JPS58162076A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPS58162076A JPS58162076A JP57044663A JP4466382A JPS58162076A JP S58162076 A JPS58162076 A JP S58162076A JP 57044663 A JP57044663 A JP 57044663A JP 4466382 A JP4466382 A JP 4466382A JP S58162076 A JPS58162076 A JP S58162076A
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- Japan
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- semiconductor
- film
- insulating film
- transparent electrode
- forming
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発＃４は、透明電極−絶縁膜一半導体構造Ｉ造七もつ
光電変換素子の製造方法に関するものである。
光電変換素子の製造方法に関するものである。
半導体素子の中で、金属−絶縁膜一半導体構造をもつ、
いわゆるＭＩ８ 構造素子と呼ばれるものがある。ＭＩ
８構造素子は、その製造が簡単であるばかりでなく、
ｐｍｉｌ′合形成が困難な半導体の応用に欠くことので
きないものとなっている。ところで、ＭＩＳ構造素子を
、太陽電池や発光ダイオードなどの光電変換素子として
用いる場合、絶縁膜上に形成される金属層が光に対して
不透明であることが、光電変換効率の部上を図る上での
最大の障害となっている。この＊１ｔｉｔを解決するた
めに、金属層の代りに、透明電極と呼ばれる低抵抗金属
酸化膜を用いることが一般に行われている。この低抵抗
金属酸化膜としては、ｔモル囁の８虱０１を含むＩｎ５
ｔａｌｌが広く用いられている。
いわゆるＭＩ８ 構造素子と呼ばれるものがある。ＭＩ
８構造素子は、その製造が簡単であるばかりでなく、
ｐｍｉｌ′合形成が困難な半導体の応用に欠くことので
きないものとなっている。ところで、ＭＩＳ構造素子を
、太陽電池や発光ダイオードなどの光電変換素子として
用いる場合、絶縁膜上に形成される金属層が光に対して
不透明であることが、光電変換効率の部上を図る上での
最大の障害となっている。この＊１ｔｉｔを解決するた
めに、金属層の代りに、透明電極と呼ばれる低抵抗金属
酸化膜を用いることが一般に行われている。この低抵抗
金属酸化膜としては、ｔモル囁の８虱０１を含むＩｎ５
ｔａｌｌが広く用いられている。
ところで、これまで和製造された透明電極−絶縁膜一半
導体構造の光電変換素子の変換効率は、ＭＩ＆構造素子
の場合の変換効率よりもかなり低い。
導体構造の光電変換素子の変換効率は、ＭＩ＆構造素子
の場合の変換効率よりもかなり低い。
例えば、 Ｉ！ＩＦ太陽電池の場合、 ＭＩ８構造素子
では約ｌチーの変換効率が得られているのに対し、透明
電極−絶縁膜一半導体構造の素子の変換効率は１０弧に
達していないのが現状である。このような事ｔ＊ｔ’！
、化合物半導体を用いた素子においてより着しい、この
ように１Ｍｌ８＠造素子での金属層の代りに透明電極を
用いることにより、光電変換効率の大幅な向上が期待さ
れるにもかかわらす、実際には、むしろ、効率の低下を
招いている。その最大の原因は、透明電極の形成時に、
絶縁膜中および半導体のＩｌＩ面に変換効率の低下の原
因となる各種の欠陥が高密度に導入されるためである。
では約ｌチーの変換効率が得られているのに対し、透明
