JPS58137710A - 光フアイバ測定装置 - Google Patents
光フアイバ測定装置Info
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- JPS58137710A JPS58137710A JP58014475A JP1447583A JPS58137710A JP S58137710 A JPS58137710 A JP S58137710A JP 58014475 A JP58014475 A JP 58014475A JP 1447583 A JP1447583 A JP 1447583A JP S58137710 A JPS58137710 A JP S58137710A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/268—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light using optical fibres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は１位置、速度、加這度、力・圧力、伸び、温度
等のような物理量を一定するための光ファイバ一定装置
に関するものであって、電子装置Ｘと変換器Ｇとの閾に
光を導く少（とも１個の覚ファイバを備え、また変換器
には少くと４１１１の尭元素子を含むものである。
等のような物理量を一定するための光ファイバ一定装置
に関するものであって、電子装置Ｘと変換器Ｇとの閾に
光を導く少（とも１個の覚ファイバを備え、また変換器
には少くと４１１１の尭元素子を含むものである。
背景技術
ルゼネセンス変換！によって機械的な量を画定する場合
、広い温度範ｉ！ＩＰ！で高確度を得るＫは。
、広い温度範ｉ！ＩＰ！で高確度を得るＫは。
ルゼネセンススペクトルの＠豪奪位によ◆間ｌｉＩが生
じる１日本−特許出願第１８３６８／８０号を一一械的
な量を測定するための１ル（ネセンスを基礎とした元フ
ァイバ一定ａｍを一示しているｅこの一定装置において
一機械的な量の変化が、センナ本体中の覚ファイバ末端
ＫＩＩＩシて、ｉＩ党光り位置を変化させる０反射部鍵
の位置変″化に基づ（機械的センサに比較したこの置の
セシ管の利点は。
じる１日本−特許出願第１８３６８／８０号を一一械的
な量を測定するための１ル（ネセンスを基礎とした元フ
ァイバ一定ａｍを一示しているｅこの一定装置において
一機械的な量の変化が、センナ本体中の覚ファイバ末端
ＫＩＩＩシて、ｉＩ党光り位置を変化させる０反射部鍵
の位置変″化に基づ（機械的センサに比較したこの置の
セシ管の利点は。
セνす中で波長変換が得られるので、 ｊｔ＊ｔにおけ
る光反射か、ＪＩｔｍ生器又は元検ａＳ器に党フィルタ
を使用することによって瞼責できることである。
る光反射か、ＪＩｔｍ生器又は元検ａＳ器に党フィルタ
を使用することによって瞼責できることである。
しかしながら−確度に５１１ｔする要求ｔｉ！ｈ１びし
く、同時に１セン管が大きな温度変化を受けるときは。
く、同時に１セン管が大きな温度変化を受けるときは。
このルイネセシスＷｋＷｉＬ測定装置は、役に立たない
ことが４Ｉｌｌ＠Ｉ、、た。
ことが４Ｉｌｌ＠Ｉ、、た。
発儒の要約
本ｍ＠は、上記の問題及びそれに間過する他の間＠ＫＨ
して解決を与えることを回的とする０本発明は１機械的
な量を測定するための光ファイバの〃（ネセνスに基づ
（画定装置に関する鬼のであｐｖこのｓｔｍｓ置は、闘
足の多くの場合に極めて重畳となる前記のべａｌｌ＃有
していない０本＊Ｗの特徴は、両軍する智瀧量ｔ、変換
器中の元プアイバ、又は前記発光素子に対して例えば１
．ａ収奪又は千１１ｋＭの元スペクトルフィルタの位置
に影響するように配置し、またこの元ヌペタトルフィル
タを、元ファイバ末端面と少くとも１個の発光素子閲に
広範囲又は少範囲に影響する位ｔＫ配置することである
。さらに１本発明の特徴としては、異る発光スペクトル
をもつ２個のｌＩＷ！位置発光素子からの相対的光強度
ｔ−■定するのではなく、同−発光スベクトルをもつ選
択的励起ルミネセンスを測定することＫよって、温度の
影響を除去している。
して解決を与えることを回的とする０本発明は１機械的
な量を測定するための光ファイバの〃（ネセνスに基づ
（画定装置に関する鬼のであｐｖこのｓｔｍｓ置は、闘
足の多くの場合に極めて重畳となる前記のべａｌｌ＃有
していない０本＊Ｗの特徴は、両軍する智瀧量ｔ、変換
器中の元プアイバ、又は前記発光素子に対して例えば１
