JPS58160831A - 静電容量型圧力センサ - Google Patents
静電容量型圧力センサInfo
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- JPS58160831A JPS58160831A JP57043274A JP4327482A JPS58160831A JP S58160831 A JPS58160831 A JP S58160831A JP 57043274 A JP57043274 A JP 57043274A JP 4327482 A JP4327482 A JP 4327482A JP S58160831 A JPS58160831 A JP S58160831A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は静電容量型圧力センサに関するものである。
従来、静電容赦型の圧力センサはダイアフラム及び基台
支持部と、これらダイアフラム及び基台支持部に形成さ
れ相対向するように配置された導１層と、導電層ｉｍｌ
のギャップが一定ギャップになるように且つダイアフラ
ム及び基台支持部周辺をシールするためにダイアフラム
と基台支持部との間に配置されたシール部材から構成さ
れ′Ｃいる。
支持部と、これらダイアフラム及び基台支持部に形成さ
れ相対向するように配置された導１層と、導電層ｉｍｌ
のギャップが一定ギャップになるように且つダイアフラ
ム及び基台支持部周辺をシールするためにダイアフラム
と基台支持部との間に配置されたシール部材から構成さ
れ′Ｃいる。
従つ゛Ｃ１静ＫＷ量型圧カセンサの圧力検知の原理は、
ダイアフラム側から気体圧力が加わりダイアプラムが変
形することにより導電層間の静電容量錬が変化し、これ
を電気回路により電圧に変換するものである。一般に圧
力センサはその圧力の検′ｊ！１輌度、特に温度による
出力ドリフトが大きな障書となり、高精度の圧力検知装
置が得られにくい実情があ−った。
ダイアフラム側から気体圧力が加わりダイアプラムが変
形することにより導電層間の静電容量錬が変化し、これ
を電気回路により電圧に変換するものである。一般に圧
力センサはその圧力の検′ｊ！１輌度、特に温度による
出力ドリフトが大きな障書となり、高精度の圧力検知装
置が得られにくい実情があ−った。
静電容量型圧力センサは主として静電容態検知カプセル
部と検知回路部とから構成され”Ｃいる。
部と検知回路部とから構成され”Ｃいる。
第１図は従来の圧力センサの検知カプセル部の構成を示
し′Ｃおり、同図におい゛Ｃ１アルミナの基台支持部ｏ
１ ｋに設けられた感圧容ｊＩＬ （Ｃｐ） ｔ Ａ
（２）の導電層とその周辺に設けられた基準容蝋（Ｃｒ
）電極（３）Ｃ７−）導！Ｊｌ＋、ｔ、ダイアフラム（
４）面に設けられた共通を極（５）の導電層と対向しＣ
おり、自書には電極間距離に応じた静［容量Ｃｐ、Ｃｒ
が生じ、８本のリード線（６）・・・を通し′Ｃ得られ
る。又ダイアフラム（４）はセラミック薄板からなり、
基台支持部ｉｆ）の周辺で、ガラス層（７）によつＣシ
ール固定され′Ｃいる。カプセル部の内部は減圧状態で
半田（８）により封止さ口、ダイアフラム（４）に加わ
る圧力に応じＣ１共通を極（５）と爲圧谷量電極（２）
との間の距離が変り、圧力に応じた慮圧容量が得られる
。
し′Ｃおり、同図におい゛Ｃ１アルミナの基台支持部ｏ
１ ｋに設けられた感圧容ｊＩＬ （Ｃｐ） ｔ Ａ
（２）の導電層とその周辺に設けられた基準容蝋（Ｃｒ
）電極（３）Ｃ７−）導！Ｊｌ＋、ｔ、ダイアフラム（
４）面に設けられた共通を極（５）の導電層と対向しＣ
おり、自書には電極間距離に応じた静［容量Ｃｐ、Ｃｒ
が生じ、８本のリード線（６）・・・を通し′Ｃ得られ
る。又ダイアフラム（４）はセラミック薄板からなり、
