JPS5814944A - 減圧気相成長方法および減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長方法および減圧気相成長装置Info
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- JPS5814944A JPS5814944A JP11269381A JP11269381A JPS5814944A JP S5814944 A JPS5814944 A JP S5814944A JP 11269381 A JP11269381 A JP 11269381A JP 11269381 A JP11269381 A JP 11269381A JP S5814944 A JPS5814944 A JP S5814944A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本ｌｈ明はシリコン基板上に不純物を添加した多結晶ク
リコンやクリコツ１１Ｍ化展などのシリコン系薄＆ｌｌ
’を低圧下で気４１城長嘔ぜる方法および装置にｌ−ド
３はクエハ４．よガス源５＃ｉ駐式ｒ町は＾仝ポンプで
ある。このような従来の減圧気相成長方法においては、
′反応管１円の圧力が低いため、角蓋曾は用いる仁とが
できず、連成反応゛？は円筒管または楕円筒管が用−ら
れる。越気炉５により１熱され九反応曾ｌ内會＾望ポン
プ６で排気しつつ、ガス源４より反応ガス會Ｉｉ応官ｌ
内へ一連處瀘流入させ、一定の低圧下でウェハ３上に谷
櫨薄−を形成させる。反応ガス會よ反めｌｘの長軸方間
にルｆＬる゛。この装置および方法ｙＣ＆い′Ｃは、基
板（クエハ）３−とガス流が虐ｉｆになるように着板３
が反応管１内＆Ｃ叔−されるため、蕪破ｊ〇−辺で乱ル
を生じる。８４ｋＸ４（毫）７２／）ガスを旋用したＶ
９−３ｙ系薄膜Ｏ形威の場合、実用上Ｏ形成条件、例え
と不純物を添加し１に一多ＭＩ晶シリコンの形成東件、
温度約６００℃、圧力的０．１〜１１ｏｒｔで轄、不義
物を亀加しな一今結晶シリコンの形成は！ｌ１１１反応
か律遣過機であるので、ガス流の糺れの影響社受性ない
。しかし不ｌ１１１物を繞加した多結晶ｙ９コノ及びシ
リコン論化属の形成は、表ｍ１反応が律速Ａｌｌでなく
なる丸め、ガス流の乱れの影響を受け、仁のため、不純
物を亀加しない多結晶シリコｙ食論いて杜、このような
方法、装置を用い良場合、ｙ＃成され先薄Ｉ１１！Ｏａ
Ｉ厚は不均一になると言う欠点があった・ 縞２図紘匍の従来の減圧ｇＩＬ相成長績置装置略図であ
に、図中の符号は５１１図と同様のものを示す◎ζｏ＠
＠ｓｐよび方法は、一枚の平板のボート２上に基＠８０
４１４面全向がメートに接する様に基板３を設置し、こ
のメート２ｔ−反応管ｌ内へ挿入し、Ｊｌｉ板１＃に平
行になるようにガスｔｇ人させて、薄膜を形成１せてい
る。
リコンやクリコツ１１Ｍ化展などのシリコン系薄＆ｌｌ
’を低圧下で気４１城長嘔ぜる方法および装置にｌ−ド
３はクエハ４．よガス源５＃ｉ駐式ｒ町は＾仝ポンプで
ある。このような従来の減圧気相成長方法においては、
′反応管１円の圧力が低いため、角蓋曾は用いる仁とが
できず、連成反応゛？は円筒管または楕円筒管が用−ら
れる。越気炉５により１熱され九反応曾ｌ内會＾望ポン
プ６で排気しつつ、ガス源４より反応ガス會Ｉｉ応官ｌ
内へ一連處瀘流入させ、一定の低圧下でウェハ３上に谷
櫨薄−を形成させる。反応ガス會よ反めｌｘの長軸方間
にルｆＬる゛。この装置および方法ｙＣ＆い′Ｃは、基
板（クエハ）３−とガス流が虐ｉｆになるように着板３
が反応管１内＆Ｃ叔−されるため、蕪破ｊ〇−辺で乱ル
