JPS58151069A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58151069A JPS58151069A JP57032366A JP3236682A JPS58151069A JP S58151069 A JPS58151069 A JP S58151069A JP 57032366 A JP57032366 A JP 57032366A JP 3236682 A JP3236682 A JP 3236682A JP S58151069 A JPS58151069 A JP S58151069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- layer
- diode
- horizontal deflection
- platinum
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/50—PIN diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、籍に、半導体ベレットがｐｉｎ構
造ｔ−有し、ライフタイムキラーとして白金が拡散６ｆ
′したダイオードに関するものでおる。
造ｔ−有し、ライフタイムキラーとして白金が拡散６ｆ
′したダイオードに関するものでおる。
ｐ１Ω構造は半導体ベレットにおける逆耐圧を向上賂せ
るために多く採用さｎている。そして、ライフタイムキ
ラーの拡散は半導体ペレットにおけるキャリア消滅を早
め、所定の高速性を持たせるために多く採用さ几ている
。
るために多く採用さｎている。そして、ライフタイムキ
ラーの拡散は半導体ペレットにおけるキャリア消滅を早
め、所定の高速性を持たせるために多く採用さ几ている
。
ライフタイムキラーとしては、金、白雀、鉄。
銅等の重金属が公知であるが、主として用いられるのは
金でおる。白金は極めて電流が小さい、例えば数ｍＡ程
度の領域においてのみ使用されている。その理由は、大
電流になる根、順方向電圧降下が増加するためである。
金でおる。白金は極めて電流が小さい、例えば数ｍＡ程
度の領域においてのみ使用されている。その理由は、大
電流になる根、順方向電圧降下が増加するためである。
一方、金は順方向電圧降下の問題はあまりないが、高温
でのリーク１１１ｆｔが白金に較べて約１桁根太きい欠
点がある。順方向電圧降下やり−クｔｆｉは半導体ペレ
ットの発生損失の要因でおり、これらが増加すると半導
体ペレットは一層高温となり、最後には熱暴走を起すの
で、発生損失はできるだけ、低い値に抑えなければなら
ない。
でのリーク１１１ｆｔが白金に較べて約１桁根太きい欠
点がある。順方向電圧降下やり−クｔｆｉは半導体ペレ
ットの発生損失の要因でおり、これらが増加すると半導
体ペレットは一層高温となり、最後には熱暴走を起すの
で、発生損失はできるだけ、低い値に抑えなければなら
ない。
次に、−使用例をもって、ダイオードに要求さｎる緒特
性について説明する。
性について説明する。
１４１図はテレビジョン受像機の水平偏向回路を示して
いる。
いる。
同図において、１ｒｉ水平偏向トランジスタ、２はダン
パーダイオード、３はコンデンサ、４は抵抗、５は水平
偏向コイル、６は電源、７は入カドランスである。
パーダイオード、３はコンデンサ、４は抵抗、５は水平
偏向コイル、６は電源、７は入カドランスである。
一蚊家庭用テレビジョン受１１機の水平１同回路は電子
ビームをブラウン！画面の左右に動かすため、水平偏向
コイル５に８４２図に示すように１！縁性の爽い１５．
７５ＫＨｉの一一状波直流凰を流す動作ｔしている。
ビームをブラウン！画面の左右に動かすため、水平偏向
コイル５に８４２図に示すように１！縁性の爽い１５．
