JPS58165365A - 厚膜ハイブリツド形式の電子回路製造方法、該方法を実施するための材料、および該方法により製造された回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本鋤明鉱廖膜＾イブ亨ツド形式の１子Ｍｌｌの製造方法
、ならびにこの方法を実施する丸めの材料およびこの方
法により作られ九回路に関する。

＾イブリフトマイタロ電子装置ｉｔ＃ｉ、２つの陶−に
応じて開発された。すなわち大きさの闘−を解決する丸
めと、回路の信馴性を改善するえめである・すべての部
品（能動および受動部品）が単一の製造工程で同時に製
造される半導電性基板かも作られるモノリシツター路と
興なり、＾イブリッドー路は、絶縁基板上で製造され、
受動部品のみを含む、なんらかの能動部品すなわち半導
体ま九紘集積−路があれば、それらａＵんだづけにより
俵から付加される・＾イブリッド釧路は、麺ｌＩ４１ｇ
１路と厚ａｍ路とに分瓢される。この分５ｉｔａ、付着
される膜の厚さにＭ係する。すなわち、細腰の巻金ａ０
２〜１０声鵬てあり、厚膜の場合１０〜ｓ。

′１） 電動である・　　　　　　　　　Ｈｌ、”、ｌｉｉ薄農
の場合、展鉱、一般に＝１．Ｗｌｌｌｌ無空蒸着れ論、
′、、１．１ 極スパッタリンダの技術を使って付着される。厚膜ハイ
ブリッドの場合、一般に使用される技術は。

従来のシルクスクリーン法により絶縁基板上に直接に所
望の一路を印刷することより成る。

シルタスタツーン印刷は、基板上に付着することが膳ま
れるインクを細かなスクリーンメツシュを通して押し出
すことより成るもので、その一部は時鳥のラッカにより
通過を組止され、そして自由なメツｗ為は、豪製される
べき回路の＾−７トーン図をきわめて曽秦に表わしてい
る。

＾イブリフトー路は、基板上で作製されね鑓ならない・
−路の最終約品質社、良質の基板の選択に依存する・基
板紘一般に３つの目的を呆えす・すなわち、亀１に、付
着される一路に対する機械的支持手段としてでなく、受
は入れる能動部品に対する支持手段として働く。第２に
、電気的絶縁体として曽（・しえかつて、その抵抗率紘
できるだけ＾く、その讃失係＆鉱できるだり低くな杖れ
、１１ ばならない・嬉ｓ１．熱発散装置として働く・そ：：・
、・ れゆえ・俊れえ龜＠　、、ＷＳ性ｎＩ比ｉ必費２する。

違巖な基板としズ次のようなものが挙けられる。すなわ
ち１例え＆ｆｌｌｌ化ベリ菅ウムのよつなセラζツタ、
アルミナおよびメイレツタスガラスのような無−物賀、
ＩＩよび例えば、熱硬化性重合物質から作られた強化樹
脂のような有−物である・基ａＦｉ、十分に限定されえ
流動性を有するインキの形式の導電性、絶縁性または抵
抗性のプリントが施されると炉中で焼性され、付ｊＩ物
紘基板と完全に一体となる。最後に、出力導−が取り付
性られ、活動部品の接続後、もし適当ならば、仕上げら
れ良モジューに＃ｉ、ｉｌｌ気の作用から保験しかつ取
扱いを容易にする良めガラスまた紘富合体樹脂でカプセ
ル化することにより被゛覆し得る。

は鵞すべての厚ｍ回路は、＆−のプリントか施される・
代表的工程において１１．＊電層がまずプリントされ、
焼成される。次いで、ｌＩで必要な髄に胸部される抵抗
が印刷され、焼成される。この工娠祉ま九、絶縁層の印
刷を含む、このようにして１例えば、＊電層、絶縁層、
１ｉｌＩｌ電層および抵抗層を順次付層することができ
るのである。