を生じる。８４ｋＸ４（毫）７２／）ガスを旋用したＶ
９−３ｙ系薄膜Ｏ形威の場合、実用上Ｏ形成条件、例え
と不純物を添加し１に一多ＭＩ晶シリコンの形成東件、
温度約６００℃、圧力的０．１〜１１ｏｒｔで轄、不義
物を亀加しな一今結晶シリコンの形成は！ｌ１１１反応
か律遣過機であるので、ガス流の糺れの影響社受性ない
。しかし不ｌ１１１物を繞加した多結晶ｙ９コノ及びシ
リコン論化属の形成は、表ｍ１反応が律速Ａｌｌでなく
なる丸め、ガス流の乱れの影響を受け、仁のため、不純
物を亀加しない多結晶シリコｙ食論いて杜、このような
方法、装置を用い良場合、ｙ＃成され先薄Ｉ１１！Ｏａ
Ｉ厚は不均一になると言う欠点があった・ 縞２図紘匍の従来の減圧ｇＩＬ相成長績置装置略図であ
に、図中の符号は５１１図と同様のものを示す◎ζｏ＠
＠ｓｐよび方法は、一枚の平板のボート２上に基＠８０
４１４面全向がメートに接する様に基板３を設置し、こ
のメート２ｔ−反応管ｌ内へ挿入し、Ｊｌｉ板１＃に平
行になるようにガスｔｇ人させて、薄膜を形成１せてい
る。
ζ０＆ｍでは、反応管１が円ｍ謔であるため、管壁と基
板３ＩｉＩｉとの距離が、基板３−内で真なっているた
めに、Ａ ＊ ３ ｔｉａ上のガスＯＩＬれは不均一と
１にり、不純物を添加しない多結晶どり；ンＩＩ４を除
いては、形成されたｓ膜Ｏ膜厚社、ｍＩ １図に示した
方法、装置と同様に不均一になるという欠点がめつ九〇 本発明はこぐ）ような欠点のない減圧気相成長方法、及
び減圧気相成長鋏置ｔ！Ｉ供することを目的とする。し
たがって本発明による減圧気相成長方法は、高温下およ
び低圧下で基板を反応ガスに４して膜を成長さ旋条減圧
気相成長方法において、相互に対向しかつ平行な少なく
とも２秋の平板の少なくとも１枚に前記基板を数置し、
この平板向に対し、はぼ平行な方向より前記反応ガスを
流すこと１−＊歇とするものである〇 また４：発明による威圧気相成長装置は、反応管と、こ
の反応ｖｌを加熱するための加熱す威と、この反応・Ｃ
円ｔ−威圧・する威圧手皺と、戊Ａ６１１円に設置しう
る、少なくと４２枚の相互に対内し、かつ平行なａｉ＆
４ｊ欽＃ＩＬ用平板と、こ０１嶺敷置用十板に対し、反
応ガスをはぼ平行に流しうる反応ガス導入手段を備え九
ことを％鑓とするものである〇本働明による減圧気相成
長方法及び４ｉ＆鎧によれば、相互に対向し、かつ平行
な平板上に基板を装置し、これに平行に反応ガスを流し
、気相成長せしめゐので、従来のように乱−が生ずるこ
となく、し九がって、不ｌａ吻を含むＳ肩を基板上に成
長させｂ場合において４に均一な１１［厚で成長させう
ると言う利点がある。
板３ＩｉＩｉとの距離が、基板３−内で真なっているた
めに、Ａ ＊ ３ ｔｉａ上のガスＯＩＬれは不均一と
１にり、不純物を添加しない多結晶どり；ンＩＩ４を除
いては、形成されたｓ膜Ｏ膜厚社、ｍＩ １図に示した
方法、装置と同様に不均一になるという欠点がめつ九〇 本発明はこぐ）ような欠点のない減圧気相成長方法、及
び減圧気相成長鋏置ｔ！Ｉ供することを目的とする。し
たがって本発明による減圧気相成長方法は、高温下およ
び低圧下で基板を反応ガスに４して膜を成長さ旋条減圧
気相成長方法において、相互に対向しかつ平行な少なく
とも２秋の平板の少なくとも１枚に前記基板を数置し、
この平板向に対し、はぼ平行な方向より前記反応ガスを
流すこと１−＊歇とするものである〇 また４：発明による威圧気相成長装置は、反応管と、こ
の反応ｖｌを加熱するための加熱す威と、この反応・Ｃ
円ｔ−威圧・する威圧手皺と、戊Ａ６１１円に設置しう
る、少なくと４２枚の相互に対内し、かつ平行なａｉ＆
４ｊ欽＃ＩＬ用平板と、こ０１嶺敷置用十板に対し、反
