JPS58154151A - タ−ゲツト構体 - Google Patents
タ−ゲツト構体Info
- Publication number
- JPS58154151A JPS58154151A JP57037710A JP3771082A JPS58154151A JP S58154151 A JPS58154151 A JP S58154151A JP 57037710 A JP57037710 A JP 57037710A JP 3771082 A JP3771082 A JP 3771082A JP S58154151 A JPS58154151 A JP S58154151A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pyroelectric
- mosaic
- substrate
- type high
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/458—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、焦電型撮像管やリニヤアレイまたはマトリッ
クス形赤外線検出器等に応用される焦電性高分子膜のタ
ーゲット構体に関するものであるＯ焦電性とは、赤外吸
収によって誘電体の分極が温度によって変化したとき、
前記誘電体の表面に電荷の変化を生ずる現象である。こ
のような焦電性誘電体ターゲットに結像された赤外線エ
ネルギー強度分布によって生ずる温度変化分布は、表面
電荷分布を形成する。この電荷を電子ビームやＣＯＤ、
ＴＰＴ等と組合せたり、あるいは、マルチプレクサ−等
を結合することによって、読みとれば一次元的あるいは
二次元的な入射赤外放射強度分布を観測できる。
クス形赤外線検出器等に応用される焦電性高分子膜のタ
ーゲット構体に関するものであるＯ焦電性とは、赤外吸
収によって誘電体の分極が温度によって変化したとき、
前記誘電体の表面に電荷の変化を生ずる現象である。こ
のような焦電性誘電体ターゲットに結像された赤外線エ
ネルギー強度分布によって生ずる温度変化分布は、表面
電荷分布を形成する。この電荷を電子ビームやＣＯＤ、
ＴＰＴ等と組合せたり、あるいは、マルチプレクサ−等
を結合することによって、読みとれば一次元的あるいは
二次元的な入射赤外放射強度分布を観測できる。
焦電材料は赤外線によって吸収した温度変化による表面
電荷の発生であるため焦電材料の熱伝導により電荷は時
間とともに拡散してゆく。この熱伝導による電荷の拡散
は、電子ビーム走査を利用して読みとる撮像管やただ単
に焦電性高分子膜上にストライプ形電極を備えただけの
アレイ形ターゲット等では、プルーミングやクロストー
クの原因となり分解能の低下をきたす。
電荷の発生であるため焦電材料の熱伝導により電荷は時
間とともに拡散してゆく。この熱伝導による電荷の拡散
は、電子ビーム走査を利用して読みとる撮像管やただ単
に焦電性高分子膜上にストライプ形電極を備えただけの
アレイ形ターゲット等では、プルーミングやクロストー
クの原因となり分解能の低下をきたす。
このような熱伝導による分解能゛低下は大きく、これを
抑制するだめに、ターゲットをできるだけ薄くしたり熱
拡散係数の小さい焦電材料を用いたり、または、ターゲ
ットをモザイク形状やストライプ形状とすることが試み
られている。これらのターゲットにはＴＧＳやＰ ｂ
Ｔ ＩＯａ等の焦電材料があげられるが、製作が難かし
く問題を含んでいる。
抑制するだめに、ターゲットをできるだけ薄くしたり熱
拡散係数の小さい焦電材料を用いたり、または、ターゲ
ットをモザイク形状やストライプ形状とすることが試み
られている。これらのターゲットにはＴＧＳやＰ ｂ
Ｔ ＩＯａ等の焦電材料があげられるが、製作が難かし
く問題を含んでいる。
例えば、ＴＧＳ はキュリ一温度４９℃と低くしかも
結晶が水溶性であり、薄くしたりモザイク化又はストラ
イプ化したりするのが困難である。
結晶が水溶性であり、薄くしたりモザイク化又はストラ
イプ化したりするのが困難である。
Ｐ ｂ Ｔ ｉＯ３はキュリ一温度（約４７０℃）は高
く少々の熱が加わる加工法でも製作可能であるが、製作
に時間がかかったり、２４厚さを薄くしたりすることに
限界がある。