それゆえ、値上のｊｌＬｌｌＩＩｇｌ＆Ｓの製造に必要
とされるシルクスタリーン印胸イン今について嬬、５槍
のインク、すなわ″Ｓ＊Ｓｍインキ、抵抗性インキおよ
び絶縁性インキのＳｍ類がある・導電性インキおよび抵
抗性インキ紘、一般に、金属エキステンダとバインダと
の組会せ、そしてもし過当ならば、インキの流ｌｌＩ勢
性を調節することを可能にする希釈材より成る・バイン
ダの化学的構造を変更することにより、焼成て金属付着
物を基板に一定し、所望の最終釣導電性會−ｋＦｉ抵抗
性−路を得ることが可能となる。絶縁性インキ社、金属
エキステンダを含まないよいう点で上述のインキと本質
的に興なる・ ＾イブリッド回路においては、インキバインダ紘、一般
に、例えば１１＊形式の＃＃Ａ性の特殊ガラスのような
無−粒子より威る−これらのガラス、含有インキ紘約７
０・℃〜１１・・℃で焼成されるから、この−の材料の
使用嬬、絶ＩＩ性基板として。

セラζツタが選択されるのが好ましいことを意味し１重
え、尋Ｓ性金輿工命ステンダとして、非験化性貴金属、
特に白金、金、銀、ま良祉パラジウム／金、パラジウム
／銀まえ轄白金／金金金の粉末、會えは貴金属から卿導
された導−電！１：ｌ！化物の粉末が選ばれる・貴己属
の使−用の丸め、この技術を採用すると費用が高くつき
、これがその発膿の１Ｉ１１１１！ｌとなる。例えば、
−のような非貴金属粉末を使用することが提案されたが
、この場合に祉、最後の焼成が非酸化雰囲気で実施され
ねばならないから、この方法は、使用され得る炉の技術
を愉細にする。

上述の無機バインダを、例えばエポキシ樹脂のような有
−バインダと皺き代えることもできる。

この場合に必要とされるインキ焼成温度れ、無機バイン
ダの場合よりも相当に低い。その温度祉、一般に１００
℃〜３００℃の閣である。例えｄ粂化有＊Ｓｔ脂′のよ
うなセラミック以外の形式の絶縁基板を使用し、かつ非
貴金属エキステンダに基づくイ゛、や門使用するこよッ
可°能アあ゛る。こ。場合。

焼゛成祉普通の態様で、すなわち１００℃ないし３００
℃の雰囲気で−施され□゛、るか、この焼成生金’Ｌ＋
：’Ｉ’、　　　　　　　　　　　　　　・属エキステ
ンダの酸化の危−・は相当減ぜられる。

しかしながら、この方法で一層され焼成され良インキ扛
、相当の不利益を有する。すなわち、これらのインキ祉
社んだ付１が一層である。インキＬ。

電流を導く一部と＃ｉ別に、実際には導−や、もし適当
ならば能動部品のラグと接続する接点でなければならず
、そして接点紘特に麹を基材とする合金とのはんだ付妙
に優れ九適合性を示さな妙ればならない。

困難なくはんだ付けに耐えることができる＾品質の導電
性プリント回路を製造する丸めの、絶縁基板の金属化に
際して１重合体物質より成る有−バインダおよび酸化第
一銅を基材とする金島工中ステンダを含むイン中を使用
することが提案され九（米国特許第八２２４２５６号お
よび第４３４１７２４号参照）、焼成後、得られ丸付着
物祉。

酸化第一銅・を銅金属に変換するため、　Ｉ１ｍ珈によ
り連光作用を受妙、そしてこの一層は１次いで。

化学的酸化／還元反応を使って延性金属（これも−とじ
得る）の１桓着により強化される。＃１化餉−銅の酸に
よる迩゛、−は、不安定な第二伽の塩を形成し、これが
ネー化反応し、下式にし九がって、−′方で鉱第２銅の
塩を生じ、他方でれ銅金属を生じ、これが沈殿すること
が知られている。

