JPS58165352A - サイリスタ用冷却装置 - Google Patents
サイリスタ用冷却装置Info
- Publication number
- JPS58165352A JPS58165352A JP57048614A JP4861482A JPS58165352A JP S58165352 A JPS58165352 A JP S58165352A JP 57048614 A JP57048614 A JP 57048614A JP 4861482 A JP4861482 A JP 4861482A JP S58165352 A JPS58165352 A JP S58165352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating gas
- flow
- insulation gas
- forced circulation
- karman
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/40—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids
- H10W40/43—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids by flowing gases, e.g. forced air cooling
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサイリスク用冷却装置に関するものであり、
特に絶縁ガスによって冷却されるサイリスク用冷却装置
に関するものである。
特に絶縁ガスによって冷却されるサイリスク用冷却装置
に関するものである。
直流送電用あるいは異周波数連系用等に用いられ電流の
流通状態を制御する複数個のサイリスク素子からなるサ
イリスタパルプは、その冷却方式で分類すると水冷却方
式、油冷却方式および空気冷却方式に大別され、それぞ
れ次に述べる特徴を持っている。
流通状態を制御する複数個のサイリスク素子からなるサ
イリスタパルプは、その冷却方式で分類すると水冷却方
式、油冷却方式および空気冷却方式に大別され、それぞ
れ次に述べる特徴を持っている。
水冷却方式は冷却性能が良いためよく利用されるが、サ
イリスタパルプは高電圧下で運転される°ため、絶縁の
問題が非常にむずかしい技術課題となる。油冷却方式は
サイリスクパルプ全体を絶縁油の中に浸漬するものであ
るため、湿度や農機などの環境条件には影響されないが
、サイリスクパルプの重量が重く、保守点検のためにタ
ンク内の絶縁油を抜いてもサイリスクパルプ内の部品に
は油が付着しており、その収扱いが煩雑となる。空気冷
却方式は空気で絶縁と冷却１に兼ねているため、多くの
絶縁物を必要とする。従って絶縁物の絶縁劣化の原因と
なる農機や塩分あるいは湿度を管理しなければならず、
また空気の急冷による結露の防止を行わなけｎばならな
いなど、サイリスクパルプがおかれている環境によって
ｉｆｆ埋対策が左右される０さらに′！Ｉ！気冷却方式
の場合、上記のように管理された空気を建屋の内に収容
しておく必要があるため、空気冷却方式ではおのずと全
体が大きいものとなる。
イリスタパルプは高電圧下で運転される°ため、絶縁の
問題が非常にむずかしい技術課題となる。油冷却方式は
サイリスクパルプ全体を絶縁油の中に浸漬するものであ
るため、湿度や農機などの環境条件には影響されないが
、サイリスクパルプの重量が重く、保守点検のためにタ
ンク内の絶縁油を抜いてもサイリスクパルプ内の部品に
は油が付着しており、その収扱いが煩雑となる。空気冷
却方式は空気で絶縁と冷却１に兼ねているため、多くの
絶縁物を必要とする。従って絶縁物の絶縁劣化の原因と
なる農機や塩分あるいは湿度を管理しなければならず、
また空気の急冷による結露の防止を行わなけｎばならな
いなど、サイリスクパルプがおかれている環境によって
ｉｆｆ埋対策が左右される０さらに′！Ｉ！気冷却方式
の場合、上記のように管理された空気を建屋の内に収容
しておく必要があるため、空気冷却方式ではおのずと全
体が大きいものとなる。
これに対して、例えば六弗化イオウ（８１’、）、１゜
フロン等の絶縁ガスを封入したタンク内にサイ：冨
リスクパルプを設置して・、絶縁ガスにより冷却すると
上記のような問題は解決される。とくに絶縁ガスとして
ＳＦ、ガスを用いた場合を例にとって説明する。冷却課
体としてのＳＦ・ガスは、その冷却特性において空気よ
りも優れているＯ物性値で評価してもガス圧３ψｊｆの
８Ｆ、ガスと大気性の窒気とを比較すれば、比重量では
２０＠ ＳＦ、ガスが重く、動粘性係数では２４倍の差
がある。これらより社、ガスの冷却特性を決定する熱伝
達率が約３ｆｆｌよくなるため、サイリスタパルプ全体
の大きさも小型化される。以下絶縁ガスによって絶縁と
冷却を兼ねた従来のサイリスタ用冷却装置を図面により