く少々の熱が加わる加工法でも製作可能であるが、製作
に時間がかかったり、２４厚さを薄くしたりすることに
限界がある。
いずれも容易に製作加工することが困難で多くの問題点
を含んでいる。
を含んでいる。
脂、塩化ビニル樹脂等の焦電性高分子材料は感度の性能
指数はそれ程よくないが、非常に薄い（数１、ｒｍ）膜
状に加工でき、熱拡散も小さく、キュリー温度も比較的
高い等の特長を有する。これらの焦電性材料を互いに離
間した素子配列として、横方向熱拡散を抑制すれば更に
プルーミングやクロスト−りを改善でき、分解能を向上
させることができる。
指数はそれ程よくないが、非常に薄い（数１、ｒｍ）膜
状に加工でき、熱拡散も小さく、キュリー温度も比較的
高い等の特長を有する。これらの焦電性材料を互いに離
間した素子配列として、横方向熱拡散を抑制すれば更に
プルーミングやクロスト−りを改善でき、分解能を向上
させることができる。
本発明の目的はプルーミングやクロストークを改善し、
分解能を向上させることにある。
分解能を向上させることにある。
第１図および第２図は本発明を一次元リニアアレイター
ゲットに応用した場合の実施例を示す。
ゲットに応用した場合の実施例を示す。
図において、１は基板で、その上に両面が赤外吸収電極
６と反射電極４ではさまれ、かつ互いに離間した素子配
列としたストライプ形状の焦電性高分子材料３が接着層
シ１１・−を介して形成されている。
６と反射電極４ではさまれ、かつ互いに離間した素子配
列としたストライプ形状の焦電性高分子材料３が接着層
シ１１・−を介して形成されている。
６は焦電性高分子材料３から出力をとり出すだめのＭＯ
ＳＦＥＴ 、７はＭＯＳＦＥＴ ｅを順次切換えルシ゛
°ラドレジスタ、８は出力信号端子である。
ＳＦＥＴ 、７はＭＯＳＦＥＴ ｅを順次切換えルシ゛
°ラドレジスタ、８は出力信号端子である。
赤外吸収電極６側より赤外線ＩＲが入射すると、この赤
外線入力に応じて焦電性高分子材料３に焦電気が発生す
る。この焦電気はＭＯＳＦＥＴ ｅをシフトレジスタ７
で順次切換えることにより出力信号端子８から次々に読
み出されてゆく。このとき、各焦電性高分子材料３は互
いに離間しているので相互間の熱拡散がなく、クロスト
ークやプルーミングの極めて少ないリニアアレイターゲ
ットを得ることができる。
外線入力に応じて焦電性高分子材料３に焦電気が発生す
る。この焦電気はＭＯＳＦＥＴ ｅをシフトレジスタ７
で順次切換えることにより出力信号端子８から次々に読
み出されてゆく。このとき、各焦電性高分子材料３は互
いに離間しているので相互間の熱拡散がなく、クロスト
ークやプルーミングの極めて少ないリニアアレイターゲ
ットを得ることができる。
第３図は本発明によるリニアアレイ構成の他の実施例を
示す。図中第１図と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。この実施例は、赤外線反射電極４を焦電性
高分子材料３と直交するように配列したマトリックス形
のターゲット構体を提供するものである。この実施例で
は、反射電極４もシフトレジスタ９により順次切換える
ようにし、ソフトレジスタ７とソフトレジスタ９で指定
された位置の焦電気が次々と読み出されてゆく。
示す。図中第１図と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。この実施例は、赤外線反射電極４を焦電性
高分子材料３と直交するように配列したマトリックス形
のターゲット構体を提供するものである。この実施例で
は、反射電極４もシフトレジスタ９により順次切換える
ようにし、ソフトレジスタ７とソフトレジスタ９で指定
された位置の焦電気が次々と読み出されてゆく。
１０はシフトレジスタ７とシフトレジスタ９の制御器で
ある。
ある。
第４図は本発明を焦電形撮像管用高分子ターゲット構体
に応用した実施例である。図中１１は波長１０μｍ程度
の赤外線に対して透明な基板で、互いに離間したモザイ
ク状の焦電性高分子材料１４を形成した吸収電極１３が
接着層１２を介して形成されている。基板１１側より入
射した赤外線像により高分子材料１４に焦電気が形成さ
れ、これは周知のように電子ビームで読み出される。
に応用した実施例である。図中１１は波長１０μｍ程度
の赤外線に対して透明な基板で、互いに離間したモザイ