ＣｗｌＯ＋２Ｈ”　　４　　Ｃｒ←十　＋ＣＩＩ＋Ｈ１
Ｏこの形式の還元にお妙る一金属の発生社、５０襲より
かなり低い。実際に社、最初の銅の半分のみが導電性金
１に羨換されることができ、そしてさら゛に、この還元
され丸鋼の一部のみが使用された酸に溶解する。この結
果へ得られる金属沈殿１社、きわめて僅かの導電性しか
有さない・この技術において、つねに付着された一路の
金属による再充填が還元段階後に実施されるの祉この塩
出のためである。この栴充填が、電解法によらず（鋤か
ない）化学的酸化／還元法により実施されるという事実
は、＆付着物が導電性に乏しいことの−１である。この
方法による第１の不利益れ、金−による再充填が長＃＃
陶の作業であるということである。

付着ＩＭ度社、実際に約１μｍ／時である。第２、の不
利益社、原不着物の厚さが増大し、それが１００≦にも
及ぶことがあるということである。この厚さの増大祉、
逐次の付着の結果基板のｌ！１１１ｉｉｒの平坦性に過
大の損失が生ずるのを避ける大め、スクリーン印刷によ
り付着される層の数をＩＩｌ限するようである◎　　　
　　　　　・ それゆえ、＾−イブリッド細路の製造において。

電気化学的ＪＩｌ充填を用いることなく、経済的かつ技
術的に・−単な方法で導電性回路を付着でき、しかもこ
の導電性ｉ回路が絋んだ付妙にｊ１当であり過大の厚さ
を有しないような技術を關発することが必要であること
が分つえ・ さらに、上に説明しえように、厚膜＾イブリッドー路線
・、歇重の逐次のシルクスタリーンプリントを施される
。例えば、コンデンサは、下部電極１の付着、お、よび
ｔＩＡｌｌ１１電体２のプリントおよび焼成、および上
部電極易のプリント、そして続いての組立体の焼成によ
り形成される（コンデンサを欺向で示す第１ｍ１１をｊ
ｉ！ｍ１ｌｅそれゆえ、Ｉｌｌ！ｌｌ捏造ｉｔ、２１１
１１ｉのインク、すなわち導電性インクと絶縁性インク
による墨−の逐次の付着が含まれる。

他の形式の＾イブリッドー路で扛、鞍最工揚Ｌ１胸の抵
抗性インクの付着を會むごともあろう、それゆえまえ、
４Ｉに必要とされるインクのＩＩｆＩｉＲを制限するこ
とにより９層を印刷する方法を一単化する技揄を開発す
ることが必要であることが分っ九〇厚膜へイプリツγ回
路の製造方法で上述の目的を満足することを可能にする
ものが見出された。

本発明の主題の１つを構成するのかこの方法である・ 特定すると１本発明Ｆｉ１選択されえトレースにしたが
って適当なインセの付着により絶縁基叡上に所望の回路
をプリントし、それを焼成することより成り、そしてこ
の付着と焼成作業が−り返えされる厚膜ハイブリッド回
路の製造方法であって。

非貴金属から一導される不導電性酸化物より成り。

その組成にしえがって潜在的に導電性重大Ｆｉ潜在的に
抵抗性の４１性を有する絶−性イン★か使用され、イン
膏の導電性ｔえ扛抵抗性が、付着および□□え、、□、
よ、ｉゎ、。１ユ。

還元剤が、一方において金属−，：・１−ヒ物を迅速か
つ針；：：：冒：・ｉ、１゜ 量的に導電性金属に変換するこ゛・楔かでき、かつ他方
において製造される付ｍ物の厚さ中にお妙る還元の大き
さすなわち厚さの減少を変更することかできるように趨
ばれることを特徴とする厚＃＾イブリッドー路の製造方
法に関する。

さらにｓｉｒすると１本発明は、イン中の金属エキステ
ンダが好ましくは鎌化第二鉤より成り、還元鋼が好まし
く状はう化水素より成るハイブリッド回路ＩＩ造方法に
関する。

本発明はまた。上記方法を実施する丸めの潜在的に導電
性および抵抗性のインキに関する。

本発明はさらに、上記方法の使用により作られるハイブ
リッド回路に間する。

「潜在的に導電性のインキ」なる用語は、焼成および還
元機番くとも（１１９７０の面抵抗率を有するインキを
定義することが意図される・　「潜在的に抵抗性のイン
中」なる用ｍｕ、焼成および還元後、１０乃至１ｇ１１
９／口またはそれ以上の自抵抗率を有するイン苓を定義
することが意図される・□、′１′ 得ようとする抵抗−紘、一方においてインキの畝１：二
；・ 成に依存し、他方□に□・、おいて生成される付着物の
厚さ中における還元の大きさに依存する。

