JPS5815026A - 副生硫安の製造方法 - Google Patents
副生硫安の製造方法Info
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- JPS5815026A JPS5815026A JP11143281A JP11143281A JPS5815026A JP S5815026 A JPS5815026 A JP S5815026A JP 11143281 A JP11143281 A JP 11143281A JP 11143281 A JP11143281 A JP 11143281A JP S5815026 A JPS5815026 A JP S5815026A
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Landscapes
- Industrial Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コークス炉ガス(以下、COGという)中の
アンモニアを硫安どして回収する際の硫安母液の加熱方
法を改良した副生硫安の製造方法に関するものである。
アンモニアを硫安どして回収する際の硫安母液の加熱方
法を改良した副生硫安の製造方法に関するものである。
COGを飽和器内において、希硫酸と接触させて副生硫
安を製造する方法においては、飽和器内に硫安結晶が付
着するので、定期的に器内を水洗する必要があり、また
C0G1’C同伴さ扛る水蒸気及び硫酸に同伴される水
分等も器内に入って来るので、そのまま操業を続けると
器内の液量は時間の経過と共に増大する仁ととなる。
安を製造する方法においては、飽和器内に硫安結晶が付
着するので、定期的に器内を水洗する必要があり、また
C0G1’C同伴さ扛る水蒸気及び硫酸に同伴される水
分等も器内に入って来るので、そのまま操業を続けると
器内の液量は時間の経過と共に増大する仁ととなる。
このため、従来から飽和器の硫安母液循環ラインに加熱
器を設けて硫安母液を加熱し、硫安母液中の水分の一部
を飽和器で蒸発させ、排出させるCOG中へ移行させて
水バランスをとる方法が実施されている。この場合、硫
安母液全加熱すると母液中に含まれるタール分が重合し
て加熱面に付着し伝熱効率を低下させるので、加熱器と
しては構造が簡単で掃除の容易な蛇管式熱交換器が使用
されている。しかし、蛇管式熱交換器は総括伝熱係数が
300〜!; 0 ’OKeel/m”・hr・℃程度
と小さいので、熱効率が悪くかつ装置が大型となる欠点
がある。
器を設けて硫安母液を加熱し、硫安母液中の水分の一部
を飽和器で蒸発させ、排出させるCOG中へ移行させて
水バランスをとる方法が実施されている。この場合、硫
安母液全加熱すると母液中に含まれるタール分が重合し
て加熱面に付着し伝熱効率を低下させるので、加熱器と
しては構造が簡単で掃除の容易な蛇管式熱交換器が使用
されている。しかし、蛇管式熱交換器は総括伝熱係数が
300〜!; 0 ’OKeel/m”・hr・℃程度
と小さいので、熱効率が悪くかつ装置が大型となる欠点
がある。
そこで、本発明者等は伝熱係数の大きいプレート式熱交
換器又は多管式熱交換器の使用を図るべく、前記した付
着物の除去方法につき鋭意検討を重ねた結果、石炭を乾
留してコークスを製造する際に得らするコークス炉ガス
液(以下交換器を間歇的に洗浄することにより、プレー
ト式、多管式等仮燃係数の大きな熱交換器を使用しても
トラブルなく運転が可能となることを見出し本発明に到
達した。
換器又は多管式熱交換器の使用を図るべく、前記した付
着物の除去方法につき鋭意検討を重ねた結果、石炭を乾
留してコークスを製造する際に得らするコークス炉ガス
液(以下交換器を間歇的に洗浄することにより、プレー
ト式、多管式等仮燃係数の大きな熱交換器を使用しても
トラブルなく運転が可能となることを見出し本発明に到
達した。
すなわち、本発明の要旨はコークス炉ガスを飽和器内の
希硫酸と接触させて該ガス中のアンモニアを硫安として
回収する方法において、飽和器で生成した硫安スラリー
から硫安を分離した硫安母液を、熱交換器により加熱し
て飽和器に循環し、液中の水分の一部を飽和器で蒸発さ
せコークス炉ガスに同伴排出することにより液量をほぼ