７５ＫＨｉの一一状波直流凰を流す動作ｔしている。
即ち、時刻１．で水平偏向トランジスタ１が入カドラン
ス７からの１８号によりオン嘔ｎると、電源６から電流
１．が水平偏量コイル５を通して直−的に増加する。時
刻ｔ２で人カドランス７からのｔｌ’ｌが止り、水平偏
向トランジスタ１がオフすると、コンデンサ３．抵抗４
．水平偏向コイル５゜載置６で共振を起し、先ず、コン
デ／す３を光電する電ｔ１１ｔが滝ｎ１ コンデンサ３
の充電が終る（時刻１．）と、次にコンデ／す３が時刻
ｔ４まで放電し、ｍ１５１１１がｔｌｔ、ｎる。放電を
完了すると、水平偏向コイル５が現状を維持しようとし
て蓄えた電荷を放電して１υ４が時刻ｔ、まで流ｎる。
ス７からの１８号によりオン嘔ｎると、電源６から電流
１．が水平偏量コイル５を通して直−的に増加する。時
刻ｔ２で人カドランス７からのｔｌ’ｌが止り、水平偏
向トランジスタ１がオフすると、コンデンサ３．抵抗４
．水平偏向コイル５゜載置６で共振を起し、先ず、コン
デ／す３を光電する電ｔ１１ｔが滝ｎ１ コンデンサ３
の充電が終る（時刻１．）と、次にコンデ／す３が時刻
ｔ４まで放電し、ｍ１５１１１がｔｌｔ、ｎる。放電を
完了すると、水平偏向コイル５が現状を維持しようとし
て蓄えた電荷を放電して１υ４が時刻ｔ、まで流ｎる。
ｔ４〜ｔ、の期間にダンパーダイオード２にｉ４の電圃
が流れ、時間と共にその値は減衰する。図中、ｔ４〜ｔ
、が電子ビームをブラウン管−面の左右に勘かす期間、
ｔ、〜ｔ４が帰線期間で、１＆７５Ｋ）拓の一般家庭用
テレビジョン受律機の場合、を鵞〜ｔ４＝１２〜１５μ
ｍ、ｔ４〜１．＝１．〜ｔ、＝２４〜２６μｓｔ−採用
している。
が流れ、時間と共にその値は減衰する。図中、ｔ４〜ｔ
、が電子ビームをブラウン管−面の左右に勘かす期間、
ｔ、〜ｔ４が帰線期間で、１＆７５Ｋ）拓の一般家庭用
テレビジョン受律機の場合、を鵞〜ｔ４＝１２〜１５μ
ｍ、ｔ４〜１．＝１．〜ｔ、＝２４〜２６μｓｔ−採用
している。
同、電圧波形は水平偏量コイル５に加わる電圧の推移を
示している。
示している。
上述の如く、ダンパーダイオード２にはｔ４〜ｔ。
の期間に蝋流凰、が流ｎるが、時刻ｔ４に２いては数ア
ンペアの突入１ｆＬが水平偏向コイル５を流れ、また、
ダンパーダイオード２の内部ではこの電流ｔＫすのに必
要なキャリアの発生が時間的に追従できないため、ダン
パーダイオード２の順方向に極端な過渡電圧を発生させ
てしまう。通常、順回復電圧と称しているこの過渡電圧
は水平偏向トランジスタ１のベース・エミッタ間を逆バ
イアスし、その信頼性を低下させるので、ダンパーダイ
オード２での突入電流が立上るまでの過渡時の順回復電
圧は極力小さいことが望１ｎる。
ンペアの突入１ｆＬが水平偏向コイル５を流れ、また、
ダンパーダイオード２の内部ではこの電流ｔＫすのに必
要なキャリアの発生が時間的に追従できないため、ダン
パーダイオード２の順方向に極端な過渡電圧を発生させ
てしまう。通常、順回復電圧と称しているこの過渡電圧
は水平偏向トランジスタ１のベース・エミッタ間を逆バ
イアスし、その信頼性を低下させるので、ダンパーダイ
オード２での突入電流が立上るまでの過渡時の順回復電
圧は極力小さいことが望１ｎる。
時刻ｔ、で入カドランス７から再ひ信号が入り、水平偏
向トランジスタ１がオ／してｗｔ宛が流れ、−ｇｒｚダ
／パーダイオード２から、水平偏向トランジスタｌへ移
るが、ダンパーダイオード２内でキャリアが消滅しされ
ず、時刻１．以降には・点−で示す電流１．がダンパー
ダイオード２を流ｎる。時刻ｔ＠〜ｔ、〜ｔ、は時刻ｔ
、〜ｔ、〜ｔ４と同様、コ／デンサ３．抵抗４．水平偏
向コイル５゜電源６の共畿区関でめり、ダンパーダイオ
ード２には、水平偏向コイル５の磁圧Ｖが逆電圧として
加わる。この逆電圧は水平偏向回路特有の１２００〜１
