JPS5814140A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5814140A JPS5814140A JP11272881A JP11272881A JPS5814140A JP S5814140 A JPS5814140 A JP S5814140A JP 11272881 A JP11272881 A JP 11272881A JP 11272881 A JP11272881 A JP 11272881A JP S5814140 A JPS5814140 A JP S5814140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- layer
- amorphous silicon
- photoreceptor
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アモルファスシリコンにて形成さ扛た電子写
真感光体の改良に関するものである。
真感光体の改良に関するものである。
従来より、電子写真複写機の感光体としてはＧｏ、Ｏｄ
ｅ、 ＺｎＯなどの無機元導電拐料や、ボＩＪ −Ｎビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）、）リニトロフルオレイン
（’ｒＮｙ）などの有機光導電材料が使用されていた◎ しかしながら、こ几らの拐科は夫々次のような欠点を有
していた。即ち、Ｂｅｆｌ耐熱性に乏しく毒性があるこ
と、ＣｄＳ は公害物質であること、ＺｎＯは寿命が短
いこと、またＰＶＫやＴ Ｎ Ｆにつし感度が低Ａこと
などである。
ｅ、 ＺｎＯなどの無機元導電拐料や、ボＩＪ −Ｎビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）、）リニトロフルオレイン
（’ｒＮｙ）などの有機光導電材料が使用されていた◎ しかしながら、こ几らの拐科は夫々次のような欠点を有
していた。即ち、Ｂｅｆｌ耐熱性に乏しく毒性があるこ
と、ＣｄＳ は公害物質であること、ＺｎＯは寿命が短
いこと、またＰＶＫやＴ Ｎ Ｆにつし感度が低Ａこと
などである。
そこで、これらの欠点を解決する感光体の材料として、
アモルファスシリコン（以下％ａ −Ｓ ｉと略称する
）が最近注目をあびている。このａ−８１μ、面］久性
、耐熱性に優れ、無毒でしかも高感度であり、前記従来
例の欠点を全て解決すると込う、いいことずくめの材料
である◎ しかしこのａ −Ｓ ｉについても、なお次のような欠
点がある。ａ−Ｓ、を被膜を支持体表面に形成させるに
は、真空容器内に支持体とＳｉＨ４ガスを封入し、グロ
ー放電させる方法により行う。し刀為し、このグロー放
電法により生成したａ −Ｓ ｉ被膜の暗抵抗は、１０
０１程度と低く、従来の電子写真複写機ＶＣは使用でき
なかった。この事情を更に詳述すると、電子写真複写機
において、静電潜像を得るためＶＣは−先ず、感光体表
面ケコロナ放電により一様に帯電をぜ、次１’（帯電さ
几た表面を選択的に露光し、感光体内部にキャリアを生
成する。このキャリアＶＣ，ｌ：り表面電荷が中和され
るので、感光体のｍ光ざ′ｔ′Ｌ友部分の電荷は消失し
、非露光部分にのみ電荷が残る。この残留電荷により形
成さｒｔたものが静電潜像である・感光体の特性として
要求されることは、表面電荷？保持する能力、および露
光によりキャリアを生成する能力である。そしてこの電
荷保持力に普通暗抵抗に比例する。暗抵抗が低いと、導
電性支持体から注入されるキャリアにより、露光さ几な
くとも表面電荷が中和さ几る。従って静電潜像の電位は
低くなり。
アモルファスシリコン（以下％ａ −Ｓ ｉと略称する
）が最近注目をあびている。このａ−８１μ、面］久性
、耐熱性に優れ、無毒でしかも高感度であり、前記従来
例の欠点を全て解決すると込う、いいことずくめの材料
である◎ しかしこのａ −Ｓ ｉについても、なお次のような欠
点がある。ａ−Ｓ、を被膜を支持体表面に形成させるに
は、真空容器内に支持体とＳｉＨ４ガスを封入し、グロ
ー放電させる方法により行う。し刀為し、このグロー放
電法により生成したａ −Ｓ ｉ被膜の暗抵抗は、１０
０１程度と低く、従来の電子写真複写機ＶＣは使用でき
なかった。この事情を更に詳述すると、電子写真複写機
において、静電潜像を得るためＶＣは−先ず、感光体表
面ケコロナ放電により一様に帯電をぜ、次１’（帯電さ
几た表面を選択的に露光し、感光体内部にキャリアを生
成する。このキャリアＶＣ，ｌ：り表面電荷が中和され
るので、感光体のｍ光ざ′ｔ′Ｌ友部分の電荷は消失し
、非露光部分にのみ電荷が残る。この残留電荷により形
成さｒｔたものが静電潜像である・感光体の特性として
要求されることは、表面電荷？保持する能力、および露
光によりキャリアを生成する能力である。そしてこの電
荷保持力に普通暗抵抗に比例する。暗抵抗が低いと、導
電性支持体から注入されるキャリアにより、露光さ几な
くとも表面電荷が中和さ几る。従って静電潜像の電位は
低くなり。
現像した際にコントラストが悪くなる。一方、ａ−Ｓ
