JPS58162039A - 投影型露光装置 - Google Patents
投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS58162039A JPS58162039A JP57045837A JP4583782A JPS58162039A JP S58162039 A JPS58162039 A JP S58162039A JP 57045837 A JP57045837 A JP 57045837A JP 4583782 A JP4583782 A JP 4583782A JP S58162039 A JPS58162039 A JP S58162039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- pattern surface
- projection objective
- wafer
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影型露光装置、特にそのアライメント光学系
に関する。
に関する。
一般に、−小投影灘露光装置による工０、ＬＳＩなどの
製作プロセスは、レジスト塗布→アライメント→露光→
現像→エツチングの操り返しが基本になっている。レチ
クル上のパターンを一小投影レンズでウェハ上に焼き込
む工程を露光と呼んでおり、２回目以降の各露光の前に
はウェハＬに既に杉成されたパターンと各レチクルパタ
ーンの重ね合せを確認すること、すなわちアライメント
が原則として必要である。
製作プロセスは、レジスト塗布→アライメント→露光→
現像→エツチングの操り返しが基本になっている。レチ
クル上のパターンを一小投影レンズでウェハ上に焼き込
む工程を露光と呼んでおり、２回目以降の各露光の前に
はウェハＬに既に杉成されたパターンと各レチクルパタ
ーンの重ね合せを確認すること、すなわちアライメント
が原則として必要である。
第１図にレチクル（Ｒ）の一般的概略図を示す。
レチクル中央の斜線部は、ウェハ上に焼付けられるべき
所定パターンが形成された有効パターンエリアを示して
おり、最端部をＲａとすると、アライメントマークＲａ
は有効エリア外の近傍に置かれる。
所定パターンが形成された有効パターンエリアを示して
おり、最端部をＲａとすると、アライメントマークＲａ
は有効エリア外の近傍に置かれる。
第２図によりアライメント工程を説明する。
レチクル（Ｒ）とウエノ５（Ｗ）のノくターン面は、正
レンズ＄ （Ｌ、１）、絞り（Ｓ）、正レンズ騨（Ｌｌ
）で構成される縮小投影レンズ（Ｌｌ。）Ｋ関して共役
であり各有効パターンエリアの最端部のＲｅ、ＲＣ’に
対し、アライメントマークはＲａ１Ｒａ’のようになる
。従来は重ね合せを確偲するため、レチクルＣＲ）の１
万にミラー（’ｌ１ｌ）を斜設し、し／ズＬ、ＬＫより
アライメント！−りの像（Ｒａ’）ｍｌ Ｒａ を形成し、これを観察していた。有効ノ（ターンエリア
の最端部Ｒｅの位置を投影対物レンズ（Ｌ、。）の光軸
（紅）よりｈａ、アライメントマークＲ１の位置を光軸
（ムＸ）よりｈａ＋Δｈとすると、アライメントマーク
はなるべく有効パターンエリアに近い方が、アライメン
ト精度が向上すること、またクエへを有効に利用するた
めに４、Δｈは非常に小さい量である。特に８２図に示
したごとく、レチクル（Ｒ）を★持するための支持部材
（１）の近傍にアライメント系のレンズ（”１ｍ％”ｇ
ｍ）が配置されるので、アライメント系の光軸（ム８）
と支持径の２分の１以上に大きくしなければならない。
レンズ＄ （Ｌ、１）、絞り（Ｓ）、正レンズ騨（Ｌｌ
）で構成される縮小投影レンズ（Ｌｌ。）Ｋ関して共役
であり各有効パターンエリアの最端部のＲｅ、ＲＣ’に
対し、アライメントマークはＲａ１Ｒａ’のようになる
。従来は重ね合せを確偲するため、レチクルＣＲ）の１
万にミラー（’ｌ１ｌ）を斜設し、し／ズＬ、ＬＫより
アライメント！−りの像（Ｒａ’）ｍｌ Ｒａ を形成し、これを観察していた。有効ノ（ターンエリア
の最端部Ｒｅの位置を投影対物レンズ（Ｌ、。）の光軸