．ａ収奪又は千１１ｋＭの元スペクトルフィルタの位置
に影響するように配置し、またこの元ヌペタトルフィル
タを、元ファイバ末端面と少くとも１個の発光素子閲に
広範囲又は少範囲に影響する位ｔＫ配置することである
。さらに１本発明の特徴としては、異る発光スペクトル
をもつ２個のｌＩＷ！位置発光素子からの相対的光強度
ｔ−■定するのではなく、同−発光スベクトルをもつ選
択的励起ルミネセンスを測定することＫよって、温度の
影響を除去している。
発明の実施態様
本発明について、添付第１図ないしｌｌ９ｉ１を参照し
て以下に詳細説明する。
て以下に詳細説明する。
第１ａ図およびｇｉｂ図において、駆動回路ＩＫ接続さ
れている発光ダイオード（Ｌ皇Ｄ） ２からの放射光の
一部は、フィルタ３を通過した後、党ファイバ枝路４に
結合され、さ６に！ファイバ５を経由して、センナ１４
Ｋｔで伝達される。七νす１４には、２個の半導体素子
１５と１６があって。
れている発光ダイオード（Ｌ皇Ｄ） ２からの放射光の
一部は、フィルタ３を通過した後、党ファイバ枝路４に
結合され、さ６に！ファイバ５を経由して、センナ１４
Ｋｔで伝達される。七νす１４には、２個の半導体素子
１５と１６があって。
両者のａ″Ｌ位置関係は固定しているかそれらは。
覚ファイバの末端面に５１ｔして上下に移−できるか又
はその末端面に駕し他の方向ＫＪ―できるものとする・
半導体素子１５及び１６は、その設計から１．それぞれ
に異るル（ネセンススペクトルを与えておくので１．半
導体素子の変位によって１．光フアイバ５に帰還する光
のスペクトル組成が変化する。こり変化を員る光フイｋ
ｌ＠及び１をもったホトダイオード８及びｓＫよって検
出し、その党電流を増幅ＩＩ）１０及び１１で増幅して
、−配電電流の商は１．ＷｉＭ号妬生器１２において発
生され、前記充電Ｒが図示した計器１３に信号な表示す
る・この１号は１．半導体素子の位置に影響されるが。
はその末端面に駕し他の方向ＫＪ―できるものとする・
半導体素子１５及び１６は、その設計から１．それぞれ
に異るル（ネセンススペクトルを与えておくので１．半
導体素子の変位によって１．光フアイバ５に帰還する光
のスペクトル組成が変化する。こり変化を員る光フイｋ
ｌ＠及び１をもったホトダイオード８及びｓＫよって検
出し、その党電流を増幅ＩＩ）１０及び１１で増幅して
、−配電電流の商は１．ＷｉＭ号妬生器１２において発
生され、前記充電Ｒが図示した計器１３に信号な表示す
る・この１号は１．半導体素子の位置に影響されるが。
光フアイバ系の減衰の変化又は発光ダイオードのｊｔ、
ａｋ射の変化ＫＩｔｔ９に響８ｔ１−”１！’−’ｍ
ＩＧ １ ｂ ＦＭｉＫ、 半導体素子１５及び１１ｉ
の一実施例を示しである。
ａｋ射の変化ＫＩｔｔ９に響８ｔ１−”１！’−’ｍ
ＩＧ １ ｂ ＦＭｉＫ、 半導体素子１５及び１１ｉ
の一実施例を示しである。
符号２０及び２４は基板を示す４ので、これら基板上に
、エビタｄＰシャに層１７．ＩＪ１．ＩＳ１．＆び２１
．２２．２３をそれヤれ形成しである。ルミネセンスは
、それヤれのＰｉ鐸層１８及び２２から発生するのでこ
れらの層に１例月ｔ、 ＧａＡ−系でだの異なる成分を
もたせることによ）１．又は例えはＧＩＬＡａ系でＧｅ
と８１のような異なる物質をドーピングすることＫよっ
て異なるバンド・イヤツブをもたせ、半導体素子１５及
び１６かう異なるルミネセンススペクトルを得る。覚フ
ァイバセンナのこれらタイプの構造化ついては、ＩＰＩ
ＦＦ文献（ｆＩえは１日本特許出願第１５１９３５／８
１及び１７７０２４／８１）Ｋよく記載されている。
、エビタｄＰシャに層１７．ＩＪ１．ＩＳ１．＆び２１
．２２．２３をそれヤれ形成しである。ルミネセンスは
、それヤれのＰｉ鐸層１８及び２２から発生するのでこ
れらの層に１例月ｔ、 ＧａＡ−系でだの異なる成分を
もたせることによ）１．又は例えはＧＩＬＡａ系でＧｅ
と８１のような異なる物質をドーピングすることＫよっ
て異なるバンド・イヤツブをもたせ、半導体素子１５及
び１６かう異なるルミネセンススペクトルを得る。覚フ
ァイバセンナのこれらタイプの構造化ついては、ＩＰＩ
ＦＦ文献（ｆＩえは１日本特許出願第１５１９３５／８
１及び１７７０２４／８１）Ｋよく記載されている。
１！ ｉ ａ図、ｌｌｂ図の装置におけるスペクトル関
係の例を、第２図に示しである。この図で符号２５は発
光ダイオード２の放射スペクトルを示し、符号２６ａ及
び２６ｂは、半導体素子１５及び１６の層１８及び２２
のそれぞれの吸収スペクトルを示す。また符号２１は層
