温では殆んど固溶度を有しないＢ１
を微量添加して銀合金の鍛造圧延后の結晶粒を小さくす
る事により出来るだけ高濃度合金の内部酸化が成功した
のである。即ち、Ｂ１は前述の如く溶質金属であるＳｎ
に対して高温に於いて固溶体を形成するが常温では零に
なり、Ａｇに対しても同様の状態を持つ金属であるので
、前記した種類の合金にＢ１を添加する事により銅結晶
粒の成長を防止すると同時に溶質金属の拡散が結晶粒内
より結晶粒界に拡散する傾向がより容易になる。従って
、この合金を内部酸化すると粒界壁に電導度を害さない
薄皮膜を持つ粒界選択酸化された組織を持つ複合接点材
料が得られたのである。
、拡散速度は、結晶粒界と結晶粒内とを比較すると結晶
粒界の方が大きく、酸化物は酸化の進行につれて粒内の
ポテンシャルが減じて粒界に漸次析出する。即ち、粒界
を中心として、選択酸化するために銀に対して高温では
固溶度を有するが常温では殆んど固溶度を有しないＢ１
を微量添加して銀合金の鍛造圧延后の結晶粒を小さくす
る事により出来るだけ高濃度合金の内部酸化が成功した
のである。即ち、Ｂ１は前述の如く溶質金属であるＳｎ
に対して高温に於いて固溶体を形成するが常温では零に
なり、Ａｇに対しても同様の状態を持つ金属であるので
、前記した種類の合金にＢ１を添加する事により銅結晶
粒の成長を防止すると同時に溶質金属の拡散が結晶粒内
より結晶粒界に拡散する傾向がより容易になる。従って
、この合金を内部酸化すると粒界壁に電導度を害さない
薄皮膜を持つ粒界選択酸化された組織を持つ複合接点材
料が得られたのである。
溶質金属（Ｓｎ 、Ｚｎ 、Ｓｂ等）が！重量％未鳩の
場合は、Ｂ１を添加しなくても内部酸化法によってこれ
らの溶質金属が酸化析出されうるが、Ｂ１を添加するこ
とによってＢｉが有する１−述したところの機能により
、内部酸化の進行が早く （Ｂ１を添加しないものの約
半分の時間）、几つその組織もきれいになって接触抵抗
が低くなる効果が見い出された。
場合は、Ｂ１を添加しなくても内部酸化法によってこれ
らの溶質金属が酸化析出されうるが、Ｂ１を添加するこ
とによってＢｉが有する１−述したところの機能により
、内部酸化の進行が早く （Ｂ１を添加しないものの約
半分の時間）、几つその組織もきれいになって接触抵抗
が低くなる効果が見い出された。
従って、この発明は鎖中に溶質金属（Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｂ
等）を重量比で３％〜５％東勇固溶しＢ１を０．Ｏ／〜
／、０％含む合金を内部酸化した銀−酸化物電気接点材
料を提供するものである。
等）を重量比で３％〜５％東勇固溶しＢ１を０．Ｏ／〜
／、０％含む合金を内部酸化した銀−酸化物電気接点材
料を提供するものである。
上記した溶質金属は３％以下では、該溶質金属の酸化物
が銀を母金とする銀合金接点の電気特性を向上すること
にならないので、その下限値を３％とした。また、Ｂｉ
の銀に対する高温における固溶限界は約５．１重量％で
あるが、得られる材料が好ましい展延性を有するために
は／、０重量％が１−限値である。Ｂ１が上記した溶質
金属を銀粒界に酸化析出するようにするこの発明に特有
な機能を生ずるためには０．０ ／重量％が下限値であ
る。
が銀を母金とする銀合金接点の電気特性を向上すること
にならないので、その下限値を３％とした。また、Ｂｉ
の銀に対する高温における固溶限界は約５．１重量％で
あるが、得られる材料が好ましい展延性を有するために
は／、０重量％が１−限値である。Ｂ１が上記した溶質
金属を銀粒界に酸化析出するようにするこの発明に特有
な機能を生ずるためには０．０ ／重量％が下限値であ
る。
内部酸化時のクラック発生を防止するために鉄族金属を
添加する場合は、その銀に対する高温における固溶限界
から００５重量％が上限値であり、その下限値は常温に
おける銀に対する固溶限界であって且つ本発明合金の再
結晶速度に影響を与えうる値の０．０７重量％である。
添加する場合は、その銀に対する高温における固溶限界
から００５重量％が上限値であり、その下限値は常温に
おける銀に対する固溶限界であって且つ本発明合金の再
結晶速度に影響を与えうる値の０．０７重量％である。
以下に、本発明の実施例をあげる。
実施例
以下の組成の合金をつくり、これを鍛造圧延して板状（
０，≠ＩＩＩＩＫ）とし、これを０２ ガス雰囲気中
で乙ｊＯ℃で内部酸化した。
０，≠ＩＩＩＩＫ）とし、これを０２ ガス雰囲気中
で乙ｊＯ℃で内部酸化した。
（１）Ａｇ−Ｓｎ ３％
（２） Ａｇ−Ｓ ｎ ３％−８１００７％（３） Ａ
ｇＳｎ ／、３；％−Ｚｎ ／、！ｒ％−８１０，／％
（４）Ａｇ−８ｎ ／、ｊ％−８ｂ／、３；％−Ｂｉｏ
、／％（５） Ａｇ−Ｓ ｎ ／Ｊ％−Ｚｎ ／Ｊ％−
Ｓｂ ／、！ｒ％−Ｂｉ−０．１％ （６）Ａｇ ＳｎＪ％−Ｂ１０．／％−ＦｅＯ，０
／ ％内部酸化に要した時間は、（１）の合金（本発明
品と対照するための接点材）の場合には≠ｇ時間であり
、（２）〜（６）の合金（本発明品）の場合には３０時
間であった。
ｇＳｎ ／、３；％−Ｚｎ ／、！ｒ％−８１０，／％
（４）Ａｇ−８ｎ ／、ｊ％−８ｂ／、３；％−Ｂｉｏ
、／％（５） Ａｇ−Ｓ ｎ ／Ｊ％−Ｚｎ ／Ｊ％−
Ｓｂ ／、！ｒ％−Ｂｉ−０．１％ （６）Ａｇ ＳｎＪ％−Ｂ１０．／％−ＦｅＯ，０
／ ％内部酸化に要した時間は、（１）の合金（本発明
品と対照するための接点材）の場合には≠ｇ時間であり
、（２）〜（６）の合金（本発明品）の場合には３０時
間であった。
また、得られた内部酸化済の合金板を外径≠■に打抜い
てこれに０．１ ｗａの銀を裏打ちして接点としたとき
の接触抵抗（電圧Ａ、Ｃ，，２００Ｖ 、電流１（１）
Ａ、接触圧力弘ｏｏｙ−、開離力乙ｏｏｙ−での電圧降
下）の値（２０回測定したときの平均値と最下値）は、
それぞれ次の通りであった。
てこれに０．１ ｗａの銀を裏打ちして接点としたとき
の接触抵抗（電圧Ａ、Ｃ，，２００Ｖ 、電流１（１）
Ａ、接触圧力弘ｏｏｙ−、開離力乙ｏｏｙ−での電圧降
下）の値（２０回測定したときの平均値と最下値）は、
それぞれ次の通りであった。
（１）平均値／、／−Ω（最大値２．♂落Ω）（２）
０．ｌｒ（／、弘 ）（３） ０．
７ （／、♂ ）（４） ０．♂３