ク状の焦電性高分子材料１４を形成した吸収電極１３が
接着層１２を介して形成されている。基板１１側より入
射した赤外線像により高分子材料１４に焦電気が形成さ
れ、これは周知のように電子ビームで読み出される。
次に、以上のような各種構成のターゲ１７）の製造方法
を説明する。
を説明する。
これらの基本的な製造方法は、高分子膜、金属および接
着層の溶剤による連続的な選択エツチングにある。第５
図によりさらに具体的に述べると、まず、第５図ａのよ
うにすでに分極処理された厚さ５〜６μｍの焦電性高分
子膜３に、赤外線入射面側に赤外線をよく吸収しかつ導
電性の吸収電極５、例えばＡｕ 、ＡＩ 、Ｎｉ 、Ｎ
ｉ −Ｃｒ 等を数１０ＯＡの厚さに蒸薦することに
より形成”し、他方の面にＡｕ。
着層の溶剤による連続的な選択エツチングにある。第５
図によりさらに具体的に述べると、まず、第５図ａのよ
うにすでに分極処理された厚さ５〜６μｍの焦電性高分
子膜３に、赤外線入射面側に赤外線をよく吸収しかつ導
電性の吸収電極５、例えばＡｕ 、ＡＩ 、Ｎｉ 、Ｎ
ｉ −Ｃｒ 等を数１０ＯＡの厚さに蒸薦することに
より形成”し、他方の面にＡｕ。
Ｎｉ、ＡＩのような金属を前記吸収電極６より若干幅を
広く、厚さ数１．ＯＯＯÅ以上に蒸着して反射電極４を
形成する。この反射電極４は、吸収電極６を透過した一
部の赤外線を反射させ再び吸収電極５により吸収させて
感度を向上させるためのものである。次に第６図ａのよ
うに構成された焦電性高分子膜３を、第６図すのように
、基板１上にスピンナー等によって均一に薄く塗布され
た比較的低粘度の接着層２で接着させる。この接着層２
は金属、高分子膜や基板と接着が可能であり、かつ、焦
電性高分子膜を溶解する例えばＮ−Ｎ−ジメチルホルム
アミドやＮ−Ｎジメチルアセトアミド等の溶剤に溶解し
、硬化温度が焦電性高分子膜３のキュリ一温度以下のも
の、例えばシアノアクリレート系接着剤である。このよ
うに構成結合されたものを液温約６０℃のＮ−Ｎジメチ
ルホルムアミド溶剤に数分間浸漬させた後洗浄し乾燥さ
せることにより焦電性高分子膜３および接着剤２が一部
溶解し第６図Ｃに示す如く互い（離間したストライプ形
状のターゲット構体を製作できる。
広く、厚さ数１．ＯＯＯÅ以上に蒸着して反射電極４を
形成する。この反射電極４は、吸収電極６を透過した一
部の赤外線を反射させ再び吸収電極５により吸収させて
感度を向上させるためのものである。次に第６図ａのよ
うに構成された焦電性高分子膜３を、第６図すのように
、基板１上にスピンナー等によって均一に薄く塗布され
た比較的低粘度の接着層２で接着させる。この接着層２
は金属、高分子膜や基板と接着が可能であり、かつ、焦
電性高分子膜を溶解する例えばＮ−Ｎ−ジメチルホルム
アミドやＮ−Ｎジメチルアセトアミド等の溶剤に溶解し
、硬化温度が焦電性高分子膜３のキュリ一温度以下のも
の、例えばシアノアクリレート系接着剤である。このよ
うに構成結合されたものを液温約６０℃のＮ−Ｎジメチ
ルホルムアミド溶剤に数分間浸漬させた後洗浄し乾燥さ
せることにより焦電性高分子膜３および接着剤２が一部
溶解し第６図Ｃに示す如く互い（離間したストライプ形
状のターゲット構体を製作できる。
第３図の二次元走査用ターゲットでは反射電極４を吸収
電極５と直交させるように配列して、前記同様の工程を
へることによって製作できる。
電極５と直交させるように配列して、前記同様の工程を
へることによって製作できる。
第４図の焦電型撮像管用モザイク状ターゲット構体は、
基板１１を１０μｍ程度の波長を透過する材料、例えば
Ｇｅ 、 Ｓ ｉを用い接着剤１２は、やはり１０μｍ
程度の波長を透過するポリイミド樹脂をスピンナー等で
１〜２μｍ程度の厚さに形成する。一方一枚の焦電性高
分子膜の電子ビーム照射側にＡ１ をモザイク形状に
蒸着し、他方の表面には、金等の吸収電極１３を膜全面
に蒸着する。との焦電性高分子膜の吸収電極１３を形成
した方の面を前記接着層１２と密着結合させ乾燥させた
後約５０℃のＮ−Ｎジメチルホルムアミド等の溶剤で焦
電性高分子膜の一部を選択エツチングし、洗浄する。そ
の後、モザイクを形成させるためのＡｌパターンを塩酸
、硝酸およびエチルアルコール等の混合溶剤で除去し、
洗浄乾燥させることによって製作できる。 ４．