Ｉｌｌからのルくネセンススペクトルを１．符号２８は
層２２からのルミネセンススペクトルを示し、符号２９
はフィルタ６の透過スペクトルを示し１．また符号３０
は、フィルタ１の透過スペクトルを示す。セνす１４が
大きく温度変化するときは、ルミネセンススペクトル２
Ｔ及び２８の波長が変位するので、＃１１定俊置の確度
については、フィルタ２ｓの機能を臨界的なものとする
。
係の例を、第２図に示しである。この図で符号２５は発
光ダイオード２の放射スペクトルを示し、符号２６ａ及
び２６ｂは、半導体素子１５及び１６の層１８及び２２
のそれぞれの吸収スペクトルを示す。また符号２１は層
Ｉｌｌからのルくネセンススペクトルを１．符号２８は
層２２からのルミネセンススペクトルを示し、符号２９
はフィルタ６の透過スペクトルを示し１．また符号３０
は、フィルタ１の透過スペクトルを示す。セνす１４が
大きく温度変化するときは、ルミネセンススペクトル２
Ｔ及び２８の波長が変位するので、＃１１定俊置の確度
については、フィルタ２ｓの機能を臨界的なものとする
。
第６ａ図及び纂３）図には、−遂した間馳及びそれに関
連した問題の解決方法を示すもので、フィルタ２９（＠
）と関連するホトダイオード８とを取除くと、ともに、
新しい発光ダイオード３１゜新しいホトダイオード３３
及びセンナフィルタ３ａを導入したもノテあル＊ ＩＥ
５ ａ ５１１−１１５ ｂ ＩｉＡによる画定装置
の動作機式ｔ−以下に説明する。
連した問題の解決方法を示すもので、フィルタ２９（＠
）と関連するホトダイオード８とを取除くと、ともに、
新しい発光ダイオード３１゜新しいホトダイオード３３
及びセンナフィルタ３ａを導入したもノテあル＊ ＩＥ
５ ａ ５１１−１１５ ｂ ＩｉＡによる画定装置
の動作機式ｔ−以下に説明する。
スイッチ３１＆によって、発行ダイオード２及び３１は
、ｌ１ｌＩＩＥ器３Ｇ、！Ｉ信号発生器３Ｓ及び基＊＊
号ｖｒａｒからなる安定回Ｊｌｌ！に、交互に結合す
。
、ｌ１ｌＩＩＥ器３Ｇ、！Ｉ信号発生器３Ｓ及び基＊＊
号ｖｒａｒからなる安定回Ｊｌｌ！に、交互に結合す
。
る、発光ダイオードからの元の一部は、光分ｉｎ＠３２
によって一部ファイバ５から外側に結合され光検出＠３
３によって檎知されて、増幅器３４及び−起脅尤ｌイオ
ード安定回路に結合する。こめようにして、いつも１．
発−ｘｒダイオード及び３１から等しい大きさの光量が
光フアイバ５Ｋｍ合することをｇ裏にしている。センナ
１４から元２アイバ中に放射されるルミ車センス元は、
検出＠！８によって検出される。フィルタ１の横目は１
発光ダイオード２及び３１からの光が党ファイバ系での
反射光を阻止するもので１．このフィルタの一絽は・測
定信号自体となるルイネセンス信号から、励起信号を除
去することにある。検出器ｉｆ）充電流は１．増幅−１
１で増幅されて、スイッチ３１１と同期して動作するス
イッチ３７ｍ）Ｋよって、す：ｚｆルホ−ｔｖＷ回１＆
（８＆１１）３９１ｊＬヒ４ ＧＫ！２！ｉＫ結合さ
れる。また繭記すシデル永−ｋＦｌｌ路の出刃信号の商
が、商信号発生器１２で発生されて。
によって一部ファイバ５から外側に結合され光検出＠３
３によって檎知されて、増幅器３４及び−起脅尤ｌイオ
ード安定回路に結合する。こめようにして、いつも１．
発−ｘｒダイオード及び３１から等しい大きさの光量が
光フアイバ５Ｋｍ合することをｇ裏にしている。センナ
１４から元２アイバ中に放射されるルミ車センス元は、
検出＠！８によって検出される。フィルタ１の横目は１
発光ダイオード２及び３１からの光が党ファイバ系での
反射光を阻止するもので１．このフィルタの一絽は・測
定信号自体となるルイネセンス信号から、励起信号を除
去することにある。検出器ｉｆ）充電流は１．増幅−１
１で増幅されて、スイッチ３１１と同期して動作するス
イッチ３７ｍ）Ｋよって、す：ｚｆルホ−ｔｖＷ回１＆
（８＆１１）３９１ｊＬヒ４ ＧＫ！２！ｉＫ結合さ
れる。また繭記すシデル永−ｋＦｌｌ路の出刃信号の商
が、商信号発生器１２で発生されて。
画定信号となって計器１３に表示される。新しい測定装
置用に設計したセンサの一１ｌＩを第５ｂ図に示しであ
る。上部のセンナ素子１５は、第１１）ＩＩのセンサ素
子１５と同一のものであるが、下方のセンサ１６は、第
１ｂ図の層２１を１層２１に対する吸収スペクトルとは
＾る吸収スペクトルなもつ層３８Ｋｉｌ換したものであ
る０発元ダイオード２から励起光が発生すると、層１８
中の電子だけが励起されるので、この層だけが弛元する
。しかし発光ダイオード３１かも励＠元が発生するとき