ｉ被膜の暗抵抗を高くして、電荷保持力を向上さぜるＩ
ｃは、ａ−８ｉ被膜の製造条件を厳密に制御する必要が
あ９％製造することが難かしく実用的でなかった〇 本発明は、このａ−８１被膜の暗抵抗ケ高くするよりも
、むしろ導電性支持体から注入さ几るキャリアの量を制
限し一暗抵抗？高くするのと同様の効果ヲ得ようとする
ものである・ 以下、本発明の実施ｆｉＩＶＣつき図面に従がい説明す
る。第１図は感光体の一部を示す断面図で、（１）はア
ルミニウム製の支持体、 １２１ｉこの支持体（１）の
上面に形成ζｎた、絶縁性の酸化下ルミニウム被膜層で
ある。（３）ぼ前記酸化アルミニウム被ｐｊＸ層（２）
の上面にコーティングさ几たａ −Ｓ ｉ層である。
ｉ被膜の暗抵抗を高くして、電荷保持力を向上さぜるＩ
ｃは、ａ−８ｉ被膜の製造条件を厳密に制御する必要が
あ９％製造することが難かしく実用的でなかった〇 本発明は、このａ−８１被膜の暗抵抗ケ高くするよりも
、むしろ導電性支持体から注入さ几るキャリアの量を制
限し一暗抵抗？高くするのと同様の効果ヲ得ようとする
ものである・ 以下、本発明の実施ｆｉＩＶＣつき図面に従がい説明す
る。第１図は感光体の一部を示す断面図で、（１）はア
ルミニウム製の支持体、 １２１ｉこの支持体（１）の
上面に形成ζｎた、絶縁性の酸化下ルミニウム被膜層で
ある。（３）ぼ前記酸化アルミニウム被ｐｊＸ層（２）
の上面にコーティングさ几たａ −Ｓ ｉ層である。
第２図ａ１本発明の他の実施例の一部を示す断面図で、
酸化アルミニウム被膜層（２１の上面がプラズマエツチ
ングさｎ、粗面化ζ′ｎｋものである。
酸化アルミニウム被膜層（２１の上面がプラズマエツチ
ングさｎ、粗面化ζ′ｎｋものである。
こうすることにより、ａ−８ｉ層（３）げ、酸化アルミ
ニウム被膜層（２１よシ答易に剥離ゼず、長寿命化が図
ｎる。
ニウム被膜層（２１よシ答易に剥離ゼず、長寿命化が図
ｎる。
斜上のように、導電性支持体の表面に、前記支持体の絶
縁性酸化被膜が形成さ几ているので、支持体からキャリ
アが注入されることが制限さ几。
縁性酸化被膜が形成さ几ているので、支持体からキャリ
アが注入されることが制限さ几。
暗抵抗をあまり冒〈シなくとも、充分な電荷保持力を有
する。
する。
なお、前記酸化被膜層があ−まり厚いと、こんどは露光
された際にも、電荷が逃げられないことになる。従って
、その厚さは数ミクロン以下であることが望ましい。
された際にも、電荷が逃げられないことになる。従って
、その厚さは数ミクロン以下であることが望ましい。
このように本発明によると、感光体として優秀な性質ケ
有するａ −Ｓ ｉにて、容易に電子写真複写機の感光
体を実現することができる。
有するａ −Ｓ ｉにて、容易に電子写真複写機の感光
体を実現することができる。
第１図および第２図は夫々本発明の相異なる実施例を示
す断面図である。 ＋１１・・・支持体、（２）・・・酸化アルミニウム被
膜層、（３）・・・アモルファスシリコン層。 第１図 第２図
す断面図である。 ＋１１・・・支持体、（２）・・・酸化アルミニウム被
膜層、（３）・・・アモルファスシリコン層。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性金猫支時体の表面に、アモルファスシリコン
が社覆さ′ｎた電子写真感光体において。 前記支持体の表面とアモルファスシリコン層との間に、
支持体の絶縁性酸化被膜層が形成されていることを特徴
とする電子写真感光体。 ２、支持体がアルミニウムで、酸化被膜が酸化アルミニ
ウムである特許請求の範囲第１項記載の電子写Ｊ（感光
体・ ６−酸化被膜層の表面が、プラズマエツチングさｎｙｃ
ものである特許請求の範囲第１項若しくげ第２項記載の
電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11272881A JPS5814140A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11272881A JPS5814140A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814140A true JPS5814140A (ja) | 1983-01-26 |
Family
ID=14594047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11272881A Pending JPS5814140A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814140A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11272881A patent/JPS5814140A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
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