応ガスをはぼ平行に流しうる反応ガス導入手段を備え九
ことを％鑓とするものである〇本働明による減圧気相成
長方法及び４ｉ＆鎧によれば、相互に対向し、かつ平行
な平板上に基板を装置し、これに平行に反応ガスを流し
、気相成長せしめゐので、従来のように乱−が生ずるこ
となく、し九がって、不ｌａ吻を含むＳ肩を基板上に成
長させｂ場合において４に均一な１１［厚で成長させう
ると言う利点がある。
本殆＠をｊ！に詳しく説明する。
本発明による方法によれば、少なくとも２枚の平板を用
い、このいずれかあるいは全部の平板に基板を数置する
。この祿、平［は相互に対向し、平行であるため、ガス
流は一紀乎板０炸用により、ＩＬ減を生ずることなく、
クエハに対し平行Ｋｍれる・このため、１ＬｔＩＬによ
って膜厚が変化する貞を成ａＳせるにみしても、均一な
膜厚が繍保しえるのである０ 次に本発明による減圧気相成長−直につ−て述べる。
い、このいずれかあるいは全部の平板に基板を数置する
。この祿、平［は相互に対向し、平行であるため、ガス
流は一紀乎板０炸用により、ＩＬ減を生ずることなく、
クエハに対し平行Ｋｍれる・このため、１ＬｔＩＬによ
って膜厚が変化する貞を成ａＳせるにみしても、均一な
膜厚が繍保しえるのである０ 次に本発明による減圧気相成長−直につ−て述べる。
４３図は本発明による威圧気相成Ｉｋ浜ｄｌｌ〇−実施
一の概略−であ）、図中、ｓｌ線反応管、１２は基板敷
−用平板、３３は基板、３４はガス練、３５は磁気−，
３６は真空ポンプを示す０８３図、よ）明かなように、
反応管３１ｉｊこの反応４１３１に反応ガスを供耐する
丸めのガス流３４および反応管３１内を減圧する真空ポ
ンプ３６に接帆していると共に、この反応ｄ３１ｆ加熱
するための電気炉３ｓを有して−る０さらに反応管３１
’ｐ ＊Ｃは相互に対向し、かつ平行な２枚の基板数
置用す板３２が反応ガスの流れ方向に対し、はぼ平行に
設置されておや、この２枚の平板３２のうち、下方の平
板３２にＩＩｌ叙の基＆３３が数置されている。
一の概略−であ）、図中、ｓｌ線反応管、１２は基板敷
−用平板、３３は基板、３４はガス練、３５は磁気−，
３６は真空ポンプを示す０８３図、よ）明かなように、
反応管３１ｉｊこの反応４１３１に反応ガスを供耐する
丸めのガス流３４および反応管３１内を減圧する真空ポ
ンプ３６に接帆していると共に、この反応ｄ３１ｆ加熱
するための電気炉３ｓを有して−る０さらに反応管３１
’ｐ ＊Ｃは相互に対向し、かつ平行な２枚の基板数
置用す板３２が反応ガスの流れ方向に対し、はぼ平行に
設置されておや、この２枚の平板３２のうち、下方の平
板３２にＩＩｌ叙の基＆３３が数置されている。
縞４凶は本発明による他の実施例の概略−で６９、図中
、符号３１〜３６は＠３図とｐＱ４４のものを示す。
、符号３１〜３６は＠３図とｐＱ４４のものを示す。
この嬉４−における実施例は纂３−における実施例とほ
ぼ同様であるが、対向し、かつ平行な基板敷Ｉｌｌ用半
板３２が２枚以上設けられ、かり１嶺３３は最上１１（
ＤＪｆＬＩＥ３２ｔａ−ｔ’＜、全？ｔｏ半値３２に敏
−されている。
ぼ同様であるが、対向し、かつ平行な基板敷Ｉｌｌ用半
板３２が２枚以上設けられ、かり１嶺３３は最上１１（
ＤＪｆＬＩＥ３２ｔａ−ｔ’＜、全？ｔｏ半値３２に敏
−されている。
謔５ｄ、ＪＩＥ＠ＩＩは本発明におけ６４戸の夷膳例ｏ
正ｍ５ａｒＪ＊＊ａａでｉｎ、ｍ中、４１９３１〜３ｍ
は萬３１１と同様のものを示し、３７は基板３３を支持
するためのつめを表わ゛す０ こ４０＊Ｊ１１ＮＫよれば、千ｇ＠２は、４４図の実施
例とｐ１１様、２枚以上、相互に平行しかつ対向して設