電極−絶縁膜一半導体構造の素子の変換効率は１０弧に
達していないのが現状である。このような事ｔ＊ｔ’！
、化合物半導体を用いた素子においてより着しい、この
ように１Ｍｌ８＠造素子での金属層の代りに透明電極を
用いることにより、光電変換効率の大幅な向上が期待さ
れるにもかかわらす、実際には、むしろ、効率の低下を
招いている。その最大の原因は、透明電極の形成時に、
絶縁膜中および半導体のＩｌＩ面に変換効率の低下の原
因となる各種の欠陥が高密度に導入されるためである。
例えば、 ＩｎＰ太陽電池の場合な例にとると、その従
来のｌＩｌ！造は＠／図（暴）ｅ （ｂ）に示す工程
で行われていた。まず％ＷＪ１図（ａ） ｉｃ示すよう
［、＃Ｍ面研磨したｐ形ＩｎＰ結晶ｌを臭素水溶液ある
いは硝酸水溶液中に浸漬することＫより、七の表面に絶
縁膜として厚さ約１０ＯＡのＩｎＰ酸化酸化膜形成する
０次に、第１図（ｂ）に示すように１スバンタ法あるい
をＩ ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｅａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ＠
ｐｏｓｌｔｉ＊ｎ ）法により、９モル幅の８ｎＯ１ｔ
−含むＩ！１１０ｍ１１１７をＩｎＰ酸化酸化膜形に形
成する。ところで、スバンタ法により９モル幅の８ｎＱ
１を含むＩｎ５０ｍＭ１ｊ艙形成するにあたって、ｐ形
ＩｎＰ結晶ｌおよびＩｎＰ ＠ｌｌ化ココ、真空中でＪ
ＯＯｔ：程屓の高温にさらされるととも＃′Ｃ，イオン
の衝撃を受ける。その結果、ｐ形ＩｎＰ結晶ｌＯ表面に
おいては・、Ｐの蒸発やイオン衝撃による欠陥が導入さ
れ、またＩｎｋ＠化展２にも高蒸気圧成分（主ＫＰｆ）
＠化物）の損失による欠陥が導入される。このような欠
陥は、太ｔｔｉｆｔ。
来のｌＩｌ！造は＠／図（暴）ｅ （ｂ）に示す工程
で行われていた。まず％ＷＪ１図（ａ） ｉｃ示すよう
［、＃Ｍ面研磨したｐ形ＩｎＰ結晶ｌを臭素水溶液ある
いは硝酸水溶液中に浸漬することＫより、七の表面に絶
縁膜として厚さ約１０ＯＡのＩｎＰ酸化酸化膜形成する
０次に、第１図（ｂ）に示すように１スバンタ法あるい
をＩ ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｅａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ＠
ｐｏｓｌｔｉ＊ｎ ）法により、９モル幅の８ｎＯ１ｔ
−含むＩ！１１０ｍ１１１７をＩｎＰ酸化酸化膜形に形
成する。ところで、スバンタ法により９モル幅の８ｎＱ
１を含むＩｎ５０ｍＭ１ｊ艙形成するにあたって、ｐ形
ＩｎＰ結晶ｌおよびＩｎＰ ＠ｌｌ化ココ、真空中でＪ
ＯＯｔ：程屓の高温にさらされるととも＃′Ｃ，イオン
の衝撃を受ける。その結果、ｐ形ＩｎＰ結晶ｌＯ表面に
おいては・、Ｐの蒸発やイオン衝撃による欠陥が導入さ
れ、またＩｎｋ＠化展２にも高蒸気圧成分（主ＫＰｆ）
＠化物）の損失による欠陥が導入される。このような欠
陥は、太ｔｔｉｆｔ。
により発生した光キャリアの再結合中心やトラップとし
て作用し、太陽電池としての変換効率を著しく低下させ
る。また、ＣＶＤ法での９モル幅のＢａｎｇ を含むＩ
ｌｌ＠ＯＨＪｌｌ Ｊ ｆ）形成の場合には、ｐ形Ｉｍ
Ｐ結晶ｌおよびＩａＰ酸化膜コはＷＯＯ℃以上の高温に
さらされるので、スバンタ法の場合以上に、高密にの熱
的欠陥が導入され、その結果、変換効率は極めて低いも
のになる。
て作用し、太陽電池としての変換効率を著しく低下させ
る。また、ＣＶＤ法での９モル幅のＢａｎｇ を含むＩ
ｌｌ＠ＯＨＪｌｌ Ｊ ｆ）形成の場合には、ｐ形Ｉｍ
Ｐ結晶ｌおよびＩａＰ酸化膜コはＷＯＯ℃以上の高温に
さらされるので、スバンタ法の場合以上に、高密にの熱