説明する。
上記のような問題は解決される。とくに絶縁ガスとして
ＳＦ、ガスを用いた場合を例にとって説明する。冷却課
体としてのＳＦ・ガスは、その冷却特性において空気よ
りも優れているＯ物性値で評価してもガス圧３ψｊｆの
８Ｆ、ガスと大気性の窒気とを比較すれば、比重量では
２０＠ ＳＦ、ガスが重く、動粘性係数では２４倍の差
がある。これらより社、ガスの冷却特性を決定する熱伝
達率が約３ｆｆｌよくなるため、サイリスタパルプ全体
の大きさも小型化される。以下絶縁ガスによって絶縁と
冷却を兼ねた従来のサイリスタ用冷却装置を図面により
説明する。
第１図は従来のサイリスタ用冷却装置を示す側断面図で
ある。第１図において、上部タンク（１）と下部タンク
（２）とはフランジ構造で一体化され、例えばＳｔ、等
の絶縁ガスが封入されたものである。冷却器（３）は温
度の上った絶縁ガス′１に？Ｉ？ｒ却するものである。
ある。第１図において、上部タンク（１）と下部タンク
（２）とはフランジ構造で一体化され、例えばＳｔ、等
の絶縁ガスが封入されたものである。冷却器（３）は温
度の上った絶縁ガス′１に？Ｉ？ｒ却するものである。
送風＠（３０１）は冷却器・：′）・
（３）に取付けら些、冷却！！ （３）内の絶縁ガスｔ
−冷却するものであ・：１□る。強制循環装ｆｉ１ｍ（
４）は上部タンク″″″：：・ （１）と下部タンク（２）と冷却器（３）内の絶縁ガス
を強制的に循環させるものであり、絶縁ガスを循環させ
るプロワ（４０１）と、フロン（４０１）ｔ−駆動する
電動機（４０２）とから構成されている。モジュール（
５）はサイリスク素子（図示セず）とその付属回路（図
示せず）を収納する容器で、各モジューＡ／（５）は板
（６）によって挾持され例えば絶縁物で被覆された締付
具（７）によって一体にされた後、絶縁支柱（８）によ
って所定の絶縁距離を保って上部タンク（１）および下
部タンク（２）内に設置されている。
−冷却するものであ・：１□る。強制循環装ｆｉ１ｍ（
４）は上部タンク″″″：：・ （１）と下部タンク（２）と冷却器（３）内の絶縁ガス
を強制的に循環させるものであり、絶縁ガスを循環させ
るプロワ（４０１）と、フロン（４０１）ｔ−駆動する
電動機（４０２）とから構成されている。モジュール（
５）はサイリスク素子（図示セず）とその付属回路（図
示せず）を収納する容器で、各モジューＡ／（５）は板
（６）によって挾持され例えば絶縁物で被覆された締付
具（７）によって一体にされた後、絶縁支柱（８）によ
って所定の絶縁距離を保って上部タンク（１）および下
部タンク（２）内に設置されている。
上記のように構成された従来のサイリスク用￥冷却装置
では、絶縁ガスを強制循環装置ｔ（４）で強制循環させ
て、サイリスク素子（図示せず）を冷却する。すなわち
、プＰワ５（４０１）から送られた絶縁ガスは下部タン
ク（２）へ送られる。
では、絶縁ガスを強制循環装置ｔ（４）で強制循環させ
て、サイリスク素子（図示せず）を冷却する。すなわち
、プＰワ５（４０１）から送られた絶縁ガスは下部タン
ク（２）へ送られる。
次に各モジュール（５）内を通過して各モジュール（５
）の熱全うはい温度上昇した後、上部タンク（１）に集
められ、再び冷却器（３）に鎖環されて冷却される。
）の熱全うはい温度上昇した後、上部タンク（１）に集
められ、再び冷却器（３）に鎖環されて冷却される。
このようにしてサイリスタ素子（図示せず）は冷却され
るが、絶縁ガスの流量が低下するとサイリスク素子（図
示せず）の接合部の温度が上昇する九め、絶縁ガスの流
量を常に一定になるように制御する必要がある。絶縁ガ
スの流量の測定は強制循環装置（４）と下部タンク（２
）との連通路に小孔径のオリフィスを設けて絶縁ガスの
流速を速め、それによって流量を測定することが考えら
れるが、オリフィスは小孔径であるため絶縁ガスの流量
の損失が大きく、サイリスク素子（図示せず）の温度に
影響を与える欠点がある。
るが、絶縁ガスの流量が低下するとサイリスク素子（図
示せず）の接合部の温度が上昇する九め、絶縁ガスの流
量を常に一定になるように制御する必要がある。絶縁ガ
スの流量の測定は強制循環装置（４）と下部タンク（２
）との連通路に小孔径のオリフィスを設けて絶縁ガスの
流速を速め、それによって流量を測定することが考えら
れるが、オリフィスは小孔径であるため絶縁ガスの流量
の損失が大きく、サイリスク素子（図示せず）の温度に
影響を与える欠点がある。
この発明は上記従来のものの欠点を除去するためになさ
れたものである。以下図面によってこの発明の一実施例
を説明する。
れたものである。以下図面によってこの発明の一実施例
を説明する。
第２図はこの発明に係るサイリスク用冷却装置の一実施
例を示す側断面図である・第３図は第２図の連通路部分
の畦細図である。第４図はこの発明の動作説明図である
・図中第１図と同−Ｓ分には同一符号を付している。第
２図および第３図において連通路（９）は強制循環装置