６００Ｖの値を有しており、この値に、ダイオードとし
ては高耐圧でめる。また、時刻ｔ６までにダンパーダイ
オード２のキャリアが（自滅していなければ、ＶＸＩ、
で与えらｎる亭ダンパーダイオード２０消費区力が膨大
になる。従って、’１〜ｔ・の期間内にキャリアは消滅
し、逆回復が完了していなければならない。このｔ、〜
ｔ、の期間、即ち、２４〜２６μｓの逆回復特性′を有
するものは半導体分野では中速度ダイオードであり、半
導体ペレットにはツイツタイムキラーが適度に拡散され
ている必要がある。
向トランジスタ１がオ／してｗｔ宛が流れ、−ｇｒｚダ
／パーダイオード２から、水平偏向トランジスタｌへ移
るが、ダンパーダイオード２内でキャリアが消滅しされ
ず、時刻１．以降には・点−で示す電流１．がダンパー
ダイオード２を流ｎる。時刻ｔ＠〜ｔ、〜ｔ、は時刻ｔ
、〜ｔ、〜ｔ４と同様、コ／デンサ３．抵抗４．水平偏
向コイル５゜電源６の共畿区関でめり、ダンパーダイオ
ード２には、水平偏向コイル５の磁圧Ｖが逆電圧として
加わる。この逆電圧は水平偏向回路特有の１２００〜１
６００Ｖの値を有しており、この値に、ダイオードとし
ては高耐圧でめる。また、時刻ｔ６までにダンパーダイ
オード２のキャリアが（自滅していなければ、ＶＸＩ、
で与えらｎる亭ダンパーダイオード２０消費区力が膨大
になる。従って、’１〜ｔ・の期間内にキャリアは消滅
し、逆回復が完了していなければならない。このｔ、〜
ｔ、の期間、即ち、２４〜２６μｓの逆回復特性′を有
するものは半導体分野では中速度ダイオードであり、半
導体ペレットにはツイツタイムキラーが適度に拡散され
ている必要がある。
さらに、ダンパーダイオード２は逆電圧Ｖが加わること
によって、リーク鑞流工、が流れるが、逆電圧Ｖは上記
の如く高電圧でめる友め、リーク電流工、は極力小石い
ものとして、”ｌ／ＸＩ、で与えられる逆方向損失は小
さく抑える必要がおる。
によって、リーク鑞流工、が流れるが、逆電圧Ｖは上記
の如く高電圧でめる友め、リーク電流工、は極力小石い
ものとして、”ｌ／ＸＩ、で与えられる逆方向損失は小
さく抑える必要がおる。
そして、％流１４が流れることによって生ずるダンパー
ダイオード２でのｌ畝方向電圧降下も小さくして、順方
向損失も小さく抑える必要がめる。
ダイオード２でのｌ畝方向電圧降下も小さくして、順方
向損失も小さく抑える必要がめる。
従って、本発明の目的は、順方向、逆方向特性が良好で
、かつ、中速度で動作し得る半導体ｇｃｌｌｌを提供す
ることにるる。
、かつ、中速度で動作し得る半導体ｇｃｌｌｌを提供す
ることにるる。
上記目的ケ達成する本発明の％徴とするところはシリコ
ンペレットの１層が４０〜８０Ω国の比抵抗、１２０〜
１８０μｍの厚さを有し、白金が２ Ｘ １０”〜２Ｘ
１０”個／備１拡散されていることに必る。
ンペレットの１層が４０〜８０Ω国の比抵抗、１２０〜
１８０μｍの厚さを有し、白金が２ Ｘ １０”〜２Ｘ
１０”個／備１拡散されていることに必る。
以下、本発明全図面に示した一実施例に基いて説明する
。
。
第３図は第１図に示すダンパーダイオード２としても用
ｖｈ得る本発明になるガラスモールド臘ダイオード１０
を示している。
ｖｈ得る本発明になるガラスモールド臘ダイオード１０
を示している。
同図において、１１はシリコンペレットで、ｐ１ｎ構造
を有しており、時に中央の１層１１ａはｎ！ｌ導電性で
４０〜８０９ｃｍ（Ｄ比抵抗、 １２０−１８０−の厚
さｔ−Ｖしている。そして、クリコンベレット１１全体
には７８０〜９００Ｃで白金が拡散されている。
を有しており、時に中央の１層１１ａはｎ！ｌ導電性で
４０〜８０９ｃｍ（Ｄ比抵抗、 １２０−１８０−の厚
さｔ−Ｖしている。そして、クリコンベレット１１全体
には７８０〜９００Ｃで白金が拡散されている。
この温ｔｍ囲による白金拡散量は２Ｘ１０”〜２Ｘ１０