（紅）よりｈａ、アライメントマークＲ１の位置を光軸
（ムＸ）よりｈａ＋Δｈとすると、アライメントマーク
はなるべく有効パターンエリアに近い方が、アライメン
ト精度が向上すること、またクエへを有効に利用するた
めに４、Δｈは非常に小さい量である。特に８２図に示
したごとく、レチクル（Ｒ）を★持するための支持部材
（１）の近傍にアライメント系のレンズ（”１ｍ％”ｇ
ｍ）が配置されるので、アライメント系の光軸（ム８）
と支持径の２分の１以上に大きくしなければならない。
従って各レンズの有効部分以外を切除して小型化しない
限り、斜設反射鏡（Ｍ２１）はレチクルからレンズの有
効径の２分の１よりも近い位置に配置することは実質的
に不’ｏｆ能である。
限り、斜設反射鏡（Ｍ２１）はレチクルからレンズの有
効径の２分の１よりも近い位置に配置することは実質的
に不’ｏｆ能である。
１ｍ２図では、模式化して露光光東叫とアライメント光
１［ｒ４とを描（・ているが、実際の装置ではΔｈが小
さく・ため、斜設ミラー（Ｍ２□）は露光光束の一部を
遮光してしまい、露光ごとにミラー（Ｍ２１）が−光光
束の光路を妨げないようＶＣＪ避する必要があり、アラ
イメント系の構成が４１峻にならざるを得なかった。
１［ｒ４とを描（・ているが、実際の装置ではΔｈが小
さく・ため、斜設ミラー（Ｍ２□）は露光光束の一部を
遮光してしまい、露光ごとにミラー（Ｍ２１）が−光光
束の光路を妨げないようＶＣＪ避する必要があり、アラ
イメント系の構成が４１峻にならざるを得なかった。
他方、７４２図中点線で示すごとく、レチクルパターン
面で光束を反射させ、投影対物レンズ（Ｌよ。）とレチ
クル（Ｒ）との間に斜設されたミラー（Ｍ、 １）及び
２つの正レンズ＃（Ｌｓ、、Ｌ３．）によりアライメン
トマークの壕を形成する構成とすれば、ミラーの退避が
不要になると考えられる。
面で光束を反射させ、投影対物レンズ（Ｌよ。）とレチ
クル（Ｒ）との間に斜設されたミラー（Ｍ、 １）及び
２つの正レンズ＃（Ｌｓ、、Ｌ３．）によりアライメン
トマークの壕を形成する構成とすれば、ミラーの退避が
不要になると考えられる。
しかし通常レチクルパターン面はフレア防止のため低反
射処理が施されているため、レチクルパターン面で十分
な反射光量を帰ることができない。そこで有効エリア内
を低反射クローム、それより外側を高反射クロームでパ
タ一二ノグすることもできるがレチクル製作工程が非常
に煩雑になってしｔ５゜ 本発明の目的は開傘な構成でありながら、ウェハと各レ
チクルとの高精度な位置合せが可能でレチクルの製作を
ｔｊ［−にすることのないアライメント系を有する投影
型露光装置を提供することにある。
射処理が施されているため、レチクルパターン面で十分
な反射光量を帰ることができない。そこで有効エリア内
を低反射クローム、それより外側を高反射クロームでパ
タ一二ノグすることもできるがレチクル製作工程が非常
に煩雑になってしｔ５゜ 本発明の目的は開傘な構成でありながら、ウェハと各レ
チクルとの高精度な位置合せが可能でレチクルの製作を
ｔｊ［−にすることのないアライメント系を有する投影
型露光装置を提供することにある。
本発明は投影対物レンズを通してウエノ・とレチクルと
の位置関係を一部又は測定するためのアライメント系を
有する投影型露光装置におい・て、レチクルパターン面
の投影対物レンズと反対側に、第１反射部材を設け、レ
チクルパター７面の投影対物レンズ側に第２反射部材を
斜設し、投影対物レンズを射出してレチクルパターン面
を透過するアライメント光束を第１反射部材によってレ
チクルパターン面へ向けて反射させ、レチクルパターン
面を再び透過するこの反射光を第２反射部材によって投
影対物レンズの光軸から遠ざかる方向へ導き、この光束
によってウェハとレチクルとの位置関係を駿察又は測定
するものである。
の位置関係を一部又は測定するためのアライメント系を
有する投影型露光装置におい・て、レチクルパターン面
の投影対物レンズと反対側に、第１反射部材を設け、レ
チクルパター７面の投影対物レンズ側に第２反射部材を
斜設し、投影対物レンズを射出してレチクルパターン面