基台支持部ｉｆ）の周辺で、ガラス層（７）によつＣシ
ール固定され′Ｃいる。カプセル部の内部は減圧状態で
半田（８）により封止さ口、ダイアフラム（４）に加わ
る圧力に応じＣ１共通を極（５）と爲圧谷量電極（２）
との間の距離が変り、圧力に応じた慮圧容量が得られる
。
第２図は静電容態型圧力センサの検知回路部の原理を示
す、第２図のＣｐは検知カプセル部の感圧容量部を、Ｃ
ｒは検知カプセル部の基準谷域部を示す。ここでＣｐと
Ｃｒに充電された［′ａが抵抗Ｒを通じＣ放電され、９
８２図側に示すような曲線で放電される。放電曲線があ
る一定電肚Ｖｒｅｆに達したとき、スイッチが働き、Ｃ
ｐとＣｒの放電の時間差に比例した幅のパルスが発生す
る。このパルスの幅を全体の族１時間に対して平滑し、
１η流電圧Ｖｏに変換する。この原理に従つ゛Ｃ出力電
電圧圧力の関係を表現すると次のような式になる。
す、第２図のＣｐは検知カプセル部の感圧容量部を、Ｃ
ｒは検知カプセル部の基準谷域部を示す。ここでＣｐと
Ｃｒに充電された［′ａが抵抗Ｒを通じＣ放電され、９
８２図側に示すような曲線で放電される。放電曲線があ
る一定電肚Ｖｒｅｆに達したとき、スイッチが働き、Ｃ
ｐとＣｒの放電の時間差に比例した幅のパルスが発生す
る。このパルスの幅を全体の族１時間に対して平滑し、
１η流電圧Ｖｏに変換する。この原理に従つ゛Ｃ出力電
電圧圧力の関係を表現すると次のような式になる。
Ｖｏｕ ｔ −Ａ （１−Ｃｒ／（ｐ Ｊ −Ｊ’ Ｐ
ここでＶｏｕｔは出力電圧、Ａ、Ｂ１．を定数、Ｃｐは
検知カプセル部の静を容重、Ｃｒは検知カプセル部の基
１１１Ｗ重を表わす、第１図（・ゴ）に示す電極形状を
有する検知カプセル部は従来の電極形状で、この電極形
状ではＣｐとＣｒの湿度係数は第４図に示すような結果
とｆ（る。（１−”／Ｃｐ）の温度による変化率はＣｐ
とＣｒの温度係数によって決まり、第１図に示す従来例
の場合、Ｉ Ｃｒ／ｃ、の温度変化率は大きく、検知
回＃１１部と組合わせたとき、第６図すに示す如く漏電
に対し′Ｃ検知精イル強く依存し、広いｍ度範囲に亘つ
Ｃ十分な検知イルを保つことはできない、餉６図すの曲
線のように温度に対する出力の傾斜が大きいのは検知カ
プセル部の温１ｆ峙性に起因する。検知カプセル部の温
度特性を回１させること、即ち検知カプセル部の１−Ｃ
ｒ／ｃ、の温度特性を向上させるｔ：めには、ＣｐとＣ
ｒの１１！ｐｔ係数を近づける必要がある。
ここでＶｏｕｔは出力電圧、Ａ、Ｂ１．を定数、Ｃｐは
検知カプセル部の静を容重、Ｃｒは検知カプセル部の基
１１１Ｗ重を表わす、第１図（・ゴ）に示す電極形状を
有する検知カプセル部は従来の電極形状で、この電極形
状ではＣｐとＣｒの湿度係数は第４図に示すような結果
とｆ（る。（１−”／Ｃｐ）の温度による変化率はＣｐ
とＣｒの温度係数によって決まり、第１図に示す従来例
の場合、Ｉ Ｃｒ／ｃ、の温度変化率は大きく、検知
回＃１１部と組合わせたとき、第６図すに示す如く漏電
に対し′Ｃ検知精イル強く依存し、広いｍ度範囲に亘つ
Ｃ十分な検知イルを保つことはできない、餉６図すの曲
線のように温度に対する出力の傾斜が大きいのは検知カ
プセル部の温１ｆ峙性に起因する。検知カプセル部の温
度特性を回１させること、即ち検知カプセル部の１−Ｃ
ｒ／ｃ、の温度特性を向上させるｔ：めには、ＣｐとＣ
ｒの１１！ｐｔ係数を近づける必要がある。
今、ＣｐとＣｒの温度係数を各々α、βとし、７Ｍ度の
変化域を△Ｔとすると、△Ｔの温度変化で理岩的にαキ
βとするならばＩＣｒ／Ｃ９の値は温度が変化し′Ｃも
全く変らないこととなる。本発明はＣｐとＣｒの温度係
数をできるだけ近い値にすることを実現するために為さ
れたもので、電気絶縁性を有する一対の基台支持部及び
ダイアフラムと、これら基台支持部及び・ダイアフラム