一般的に述べると１本発明の方法を実施するためのイン
キ絋、焼成前、少なくとも１種の酸化第−−を基材とす
るエキステンダと、バインダおよびインキの流動性の胸
部を可能にする希釈材との組合せより成る。潜在的に導
電性のインキれ、インキの４０〜７０ｆｉ量算の酸化第
一−を基材とする単一のエキステンダと、インキの４〜
１ＯＪｌｊｌ襲のバインダを含むことにより特徴づ社も
れる。

潜在的に抵抗性のインキ社、酸化第一−４０〜６０％重
量襲と絶縁性工午ステンダ６０−４０富量％より成り、
インキの５０〜６０富量襲のエキステンダ混合物と、イ
ン°キのｔｏ−ｓｏ重愈襲のバインダとを含み、上記の
絶縁性エキステンダが。

粉末ガラス、アルカリ金＾珪拳塩、アルミナｔ−には天
然炭酸塩および硫酸塩のような還元条件下で全体的に不
活性のものであることにより特徴づりられる。

゛本発明のインキに嬬無機のバインダを使用てきるが、
有機バインダを使用すると宥和てあ□る。特に推挙され
る適当な形式の有機バインダは次のごとくである。すな
わち１例えｄフェノール、レソルシノール、クレゾール
またれキシレノールとホルムアルデヒド１１えれフルフ
ラールとの細金物のようなフェノール系のｍｓ、ａえ社
不飽和ジカルボン験無水物とポリアルキレンダ９クール
との反応により製造される不飽和ポリエステル系の樹脂
。

例えｄエビタールにドリンとビスフェノールＡとの反応
生成物のようなエポ中シー系のＩＩＩ脂、および例えば
不飽和ジカルポシ＃Ｎ、Ｎ−ビスイζドとｍｌポ９アＩ
ｔ／ンおよびもし適当ならｄ適当な補助との反応により
得られるもののようなミリイミド系の樹脂である。

使用される樹脂鉱、一般に、インキのｌｌｌｌｋ時にお
いてｍ硬化性プレボッマの形式であ口（軟化点を有し、
ある伽の溶剤になお可＃性である）、干して燃成後に得
られるようなインキ中で完全に粂―結合状１ｍ（不溶融
性て完全に不溶解性）となる。

出紬時に使用畜れるルーポリマの形式１１）ｍｋれ、硬
化用触媒を含むのが有−である・ バインダ＃ｉ、ａｗｅ許ＩＭ％５ｓＬ５４４号、米国４
Ｉ許１１ｋｓ、６４２．２２８量およＵｌｌｌａＳ＆７
６４号、および米ｒｍ＊発行ｌＩ許第、２　弯５１４号
に与えられる情報にし九がって、不飽和ジカルボン酸Ｎ
。

Ｎ−ビスイミドと第１ポリアミンとの反応により得られ
るポリイミド糸の樹脂より成るのが好ましい。これら特
許の内容を参照されたい。ポリイミド樹脂祉また、ビス
イ竜ドと、ポリアミン、および例えばモノイミド（仏画
特許第２．０４４４？５１号による）、ＣＨｍｓ−０り
の形式の１ま丸線複数の重合可能な基を含むイミド以外
の単量体（仏画特１１１−第ｚｏｔ４６ｏ７号）、不飽
和ポリエステル（仏国特許第２，１０２，８７８号によ
る）、重大しヒドロキシル基を含む有機シリコン化合物
（仏国特許１１２，４２２．４９２号による）のような
楓々の補助剤との反応により得ることもできる。これら
特許の内容も参照されたい。この穂の補助剤が使用され
る場合、プレポリマの形式のポリイミド倫□ 脂は次のものとし得ることを思い起こされえい。