ゆられておシ、基、［３３は平板３２に設けられ九ＪＩ
Ｉ板支持用のりめ３７（より全ての平［３２に装置１れ
ている０第３図及び萬４図の実施例においては、平板３
２の面は重力方向に対し―直で島つたが、との実施例に
おいては平行となっている点轡讃がある。
正ｍ５ａｒＪ＊＊ａａでｉｎ、ｍ中、４１９３１〜３ｍ
は萬３１１と同様のものを示し、３７は基板３３を支持
するためのつめを表わ゛す０ こ４０＊Ｊ１１ＮＫよれば、千ｇ＠２は、４４図の実施
例とｐ１１様、２枚以上、相互に平行しかつ対向して設
ゆられておシ、基、［３３は平板３２に設けられ九ＪＩ
Ｉ板支持用のりめ３７（より全ての平［３２に装置１れ
ている０第３図及び萬４図の実施例においては、平板３
２の面は重力方向に対し―直で島つたが、との実施例に
おいては平行となっている点轡讃がある。
次に本発明による装置の作用を実−例と供に説明する。
１ｌＥ３−に概略図を示した装置を川゛いて墨板上に櫨
々Ｏ！ａ會形成した０幅９０■、長さ６００１１１１１
０平板３２上に、基板３３の裏面全面が平板３２Ｋｍｌ
するように、直径７６ｍの基板３３ｆニア枚設置し、腋
平板３２に平行に該平板３２と同寸法の千１［３ｍ会−
・腑の間隔ＩＪ１−いて対月嘔せ九メートを、反応管３
１１ｅ長軸と鍍平４［３２が平行にな４ようにして、電
気Ｆ３５によｐ加熱され九反応讐３１内へ挿入する０反
応１１ｉ３１内Ｏガスを真空ポンプ３６で排気し９つ、
ガスｇｓ４ｔＰ＆反応看３１内へ反応ガスを成人させ、
ｆＩＩ１１１４を形成するＯ基板３３面上のガラスは平
行な平板３２４０間を、基板３３ｔｈｌに平行Ｋｉすれ
るために、基板３３上のガスの流れが均一にな９、基板
３３上に形成される薄膜の膜厚が均一になる０ 絽７，８．＄１．１０，１１．１２図に本発明によるＶ
＆直および方法で形成した薄膜の膜厚分ＪＰ６を示す０
５９１７ 、８ｍｇは′リンを縫加し九多結晶クリコン
の４合で−るｏ１１！用し友反応ガスはモノシラン（８
１Ｈ４） ５００ Ｃｃ／ｍｊａ ホｘ フイ７ （Ｐ
Ｈ，） １２，５ａＣ，４ム轟、ヘリクＡ １！３７
．ｌ＄ （Ｃ／ｍｉｍ であ〉、ｏｌｌｉ＃成時ｏｔｍ
ｗは６５０℃、圧力は約ｔ、ｓ ｘ ｔｏ””気圧であ
り九〇第９．１０図は酸系を添加した多緒蟲シリコ／の
場合である＠使用したガスは、七）７９ノ（ｄｉム４４
）３００ Ｃ１−７ｍ ｉ ｎ笑気ガス（ＮｓＯ） １
００ ＣＣ／ｍｂｓ ヘリクＡ （）Ｉｓ） ８００
ＣＣ／ａａｌａでｈＭ、Ｉ１４形成時の鉦度は＋４ ｍａｏ℃、圧力は約７．Ｓ 、Ｘ ｔＧ 気圧であっ
た６ ｍ ’ ｌ ６１２図はりす：１／窒化膜の場合
である０使用し九ガス線峰ツクラン（８轟に） ｔＳＯ
ω／ｍｉｘ 、アン峰ニア （Ｑ ）１００００が／ｓ
ｉｍ 、 ヘ リ りＡ （Ｈａ）３５０ （Ｘ、
／ｍｉｘ”ｅ６）、１１図成時Ｏｍｆは８００℃、圧力
は９ｘ、１０ ｆｉｆｆｉテある０Ｊ１Ｂ、１０．１
２図は基板３３曙内の屓厚分ｊｔｓを示し、第７．９．
１１図は平版３２上の反応ガス０ｔＩＬれ方向にそった
膜厚分布を示している０これらのＩＩＫ示すように、い
ずれの膜種とも膜厚は均一である。
々Ｏ！ａ會形成した０幅９０■、長さ６００１１１１１
０平板３２上に、基板３３の裏面全面が平板３２Ｋｍｌ
するように、直径７６ｍの基板３３ｆニア枚設置し、腋
平板３２に平行に該平板３２と同寸法の千１［３ｍ会−
・腑の間隔ＩＪ１−いて対月嘔せ九メートを、反応管３
１１ｅ長軸と鍍平４［３２が平行にな４ようにして、電
気Ｆ３５によｐ加熱され九反応讐３１内へ挿入する０反
応１１ｉ３１内Ｏガスを真空ポンプ３６で排気し９つ、
ガスｇｓ４ｔＰ＆反応看３１内へ反応ガスを成人させ、