に形成された第１、第２．第８の導電層と、基台支持部
とダイアフラムとの間に介在されたシール部材とから構
成され、前記第１の導電層と第２．第８の導電層が相対
回しほつ前記シール部材にょっＣ一定ギャップに保ｒコ
れ、前記第２の導Ｎ層は前記シール部近傍の枝状導［層
とそれに連なる電極取出し部をａし、第８の導電層は第
２の導電層から切り離されＣ弔２の導電ｌ−を取り囲む
ように輪状に形成され電極取出し部を有したものである
。
変化域を△Ｔとすると、△Ｔの温度変化で理岩的にαキ
βとするならばＩＣｒ／Ｃ９の値は温度が変化し′Ｃも
全く変らないこととなる。本発明はＣｐとＣｒの温度係
数をできるだけ近い値にすることを実現するために為さ
れたもので、電気絶縁性を有する一対の基台支持部及び
ダイアフラムと、これら基台支持部及び・ダイアフラム
に形成された第１、第２．第８の導電層と、基台支持部
とダイアフラムとの間に介在されたシール部材とから構
成され、前記第１の導電層と第２．第８の導電層が相対
回しほつ前記シール部材にょっＣ一定ギャップに保ｒコ
れ、前記第２の導Ｎ層は前記シール部近傍の枝状導［層
とそれに連なる電極取出し部をａし、第８の導電層は第
２の導電層から切り離されＣ弔２の導電ｌ−を取り囲む
ように輪状に形成され電極取出し部を有したものである
。
以下本宅明を実施の一例を示す図面に基づいＣ脱調する
０本発明による静電四縁型圧力センサでは横用θブセル
部の縦断面は第１図に示す従来例と同じであり、電極構
造を第８図（Ｕ）に示すように構成しである。尚図中第
１図と同一部材は同−符ｆｆ ヲ用いＣ示しＣいる。即
ち、ダイアフラム（４）に圧力ｐか加わったとき、最も
り゛イアフラム（４）の変形が大きくｆＣるところに基
台支持ｍｌり（１）に形成したｖｌ、極（２）とＬト刀
の変化に対しＣあまり変形しないところに基曾支持部竜
りに形成した電極（３）とから構成され、第８図（］）
に示す如く、仕方を感する゛電極（２）の電極取出し部
ｕＯの途中に左右一対の枝状電極（９）ｕｌ Ｏ） ４
！−が形成され、更に圧力によつＣあまり変化しない
部分に形成された電極（３）はガラス層（７）ｉこ近い
位置に同８円状に形成され、やはり電極収出（７部（１
４が形成されＣいる。
０本発明による静電四縁型圧力センサでは横用θブセル
部の縦断面は第１図に示す従来例と同じであり、電極構
造を第８図（Ｕ）に示すように構成しである。尚図中第
１図と同一部材は同−符ｆｆ ヲ用いＣ示しＣいる。即
ち、ダイアフラム（４）に圧力ｐか加わったとき、最も
り゛イアフラム（４）の変形が大きくｆＣるところに基
台支持ｍｌり（１）に形成したｖｌ、極（２）とＬト刀
の変化に対しＣあまり変形しないところに基曾支持部竜
りに形成した電極（３）とから構成され、第８図（］）
に示す如く、仕方を感する゛電極（２）の電極取出し部
ｕＯの途中に左右一対の枝状電極（９）ｕｌ Ｏ） ４
！−が形成され、更に圧力によつＣあまり変化しない
部分に形成された電極（３）はガラス層（７）ｉこ近い
位置に同８円状に形成され、やはり電極収出（７部（１
４が形成されＣいる。
ここで、圧力によつＣダイアフラム１４）の変形が大き
い部分に形成された電極（２）は圧力によ・つＣダイア
フラム（４）側の電極（５）との間に発生する静ｗＬ谷
ＮｔＣｐを検知するために設けられたもので、Ｃｐ電極
と称する。−万、圧力の変化に対しＣあまり変形しない
部分に設けられた輪状電極（３）は基準容量Ｃｒ用のも
ので、Ｃｒ市極と称する。
い部分に形成された電極（２）は圧力によ・つＣダイア
フラム（４）側の電極（５）との間に発生する静ｗＬ谷
ＮｔＣｐを検知するために設けられたもので、Ｃｐ電極
と称する。−万、圧力の変化に対しＣあまり変形しない
部分に設けられた輪状電極（３）は基準容量Ｃｒ用のも
ので、Ｃｒ市極と称する。
本発明の構成で、従来例の！極刑状と異１．１７．点は