的欠陥が導入され、その結果、変換効率は極めて低いも
のになる。
以上の説明は、主［、ＩｍＰ太陽電池の場合についての
ものであるが、他の半導体を用いたＭＩ８ ＠造太陽電
池、さらに汀ＭＩＮ＠造発光素子においても、金属層の
代りに透明電極を用いることによる変換効率の向上は実
ＩＸ８れていなかった。
ものであるが、他の半導体を用いたＭＩ８ ＠造太陽電
池、さらに汀ＭＩＮ＠造発光素子においても、金属層の
代りに透明電極を用いることによる変換効率の向上は実
ＩＸ８れていなかった。
そこで、本発明の目的を１、上述した問題点を解決して
、高効率の透明電極−絶に膜−半導体構造【一つ光電変
換素子を製造する方法を提供することにある。
、高効率の透明電極−絶に膜−半導体構造【一つ光電変
換素子を製造する方法を提供することにある。
かかる目的を達成するために１本発明では、表面ＫＩＩ
Ｉを含むＩｎＩＩｔ形成した半導体基板を陽極酸化する
ことＫより、ａ側電極ならびに絶縁膜を連続して形成す
る。
Ｉを含むＩｎＩＩｔ形成した半導体基板を陽極酸化する
ことＫより、ａ側電極ならびに絶縁膜を連続して形成す
る。
以下に図・面を参照して本発明を説明する。
陽極酸化法は、常温で金属や半導体の酸化膜を比較的容
易に形成できる方法であり、その原理は電解液中で、金
属あるいは半導体？２Ｉｓ極に、白金などの賞金間を陰
極として電流を通じることにより、電解液中の醗素イオ
ンによって金属あるいは半導体が酸化さ汁るものである
。
易に形成できる方法であり、その原理は電解液中で、金
属あるいは半導体？２Ｉｓ極に、白金などの賞金間を陰
極として電流を通じることにより、電解液中の醗素イオ
ンによって金属あるいは半導体が酸化さ汁るものである
。
不発ＢＡは、この陽極酸化法を透明電極および半導体の
酸化膜の形成に利用するものである。いま。
酸化膜の形成に利用するものである。いま。
鏡面研磨した半導体を定電流密度で陽極酸化した場合、
第２図の特性ＩＫ示すよ５［、ｔｍ間電圧ａ時間に対し
て直縁的に増大する。極間電圧と形成される酸化膜の厚
さとは比例関係にあるので％極間電圧の増大は酸化膜厚
の増大に対応する。一方。
第２図の特性ＩＫ示すよ５［、ｔｍ間電圧ａ時間に対し
て直縁的に増大する。極間電圧と形成される酸化膜の厚
さとは比例関係にあるので％極間電圧の増大は酸化膜厚
の増大に対応する。一方。
半導体の表面に金Ｍ膜が存在する場合、これを陽極酸化
すると、この金属の酸化膜が低抵抗の場合には、第一図
に示す極間電圧一時間特性■が得られる。ここで、０Ａ
ＮＪは、＊ｍの金属の酸化反応が進行している領域を示
し、ム点は金属の酸化反応の終了と半導体の酸化反応の
始まりを示すものである。Ａ点以後の極間電圧の上昇は
、特性Ｉの場合と一様に半導体の酸化膜厚が時間ととも
に増大していること【示している。
すると、この金属の酸化膜が低抵抗の場合には、第一図
に示す極間電圧一時間特性■が得られる。ここで、０Ａ
ＮＪは、＊ｍの金属の酸化反応が進行している領域を示
し、ム点は金属の酸化反応の終了と半導体の酸化反応の
始まりを示すものである。Ａ点以後の極間電圧の上昇は
、特性Ｉの場合と一様に半導体の酸化膜厚が時間ととも
に増大していること【示している。
本発明では、かかる特性１の現象を利用し、半導体の表
面に、ｔず１〜１モル％の８ｎを含むＩｎ膜を形成し、
この半導体を陽極酸化することにより、透明電極として
、ｌ−１モル幅の８ｎＯ意を含むＩｎ５Ｏｓｌｌｔ形成
し、さらに引き続いて酸化反応を進行させ、絶縁膜とな
る半導体の酸化膜を形成することにより、透明電極−絶
縁膜一半導体構造の光電変換素子を製造する。
面に、ｔず１〜１モル％の８ｎを含むＩｎ膜を形成し、
この半導体を陽極酸化することにより、透明電極として