１４個１５１ｓでおる。
１４個１５１ｓでおる。
シリコンペレット１１の両側にはアルミニウム鑞１２，
１３によりモリブデ／電極１４．１５が固着され、電極
１４．１５には銅リード１６ 、１７がｓ＊ されてい
、６゜周囲ＶＣｔｆｉＺ−ＯＢＨＯＨ５ｌｏｔ系ガラス
１８がモールドされている。
１３によりモリブデ／電極１４．１５が固着され、電極
１４．１５には銅リード１６ 、１７がｓ＊ されてい
、６゜周囲ＶＣｔｆｉＺ−ＯＢＨＯＨ５ｌｏｔ系ガラス
１８がモールドされている。
８４図はシリコンペレット１１の１層１１ｍの厚さと最
大Ｊｌ［回復電圧Ｖ ｔ ｒの関係を示している。
大Ｊｌ［回復電圧Ｖ ｔ ｒの関係を示している。
１２００〜１６００Ｖの高電圧に耐えるためにクリコン
ペレット１１の１層１１ａは比抵抗が４０〜８０９０の
ものである必要がある。そして、１層１１ａの厚さの下
限は１２０μｍである。
ペレット１１の１層１１ａは比抵抗が４０〜８０９０の
ものである必要がある。そして、１層１１ａの厚さの下
限は１２０μｍである。
最大順回復電圧■むはｒＪｍｌｔａの両Ｈｔｏ層、即ち
、ｐ、ｎｌｌｌ１層からのキャリアの注入の離易度で決
まり、短時間で１層１１ａ全体が所定のキャリア密度で
充満嘔ｎるためにはム層１１ｍの厚さは薄い根、最大順
回復電圧Ｖむは小さくなる。第１図のダンパーダイオー
ド２として有効であるためには、経験上、最大順回復電
圧マ蕾、は２５Ｖ以下でめる必要があり、また、４４図
に示すように、量産過程では、１層１１ａの厚さにばら
つ１１を生ずるため、１Ｊｌｌｉａの厚さは上限が１８
０声ｍでめる必要がめる。
、ｐ、ｎｌｌｌ１層からのキャリアの注入の離易度で決
まり、短時間で１層１１ａ全体が所定のキャリア密度で
充満嘔ｎるためにはム層１１ｍの厚さは薄い根、最大順
回復電圧Ｖむは小さくなる。第１図のダンパーダイオー
ド２として有効であるためには、経験上、最大順回復電
圧マ蕾、は２５Ｖ以下でめる必要があり、また、４４図
に示すように、量産過程では、１層１１ａの厚さにばら
つ１１を生ずるため、１Ｊｌｌｉａの厚さは上限が１８
０声ｍでめる必要がめる。
即ち、耐圧、最大順回復電圧Ｖｔｔから、シリコンペレ
ット１１の１層１１ａの厚さは１２０−１８０％の範囲
内にあることが工い。
ット１１の１層１１ａの厚さは１２０−１８０％の範囲
内にあることが工い。
同、麟４図のデータは第２図に示す電流波形に基いて、
ｄｉ／ｄｔ＝５０人／μｓｔ＞＊方向立ち上りを有する
電ｆｉｔシリコンペレット１１に印加して、１層ｉｌｌ
の厚さｔ変えて得たものでおる。
ｄｉ／ｄｔ＝５０人／μｓｔ＞＊方向立ち上りを有する
電ｆｉｔシリコンペレット１１に印加して、１層ｉｌｌ
の厚さｔ変えて得たものでおる。
門５図は、白金拡散温度と逆回復時間の関係につ−て求
めたものでるる。
めたものでるる。
白金の拡散ｆ１Ｋが烏い程、白金はシリコンペレット１
１円に多く拡散さｎ１キヤリアのライフタイムは蝋かく
なる。４２図のｔ、〜ｔ、めるいばｔ、〜ｔ、の期間は
上記したように２４〜２６μｓでめった。従って、シリ
コンペレット１１は２４〜２６μＳ以内にキャリアが消
滅している必要がＴｏす、即ち、２４〜２６μＳの逆回
復時間特性を有している必要があり、第５図によればこ
ｎは、白金ｔ’１８０ｃ以上で拡散しておく必要のめる
ことが分る。
１円に多く拡散さｎ１キヤリアのライフタイムは蝋かく
なる。４２図のｔ、〜ｔ、めるいばｔ、〜ｔ、の期間は
上記したように２４〜２６μｓでめった。従って、シリ
コンペレット１１は２４〜２６μＳ以内にキャリアが消
滅している必要がＴｏす、即ち、２４〜２６μＳの逆回
復時間特性を有している必要があり、第５図によればこ
ｎは、白金ｔ’１８０ｃ以上で拡散しておく必要のめる
ことが分る。
同、逆回復時間は、シリコンペレット１１に逆電圧がは