一定に保持して操業を行うとともに、操業中、熱交換器
のプロセス側伝熱面を、コークス炉ガス液により間歇的
°に洗浄することを特徴とする副生硫安の製造方法に存
する。
希硫酸と接触させて該ガス中のアンモニアを硫安として
回収する方法において、飽和器で生成した硫安スラリー
から硫安を分離した硫安母液を、熱交換器により加熱し
て飽和器に循環し、液中の水分の一部を飽和器で蒸発さ
せコークス炉ガスに同伴排出することにより液量をほぼ
一定に保持して操業を行うとともに、操業中、熱交換器
のプロセス側伝熱面を、コークス炉ガス液により間歇的
°に洗浄することを特徴とする副生硫安の製造方法に存
する。
以下本発明の詳細な説明するに、本発明が適用さ扛る副
生硫安の製造方法は周知の方法であり、第7図に一例を
示すバブル型と第3図に一例を示すスプレー型とに大別
される。第1図に於いて(1)は飽和槽、(8)は流路
切換機構、(9)は熱交換器、(11)は結晶分離槽、
αりは遠心分離機である。アンモニア(以下NH,と記
す)を含んだCOGは、導°管(5)から飽和槽(1)
内に連続的に導入さ扛、槽内の希硫酸と接融してNu、
を吸収された後導管(4)より導出される。新しい硫酸
は導管(3)から導入さ扛、リング状配管(図示せず)
より槽内の液面上へ均一に散布さ扛る。
生硫安の製造方法は周知の方法であり、第7図に一例を
示すバブル型と第3図に一例を示すスプレー型とに大別
される。第1図に於いて(1)は飽和槽、(8)は流路
切換機構、(9)は熱交換器、(11)は結晶分離槽、
αりは遠心分離機である。アンモニア(以下NH,と記
す)を含んだCOGは、導°管(5)から飽和槽(1)
内に連続的に導入さ扛、槽内の希硫酸と接融してNu、
を吸収された後導管(4)より導出される。新しい硫酸
は導管(3)から導入さ扛、リング状配管(図示せず)
より槽内の液面上へ均一に散布さ扛る。
飽和槽(1)内の硫安母液は、生成した硫安の結晶と共
に、導管(2)から結晶分離槽θυへ導入され、導管O
Iより溢流して貯槽a印へ導入さする。結晶分離槽αυ
の硫安結晶は導管αりより遠心分離機<13へ供給され
、母液の分離及び水洗が行わ扛た後、導管0沿より乾燥
工程へ移送され製品とされる。
に、導管(2)から結晶分離槽θυへ導入され、導管O
Iより溢流して貯槽a印へ導入さする。結晶分離槽αυ
の硫安結晶は導管αりより遠心分離機<13へ供給され
、母液の分離及び水洗が行わ扛た後、導管0沿より乾燥
工程へ移送され製品とされる。
分離した母液と水洗に用いた水は導管(15)を経て貯
槽(国へ導入される。
槽(国へ導入される。
貯槽OgJ内の硫安母液は、ポンプにより導管(17)
。
。
流路切換機構(8)を経て熱交換器(9)へ導入してS
O〜Xt℃に昇温した後流路切換機構(8)、導管(6
)を経て飽和槽(1)へ循環され槽内の母液温度をSO
〜6&’Cの範囲内の所定温度に保持する。
O〜Xt℃に昇温した後流路切換機構(8)、導管(6
)を経て飽和槽(1)へ循環され槽内の母液温度をSO
〜6&’Cの範囲内の所定温度に保持する。
母液の一部は導管α鴨から貯槽α樽へ溢流する。
熱交換器(9)としてはプレート式、多管式、渦巻式、
ジャケット式、蛇管式等周知のものが用いられるが、プ
レート式、多管式、渦巻式のものが総括伝熱撫数が大き
いので好ましく用いられる。加熱媒体は前記加熱温度以
上の温度を有する流体であiばよく、通常go℃程度以
上の熱水又は水蒸気が用いら扛るが、後述する熱交換面
洗浄用のコークス炉ガス液(以下ガス液といル)を用い
るのが省エネルギー上有利である。
ジャケット式、蛇管式等周知のものが用いられるが、プ
レート式、多管式、渦巻式のものが総括伝熱撫数が大き
いので好ましく用いられる。加熱媒体は前記加熱温度以
上の温度を有する流体であiばよく、通常go℃程度以
上の熱水又は水蒸気が用いら扛るが、後述する熱交換面
洗浄用のコークス炉ガス液(以下ガス液といル)を用い
るのが省エネルギー上有利である。
ガス液は、石炭を乾留してコークスを製造する際に発生
するガスから凝縮したもので、通常りO−ざoeの温度
を有するものが用いられる。
するガスから凝縮したもので、通常りO−ざoeの温度
を有するものが用いられる。
ガス液は導管(1eから供給さ扛、流路切換機構(8)