Ｃ／、７ ）（５） ０．タ
Ｃ／、１ ）（ｅ） ０．ｆ （／
、弘 ）以上のように、本発明品は対照となる在来の
ものよりも内部酸化に要する時間が少なくてその工業的
生産において優れたものであると共に、接触抵抗が小さ
い（従って内部酸化後の組織が均一である）特性をもつ
ものである。
０．ｌｒ（／、弘 ）（３） ０．
７ （／、♂ ）（４） ０．♂３
Ｃ／、７ ）（５） ０．タ
Ｃ／、１ ）（ｅ） ０．ｆ （／
、弘 ）以上のように、本発明品は対照となる在来の
ものよりも内部酸化に要する時間が少なくてその工業的
生産において優れたものであると共に、接触抵抗が小さ
い（従って内部酸化後の組織が均一である）特性をもつ
ものである。
４追加の関係
この発明は特許第１０／ｌ、り３り号の追加の発明であ
る。
る。
特許出願人 中外電気工業株式会社
＝２１１−
Claims (4)
- （１）鎖中にＳｎを重量比で３〜ｊ％未満固溶しＢ１を
０．０／〜／、０％含む合金を内部酸化した銀−酸化物
電気接点材料。 - （２） 上記第１項の銀−酸化物電気接点材料にして
Ｚｎ 、Ｓｂのいずれか或は両者を含み、これら溶質金
属とＳｎの合計が重量比で３〜ｊ％未満である前記銀−
酸化物電気接点材料。 - （３） 上記第１項の銀−酸化物電気接点材料にして
鉄族金属を重量比で０．０ ／〜Ｏ０ｊ％含む前記銀−
酸化物電気接点材料。 - （４） 上記第２項の銀−酸化物電気接点材料にして
鉄族金属を重量比で０．０ ／〜Ｏ０ｊ％含む前記銀−
酸化物接点材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012737A JPS58130237A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 銀−酸化物接点材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012737A JPS58130237A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 銀−酸化物接点材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130237A true JPS58130237A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11813739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57012737A Pending JPS58130237A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 銀−酸化物接点材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7419711B2 (en) | 2002-08-08 | 2008-09-02 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54126625A (en) * | 1978-03-13 | 1979-10-02 | Chugai Electric Ind Co Ltd | Internally oxidized silver based contact material containing tin oxide and having good contact resistance |
| JPS5690940A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Composite electrical contact material |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP57012737A patent/JPS58130237A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54126625A (en) * | 1978-03-13 | 1979-10-02 | Chugai Electric Ind Co Ltd | Internally oxidized silver based contact material containing tin oxide and having good contact resistance |
| JPS5690940A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Composite electrical contact material |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7419711B2 (en) | 2002-08-08 | 2008-09-02 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US7514037B2 (en) | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
| US7566417B2 (en) | 2002-08-08 | 2009-07-28 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US7722942B2 (en) | 2002-08-08 | 2010-05-25 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US7758942B2 (en) | 2002-08-08 | 2010-07-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US7776420B2 (en) | 2002-08-08 | 2010-08-17 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
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