ｆＩＩ１１１４を形成するＯ基板３３面上のガラスは平
行な平板３２４０間を、基板３３ｔｈｌに平行Ｋｉすれ
るために、基板３３上のガスの流れが均一にな９、基板
３３上に形成される薄膜の膜厚が均一になる０ 絽７，８．＄１．１０，１１．１２図に本発明によるＶ
＆直および方法で形成した薄膜の膜厚分ＪＰ６を示す０
５９１７ 、８ｍｇは′リンを縫加し九多結晶クリコン
の４合で−るｏ１１！用し友反応ガスはモノシラン（８
１Ｈ４） ５００ Ｃｃ／ｍｊａ ホｘ フイ７ （Ｐ
Ｈ，） １２，５ａＣ，４ム轟、ヘリクＡ １！３７
．ｌ＄ （Ｃ／ｍｉｍ であ〉、ｏｌｌｉ＃成時ｏｔｍ
ｗは６５０℃、圧力は約ｔ、ｓ ｘ ｔｏ””気圧であ
り九〇第９．１０図は酸系を添加した多緒蟲シリコ／の
場合である＠使用したガスは、七）７９ノ（ｄｉム４４
）３００ Ｃ１−７ｍ ｉ ｎ笑気ガス（ＮｓＯ） １
００ ＣＣ／ｍｂｓ ヘリクＡ （）Ｉｓ） ８００
ＣＣ／ａａｌａでｈＭ、Ｉ１４形成時の鉦度は＋４ ｍａｏ℃、圧力は約７．Ｓ 、Ｘ ｔＧ 気圧であっ
た６ ｍ ’ ｌ ６１２図はりす：１／窒化膜の場合
である０使用し九ガス線峰ツクラン（８轟に） ｔＳＯ
ω／ｍｉｘ 、アン峰ニア （Ｑ ）１００００が／ｓ
ｉｍ 、 ヘ リ りＡ （Ｈａ）３５０ （Ｘ、
／ｍｉｘ”ｅ６）、１１図成時Ｏｍｆは８００℃、圧力
は９ｘ、１０ ｆｉｆｆｉテある０Ｊ１Ｂ、１０．１
２図は基板３３曙内の屓厚分ｊｔｓを示し、第７．９．
１１図は平版３２上の反応ガス０ｔＩＬれ方向にそった
膜厚分布を示している０これらのＩＩＫ示すように、い
ずれの膜種とも膜厚は均一である。
本輿施例では、平［３２を水平にし、該平板３２上に＆
＠ｓｓを設置し九構造Ｑものを使用し九が、錬千＠１１
を水平に設置しなくても、該平板が互いに予行であれば
本発明の効果が得られるのは明かである０ 以上ｌｉ＃４シたように、反応ガスは平行な平板の間を
１板−に平行ＫｒＩＬれる九めｔＧ、基板歯上θＩス０
ｆｉｌｌれが均一にな９、基板上く形成される薄膜Ｏ膜
厚が均−Ｖζなる０壕九平板を！＄段に積与腋ねること
により、灸畝の基板を設置することがで龜６０したがっ
てＩ［０生ｊ１１性も同上するという利点がある。
＠ｓｓを設置し九構造Ｑものを使用し九が、錬千＠１１
を水平に設置しなくても、該平板が互いに予行であれば
本発明の効果が得られるのは明かである０ 以上ｌｉ＃４シたように、反応ガスは平行な平板の間を
１板−に平行ＫｒＩＬれる九めｔＧ、基板歯上θＩス０
ｆｉｌｌれが均一にな９、基板上く形成される薄膜Ｏ膜
厚が均−Ｖζなる０壕九平板を！＄段に積与腋ねること
により、灸畝の基板を設置することがで龜６０したがっ
てＩ［０生ｊ１１性も同上するという利点がある。
なお、上記した夷厖飼の４１Ｉ４は本発明Ｏ虚飾を助け
るためであって、本発明の装置および方法が適用で龜る
４ｍを峨定す２ものではな４０図面の簡単な１Ｍ１ＩＩ
ｊ ＃！１図、＃１２図は従来の威圧気相成長懺−の値略図
、！＋４３．４，５．６図は本発明による減圧気相成長
装置の実施例の概４図、第７ 、８ 、９ 、１０、１
１ 、１２−は本発明による偵紘で形成し丸４磯の膜厚
分布である◎ ｔ、ａｔ−ｚ応１ ２・ｊ！１ｆｆｌをａｍするボート
３２−平＠ ３，３３・−基板 ４．３４・・・
ガス−５，３５−一電気炉 ６．３６−真空ポンプ３７
はｊｌｉ４［を一定するためのつめである。
るためであって、本発明の装置および方法が適用で龜る
４ｍを峨定す２ものではな４０図面の簡単な１Ｍ１ＩＩ
ｊ ＃！１図、＃１２図は従来の威圧気相成長懺−の値略図
、！＋４３．４，５．６図は本発明による減圧気相成長
装置の実施例の概４図、第７ 、８ 、９ 、１０、１