（ 以上のように、本発明はストライプ状又はモザイク状の
焦電性高分子材料の一方の面に形成された電極面を接着
層と介して基板上に密着させたものであり、横方向の熱
拡散を抑制できるのでブルーミングギクロスト−りが改
善され分解能の高い焦電形ターゲットを得ることができ
る。また、薄く加工できる焦電性高分子膜を連続的に選
択エツチングすることにより、比較的低温で互いに離間
したストライプ状またはモザイク状の焦電形ターゲット
を製作することができ、かつ一体化された構造であり製
作も非常に容易である。
基板１１を１０μｍ程度の波長を透過する材料、例えば
Ｇｅ 、 Ｓ ｉを用い接着剤１２は、やはり１０μｍ
程度の波長を透過するポリイミド樹脂をスピンナー等で
１〜２μｍ程度の厚さに形成する。一方一枚の焦電性高
分子膜の電子ビーム照射側にＡ１ をモザイク形状に
蒸着し、他方の表面には、金等の吸収電極１３を膜全面
に蒸着する。との焦電性高分子膜の吸収電極１３を形成
した方の面を前記接着層１２と密着結合させ乾燥させた
後約５０℃のＮ−Ｎジメチルホルムアミド等の溶剤で焦
電性高分子膜の一部を選択エツチングし、洗浄する。そ
の後、モザイクを形成させるためのＡｌパターンを塩酸
、硝酸およびエチルアルコール等の混合溶剤で除去し、
洗浄乾燥させることによって製作できる。 ４．
（ 以上のように、本発明はストライプ状又はモザイク状の
焦電性高分子材料の一方の面に形成された電極面を接着
層と介して基板上に密着させたものであり、横方向の熱
拡散を抑制できるのでブルーミングギクロスト−りが改
善され分解能の高い焦電形ターゲットを得ることができ
る。また、薄く加工できる焦電性高分子膜を連続的に選
択エツチングすることにより、比較的低温で互いに離間
したストライプ状またはモザイク状の焦電形ターゲット
を製作することができ、かつ一体化された構造であり製
作も非常に容易である。
第１図は、本発明の一実施例におけるターゲット構体を
有する１次元リニヤアレイターゲットの構成例を示す斜
視図、第２図はその断面図、第３図は本発明の一実施例
におけるターゲット構体を有する二次元走査用のマトリ
ックス形ターゲットを示す斜視図、第４図は、本発明の
一実施例におけるターゲット構体を有する焦電形撮像管
用のモザイク形ターゲットを示す斜視図、第５図ａ −
Ｑは本発明によるターゲット構体の製造工程図を順に示
す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・―接着層、３・・・
・・・焦電性高分子材料、４・・・・・・反射電極、６
・・・・・・赤外吸収電極、６・・・・・・ＭＯＳＦＥ
Ｔ、７・・Φ・・・シフトレジスタ、８・・・・・・出
力信号、９・・Φ・警シフトレジスタ、１Ｑ １１１１
１１！＋）制御器、１１１Ｉ＠１１１１＠ＩＩ基板、１
２・・・・・・接着層、１３・・・・・・赤外吸収電極
、１４・・・・・・焦電性高分子材料。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ＩＲ 第３図 ＩＲ 第４図 １４
有する１次元リニヤアレイターゲットの構成例を示す斜
視図、第２図はその断面図、第３図は本発明の一実施例
におけるターゲット構体を有する二次元走査用のマトリ
ックス形ターゲットを示す斜視図、第４図は、本発明の
一実施例におけるターゲット構体を有する焦電形撮像管
用のモザイク形ターゲットを示す斜視図、第５図ａ −
Ｑは本発明によるターゲット構体の製造工程図を順に示
す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・―接着層、３・・・
・・・焦電性高分子材料、４・・・・・・反射電極、６
・・・・・・赤外吸収電極、６・・・・・・ＭＯＳＦＥ
Ｔ、７・・Φ・・・シフトレジスタ、８・・・・・・出
力信号、９・・Φ・警シフトレジスタ、１Ｑ １１１１
１１！＋）制御器、１１１Ｉ＠１１１１＠ＩＩ基板、１
２・・・・・・接着層、１３・・・・・・赤外吸収電極
、１４・・・・・・焦電性高分子材料。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ＩＲ 第３図 ＩＲ 第４図 １４
Claims (4)
- （１）基板上に少なくとも一方の面に電極を形成したス