を透過するアライメント光束を第１反射部材によってレ
チクルパターン面へ向けて反射させ、レチクルパターン
面を再び透過するこの反射光を第２反射部材によって投
影対物レンズの光軸から遠ざかる方向へ導き、この光束
によってウェハとレチクルとの位置関係を駿察又は測定
するものである。
以下、図面に基づいて本発明を説明する。
まずアライメントマークＲ１）Ｋ県中する光束と、有効
エリア最端部ＲａＫ秦中する光束との重なり位置を求め
る。第６図に示したように投影対物シン４ｏ入射瞳（ｆ
Ｉ）の径をφ、レチクルパター（Ｌ、ｏ） ７面（Ｒｐ ）より入射瞳（キ）までの距離を６ｍとし
、アライメント系−りＲａＫついては、図においてと有
効エリア最端部Ｒｅについては絞り（８）の左端を通る
光線との交点とレチクル（Ｒ）のパターン面（ＲＰ）と
の距離ｌｏを求めれば露光光束とアライメント光束との
交り合う位置が解る。これらの各４値に関しては、 の関係が成立する。
エリア最端部ＲａＫ秦中する光束との重なり位置を求め
る。第６図に示したように投影対物シン４ｏ入射瞳（ｆ
Ｉ）の径をφ、レチクルパター（Ｌ、ｏ） ７面（Ｒｐ ）より入射瞳（キ）までの距離を６ｍとし
、アライメント系−りＲａＫついては、図においてと有
効エリア最端部Ｒｅについては絞り（８）の左端を通る
光線との交点とレチクル（Ｒ）のパターン面（ＲＰ）と
の距離ｌｏを求めれば露光光束とアライメント光束との
交り合う位置が解る。これらの各４値に関しては、 の関係が成立する。
従って、レチクルパターン面（Ｒｐ）より上方で（１）
式で与えられる、ｔｏの値より小さい距離のところに第
１反射部材を配置してアライメント光束を下方へ、すな
わちレチクルパターン面へ反射させることにより、露光
光束を何ら妨げることなくアライメント光束を分離する
ことができる。
式で与えられる、ｔｏの値より小さい距離のところに第
１反射部材を配置してアライメント光束を下方へ、すな
わちレチクルパターン面へ反射させることにより、露光
光束を何ら妨げることなくアライメント光束を分離する
ことができる。
（１）式に例としてｒｌ ｓ＝ｓ ＯＤｍ、φ＝２０ｇ
ｍ％Δｈ＝α５箇を代入するとｔｏニア、７鴫となり、
第１反射部材の位置はレチクルパターン［（Ｒｐ）から
１７諺よりも近い距離であることが必要である。
ｍ％Δｈ＝α５箇を代入するとｔｏニア、７鴫となり、
第１反射部材の位置はレチクルパターン［（Ｒｐ）から
１７諺よりも近い距離であることが必要である。
第４図はこのような本発明の原理的構成図である。図中
、第２図及び＠３図とほぼ同様の機能を有する部材には
同一の記号が付されている。
、第２図及び＠３図とほぼ同様の機能を有する部材には
同一の記号が付されている。
レチクル（Ｒ）の上部すなわち投影対物レンズ（Ｌ□。
）と反対側にレチクルＣＢ）から距離ｔの位ｆｌｌｌＫ
第１反射部材としての反射鏡（町）が配置されて（・る
。ここで明らかＫｔは前述したＬｏより小さい。また、
レチクル（Ｒ）をはさんで反射鏡（Ｍｌ）とほぼ対向し
て、すなわちレチクル（Ｒ）の射鏡（Ｍ、）が斜設され
ている。これ罠より、投影対物レンズ（Ｌ□。）を射出
するウェハ（ＩＦ）上の７２イメントマーク（Ｒｄ功’
らのアライメント光束に）は、レチクルパターン面（Ｒ
ｐ）を通過した後、反射１１（Ｍ、）で反射され、再び
レチクルパターン面（Ｈｐ）を通過し、斜設反射鏡（Ｍ
２）で投影対物レンズ（Ｌ□。）の光軸（Ａ１）から遠
ざかる方向に反射される。斜設反射鏡（Ｍ２）は投影対
物レンズの光軸（Ａ１）に対して４ダ傾斜しており、ア
ライメント系の対物レンズとしてのＩｓ１正レンズ（Ｌ
□）、ｍ２ｉＥレンズ（Ｌ２）の光軸（Ａ２）は投影対
物レンズの光軸（Ａ□）Ｋ直交し、レチクル（Ｒ） Ｋ
平行である。第１＋１：レンズ（Ｌよ）の前側焦点は反
射鏡（Ｍよ）及Ｕ （Ｍ、）Ｖ（ヨ９実質的にレチクル
パターンｉｌ （Ｒｐ）上にあり、レチクルパターンｍ
＜ｔｐ＞、上のアライメントマーク（Ｒａ）からの光
束は第１正レンズ（Ｌよ）の射出後平行光束となって第
２正レンズ（Ｌ２）に入射し、ｌｓ２正レンズ（Ｌ２）