は、層１８と層２２０両方の層が発光する。これは、嬉
４図のスペクトル分布１纏から明らかである・嬉４図で
符号２５は１発光ダイオード２の放射スペクトルを示し
、符号４１は発光ダイオード３１の放射スペクトルを示
し１．符号ｚｓｔｔ、ｍ１ａ及び２２の吸収スペクトル
を示し、符号４２は１１層３８の徴収スペクトルを示し
、符号４３は、層１Ｔの吸収スペクトルを示し、ｓ号２
１は１１層１８及び２２のルイネセンススペクトルを示
し、また符号３ｏは、フィルタ１の透過スペクトルを示
す一発光ダイオードの安定ｆヒによって。
置用に設計したセンサの一１ｌＩを第５ｂ図に示しであ
る。上部のセンナ素子１５は、第１１）ＩＩのセンサ素
子１５と同一のものであるが、下方のセンサ１６は、第
１ｂ図の層２１を１層２１に対する吸収スペクトルとは
＾る吸収スペクトルなもつ層３８Ｋｉｌ換したものであ
る０発元ダイオード２から励起光が発生すると、層１８
中の電子だけが励起されるので、この層だけが弛元する
。しかし発光ダイオード３１かも励＠元が発生するとき
は、層１８と層２２０両方の層が発光する。これは、嬉
４図のスペクトル分布１纏から明らかである・嬉４図で
符号２５は１発光ダイオード２の放射スペクトルを示し
、符号４１は発光ダイオード３１の放射スペクトルを示
し１．符号ｚｓｔｔ、ｍ１ａ及び２２の吸収スペクトル
を示し、符号４２は１１層３８の徴収スペクトルを示し
、符号４３は、層１Ｔの吸収スペクトルを示し、ｓ号２
１は１１層１８及び２２のルイネセンススペクトルを示
し、また符号３ｏは、フィルタ１の透過スペクトルを示
す一発光ダイオードの安定ｆヒによって。
ＪＸｚＣλ）ｄλ−ＪＸｓ（λ）ｄλを確実にし、ｔた
スペクトル２５．４１及び４２は、その設計によってス
ペク）／’４２Ｆ）ａ度によってＮｌ起される変位が、
七νすのスペクトル４１に影響しないようにしである。
スペクトル２５．４１及び４２は、その設計によってス
ペク）／’４２Ｆ）ａ度によってＮｌ起される変位が、
七νすのスペクトル４１に影響しないようにしである。
第４＃Ａから明か存よう＃ｃ、スペ夛トル２１の温度に
よる変位は、検出１号に＃響しないので、素子ＩＳ・及
び１．＠の一厘方向の変位を、広い温度ＩＩ−円で正確
に一定することができる・そのほか、ルゼネセンス層１
８と２２とを注意して葺合しておいて、測定及び再現性
の確度を向上した。
よる変位は、検出１号に＃響しないので、素子ＩＳ・及
び１．＠の一厘方向の変位を、広い温度ＩＩ−円で正確
に一定することができる・そのほか、ルゼネセンス層１
８と２２とを注意して葺合しておいて、測定及び再現性
の確度を向上した。
＄ ３ ａ ＃ＡＫ示す測定装置には、異る設計のセン
サを使用することができる。ｊ１５１１に示すセンナは
、素子１５及び１６を、１儀の同−基板上に集積したも
のである。＊えは、液体エピタキシを便用するときは１
層２３．２２，３１１．１９．Ｎｌ及びＩＴが基［２４
上忙適当な願序Ｋｌ出される。
サを使用することができる。ｊ１５１１に示すセンナは
、素子１５及び１６を、１儀の同−基板上に集積したも
のである。＊えは、液体エピタキシを便用するときは１
層２３．２２，３１１．１９．Ｎｌ及びＩＴが基［２４
上忙適当な願序Ｋｌ出される。
その後１層１７．１８及び１９は１例えば、選択エツチ
ングによって、エツチングされる。
ングによって、エツチングされる。
ＡＪＩ−ＸＧａエムＳ畢疼おいては、Ｘの＾る筐によっ
て層が決足されるので１．所期の光学的Ｉｌ＃性が１選
択エツチングの条件を与えると同時に、失意されるもの
である。第６図に示したい（ふん簡素な構成では１層１
７．１８及びＩＳが１両方のセンナ素子に共通になって
いる０層３Ｊｉは、エツチングによって、上部センサ素
子から除いであるので、このセンサ素子は１発元ダイオ
ード２及び３１の両方からの励起中、ルばネセンスを放
射するが１．下方のセンナ素子は、＠光素子３１が励＠
ＩＩであるときＫｊｉＩＫってルイネセンスを放射する
０層３８は。
て層が決足されるので１．所期の光学的Ｉｌ＃性が１選
択エツチングの条件を与えると同時に、失意されるもの
である。第６図に示したい（ふん簡素な構成では１層１
７．１８及びＩＳが１両方のセンナ素子に共通になって
いる０層３Ｊｉは、エツチングによって、上部センサ素
子から除いであるので、このセンサ素子は１発元ダイオ
ード２及び３１の両方からの励起中、ルばネセンスを放
射するが１．下方のセンナ素子は、＠光素子３１が励＠
ＩＩであるときＫｊｉＩＫってルイネセンスを放射する