トライプ状又はモザイク状の複数の焦電性高分子材料を
形成したことを特徴とするターゲット構体。 - （２）ストライプ状の焦電性高分子材料の一方の面に入
射赤外線を吸収する吸収電極を形成し、他方の面に前記
吸収電極と平行又は直交する方向に赤外線を反射する反
射電極が形成され、前記反射電極側を基板に接着させた
特許請求の範囲第１項記載のターゲット構体。 - （３）基板が入射赤外線に対して透明であり、この基板
上に接着された入射赤外線吸収電極上にモザイク状焦電
性高分子材料が形成されて成る特許請求の範囲第１項記
載のターゲット構体。 - （４） ストライプ状又はモザイク状の焦電性高分子
材料が膜状の焦電性高分子材料の選折エツチングにより
形成されて成る特許請求の範囲第１項記載のターゲット
構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037710A JPS58154151A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | タ−ゲツト構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037710A JPS58154151A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | タ−ゲツト構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154151A true JPS58154151A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12505072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037710A Pending JPS58154151A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | タ−ゲツト構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0611203A1 (fr) * | 1993-02-12 | 1994-08-17 | Thomson-Csf | Détecteur thermique comprenant un isolant thermique en polymère expansé |
| JP2006069658A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Mikasa Sangyo Kk | カップ型容器の開封補助具 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57037710A patent/JPS58154151A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0611203A1 (fr) * | 1993-02-12 | 1994-08-17 | Thomson-Csf | Détecteur thermique comprenant un isolant thermique en polymère expansé |
| FR2701602A1 (fr) * | 1993-02-12 | 1994-08-19 | Thomson Csf | Détecteur thermique comprenant un isolant thermique en polymère expansé. |
| US5418365A (en) * | 1993-02-12 | 1995-05-23 | Thomson-Csf | Thermal detector comprising a thermal insulator made of expanded polymer |
| JP2006069658A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Mikasa Sangyo Kk | カップ型容器の開封補助具 |
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