JPS58142934U - 多結晶シリコンウエハ製造装置のタ−ンテ−ブル機構 - Google Patents

多結晶シリコンウエハ製造装置のタ−ンテ−ブル機構

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Publication number
JPS58142934U
JPS58142934U JP4072882U JP4072882U JPS58142934U JP S58142934 U JPS58142934 U JP S58142934U JP 4072882 U JP4072882 U JP 4072882U JP 4072882 U JP4072882 U JP 4072882U JP S58142934 U JPS58142934 U JP S58142934U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
turntable
polycrystalline silicon
silicon wafer
forming surface
wafer manufacturing
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Pending
Application number
JP4072882U
Other languages
English (en)
Inventor
敬志 横山
泰宏 前田
Original Assignee
株式会社　ほくさん
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Publication date
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Priority to AU83147/82A priority patent/AU562656B2/en
Priority to US06/373,039 priority patent/US4561486A/en
Priority to DE8282302246T priority patent/DE3277974D1/de
Priority to EP82302246A priority patent/EP0065373B1/en
Publication of JPS58142934U publication Critical patent/JPS58142934U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係るターンテーブル機構を具備した多
結晶シリコンウェハ製造装置の一部を切欠した正面説明
図、第２図は同機構の一部を切欠した正面図、第３図は
他実施例による同機構の一部切欠正面図である。 ５・・・ターンテーブル、６・・・・・・ウェハ形成面
、７・・・・・・回収受皿、８・・・回転軸、９・・・
・・・ウェハ皿。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）所望雰囲気にあって、ターンテーブルのウェハ形
    成面におけるシリコン母材を、当該ターンテーブルの回
    転による遠心力によって、拡径方向へ流動させることに
    より、尚該融液による所望径の融液薄層を形成し、これ
    を固化するようにした多結晶シリコンウェハ製造装置に
    おいて、上記ウェハ形成面を有するターンテーブルの外
    周側に、当該ウェハ形成面から飛散する融液を受承する
    回収受皿が配設されてなる多結晶シリコンウェハ製造装
    置のターンテーブル機構。
  2. （２）ターンテーブルが回転軸と、これに固設した回収
    受皿とにより形成され、ターンテーブルのウェハ形成面
    が、上記回収受皿にあって軸心位置に載置されたウェハ
    皿の上面として形成されている実用新案登録請求の範囲
    第１項記載の多結晶シリコンウェハ製造装置のターンテ
    ーブル機構。
  3. （３）ウェハ形成面を有するターンテーブルの外周側に
    配設された回収受皿が、上記ターンテーブルとは切離し
    て固設されている実用新案登録請求の範囲第１項記載の
    多結晶シリコンウェハ製造装置のターンテーブル機構。
JP4072882U 1981-04-30 1982-03-23 多結晶シリコンウエハ製造装置のタ−ンテ−ブル機構 Pending JPS58142934U (ja)

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JP4072882U JPS58142934U (ja) 1982-03-23 1982-03-23 多結晶シリコンウエハ製造装置のタ−ンテ−ブル機構
AU83147/82A AU562656B2 (en) 1981-04-30 1982-04-29 Fabricating polycrystalline silicon wafers
US06/373,039 US4561486A (en) 1981-04-30 1982-04-29 Method for fabricating polycrystalline silicon wafer
DE8282302246T DE3277974D1 (en) 1981-04-30 1982-04-30 Method fabricating a polycrystalline silicon wafer
EP82302246A EP0065373B1 (en) 1981-04-30 1982-04-30 Method fabricating a polycrystalline silicon wafer

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5427720A (en) * 1977-08-03 1979-03-02 Nec Corp Process amplifier of color pickup unit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5427720A (en) * 1977-08-03 1979-03-02 Nec Corp Process amplifier of color pickup unit

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