、ｌ−１モル幅の８ｎＯ意を含むＩｎ５Ｏｓｌｌｔ形成
し、さらに引き続いて酸化反応を進行させ、絶縁膜とな
る半導体の酸化膜を形成することにより、透明電極−絶
縁膜一半導体構造の光電変換素子を製造する。
以下に１本発明を実−例を用いて絆しく説明する。
（実施例１）
ＩｎＰ太陽電池を第３図（ａ） 、 （ｂ）に示す工
程で製造した。まず、第Ｊ ＠ Ｃ＆）に示すように、
ｐ形１ｒｈＰ結晶基板１／の表面を鏡面研磨し、さらに
その裏ｍにムｕ −Ｚｎオーム性電電極りを被着した０
次いで％ｐ形ＩｎＰ結晶基板１／の表面に、貞空蒸着法
により９モル％の８ｎ を含むＩｎ膜１５を形成した。
程で製造した。まず、第Ｊ ＠ Ｃ＆）に示すように、
ｐ形１ｒｈＰ結晶基板１／の表面を鏡面研磨し、さらに
その裏ｍにムｕ −Ｚｎオーム性電電極りを被着した０
次いで％ｐ形ＩｎＰ結晶基板１／の表面に、貞空蒸着法
により９モル％の８ｎ を含むＩｎ膜１５を形成した。
次に、ｐ形ＩｓＰ結晶基板／／の裏面を絶縁性ワンクス
で保画し、この基板／／ｆ、ｐＨ＝／２の３％酒石酸水
溶液とプロピレングリコールとのｌＩ３混合液中で、１
ｌａＡ／ｃＩＬの定ｘｉ密に下で陽極酸化した。この陽
極酸化は、第３図（ｂ）に示すように％Ｓｎを含むＩｎ
膜１５がすべて８ ｎ Ｏ富を含むＩｎ１ＯＩＩ！！／
ＪＫｆ化。し、さらにｐ形ＩｎＰ結晶基板／／の表面層
が酸化されて厚さ約１００ ＡのＩ！ＬＰ酸化＃ｌコが
形成された時点で銘了させた。
で保画し、この基板／／ｆ、ｐＨ＝／２の３％酒石酸水
溶液とプロピレングリコールとのｌＩ３混合液中で、１
ｌａＡ／ｃＩＬの定ｘｉ密に下で陽極酸化した。この陽
極酸化は、第３図（ｂ）に示すように％Ｓｎを含むＩｎ
膜１５がすべて８ ｎ Ｏ富を含むＩｎ１ＯＩＩ！！／
ＪＫｆ化。し、さらにｐ形ＩｎＰ結晶基板／／の表面層
が酸化されて厚さ約１００ ＡのＩ！ＬＰ酸化＃ｌコが
形成された時点で銘了させた。
、このようにして作製した太陽電池は、ＡＭ（ａｉｒ
ｍａａｍ ）−の太陽光下で、１１％の変換効率配水し
、従来のＩＩ８ ＃９造太陽電池の効率／ヂ％を大幅に
上まわることが確ｇされた。
ｍａａｍ ）−の太陽光下で、１１％の変換効率配水し
、従来のＩＩ８ ＃９造太陽電池の効率／ヂ％を大幅に
上まわることが確ｇされた。
（実施例２）
Ｚｎ８・発光ダイオードを第参図（ｓ）、 （ｂ）Ｋ
示す工程で製造した。まず、第参図（＆）に示すようｔ
ｆｃ、 ｒＸＩＯｃＩＩＬＦ）Ｇａが添加され、さらｉ
ｃ ４１ 面ＷＣＩａ −Ｇａオーム性電極２ヂを被着
したＺｔ＋８＠結晶Ｉの表面に、真空蒸着法により、タ
モル襲の８１１を含むｌｍ１ｉ２ｔを形成した１次Ｋ。
示す工程で製造した。まず、第参図（＆）に示すようｔ
ｆｃ、 ｒＸＩＯｃＩＩＬＦ）Ｇａが添加され、さらｉ
ｃ ４１ 面ＷＣＩａ −Ｇａオーム性電極２ヂを被着
したＺｔ＋８＠結晶Ｉの表面に、真空蒸着法により、タ
モル襲の８１１を含むｌｍ１ｉ２ｔを形成した１次Ｋ。
この２ｍ８・結晶２／を％ｐＨ＝ ／Ｊの３％酒石酸水
溶液とプロピレングリコールとのｌ：Ｊ混合液中で陽極
酸化し、第参図（ｂ）に示すように、８ｎＯ１を含むＩ
ｎ１ＯＩ ＭＩＩ２７ ＨよびＺｎＢ＊酸化膜ｎを形成
した。
溶液とプロピレングリコールとのｌ：Ｊ混合液中で陽極
酸化し、第参図（ｂ）に示すように、８ｎＯ１を含むＩ
ｎ１ＯＩ ＭＩＩ２７ ＨよびＺｎＢ＊酸化膜ｎを形成
した。
この上５ＷＣＬ、て作製した発光ダイオードは。
約ＪＶの順方向バイアス下でピーク波長＃≦００人の青
色発光を示し、その効率＋ｓ ｉｏ で従来のＭＩ８
構造ダイオードの効率１０ を１桁上まわるものであ
った。
色発光を示し、その効率＋ｓ ｉｏ で従来のＭＩ８
構造ダイオードの効率１０ を１桁上まわるものであ
った。
、以上説明したよ５に、本発明によれば、透明電極なら