（４）と下部タンク（２）と全連通するものである。円
柱（１０）Ｆｉ連通路（９）に絶縁ガスの流路に直交し
て設けられており、第４図に示すように絶縁ガス流にカ
ルマン渦ｈａｂｋ交互に発生させるものである。旗状の
板（１１）はカルマン渦ａ。
例を示す側断面図である・第３図は第２図の連通路部分
の畦細図である。第４図はこの発明の動作説明図である
・図中第１図と同−Ｓ分には同一符号を付している。第
２図および第３図において連通路（９）は強制循環装置
（４）と下部タンク（２）と全連通するものである。円
柱（１０）Ｆｉ連通路（９）に絶縁ガスの流路に直交し
て設けられており、第４図に示すように絶縁ガス流にカ
ルマン渦ｈａｂｋ交互に発生させるものである。旗状の
板（１１）はカルマン渦ａ。
ｂによって交互に振れるものである。リミットスイッチ
（１２）Ｆｉ旗状の板（１１）の交互の振れによって人
、ｖＪされ、パルス信号を発生するものである。パルス
カウンタ（１３）はリミットスイッチ（１２）からのパ
ルス数を計数し、所定期間内の計ａｌ［により強制循環
装置（４Ｊ ｔ−制御して、絶縁ガスの流ｍ’ｉ制御し
てサイリスタ素子（図示せず）の温度を一定に保つもの
であるＯ 次にこの動作を第４図を用いて説明する。連□ 通路（９）に円柱（ｌＯ）を設けることにより絶縁：、
′ カス流ニカルマン渦ａ、ｂが一生する。仁の力２、ｙ＠
ａ 、 ｂ ｔｄ’ｌｌｃ、ｏ□９探石つ、□。
（１２）Ｆｉ旗状の板（１１）の交互の振れによって人
、ｖＪされ、パルス信号を発生するものである。パルス
カウンタ（１３）はリミットスイッチ（１２）からのパ
ルス数を計数し、所定期間内の計ａｌ［により強制循環
装置（４Ｊ ｔ−制御して、絶縁ガスの流ｍ’ｉ制御し
てサイリスタ素子（図示せず）の温度を一定に保つもの
であるＯ 次にこの動作を第４図を用いて説明する。連□ 通路（９）に円柱（ｌＯ）を設けることにより絶縁：、
′ カス流ニカルマン渦ａ、ｂが一生する。仁の力２、ｙ＠
ａ 、 ｂ ｔｄ’ｌｌｃ、ｏ□９探石つ、□。
発生する。
ｆ−Ｃ了、ｗ＝ωＸ＾
ただし ω ：絶縁ガスの流速
ｄ ：円柱（ｌＯ）の直径
Ｃ：常数・・・円柱（１，０）の場合にはＣ＝０．２Ｗ
：絶縁ガスの流量 ＾ ：連通路（９）の断面積 この周波数ｆＶｃＱつて、すなわち絶縁ガスの流Ｊｉｉ
＃ｃ比例してカルマン渦ａ、ｂが交互に発生するため１
旗状の板（１１）は第３図においては紙＃ＪＫ垂直方向
に、第４図においては上下方向に交互に振れ、リミット
スイッチ（１２）を前作すせる。パルスカウンタ（１３
）＃ｉミリミツトスイッチ１２）からの出力パルス数を
ｉｔ数して強制循環装置（４）を制御し、絶縁ガスの流
量を制御してサイリスタ素子（図示せず）の温度を一定
に保つ。
：絶縁ガスの流量 ＾ ：連通路（９）の断面積 この周波数ｆＶｃＱつて、すなわち絶縁ガスの流Ｊｉｉ
＃ｃ比例してカルマン渦ａ、ｂが交互に発生するため１
旗状の板（１１）は第３図においては紙＃ＪＫ垂直方向
に、第４図においては上下方向に交互に振れ、リミット
スイッチ（１２）を前作すせる。パルスカウンタ（１３
）＃ｉミリミツトスイッチ１２）からの出力パルス数を
ｉｔ数して強制循環装置（４）を制御し、絶縁ガスの流
量を制御してサイリスタ素子（図示せず）の温度を一定
に保つ。
１
この発明は上配り、ように構成され、連通路（９ン、し
、、′。
、、′。
に円柱＜１ｏ＞ｔｍべ置して絶縁ガス流にカルマル
ン渦ａ、ｂｔ−発生舊“゛せ、カルマン渦ａ、ｂの発″
１ 主周波数を検出してｉ縁ガスの流量を検出しているため
、絶縁ガスの流量を減じることなく絶縁ガスの流量を検
出することができる。また絶縁ガスの流量を制御するこ
とにより、サイリスク索子（図示せず）の温度を制御す
ることができる。
１ 主周波数を検出してｉ縁ガスの流量を検出しているため
、絶縁ガスの流量を減じることなく絶縁ガスの流量を検
出することができる。また絶縁ガスの流量を制御するこ
とにより、サイリスク索子（図示せず）の温度を制御す
ることができる。
第１図は従来のすイリヌタ用冷却装置を示す側断面図で
ある。第２図はこの発明に係るサイリスク用冷却装置の
一実施例を示す側断面図である。＠３図は第２図の連通
路部分の詳細図である。第４図はこの発明の前作説明図
である。 図において、（１）は上部タンク、（２）は下部タンク
、（３）は冷却器、（４）は強制循環装置、（５）はモ
ジュール、（９）は連通路、（１０）は円柱、（１１）
は旗状の板、（１２）はリミットスイッチ、（１３）ｒ
ｉバルヌヵウンタである。なお各図中同一部分には同一
符号を付している。 代理人 弁理士 葛 野 信 −手続補正書（自
発） 特１．′「庁長官殿 １、“１１イ′１の表示 特願昭５７−４８６
１４号２、発明の名称 サイリスタ用冷却装置３
、抽ＩＩミをする者 謔 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書中筒４頁第３行に「大気性」とあるのを「