０層３８は。
光源２及び３１に対し選択的なフィルタとして作用する
もので、第７図に示すようにルイネセシス嵩子から取外
すこともできる。また＃１定する量によって、フィル／
３８を１元７アイパ５と俺党層１８との間を、＊７ｊ同
に移動させるようにする・セン−の分解能を増すために
１層１ｍは、−Ｖ−版印刷を使用して、Ｊｉａ図のよう
なスクリーンパターンにエツチングすることができる。
もので、第７図に示すようにルイネセシス嵩子から取外
すこともできる。また＃１定する量によって、フィル／
３８を１元７アイパ５と俺党層１８との間を、＊７ｊ同
に移動させるようにする・セン−の分解能を増すために
１層１ｍは、−Ｖ−版印刷を使用して、Ｊｉａ図のよう
なスクリーンパターンにエツチングすることができる。
同＊に、覚ファイバの車ｔＩＩＩＡ函に配置する透明基
板４４にもスクリーンパｐ−ν４５を設けておかねはな
らない・これによりＮ度を増すほか、よ）よい再現性も
得られる。盆センナ表面に、同時に変調を加えるからで
あるｅ局部的な欠・点は１重畳なものではない。
板４４にもスクリーンパｐ−ν４５を設けておかねはな
らない・これによりＮ度を増すほか、よ）よい再現性も
得られる。盆センナ表面に、同時に変調を加えるからで
あるｅ局部的な欠・点は１重畳なものではない。
フィルタ３８が１元ファイバ５の移動に追随することが
Ｉｉｌ壜れるときは、発光層１４１の一路を。
Ｉｉｌ壜れるときは、発光層１４１の一路を。
１１９図のように、エツチングによって取除く、これに
よって、ａＳ変換器磯目跡得られる可圏性を抜書する・ 以上に記述したＩ２置は、脣許ｄ求の範ｄ円の多（の方
法において、変形が可能である。
よって、ａＳ変換器磯目跡得られる可圏性を抜書する・ 以上に記述したＩ２置は、脣許ｄ求の範ｄ円の多（の方
法において、変形が可能である。
第１ａ図、第１ｂ図は従来の元７アイパ測定装置の構成
を示す図、第２図は、１１１図の装置（Ｄ＠分拡大図。 第６ａ図、第３ｂ図は本発＠による実施１１關定装置の
全体を示す図、ｌＧＡ因は第５図に示す本発明測定装置
のスペクトル関係を示す図、及び第５図から第９図まで
はセンサの別実施ｆＩ″Ｉｋ示す図である。 ２．３１・・・・・・発光ダイオード ５・・・・・・元ファイバ ７．３８．４２・・・・・・光スペクトルフィルタ９・
・・・・・ホトダイオード（光検出器ン１４・・・・・
・変換器（センサ］ １５．１＆、１７．１！１，２３・・・・・・早場体層
１８．２２・・・・・・発光牛導体層 ２５・・・・・・発光ダイオード（２）の放射スペクト
ル３７１Ｌ、３７ｂ・・・・・・スイッチ４１・・・・
・・発光ダイオード（３１）の放射スペクトル代場人
浅 村 皓 外４名
を示す図、第２図は、１１１図の装置（Ｄ＠分拡大図。 第６ａ図、第３ｂ図は本発＠による実施１１關定装置の
全体を示す図、ｌＧＡ因は第５図に示す本発明測定装置
のスペクトル関係を示す図、及び第５図から第９図まで
はセンサの別実施ｆＩ″Ｉｋ示す図である。 ２．３１・・・・・・発光ダイオード ５・・・・・・元ファイバ ７．３８．４２・・・・・・光スペクトルフィルタ９・
・・・・・ホトダイオード（光検出器ン１４・・・・・
・変換器（センサ］ １５．１＆、１７．１！１，２３・・・・・・早場体層
１８．２２・・・・・・発光牛導体層 ２５・・・・・・発光ダイオード（２）の放射スペクト
ル３７１Ｌ、３７ｂ・・・・・・スイッチ４１・・・・
・・発光ダイオード（３１）の放射スペクトル代場人
浅 村 皓 外４名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 位置、速度、加速度、力、圧力、伸び、装置
等のような智ｆＩＡｔを一定する元ファイバ測定表置に
おいて１．ＩＥ子装置（７）と変換器（Ｇ）との関に光
を等（ための少（とも１個の元７アイパ（５）な１．ま
た前記変換器（（ｌは少くとも１個の発−ｙｔ素子（１
５，１６，１１１等）を備えるものであって。 一定するｗａｔｔを１１例えば吸装置又は干装置の元ス
ペクトルフィルタ（３８，４２）の変換器（１４）中の
元ファイバ（５）又は前記弗−ｙｔ素子に５１する位置
に影響するように配置し、また前記スペクトルフィルタ
（３８）を前記党ファイバＣ％）の末端１ｍト少＜ ト
４１ （１）ｌｌｉｅ＠元嵩子（１５，１１ｉ）との間
で、広範囲又は小範囲に影響を受ける位置に配置し、か
つｉ！Ｉ紀電子エニット（２）には少くも２ｍの光源ｔ
２．３１）を備えて、これらの光源がｌＩＩ紀元ファイ
バ（５）によって、−記発元素子（１５，１６３を照明