の後備焦点上にアライメントマークの偉（［ａ’＋が形
成される。アライメントマーク像（Ｒａ’）の位置には
ウェハ（Ｗ）上のアライメントマーク（Ｒａ’）の儂も
形成され、両者の壕位置から、ウェハ（ＩＦ）とレチク
ル（Ｒ）との位置関係を観測することがで色る。斜設反
射鏡（Ｍｌ）はレチクル（Ｒ）の下方にあるため、反射
鏡（Ｍｌ）からの反射光を受けるためには露光光１［６
１は勿論、アライメント光ｌ［＠を４妨げる恐れがなく
、斜設反射鏡（Ｍ２）とレチクル（Ｒ）との距離は第１
正レンズ（Ｌ、）又は第２正レンズ（ＬｌＩ）の有効口
径より大きげｎばよい。
第１反射部材としての反射鏡（町）が配置されて（・る
。ここで明らかＫｔは前述したＬｏより小さい。また、
レチクル（Ｒ）をはさんで反射鏡（Ｍｌ）とほぼ対向し
て、すなわちレチクル（Ｒ）の射鏡（Ｍ、）が斜設され
ている。これ罠より、投影対物レンズ（Ｌ□。）を射出
するウェハ（ＩＦ）上の７２イメントマーク（Ｒｄ功’
らのアライメント光束に）は、レチクルパターン面（Ｒ
ｐ）を通過した後、反射１１（Ｍ、）で反射され、再び
レチクルパターン面（Ｈｐ）を通過し、斜設反射鏡（Ｍ
２）で投影対物レンズ（Ｌ□。）の光軸（Ａ１）から遠
ざかる方向に反射される。斜設反射鏡（Ｍ２）は投影対
物レンズの光軸（Ａ１）に対して４ダ傾斜しており、ア
ライメント系の対物レンズとしてのＩｓ１正レンズ（Ｌ
□）、ｍ２ｉＥレンズ（Ｌ２）の光軸（Ａ２）は投影対
物レンズの光軸（Ａ□）Ｋ直交し、レチクル（Ｒ） Ｋ
平行である。第１＋１：レンズ（Ｌよ）の前側焦点は反
射鏡（Ｍよ）及Ｕ （Ｍ、）Ｖ（ヨ９実質的にレチクル
パターンｉｌ （Ｒｐ）上にあり、レチクルパターンｍ
＜ｔｐ＞、上のアライメントマーク（Ｒａ）からの光
束は第１正レンズ（Ｌよ）の射出後平行光束となって第
２正レンズ（Ｌ２）に入射し、ｌｓ２正レンズ（Ｌ２）
の後備焦点上にアライメントマークの偉（［ａ’＋が形
成される。アライメントマーク像（Ｒａ’）の位置には
ウェハ（Ｗ）上のアライメントマーク（Ｒａ’）の儂も
形成され、両者の壕位置から、ウェハ（ＩＦ）とレチク
ル（Ｒ）との位置関係を観測することがで色る。斜設反
射鏡（Ｍｌ）はレチクル（Ｒ）の下方にあるため、反射
鏡（Ｍｌ）からの反射光を受けるためには露光光１［６
１は勿論、アライメント光ｌ［＠を４妨げる恐れがなく
、斜設反射鏡（Ｍ２）とレチクル（Ｒ）との距離は第１
正レンズ（Ｌ、）又は第２正レンズ（ＬｌＩ）の有効口
径より大きげｎばよい。
第４図中でもレチクルの有効パターンエリア最端部Ｒｃ
に集光する露光光束（至）と、レチクルパターン面上の
アライメントマークＲａＫ集光するアライメント光束と
を部分的に斜線を施して示した。
に集光する露光光束（至）と、レチクルパターン面上の
アライメントマークＲａＫ集光するアライメント光束と
を部分的に斜線を施して示した。
このような構成であるから、レチクル（Ｒ）の上部の反
射鏡（Ｍｌ）と露光光東叫との間隔は１１２図に示した
ごとき反射鏡（町、）と露光光束α１との間より大きく
、ＩＩ光光束（転）を妨げることはない。従ってレチク
ル上でアライメントマーク眞）と有効パターンエリアの
最端部Ｒｅとの距離Δｈは＃Ｉ２図の場合より小・さく
でき、レチクル（Ｒ）を小型にできるのみならず、ウェ
ハ（Ｗ）のアライメントマーク（Ｒａ’）のためのｌＪ
埴を小さくする°ことがでする。これＫよりアライメン
ト精度が向上するとともにより小さなウェハ上に多数の
工○チップを焼付けることがＨ（能であり、いわゆるス
テップ・アンド・リピートでのウェハの移動普が小さく
なってスループットの向トにも有利である。
射鏡（Ｍｌ）と露光光東叫との間隔は１１２図に示した
ごとき反射鏡（町、）と露光光束α１との間より大きく
、ＩＩ光光束（転）を妨げることはない。従ってレチク
ル上でアライメントマーク眞）と有効パターンエリアの
最端部Ｒｅとの距離Δｈは＃Ｉ２図の場合より小・さく
でき、レチクル（Ｒ）を小型にできるのみならず、ウェ
ハ（Ｗ）のアライメントマーク（Ｒａ’）のためのｌＪ
埴を小さくする°ことがでする。これＫよりアライメン
ト精度が向上するとともにより小さなウェハ上に多数の