びに絶縁膜となる半導体の酸化膜を常温での陽極酸化法
で形成するから、絶縁膜中ならびに半導体の表面に、変
換効率の低下の原因となる熱的欠陥や機械的欠陥が導入
されるおそれは全くない。したがって、ＭＩＩＱ造素子
での金属層の代り［ａ明ｉＥ極を用いた効果が十分に発
揮され、極めて為い変換効率を有する光電置換素子を製
造できるという利点がある。
びに絶縁膜となる半導体の酸化膜を常温での陽極酸化法
で形成するから、絶縁膜中ならびに半導体の表面に、変
換効率の低下の原因となる熱的欠陥や機械的欠陥が導入
されるおそれは全くない。したがって、ＭＩＩＱ造素子
での金属層の代り［ａ明ｉＥ極を用いた効果が十分に発
揮され、極めて為い変換効率を有する光電置換素子を製
造できるという利点がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ） ｔＸ従来の方法による透
明電極−絶縁膜一半導体構造のＩｍＰ太陽電池の製浩工
程を示す模式的断面図、ｗ４Ｊ図は半導体ならびに表面
に金ｊｉｉ１膜を有する半導体の定電流密度陽極酸化で
の極間電圧一時間特性な示す線図％第３図（ａ）、
（ｂ）は本発明の方法による透明電極−絶縁膜一半導体
構造のＩｎＰ太陽電池の製造工程を示す模式的断面図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の方法による透明
電極−絶縁膜一半導体構造のＺｎ８・発光ダイオードの
製造工程を示す模式的＃面図である。 ／、ＩＩ・・ｐ形ＩｎＰ結晶基板、コ、 ／２−ＩＥＩ
Ｆ酸化膜、Ｊ、 ／Ｊ、 ２Ｊ ・＝ ８ｍ（ｈ を含
むＩ” ｓ Ｏｓ ＩＩ ％ｌダ・・・Ａｕ −Ｚぬオ
ー＾性電極、／ｊ・・・９モル襲のｓｎを含む１１Ｌ１
・・・ＺｎＳ・結晶、 〃・・・Ｉｎ８・酸化膜
、２１− Ｉｎ −Ｇａオーム性電ｓｂ。 工・・・半導体の陽極酸化における極間電圧一時間特性
、厘・・・！！面に金属層を有する半導体の陽極酸化に
おける極間電圧一時間特性。 ０・・・陽極酸化の開始点。 ム・・・金属膜の鹸化反応の終了点。 特許出駄人 日本電信電話公社 第１図 （、（１） 第２・図 第３図 （４）
明電極−絶縁膜一半導体構造のＩｍＰ太陽電池の製浩工
程を示す模式的断面図、ｗ４Ｊ図は半導体ならびに表面
に金ｊｉｉ１膜を有する半導体の定電流密度陽極酸化で
の極間電圧一時間特性な示す線図％第３図（ａ）、
（ｂ）は本発明の方法による透明電極−絶縁膜一半導体
構造のＩｎＰ太陽電池の製造工程を示す模式的断面図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の方法による透明
電極−絶縁膜一半導体構造のＺｎ８・発光ダイオードの
製造工程を示す模式的＃面図である。 ／、ＩＩ・・ｐ形ＩｎＰ結晶基板、コ、 ／２−ＩＥＩ
Ｆ酸化膜、Ｊ、 ／Ｊ、 ２Ｊ ・＝ ８ｍ（ｈ を含
むＩ” ｓ Ｏｓ ＩＩ ％ｌダ・・・Ａｕ −Ｚぬオ
ー＾性電極、／ｊ・・・９モル襲のｓｎを含む１１Ｌ１
・・・ＺｎＳ・結晶、 〃・・・Ｉｎ８・酸化膜
、２１− Ｉｎ −Ｇａオーム性電ｓｂ。 工・・・半導体の陽極酸化における極間電圧一時間特性
、厘・・・！！面に金属層を有する半導体の陽極酸化に
おける極間電圧一時間特性。 ０・・・陽極酸化の開始点。 ム・・・金属膜の鹸化反応の終了点。 特許出駄人 日本電信電話公社 第１図 （、（１） 第２・図 第３図 （４）
Claims (1)
- 逃明電極−絶縁膜−牛導体構造をもつ光１１Ｌ変換素子
を製造するにあたって、半導体基板の表面にＳｎｉ含む
Ｉｎ膜を杉成し、次にこの半導体基板を陽極酸化するこ
とに・より、８ｎＱ１を含む１１０１膜、さらに半導体
基板の酸化膜を連続して形成することを特徴とする光電
変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57044663A JPS58162076A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57044663A JPS58162076A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162076A true JPS58162076A (ja) | 1983-09-26 |
| JPS6259908B2 JPS6259908B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=12697682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57044663A Granted JPS58162076A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162076A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189931A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-27 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 半導体デバイスの電気コーテイング処理の方法 |
| US6872649B2 (en) | 1999-04-15 | 2005-03-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing transparent conductor film and compound semiconductor light-emitting device with the film |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57044663A patent/JPS58162076A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189931A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-27 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 半導体デバイスの電気コーテイング処理の方法 |
| US6872649B2 (en) | 1999-04-15 | 2005-03-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing transparent conductor film and compound semiconductor light-emitting device with the film |
| US6876003B1 (en) | 1999-04-15 | 2005-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method of manufacturing transparent conductor film and method of manufacturing compound semiconductor light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259908B2 (ja) | 1987-12-14 |
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