１ 、１２−は本発明による偵紘で形成し丸４磯の膜厚
分布である◎ ｔ、ａｔ−ｚ応１ ２・ｊ！１ｆｆｌをａｍするボート
３２−平＠ ３，３３・−基板 ４．３４・・・
ガス−５，３５−一電気炉 ６．３６−真空ポンプ３７
はｊｌｉ４［を一定するためのつめである。
出願人 代通人 南 冨 正 早第、２図
第４図
第５図 第６図
第７図
第８図
−Ｐイ反り第ｎ尚力゛弓り距膚庄（。□）第９図
第１０図
ｖｓ ＝７ｉｎ力’６ｑＲ癒敞（ｃｍ）第１１図
第１２図
平板ツ先揃寵゛弓ダ距離（ｃｍ）
第１頁の続き
０発 明 者 室田淳−
武蔵野市緑町３丁目９番１１号日
本電信電話公社武蔵野電気通信
研究所内
０発 明 者 澤井敬史
武蔵野市緑町３丁目９番１１号日
本電信電話公社武蔵野電気通信
研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １４諷下および低圧下で基板を反応ガスに罎して痕を成
長させる減圧気相成長方法において、相互に対向し、か
つ平行な少なくとも２枚の平板の少な（ど４１枚に１Ｍ
ｌ紀基板基板置し、この平板面に対し、はｉｔ平行な方
向より前記反応ガスｔ−訛すことを特徴とする減圧気相
成長方法０ 亀 ！ＬＬ１２．この反応ｆを加熱するための加熱手段
と、仁の反応管内′ｆｔ減圧する減圧手段と９反応ぜ内
に設−しうる、少なくとも２＆り４１ｉに対内し、かつ
平行な４＋板敷−用平板と、このｉ＆板舷置用平ＩＮＫ
ｔ４Ｌ、反応ガス金は、よ−ｆ行に４しうる反応ガス４
人手威を備えたことｔ一時値とする減圧気相成長帽６
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269381A JPS5814944A (ja) | 1981-07-18 | 1981-07-18 | 減圧気相成長方法および減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269381A JPS5814944A (ja) | 1981-07-18 | 1981-07-18 | 減圧気相成長方法および減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814944A true JPS5814944A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14593118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11269381A Pending JPS5814944A (ja) | 1981-07-18 | 1981-07-18 | 減圧気相成長方法および減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164860U (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-05 | トヨタ自動車株式会社 | 電気自動車用変速機 |
-
1981
- 1981-07-18 JP JP11269381A patent/JPS5814944A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164860U (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-05 | トヨタ自動車株式会社 | 電気自動車用変速機 |
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