Ｃｐ″＃Ｌ繕取出し部途中に設けられた枝状車線１９１
ｔｌＪにある。検知カプセル部にこの枝状［ｔＪｌｉ
＋９１ ｕｄを形成【７、作成した試料のＣ「とＣｐ
の温度係数を測）（シた結果を第６図に示す、この図か
ら明らかｆｆように、第４図のＣｒ、Ｃｐの温度係数に
比べＣｐの温Ｉｆ係数が大きくなりｓＣｒの温度係数と
より接近し′Ｃいる。このことは、ｌＣｒ／／ｃ、の温
度変化という観点から考えたとき、より小さな温度変化
（７かホさないことを窟味し、圧力検知＃４Ｆ１Ｆの温
度による影響を考λたときより好ましい方向である。Ｃ
ｐ電極（２）に枝状電極１１１１） （１１１を形成す
ることにより、 Ｃｐの温間係数が大きくなる方向にシ
フトし、ｃｒの温度係数に近づく理由は次のことで説明
できる。、即ちｖｔ、極がシール部材ｒガラス側（７）
〕の近傍に形成された場合、本来の真空を介しＣ相対向
する！極間に発生する静ｔｒ谷曖の他に、検知カプセル
部を構成する材料であるアルミナやガラスシール部材か
らの浮遊容蝦の付加ｔが大きくなる。この付加されｔ：
静を谷鰺の温関係数は本来の理想的に発生した静電谷歇
の温度係数に比べて大きい、従つＣＣｐｌ［極（２）の
南極取出し部Ｏυ途中にあり１つシール部材〔ガラス層
（７）〕に近い位置に枝増大市ｆＩｉＩｉ１１１３叫を
形成することによりＣｐの温度係数は枝状［極１９）
［１１３のないものに比べＣ大きくなる。その結果、Ｃ
ｐの〃ず係数はＣｒｙ）温度係数に近づくことになる。
Ｃｐ″＃Ｌ繕取出し部途中に設けられた枝状車線１９１
ｔｌＪにある。検知カプセル部にこの枝状［ｔＪｌｉ
＋９１ ｕｄを形成【７、作成した試料のＣ「とＣｐ
の温度係数を測）（シた結果を第６図に示す、この図か
ら明らかｆｆように、第４図のＣｒ、Ｃｐの温度係数に
比べＣｐの温Ｉｆ係数が大きくなりｓＣｒの温度係数と
より接近し′Ｃいる。このことは、ｌＣｒ／／ｃ、の温
度変化という観点から考えたとき、より小さな温度変化
（７かホさないことを窟味し、圧力検知＃４Ｆ１Ｆの温
度による影響を考λたときより好ましい方向である。Ｃ
ｐ電極（２）に枝状電極１１１１） （１１１を形成す
ることにより、 Ｃｐの温間係数が大きくなる方向にシ
フトし、ｃｒの温度係数に近づく理由は次のことで説明
できる。、即ちｖｔ、極がシール部材ｒガラス側（７）
〕の近傍に形成された場合、本来の真空を介しＣ相対向
する！極間に発生する静ｔｒ谷曖の他に、検知カプセル
部を構成する材料であるアルミナやガラスシール部材か
らの浮遊容蝦の付加ｔが大きくなる。この付加されｔ：
静を谷鰺の温関係数は本来の理想的に発生した静電谷歇
の温度係数に比べて大きい、従つＣＣｐｌ［極（２）の
南極取出し部Ｏυ途中にあり１つシール部材〔ガラス層
（７）〕に近い位置に枝増大市ｆＩｉＩｉ１１１３叫を
形成することによりＣｐの温度係数は枝状［極１９）
［１１３のないものに比べＣ大きくなる。その結果、Ｃ
ｐの〃ず係数はＣｒｙ）温度係数に近づくことになる。
以にの説明から、Ｃｐ市極（２）に枝状電、極（９）（
１０を形成することによりＣｒとＣｐの温関係数は略近
い値を取るようになり、出力Ｖｏｕｔに比例する値１−
Ｃｒ／Ｃｐの濁ｌｆ変化を小さくすることを６丁能にす
るものである。尚Ｃｐ’ｌｉ極（２）に付加される枝状
電＃ｊ １９） ｔｌｌはその位置が基台支持部＋１１
の周辺に近いことにより効果が得られるものであり、枝
状′＃Ｉｔ極＋９） ｆｉｌの形拭や配置の位置関係に
ついＣは、枝状電極が基台支持部＋１）の周辺に位置す
る限りにおいてはその効果は失われるものではない。基
台支持部（１）及びダイアフラム（４〉の材質としては
、化学的２機械的に安定な性質を有し且つ電気的絶縁性
に優れたものが良い０例えば、酸化物系セラミックスや
ガラスのような材質が優れ°Ｃおり、これらの材質を用