するように配置してあって。 前記スペクトルフィルタ（３８）の光透過スペクトルと
前記元源（２，３１）の光放射スペクトルとは％前記ス
ペクトルフィルタが、−万の光源から発生する元を他方
のＪＪｔ源から発生する元よシも広範囲に通過させるよ
うに選定しであることを特徴とする前記の元７アイパ欄
定装置。 （２）特許請求の範ａ第１項において、繭妃光源（２，
３１）は１時分割又は周波数分割で多重化され（３Ｌ＆
）１１前記２個の光源から光ファイバ（５）へ結合する
元効果は１元字的帰ｊｌ（３２゜３３．３４．３５．４
＠３によって互に一定の関係に保たれ、変換器から発生
する放射光は光ファイバ（５）及び光フィルタ（１）を
通過して光導電ＩＥ（９）ＫＭ違Ｌ１．ｍＥ９．７４ｍ
１ （Ｔ ）は光源（２，３１）からの光反射を阻止す
るようになっておｎｌ、ｔた一記党検出器（９）からの
検出信号は、多重分−されて、２個の光源（２，３１）
に励起される変換器（１４）中の発光に応答する２信号
を得るようＫなっていることを藷黴とする元ファイバ一
定装置。 （３）特許請求の範ＩＮ！第２項において％ｔ ＩＩＩ
Ａ定する量によって明かに影響される信号を得るために
、多重分離した検出信号の商を形成する装置な備えてい
ることを特徴とする光７アイパ纒定装置・（４）特許請
求の範囲第１項においで、鵬紀光スペクトルフィルタ（
３１１）、＄ａ収アイル＃（４２）で、波長に対する吸
収端が２儂のｔｌｌ（２，３１）の放射スペクトル（２
５，４１）Ｄ中間に位置する構成となっていることを特
徴とする光フアイバ測定装置。 （５） ４１許ｉＩ求の範ＷＡ第１項において、１１
発覚素子が、ｍ定中照射される盆！！藺とできる限〕同
一のＩＫＰ＃組成とすることを脅黴とする党ファイバ一
定装置。 （６３Ｗｉｔ’Ｆ＊Ｘ）範１ｉ！１１１１１項においｆ
％１１Ｍｆｉ素子（１５，１ｇ）の発ｔ＃１）（１８，
２２）＆−，。 半導体層（１８，２２３？−成し、またその周辺材（１
７，１１１，３８，２３）も半導体層で構成し、これら
の半導体層は、Ｉｉ党層（１８，２２）の格子定数にで
きる＠〕一致させるが、脅尤層（１８，２２）よ〕も大
きなバンド・ヤヤツｌをもつものとする・ことを特徴と
する覚ツアイＡｍＡ定装置。 （７） 特許１１１京のｌＫ囲第６項において、−起
生導体層（１７，１８，１１３１１，２２，２３）ｔ’
（）１１−ｚＡｊｚムｓ ＃ ＩｎｚＧ＆１−ｚム’Ｙ
Ｐよ一！ ”又は周期律表第ｆｆｌ族ないし第Ｖ族の３
元素及び４元素からなる牛導体で製造するものとし、上
記Ｘ及び！は牛導体の層ごとく変えて所期の址ネＪ＆イ
ー帝閲−関係な得るようにし、また発光半導体層（１８
，２２）は１所期の偽卑スペクトｋを２４もために、け
い素（８エハマダネＶウム（Ｍｇ）、又はｒルマエウム
（Ｇ・）でドービνｒすることを特徴とする党ファイバ
一定装置・ （８） 特許請求の範１１ｊ１７項においてイ前記党
スペクトルフィルタ（３８）を−起生導体層の一つで構
成するが、こ″の層は選択的エラチン／によって、下方
の半導体層（１７）の１儀又は歇侭の部分貴厘からｌＲ
除いであることを特徴とする光ファイバ測定装置・ （９） 特＃！Ｆ＃ＩＩ求の範囲第８項において、７
−起部分濶面をスクリーンパターンとして形成しし謳ａ
ｍ）ｖこのスクリーンパターンが他のスクリーンパター
ン（４１に対して相対的に＊励可耗とする覚７アイパ副
定装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE82005752 | 1982-02-02 | ||
| SE8200575A SE435966B (sv) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Fiberoptiskt metdon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137710A true JPS58137710A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=20345891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58014475A Pending JPS58137710A (ja) | 1982-02-02 | 1983-01-31 | 光フアイバ測定装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4560868A (ja) |