とんど印加さｎず、リーク１１ｃ［Ｉ、ｔ−生じないよ
うにして得たものである。
とんど印加さｎず、リーク１１ｃ［Ｉ、ｔ−生じないよ
うにして得たものである。
１枚のシリコンペレットで１６００ＶＯ高電圧に耐える
ものは、通常用いらｎているダイオードとしてはかなり
大容量のもので、１層１１ａの比抵抗、厚さはともに高
くなっている。特に１層１１ａの厚さの増加は順方向電
圧降下の増大の原因であり、さらに、ライフタイムキラ
ーを拡散すると順方向電圧降下は増加し、順方向損失を
大きくする。
ものは、通常用いらｎているダイオードとしてはかなり
大容量のもので、１層１１ａの比抵抗、厚さはともに高
くなっている。特に１層１１ａの厚さの増加は順方向電
圧降下の増大の原因であり、さらに、ライフタイムキラ
ーを拡散すると順方向電圧降下は増加し、順方向損失を
大きくする。
逆回復時間短縮のためにはより高温で白金を拡散すれば
良いが、順方向電圧降下を低下式せる九めには、白金は
できるだけ低温で拡散さｎる必要がめる。
良いが、順方向電圧降下を低下式せる九めには、白金は
できるだけ低温で拡散さｎる必要がめる。
そこで、順方同電圧降下をできるだけ下げるために、比
抵抗４０〜８０Ω国、厚さ１２０〜１８０μｍの１７ｍ
１ｌａｉ持つシリコンペレット１１の定常時の順方向電
圧降下と白金拡散温度の関係を求め、第６１ｉＡＫその
結果を示した。
抵抗４０〜８０Ω国、厚さ１２０〜１８０μｍの１７ｍ
１ｌａｉ持つシリコンペレット１１の定常時の順方向電
圧降下と白金拡散温度の関係を求め、第６１ｉＡＫその
結果を示した。
第６図によれば、９０（Ｉｔ−越えると、順方向電圧降
下が、ｔｌ、ｅｉＬに増大することが分る。
下が、ｔｌ、ｅｉＬに増大することが分る。
従って、９０００以下で白金を拡散する必要がめる。
第５図、第６図の結果から、白金は７８０〜９０００の
範囲で拡散すれば、逆回復時間は短かく、順方向電圧降
下は小さく、それによって、発生損失は低く抑えられる
。
範囲で拡散すれば、逆回復時間は短かく、順方向電圧降
下は小さく、それによって、発生損失は低く抑えられる
。
７８０〜９００Ｃ（Ｄ温［範囲で拡散した白金の拡散量
は２ Ｘ １０”〜２Ｘ１０ｍ４個／画８でるり、こＯ
拡散量は、ライフタイムキラーとして通常拡散される量
に較ぺて、少ないものでおり、比抵抗の補償効果を生ず
ることはなく％ ’層１１ａの比抵抗は変動しない。
は２ Ｘ １０”〜２Ｘ１０ｍ４個／画８でるり、こＯ
拡散量は、ライフタイムキラーとして通常拡散される量
に較ぺて、少ないものでおり、比抵抗の補償効果を生ず
ることはなく％ ’層１１ａの比抵抗は変動しない。
また、同じ比抵抗、厚さの１層１１ａを有し、同じ逆回
復時間を得るべく金を拡散したシリコ／ベンツ） １１
ｔ＃作したところ、拡散温度は８２０〜５ｏｏｃの範
囲となり、白金を拡散したものに収べて順方向電圧降下
は同等でおるが、リーク電流ｒ１５〜１０倍となり、発
生損失は増大することが確認され次。
復時間を得るべく金を拡散したシリコ／ベンツ） １１
ｔ＃作したところ、拡散温度は８２０〜５ｏｏｃの範
囲となり、白金を拡散したものに収べて順方向電圧降下
は同等でおるが、リーク電流ｒ１５〜１０倍となり、発
生損失は増大することが確認され次。
本発明になるシリコンペレットｌｌ’に有するダイオー
ドは発生損失が少ないため、熱放散性が悪いガラス１８
でモールドしてあっても、充分使用可能でるる、ガラス
モールドし次ダイオード１０は缶シール臘のダイオード
に較べて、小皺軽量でｈす、レジンモールド臘に較べて
、さらに、耐熱性が良い利点かめるので、小臘化しつつ
める鬼気機器に好適でるる。
ドは発生損失が少ないため、熱放散性が悪いガラス１８
でモールドしてあっても、充分使用可能でるる、ガラス
モールドし次ダイオード１０は缶シール臘のダイオード