いることにより安定した特性が得られると同時に特性の
経時変化が極めＣ小さい。とりオ）け、アルミナは化学
的１機械的に極めて安定な材料であるとともに簡単に入
手できることから、静ＩＩ＠量型汁カセンサの基台支持
部ｉｔ）及びダイアフラム（４）の材料とし°Ｃ優れた
ものである。
１０を形成することによりＣｒとＣｐの温関係数は略近
い値を取るようになり、出力Ｖｏｕｔに比例する値１−
Ｃｒ／Ｃｐの濁ｌｆ変化を小さくすることを６丁能にす
るものである。尚Ｃｐ’ｌｉ極（２）に付加される枝状
電＃ｊ １９） ｔｌｌはその位置が基台支持部＋１１
の周辺に近いことにより効果が得られるものであり、枝
状′＃Ｉｔ極＋９） ｆｉｌの形拭や配置の位置関係に
ついＣは、枝状電極が基台支持部＋１）の周辺に位置す
る限りにおいてはその効果は失われるものではない。基
台支持部（１）及びダイアフラム（４〉の材質としては
、化学的２機械的に安定な性質を有し且つ電気的絶縁性
に優れたものが良い０例えば、酸化物系セラミックスや
ガラスのような材質が優れ°Ｃおり、これらの材質を用
いることにより安定した特性が得られると同時に特性の
経時変化が極めＣ小さい。とりオ）け、アルミナは化学
的１機械的に極めて安定な材料であるとともに簡単に入
手できることから、静ＩＩ＠量型汁カセンサの基台支持
部ｉｔ）及びダイアフラム（４）の材料とし°Ｃ優れた
ものである。
次に本発明の具体例についＣ＃ｌ明する。基台支持部１
１）及びシ゛イアフラム（４）の材料としてアルミナを
使用する。共通電極＋５）の形成されているダイアフラ
ム（４）の径は８８ｆｆ、厚みは０．５ｆｆであり、基
台支持ａ １１）の径は８８１ｍ＋、ｊ！Ｉ！みは６寵
であった。ダイアフラム（４）には共通電極（５）とし
てＡｕ−Ｐｔ系の薄膜電極を形成し、径２５ｆｌの円形
電極を形成する。−万、基台支持ｓｆ！ ｕ）には中心
部にＣｐ用の円形電極（２）を形成し、且つ電極取出し
一９１途中にはＣｒと同じ円周りの位−に中心から８０
’の角度の広がりのある枝状電極（９）叫を形成する。
１）及びシ゛イアフラム（４）の材料としてアルミナを
使用する。共通電極＋５）の形成されているダイアフラ
ム（４）の径は８８ｆｆ、厚みは０．５ｆｆであり、基
台支持ａ １１）の径は８８１ｍ＋、ｊ！Ｉ！みは６寵
であった。ダイアフラム（４）には共通電極（５）とし
てＡｕ−Ｐｔ系の薄膜電極を形成し、径２５ｆｌの円形
電極を形成する。−万、基台支持ｓｆ！ ｕ）には中心
部にＣｐ用の円形電極（２）を形成し、且つ電極取出し
一９１途中にはＣｒと同じ円周りの位−に中心から８０
’の角度の広がりのある枝状電極（９）叫を形成する。
又Ｃｒ用のｊＬ極（３）としＣ１基台支持部＋ｔ） ｌ
ｌｌ１１辺に同心円状に形成され外側径はガラス層（７
）から１ｗｘｌｌＪれている。これら電極１２） （３
）（川明の位Ｉｌｆ関係は第８図（ロ）に示すものと同
じである。上記のように、電極の形成された基台支持部
（１）涜びダイアフラム（４）をシール部祠としＣのガ
ラス層（７）を介し′Ｃ接着する。尚シール部材１ガラ
ス層（７）〕の材質とし′ＣはＰｂ、、−Ｂ２０．系の
低融点ガラスを使用し、基台支持部＋１）とダイアフラ
ム（４）との闇のギヤ゛ンブは２０μｍとなるように作
製した。このギＹツブ内を真空封止した後リード線（６
）・・・を接続しａ’ＪＪセンサ用の検知カプセル部と
した。この検知θブセル部のＣｐ、Ｃｒの温関係数を測
定したところ、船６図に示す如く関係を示し、ＣｐとＣ
ｒの温度の係数は極めＣ近い値を取った。この検知カプ
セル部を検知回路部に接続したときの温度特性を第６図
ａの曲線に示す、第６図には枝状ｔｍを形成しない場合
の温度特性も示し、その曲線はｂである。
ｌｌ１１辺に同心円状に形成され外側径はガラス層（７
）から１ｗｘｌｌＪれている。これら電極１２） （３