| EP (1) | EP0085875A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58137710A (ja) |
| CA (1) | CA1186525A (ja) |
| SE (1) | SE435966B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200121A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光応用計測装置 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8311256D0 (en) * | 1983-04-26 | 1983-06-02 | Central Electr Generat Board | Measuring external parameter |
| US4621929A (en) * | 1983-10-12 | 1986-11-11 | Luxtron Corporation | Fiber optic thermal anemometer |
| US4683374A (en) * | 1985-08-07 | 1987-07-28 | General Signal Corporation | Method and means for multiplexing optical sensors |
| US4743119A (en) * | 1985-08-22 | 1988-05-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical measuring apparatus |
| US4701611A (en) * | 1985-09-30 | 1987-10-20 | Mechanical Technology Incorporated | Reflectivity compensated fiber optic sensor |
| US4752141A (en) * | 1985-10-25 | 1988-06-21 | Luxtron Corporation | Fiberoptic sensing of temperature and/or other physical parameters |
| GB8531149D0 (en) * | 1985-12-18 | 1986-01-29 | Smiths Industries Plc | Optical transducers |
| WO1988002545A1 (en) * | 1986-10-03 | 1988-04-07 | Conax Buffalo Corporation | Fiber optic sensor apparatus |
| US4947036A (en) * | 1986-10-03 | 1990-08-07 | Conax Buffalo Corporation | Self-monitoring optical sensor having a ratiometric output signal |
| GB8625471D0 (en) * | 1986-10-24 | 1986-11-26 | Bicc Plc | Displacement detection |
| JPS63124901A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 干渉計 |
| GB8909593D0 (en) * | 1989-04-26 | 1989-06-14 | Unicon Holdings Ltd | Optical fibre sensor system |
| US5177352A (en) * | 1991-06-06 | 1993-01-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Integrated optical tamper sensor with planar waveguide |
| US7043984B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-05-16 | Fling John J | Automatically actuated liquid level sensor |