により通常は熱交換器(9)の加熱流体側へ導入され、
加熱媒体としてi用された後導管(力より導出される。
により通常は熱交換器(9)の加熱流体側へ導入され、
加熱媒体としてi用された後導管(力より導出される。
熱交換面の洗浄の際は流路切換機構(8)により流路を
切換て硫安母液流通側へ導入され導管(7)より導出さ
れる。
切換て硫安母液流通側へ導入され導管(7)より導出さ
れる。
これらの関係を第2図に基づいて更に詳細に説明する。
第2図は流路切換機構(8)と熱交換器。
三方切換弁(以下弁という)は、硫安母液の装置される
。すると硫安母液は導管αηより導管に)、(鋤を経て
熱交換器(9)の硫安母液流通側(1)へ導入さn、所
定温度に昇温さnた後導管(3)を通って導管(6)へ
導かれ右。一方ガス液は導管(16)より導管(4)を
通って熱交換器(9)の加熱流体側(2)へ導入された
後導管(イ)を通って導管(7)へ導かれる。
。すると硫安母液は導管αηより導管に)、(鋤を経て
熱交換器(9)の硫安母液流通側(1)へ導入さn、所
定温度に昇温さnた後導管(3)を通って導管(6)へ
導かれ右。一方ガス液は導管(16)より導管(4)を
通って熱交換器(9)の加熱流体側(2)へ導入された
後導管(イ)を通って導管(7)へ導かれる。
熱交換面の洗浄は通常7日に7回、1回当りlO〜コO
分間程度行えばよいが、洗浄の頻度及び1回当りの洗浄
時間は熱交換面の汚れの程度に応じて適宜短縮又は延長
すればよい。洗浄を行うには、弁((支)を導管07)
と(4)が連通ずる位置に、弁e!1)全導管(支)と
(2)が連通ずる位置に、弁(3)を導管αeと翰が連
通する位置に、弁に)を導管(力と(濁が連通ずる位置
に、弁(財)を導管(イ)と(財)が連通する位置に、
それぞれ切換える。弁の切換は周知の電磁式、加圧流体
式、あるいは機械的手段を用いて自動的又は手動で一斉
に行うが、゛前記の順序に従って順次行ってもよい。6
弁の切換が行われると、硫安母液は導管αηから導管(
4)を経て導管(6)へ導かれ、一方、ガス液は導管(
161から導管…及び■を経て熱交換器(9)の硫安母
液流通側(1)へ供給され、熱交換面(プロセス′側伝
熱面)を清浄にした後導管―及びに)を経て導管(7)
へ導か詐る。所定時間経過後、6弁の流通位置を元の位
置に切換えれば、硫安母液は熱交換器(9)の硫安母液
g@(転)へ導入さn、ガス液は加熱流体側(2)へ導
入されるので、再び硫安母液の昇温か開始される。
分間程度行えばよいが、洗浄の頻度及び1回当りの洗浄
時間は熱交換面の汚れの程度に応じて適宜短縮又は延長
すればよい。洗浄を行うには、弁((支)を導管07)
と(4)が連通ずる位置に、弁e!1)全導管(支)と
(2)が連通ずる位置に、弁(3)を導管αeと翰が連
通する位置に、弁に)を導管(力と(濁が連通ずる位置
に、弁(財)を導管(イ)と(財)が連通する位置に、
それぞれ切換える。弁の切換は周知の電磁式、加圧流体
式、あるいは機械的手段を用いて自動的又は手動で一斉
に行うが、゛前記の順序に従って順次行ってもよい。6
弁の切換が行われると、硫安母液は導管αηから導管(
4)を経て導管(6)へ導かれ、一方、ガス液は導管(
161から導管…及び■を経て熱交換器(9)の硫安母
液流通側(1)へ供給され、熱交換面(プロセス′側伝
熱面)を清浄にした後導管―及びに)を経て導管(7)
へ導か詐る。所定時間経過後、6弁の流通位置を元の位
置に切換えれば、硫安母液は熱交換器(9)の硫安母液
g@(転)へ導入さn、ガス液は加熱流体側(2)へ導
入されるので、再び硫安母液の昇温か開始される。
洗浄剤としてガス液が好ましい理由は明らかでないが、
ガス液中に含まれるタール酸が付着物の溶解に寄与して
いるものと思われる。
ガス液中に含まれるタール酸が付着物の溶解に寄与して
いるものと思われる。
次にスプレー型飽和器の循環母液の加熱に水蒸気を加熱
媒体とする熱交換器を用いる場合について説明する。第
3図に於いて、(2)は溢流槽、(1)はスプレー塔、
−は熱交換器、に)は流路切換機構である。NH,を含
んだCOGは、導管に)からスプレー型飽和器であるス
プレー塔(…に連続的に導入され、導管(財)及び(イ
)から供給され塔内にスプレーさn不循環母液中の希硫