工○チップを焼付けることがＨ（能であり、いわゆるス
テップ・アンド・リピートでのウェハの移動普が小さく
なってスループットの向トにも有利である。
１ｊ！５図は上記のごとき本発明による一実施例の第１
、第２反射部材の部分構成図である。
、第２反射部材の部分構成図である。
本実施例では板がラス製のレチクル（Ｒ）のパターン面
（Ｒｐ）と反対側の面上に第１反射部材としての、ｇ＊
反射ＩＩ （Ｍ□□）が形成され、ここで反射されたア
ライメント光束Ａがレチクル（Ｒ）を透過（て第２反射
部材としての斜設反射１！（Ｍ２）へ達し、第１正レン
ズ（Ｌｌ）に入射する。
（Ｒｐ）と反対側の面上に第１反射部材としての、ｇ＊
反射ＩＩ （Ｍ□□）が形成され、ここで反射されたア
ライメント光束Ａがレチクル（Ｒ）を透過（て第２反射
部材としての斜設反射１！（Ｍ２）へ達し、第１正レン
ズ（Ｌｌ）に入射する。
反射膜（Ｍ１□）とレチクルパターン面（Ｒｐ）との距
離はレチクル（Ｒ）の厚さに等しく・。
離はレチクル（Ｒ）の厚さに等しく・。
本実施例は第１反射部材とレチクルパターン面との間隔
を最も小さくした場合であり、露光光束ＩＩＩ）とアラ
イメント′＃、＊鴫とを大きく分離できるため、レチク
ルの有功ノくターンエリア最端部Ｒｅとアライメントマ
ークと最も接近して設けることが可能ｒある。
を最も小さくした場合であり、露光光束ＩＩＩ）とアラ
イメント′＃、＊鴫とを大きく分離できるため、レチク
ルの有功ノくターンエリア最端部Ｒｅとアライメントマ
ークと最も接近して設けることが可能ｒある。
本実施例の場合には、レチクルのノ（ター／面と反対側
の面に反射膜を蒸着しなければならないが、パターン面
とは全く関係ない裏面への蒸着であるためレチクルの製
造を特に煩傾にすることはない ＃！６図は他の実施列を示す同様の部分構成図である。
の面に反射膜を蒸着しなければならないが、パターン面
とは全く関係ない裏面への蒸着であるためレチクルの製
造を特に煩傾にすることはない ＃！６図は他の実施列を示す同様の部分構成図である。
レチクル（Ｒ）の上部に第１反射部材としての反射板（
Ｍ□、）が、レチクル支持部材（１）上の反射板支持部
材（２）Ｋより設けられ、ここで反射さｎるアライメン
ト光電（ホ）はレチクル（Ｒ） を透過して斜設反射鏡
（Ｍ２）で反射されて嬉１正レンズ（Ｌ、）に入射する
。
Ｍ□、）が、レチクル支持部材（１）上の反射板支持部
材（２）Ｋより設けられ、ここで反射さｎるアライメン
ト光電（ホ）はレチクル（Ｒ） を透過して斜設反射鏡
（Ｍ２）で反射されて嬉１正レンズ（Ｌ、）に入射する
。
本実施例では、レチクル（Ｒ）と反射板（Ｍｌ、）とが
分離しているため、レチクルには何ら加工を加える必要
がない。レチクルのノくター／面（Ｒｐ）と反射板ＣＭ
、ａ）との距離が前述したｔｏの値より以上のごとく、
本発明の投影ｆｊｉ露光装置によればアライメントマー
クの一部を何ら移動させる必要がないため、簡琳な構成
になるとともにレチクル上のアライメントマークを有効
パターンエリアに接近させることができるためウエノ１
とレチクルとのより高精度な位置合せが可能となりレチ
クルの製作も％Ｋｌ［線化することがない。
分離しているため、レチクルには何ら加工を加える必要
がない。レチクルのノくター／面（Ｒｐ）と反射板ＣＭ
、ａ）との距離が前述したｔｏの値より以上のごとく、
本発明の投影ｆｊｉ露光装置によればアライメントマー
クの一部を何ら移動させる必要がないため、簡琳な構成
になるとともにレチクル上のアライメントマークを有効
パターンエリアに接近させることができるためウエノ１
とレチクルとのより高精度な位置合せが可能となりレチ
クルの製作も％Ｋｌ［線化することがない。
第１図はレチクルの一般的概略平面図、第２図は従来の
装曾の概略構成図、第６図は本発明の原理説明図、第４
図は本発明の原理的構成図、第５図、第６図はそれぞれ
本発明による実施例の部分構成図である。 （主要部分の符号の説明〕 Ｒ，−−−−−−レチクル、Ｗ−−−−−−−ウェハＬ
１゜−一一一一一投影対物レンズ、Ｍ□−−−−一第１