）（川明の位Ｉｌｆ関係は第８図（ロ）に示すものと同
じである。上記のように、電極の形成された基台支持部
（１）涜びダイアフラム（４）をシール部祠としＣのガ
ラス層（７）を介し′Ｃ接着する。尚シール部材１ガラ
ス層（７）〕の材質とし′ＣはＰｂ、、−Ｂ２０．系の
低融点ガラスを使用し、基台支持部＋１）とダイアフラ
ム（４）との闇のギヤ゛ンブは２０μｍとなるように作
製した。このギＹツブ内を真空封止した後リード線（６
）・・・を接続しａ’ＪＪセンサ用の検知カプセル部と
した。この検知θブセル部のＣｐ、Ｃｒの温関係数を測
定したところ、船６図に示す如く関係を示し、ＣｐとＣ
ｒの温度の係数は極めＣ近い値を取った。この検知カプ
セル部を検知回路部に接続したときの温度特性を第６図
ａの曲線に示す、第６図には枝状ｔｍを形成しない場合
の温度特性も示し、その曲線はｂである。
第６図の温度特性は設定中心値からの出力電圧のドリフ
ト量をｗｌｌＨｌで表現したもので、圧力としては４６
０ｆｌＨｇの場合について示したものｅあろ 又、設定
は２５℃で行なったもので、２６°Ｃでのドリフトは０
である。この図から明らかなように枝状ｔＩ極１９）
Ｑ１３を形成することにより圧力センサの出力の温度に
よる傾斜は極めて小さいことが分る。
ト量をｗｌｌＨｌで表現したもので、圧力としては４６
０ｆｌＨｇの場合について示したものｅあろ 又、設定
は２５℃で行なったもので、２６°Ｃでのドリフトは０
である。この図から明らかなように枝状ｔＩ極１９）
Ｑ１３を形成することにより圧力センサの出力の温度に
よる傾斜は極めて小さいことが分る。
扶上述べたよ５に、本発明による静電容量型圧力センサ
は極めＣ優れた温度係数を有し、１つ基台支持部及びダ
イアフラムの材料として例えばアルミナを使用すること
により経時変化の面でも優れた特性を示すことから、工
業上極めて有利な静電容量型圧力センサを提供するもの
である。
は極めＣ優れた温度係数を有し、１つ基台支持部及びダ
イアフラムの材料として例えばアルミナを使用すること
により経時変化の面でも優れた特性を示すことから、工
業上極めて有利な静電容量型圧力センサを提供するもの
である。
第１図（イ）及び（ロ）は従来の静電容量型圧力センサ
に用いる検知カプセル部の縦断面図及び横断面図、第２
図（４）及び（ロ）は検知回路部の原理を示す同略図及
び放電状態曲線図、第３図（６）伎び（ロ）は本発明の
実施の一例における検知カプセル部の縦断面図及び横断
面図、第４図はＣｐの電極取出し部途中に枝状電極を形
成しない場合のＣｐとＣｒの温度係数と圧力の関係を示
すグラフ、１＠６図はＣｐの電極取出し部途中に枝状電
極を形成した場合の温度係数と圧力の関係を示すグラフ
、第６図は枝状電極のある場合とない場合の検’ＩＩＩ
″ｂブセル部を検知回路部にＭ−したときの温度特性を
示すグラフである。 （１）・・・基台支持部、 （り （３）・・・電極、
（４）・・・ダイアフラム、１６）・・・共通電１ｆｉ
、 ＋７）・・・ガラス聯、１９＞（１Ｇ・・・枝状
電極、 （１１１（ロ）・・・電場取出し部代珊人 森
本義弘 第ｆ図 （／１） （ロノ 第２図 （４） （口２
に用いる検知カプセル部の縦断面図及び横断面図、第２
図（４）及び（ロ）は検知回路部の原理を示す同略図及
び放電状態曲線図、第３図（６）伎び（ロ）は本発明の
実施の一例における検知カプセル部の縦断面図及び横断
面図、第４図はＣｐの電極取出し部途中に枝状電極を形
成しない場合のＣｐとＣｒの温度係数と圧力の関係を示
すグラフ、１＠６図はＣｐの電極取出し部途中に枝状電
極を形成した場合の温度係数と圧力の関係を示すグラフ
、第６図は枝状電極のある場合とない場合の検’ＩＩＩ
″ｂブセル部を検知回路部にＭ−したときの温度特性を
示すグラフである。 （１）・・・基台支持部、 （り （３）・・・電極、