大気圧」と訂正する。 以 上
ある。第２図はこの発明に係るサイリスク用冷却装置の
一実施例を示す側断面図である。＠３図は第２図の連通
路部分の詳細図である。第４図はこの発明の前作説明図
である。 図において、（１）は上部タンク、（２）は下部タンク
、（３）は冷却器、（４）は強制循環装置、（５）はモ
ジュール、（９）は連通路、（１０）は円柱、（１１）
は旗状の板、（１２）はリミットスイッチ、（１３）ｒ
ｉバルヌヵウンタである。なお各図中同一部分には同一
符号を付している。 代理人 弁理士 葛 野 信 −手続補正書（自
発） 特１．′「庁長官殿 １、“１１イ′１の表示 特願昭５７−４８６
１４号２、発明の名称 サイリスタ用冷却装置３
、抽ＩＩミをする者 謔 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書中筒４頁第３行に「大気性」とあるのを「
大気圧」と訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁ガスが封入されたタンク、前記タンク内に設置
された複数個のサイリスク素子、ｇｒＪ記サイすヌク素
子のそれぞれに前記絶縁ガスを順次冷却しながら流通さ
せる強制循環装置、前記絶縁ガスを冷却する冷却器前Ｃ
強制循環装置と前記タンクとの連通路に設置され前記絶
縁ガスにカルマン渦を発生させる円柱、および前記カル
マン渦の発生周波数を測定して前記絶縁ガスの流ｔを検
出する検出装［を備えたことを特徴とするサイリスク用
冷却装置・ ２、検出装［１ＩｌｔＬ／ｉ、カルマン渦によって倣れ
る旗状の板と、前記旗状の板の振れによって作幼するス
イッチと、前記スイッチの作前時に発生するパルス信Ｖ
ｔ−計数するパルスカウンタとから構成さ几た特ＩｆＦ
請求の範囲第１項記載のサイリスク用冷却装置。 ３、検出装置の出力は、強制循環装置に印加されて絶縁
ガスの流量を制御する特許請求の範囲第１ｊＪｔたは第
２項記載のサイリスク用冷却装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048614A JPS58165352A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | サイリスタ用冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048614A JPS58165352A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | サイリスタ用冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165352A true JPS58165352A (ja) | 1983-09-30 |
Family
ID=12808284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048614A Pending JPS58165352A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | サイリスタ用冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088450A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高電圧サイリスタバルブ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151366A (ja) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 | ||
| JPS51124215A (en) * | 1975-04-23 | 1976-10-29 | Hitachi Ltd | Protecting system of forced wind blow type vehicle control device |
| JPS5480084A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor converting device |
| JPS5743465A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of mis type field effect transistor |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP57048614A patent/JPS58165352A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151366A (ja) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 | ||