反射部材Ｍ ２−−−一構２反射部材、１０．１１−−
−−−一露光光束２０−−−−−アライメント光束 Ｌｌ、Ｌ２−−一−−−アライメント系正しどズ出願人
日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 場 男 第３図 第８図 オ′６図
装曾の概略構成図、第６図は本発明の原理説明図、第４
図は本発明の原理的構成図、第５図、第６図はそれぞれ
本発明による実施例の部分構成図である。 （主要部分の符号の説明〕 Ｒ，−−−−−−レチクル、Ｗ−−−−−−−ウェハＬ
１゜−一一一一一投影対物レンズ、Ｍ□−−−−一第１
反射部材Ｍ ２−−−一構２反射部材、１０．１１−−
−−−一露光光束２０−−−−−アライメント光束 Ｌｌ、Ｌ２−−一−−−アライメント系正しどズ出願人
日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 場 男 第３図 第８図 オ′６図
Claims (1)
- レチクル上のパターンをウェハ上に投参するための投影
対物レンズと、該投影対物レンズを通して該レチクルと
ウェハとの位置関係を観測するためのアライメント系と
を有する投影型露光装置において、該レチクル上のパタ
ーン面の該投影対物レンズと反対側に、皺投影対物レン
ズを射出し該レチクル上のパターン面を透過するアライ
メント光電を該レチクルパターン面へ向けて反射するた
めの第１反射部材を配置するとと４Ｋ、該レチクルパタ
ーン面の誼投影対物しンズＩＩＫ、皺嬉１反射部材で反
射され該レチクルパターン面を再び透過する光電を鍍投
参対物し／ズの光軸より趨ざかる方向へ反射するための
第２反射部材を設け、諌嬉２反射部材からの反射光電に
よって咳ウェハと該レチクルとの位置関係をＩＮ ＩＩ
することを特徴とする投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57045837A JPS58162039A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57045837A JPS58162039A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162039A true JPS58162039A (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=12730330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57045837A Pending JPS58162039A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162039A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018917A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPS6175522A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Hitachi Ltd | 縮小投影式アライメント装置 |
| JPS6432625A (en) * | 1988-05-06 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Exposure method for semiconductor |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57045837A patent/JPS58162039A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018917A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
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