（４）・・・ダイアフラム、１６）・・・共通電１ｆｉ
、 ＋７）・・・ガラス聯、１９＞（１Ｇ・・・枝状
電極、 （１１１（ロ）・・・電場取出し部代珊人 森
本義弘 第ｆ図 （／１） （ロノ 第２図 （４） （口２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 電気絶縁性を有する一対の基台支持部及びダイア
フラふと、これら基台支持部及びダイアフラムに形成さ
れた第１．、第２．第８（Ｊ）導電層と、基台支持部と
ダイアフラムとの闇に介在されたシール部材とから構成
され、前記第１の導電層と第２．第８の導電層が相対向
し且つ前記シール部材によつ°Ｃ一定ギャップに保たれ
、前記第２の導電層は前記シール部匠傍の枝状導電層と
それに連なる電極取出し部を有し、第８の導電層は第２
の導電層から切り離されて第２の導電層を取り囲むよう
に輪状に形成され電極取出し部を有した静電容量型圧力
センサ。 ２、 基台支持部及びダイアフラムの材質をアルミナと
した特許請求の範囲第１項記載の静電容量型圧力センサ
。 ８、 シール部内部の気体を取り除いた特許請求の範囲
第１項記載の静電谷型型圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043274A JPS58160831A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 静電容量型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043274A JPS58160831A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 静電容量型圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58160831A true JPS58160831A (ja) | 1983-09-24 |
Family
ID=12659235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57043274A Pending JPS58160831A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 静電容量型圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58160831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645138U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| EP2233900A3 (de) * | 2009-03-27 | 2014-12-03 | Robert Bosch GmbH | Kapazitiver Drucksensor |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57043274A patent/JPS58160831A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645138U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| EP2233900A3 (de) * | 2009-03-27 | 2014-12-03 | Robert Bosch GmbH | Kapazitiver Drucksensor |
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