| JPS51124215A (en) * | 1975-04-23 | 1976-10-29 | Hitachi Ltd | Protecting system of forced wind blow type vehicle control device |
| JPS5480084A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor converting device |
| JPS5743465A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of mis type field effect transistor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088450A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高電圧サイリスタバルブ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3267774A1 (en) | Method and apparatus of evaluating heat dissipation system condition for power module | |
| KR101580662B1 (ko) | 외부 환경 변화에 적응하는 친환경 하우스형 배전반 | |
| JPS58165352A (ja) | サイリスタ用冷却装置 | |
| Raadu et al. | Thermal instability of coronal neutral sheets and the formation of quiescent prominences | |
| US20140032736A1 (en) | Lattice Based Traffic Measurement | |
| Delgado et al. | Experimental study and numerical simulation of the interior flow in a telecommunications cabinet | |
| CN108565515A (zh) | 电池失稳抑制机构和系统 | |
| Xu et al. | Insulation online monitoring for critical components inside SiC based medium voltage converter prototype | |
| CN209709510U (zh) | 一种工厂用配电柜水循环降温系统 | |
| CN107340017A (zh) | 架空送电线路在线监测系统 | |
| Bruschi et al. | Periodic critical velocities of ions in liquid helium II. Temperature dependence | |
| US2877417A (en) | Gas tube microwave detector | |
| CN217823805U (zh) | 一种热温度感应低压配电柜 | |
| Tardu et al. | Effects of longitudinal diffusion in the fluid and of heat conduction to the substrate on the response of wall hot-film gages | |
| CN213341289U (zh) | 一种配电盘的电气电力高低压成套设备 | |
| KR101188817B1 (ko) | 내진 기능이 구비된 수배전반 | |
| JPS6245133Y2 (ja) | ||
| CN213426750U (zh) | 一种可避免内部受潮的控制柜 | |
| Tosatti | Lattice-Induced Forces between Excitons | |
| CN214255184U (zh) | 一种带气流导向功能的低压开关柜间隔板 | |
| Cui et al. | A Surface Temperature Model of Transmission Lines Based on Heat Balance Theory | |
| JPS58165356A (ja) | サイリスタ素子冷却装置 | |
| Brundrett et al. | Building airtightness: standards and solutions. | |
| CN115811855A (zh) | 一种建筑能耗监管控制系统 | |
| Kubo | Steady one-dimensional heat transfer through a radiating-conducting medium |