| US7418861B2 (en) * | 2006-01-10 | 2008-09-02 | Fling John J | Mechanically self actuated liquid level sensor |
| US20070171638A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Sbc Knowledge Ventures, L.P. | Apparatus and methods for transmitting light over optical fibers |
| US7444865B2 (en) * | 2006-05-04 | 2008-11-04 | Fling John J | Parallelogram actuated liquid level sensor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE415397B (sv) * | 1978-06-02 | 1980-09-29 | Asea Ab | Fiberoptiskt metdon |
| SE413555B (sv) * | 1978-09-15 | 1980-06-02 | Asea Ab | Fiberoptiskt metdon |
| SE7903175L (sv) * | 1979-04-10 | 1980-10-11 | Asea Ab | Fiberoptiskt metdon |
| SE417137B (sv) * | 1979-05-31 | 1981-02-23 | Asea Ab | Optiskt metdon for metning av magnetiska och elektriska felt |
| SE431259B (sv) * | 1979-10-10 | 1984-01-23 | Asea Ab | Fiberoptisk temperaturgivare baserad pa fotoluminiscens hos ett fast material |
| SE418904B (sv) * | 1979-12-28 | 1981-06-29 | Asea Ab | Fiberoptiskt metdon for metning av fysikaliska storheter sasom lege, hastighet, acceleration, kraft, tryck, tojning och temperatur |
| US4356396A (en) * | 1980-12-17 | 1982-10-26 | Siemens Corporation | Fiber optical measuring device with compensating properties |
-
1982
- 1982-02-02 SE SE8200575A patent/SE435966B/sv not_active IP Right Cessation
-
1983
- 1983-01-22 EP EP83100560A patent/EP0085875A3/de not_active Withdrawn
- 1983-01-31 US US06/462,702 patent/US4560868A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-01-31 JP JP58014475A patent/JPS58137710A/ja active Pending
- 1983-02-01 CA CA000420708A patent/CA1186525A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200121A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光応用計測装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1186525A (en) | 1985-05-07 |
| EP0085875A3 (de) | 1986-09-17 |
| SE435966B (sv) | 1984-10-29 |
| SE8200575L (sv) | 1983-08-03 |
| US4560868A (en) | 1985-12-24 |
| EP0085875A2 (de) | 1983-08-17 |
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