酸と接触し輿 てNH,を吸収された後導管(1)より導偽′される。
媒体とする熱交換器を用いる場合について説明する。第
3図に於いて、(2)は溢流槽、(1)はスプレー塔、
−は熱交換器、に)は流路切換機構である。NH,を含
んだCOGは、導管に)からスプレー型飽和器であるス
プレー塔(…に連続的に導入され、導管(財)及び(イ
)から供給され塔内にスプレーさn不循環母液中の希硫
酸と接触し輿 てNH,を吸収された後導管(1)より導偽′される。
COGと接触した循環母液は、硫安の結晶と共に溢流槽
(イ)に導入される。比較的結晶の大きい硫安は下部に
沈澱し、導管(イ)から結晶分離槽αυへ導入され、遠
心分離機03で分離さ扛た後導管(14より乾燥工程へ
移送され製品とされる。分離された母液は溢流槽■へ戻
される。
(イ)に導入される。比較的結晶の大きい硫安は下部に
沈澱し、導管(イ)から結晶分離槽αυへ導入され、遠
心分離機03で分離さ扛た後導管(14より乾燥工程へ
移送され製品とされる。分離された母液は溢流槽■へ戻
される。
溢流槽(イ)の中部から抜出された結晶の細かい硫安を
含む母液は導管■及び(至)を経てスプレー塔(支)の
中、下段のノズルから塔内ヘスプレーされる。溢流槽(
3)の上部から溢流する母液は導管(匈 (イ)より貯槽伽へ導入さ扛、導管((至)から供給さ
扛る新しい酸と混合さ扛、熱交換器(財)で5θ〜65
℃に昇温された後導管師からスプレー塔(1)の上段の
ノズルから塔内ヘスプレーされる。
含む母液は導管■及び(至)を経てスプレー塔(支)の
中、下段のノズルから塔内ヘスプレーされる。溢流槽(
3)の上部から溢流する母液は導管(匈 (イ)より貯槽伽へ導入さ扛、導管((至)から供給さ
扛る新しい酸と混合さ扛、熱交換器(財)で5θ〜65
℃に昇温された後導管師からスプレー塔(1)の上段の
ノズルから塔内ヘスプレーされる。
熱交換器(ハ)は、但千水蒸気を加熱媒体として使用す
る形式のもので、低王水蒸気は導管(ト)及びに)より
供給及び排出さnる。流路切換機構(1)は、硫安母液
の加熱を行う場合は導管−と(旬が熱交換器(ロ)の硫
安母液側と流通し、熱交換面の洗浄の際は導管((1)
と(財)とが直通し、熱交換器■の硫安母液側がガス液
の供給導管(揃及び排出溝W(MJと流通する機能を有
するものであればよく、例えばスライダーパルプ、六方
切換弁、アルイは四方弁又は三方弁の絹合せ等により実
施される。スプレー塔(1)内の洗浄は導管(イ)から
供給さnる水をスプレーすることにより行われる。
る形式のもので、低王水蒸気は導管(ト)及びに)より
供給及び排出さnる。流路切換機構(1)は、硫安母液
の加熱を行う場合は導管−と(旬が熱交換器(ロ)の硫
安母液側と流通し、熱交換面の洗浄の際は導管((1)
と(財)とが直通し、熱交換器■の硫安母液側がガス液
の供給導管(揃及び排出溝W(MJと流通する機能を有
するものであればよく、例えばスライダーパルプ、六方
切換弁、アルイは四方弁又は三方弁の絹合せ等により実
施される。スプレー塔(1)内の洗浄は導管(イ)から
供給さnる水をスプレーすることにより行われる。
以上詳述したように、木菟明方4法では、熱交換器の熱
交換面を例えば7日7回/&分間程度ガス液で洗浄すぎ
という簡単な操作により熱交換面の付着物を容易に除去
できるので、伝熱効率よく熱交換器を使用することがで
きる。また熱交換面の掃除が容易であるので、総括伝熱
係数の高いプレート式又は多管式熱交換器を使用すると
とができる。さらに加熱媒体としてガス液を使用する場
合は、省エネルギーとなるので、本発明はCOGから副
生硫安を製造する方法として有用である。
交換面を例えば7日7回/&分間程度ガス液で洗浄すぎ
という簡単な操作により熱交換面の付着物を容易に除去
できるので、伝熱効率よく熱交換器を使用することがで
きる。また熱交換面の掃除が容易であるので、総括伝熱
係数の高いプレート式又は多管式熱交換器を使用すると
とができる。さらに加熱媒体としてガス液を使用する場
合は、省エネルギーとなるので、本発明はCOGから副
生硫安を製造する方法として有用である。
第1図はアンモニア飽和器としてバブル型を使用する場
合の一例の系統図、第2図は流路切換機構の一例の系統
図、第3図はアンモニア飽和器としてスプレー型を使用