に較べて、小皺軽量でｈす、レジンモールド臘に較べて
、さらに、耐熱性が良い利点かめるので、小臘化しつつ
める鬼気機器に好適でるる。
本発明になるダイオードは高耐圧性、順回復特性、逆回
復ｔ￥を性、順方向電圧降下において優れ次もので、水
平偏向回路のダンパーダイオードとして用いに場合、水
平偏向回路のｍｓ性を向上する同、シリコンペレットの
ｐ層、ｎ層については籍に触れなかったが、両層の比抵
抗、厚さ等の変動は、上記緒特性にほとんど悪影響を与
えない九め、鑞材１２，１３とのオーミックコンタクト
との関係において、自由に選定されるものである。
復ｔ￥を性、順方向電圧降下において優れ次もので、水
平偏向回路のダンパーダイオードとして用いに場合、水
平偏向回路のｍｓ性を向上する同、シリコンペレットの
ｐ層、ｎ層については籍に触れなかったが、両層の比抵
抗、厚さ等の変動は、上記緒特性にほとんど悪影響を与
えない九め、鑞材１２，１３とのオーミックコンタクト
との関係において、自由に選定されるものである。
第１図はテレビジョン受像機の水平偏向回路の（ロ）路
接続図、ｓ２図は一般家庭用テレビジョン受像機の水平
偏向回路の＊ｆｔ、、電圧波形を示す図。 １層３図は本発明の一実施％ｌｔ−示すガラスモールド
麗ダイオードの断面図、第４図はｐ１ｎ構造のシリコン
ペレットの１層の厚さと最大順回復電圧の関係を示す図
、第５図、第６図は同じく１層への白金拡散温度と逆回
復時間、順方向電圧降下Ｏ関係を示す図でるる。 １０−／イオード、１１・・・シリコンペレット、１１
ａ−を層、１２．１３−・・鑞材、１４．１５・・・電
礁、１６，１７・・・リード、１８・・・モールドガラ
ス ・ やトゲ１］− 第３圀 ／／（１ 第４日 ｌ眉４（紳〕 ｖＪＳ記 第乙聞 白金＄敷混産（’ｃｌ ３５
接続図、ｓ２図は一般家庭用テレビジョン受像機の水平
偏向回路の＊ｆｔ、、電圧波形を示す図。 １層３図は本発明の一実施％ｌｔ−示すガラスモールド
麗ダイオードの断面図、第４図はｐ１ｎ構造のシリコン
ペレットの１層の厚さと最大順回復電圧の関係を示す図
、第５図、第６図は同じく１層への白金拡散温度と逆回
復時間、順方向電圧降下Ｏ関係を示す図でるる。 １０−／イオード、１１・・・シリコンペレット、１１
ａ−を層、１２．１３−・・鑞材、１４．１５・・・電
礁、１６，１７・・・リード、１８・・・モールドガラ
ス ・ やトゲ１］− 第３圀 ／／（１ 第４日 ｌ眉４（紳〕 ｖＪＳ記 第乙聞 白金＄敷混産（’ｃｌ ３５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ ｐｉｎ構造を有し、１層の比抵抗が４０〜８０ｉ
ＪＣＩＩＩ、 １層の厚さが１２０〜１８０μｍでめる
シリコンベレットに白金が２ Ｘ １０”〜２ Ｘ １
０”−／ｄ拡散されていることをｔ￥ｉ倣とする半導体
装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、１層はｎ型でるる
ことｔ％黴とする半導体装置。 ３、、特許請求の範囲第１項において、シリコ／ベレッ
トはガラスでモールドさｎていることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57032366A JPS58151069A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 半導体装置 |
| GB08304998A GB2133212B (en) | 1982-03-03 | 1983-02-23 | Pin diode |
| DE19833306974 DE3306974A1 (de) | 1982-03-03 | 1983-02-28 | Halbleiter-bauelement |
| ES520236A ES8403244A1 (es) | 1982-03-03 | 1983-03-02 | Un dispositivo semiconductor, particularmente para uso como diodo amortiguador en un circuito de desviacion horizontal de un receptor de television. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57032366A JPS58151069A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151069A true JPS58151069A (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=12356945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57032366A Pending JPS58151069A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151069A (ja) |
| DE (1) | DE3306974A1 (ja) |
| ES (1) | ES8403244A1 (ja) |
| GB (1) | GB2133212B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-12-08 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6084881A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Toshiba Corp | 大電力ｍｏｓ ｆｅｔとその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2268355B1 (ja) * | 1974-04-16 | 1978-01-20 | Thomson Csf | |
| JPS5839070A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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- 1982-03-03 JP JP57032366A patent/JPS58151069A/ja active Pending
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- 1983-03-02 ES ES520236A patent/ES8403244A1/es not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-12-08 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES520236A0 (es) | 1984-03-01 |
| GB2133212A (en) | 1984-07-18 |
| GB8304998D0 (en) | 1983-03-30 |
| GB2133212B (en) | 1985-09-04 |
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| DE3306974A1 (de) | 1983-09-15 |
| DE3306974C2 (ja) | 1989-10-26 |
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