する場合の一例の系統図である。 (1):飽和槽 (8)、(転):流路切換機構
(9)、(ロ):熱交換器 aυ:結晶分離槽031:
遠心分離機 (社):溢流槽(1)ニスプレー塔 第 1 図 第3図
合の一例の系統図、第2図は流路切換機構の一例の系統
図、第3図はアンモニア飽和器としてスプレー型を使用
する場合の一例の系統図である。 (1):飽和槽 (8)、(転):流路切換機構
(9)、(ロ):熱交換器 aυ:結晶分離槽031:
遠心分離機 (社):溢流槽(1)ニスプレー塔 第 1 図 第3図
Claims (1)
- させて該ガス中のアンモニアを硫安として回収する方法
において、飽和器で生成した硫安哀ラリ−から硫安を分
離した硫安母液を、熱交換器により加熱して飽和器に循
環し、液中の水分の一部を飽和器で蒸発させコークス炉
ガスに同伴排出することによ・シ液量を#1ぼ一定に保
持して操業を行うとともに、操業中、熱交換器のプロセ
ス側伝熱面を、コークス炉ガス液により間歇的に洗浄す
ることを特徴とする、副生硫安の製造力゛法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143281A JPS5815026A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 副生硫安の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143281A JPS5815026A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 副生硫安の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815026A true JPS5815026A (ja) | 1983-01-28 |
| JPH0131458B2 JPH0131458B2 (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=14561035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11143281A Granted JPS5815026A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 副生硫安の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102580499A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-07-18 | 江苏融泰化工有限公司 | 一种含氨废气处理方法 |
| CN104496102A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-04-08 | 刘刚 | 一种焦化剩余氨水的回用处理方法和系统 |
| CN104649298A (zh) * | 2014-04-21 | 2015-05-27 | 柳州钢铁股份有限公司 | 硫酸铵的生产方法 |
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| JPS4918557A (ja) * | 1972-06-14 | 1974-02-19 | ||
| JPS5517818A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Procedure of focus initialization setting in optical recording unit and its equipment |
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1981
- 1981-07-16 JP JP11143281A patent/JPS5815026A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0131458B2 (ja) | 1989-06-26 |
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