すなわち、ビスイミドおよｉポリアミンと輛助材との反
応生成物、ビスイ電ドプレボリマおよびポリアミンと補
助材との反応生成物、ま−に＃ｉビスイミドプレポリマ
およびポリアミンと補助剤との混合物である・ 出尭時に使用されるプレポリマの形式のポリイミドＳｔ
＊Ｆｉ、小量の遊−基重合開始剤例えばりり竜ルベルオ
キシド、ツウ−イルペルオキシドまたはアゾビスイソブ
チル晶トラル、また＃ｉ陰イオン重合餉媒例えばジアゾ
パイ賃イタ賞オクタンを含むと盲判である拳 本発明においては、ビスマレイミド例えばＮ。

Ｎ’−４４−ジフェニルメタン　ビス！レイセドと第１
シア屹ン例えば４４′−シア電ノジフエ品ルメタン、お
よびもし遣轟ならば上述の一々の補助剤の一麿との反応
から得られ良ポリイミド樹脂を使用するのが一層好亥し
くさえある。

使用可能な一釈材について述べると、これら希釈材は、
一般に１例えｔｊｌｃｐ・ないし数十ポアズの範囲の穂
々−″粘度を有する有−液体より成り、その化学釣性Ｉ
［は、熱−化性プレポリ！の形式て・□°与 使用されるバインダに対して溶剤でなく、あるいはシル
タスタリーンのメツシ具のあるものを阻止するラッチに
対してＩＩＩ、Ｍでないことを除きｍ要てない・特に推
挙し得る適当な形式の希釈材祉、例えばシダリムおよび
ブトキシェタノールのよりなアルツールとグリコールの
エーテル、および−えばａ−１β−およびｒ−テルピネ
オールである。

特に選ばれたバインダが上述のポリイミド形式の好まし
い１群の樹脂に属する場合に非常に過当な希釈材は、ａ
−１β−１えｆｉｒ−テルピネオールより成る・ インキの組成物に関して述べると、酸化亀−−１全体的
に不活性のエキステシダおよびバインダが粉末の形式で
使用されるという特定に変り祉ない。

工中ステンダの粒子寸法紘、一般に（Ｌｌないし５戸で
あり、バインダの粒子寸法祉、一般に５ないし４０戸ｍ
である。

上述しえように、付着物に対して所望される抵抗率祉、
生成される付着物の厚さ中におりる還元の大きさならび
にインキの組成に依存する。それゆえ、焼成後実施され
る還元処珈の性質についてこ−で詳細に説明する。

すなわち、酸化第１銅から鋤金属への置換れ。

はう水嵩物との反応により容易かつ計量的に実施できる
ことが分つえ・置換は下記の式により表わされる・ ４０ＩＩ愈０＋ｌＨ４″″　→　畠Ｃ−十跡（０創−）
＋ｏｎ−この属地が容易社主ずるのＦｉ、おそらく−金
属の触°媒作用に起因する。これ紘、不安定な鉤水嵩化
物が中間に形成されることにより説明できよう。

本発明において使用できるほう水嵩化物、にれ。

置換鑞う水素化物と未置換はう水嵩化物とがある。

はう水嵩化物イオンの多くとも３つの水嵩原子が。

不活性置換基例え社アルキル基、アリール基まえはアに
＝キシ基により置換された置換はう水嵩化物を使用する
ことがで會る・アルカリ金属部分かナトリウムま＊紘＊
９會ムより成るアルカリ金属捻り水嵩化物を使用するの
が好ましい。過当な化合物の例ａ、ａう水嵩化ナトリウ
ム、鑞う水嵩化カリウム、ジメチｋｓｌう水嵩化ナト９
會＾、トリメト午シ嫌う水嵩化ナトリウムおよびトリフ
エ゛−ル瞠う水嵩化カツウ＾である・ 遡元処ｉｍ＃ｉ、焼成後イン中を、水、ま九鉱水と不活
性極性溶剤例えば低級脂肪族アルコールとの混合液中に
ほう水嵩化物を溶解しえ溶液と接触させることにより、
簡単な方法で実施される・線う水嵩化物の純粋に水性の
溶液が好ましい・これらの溶液の濃度について述べると
、濃度は広い餉−内て変えることができ、（Ｌ５ないし
１０襲のｌ１１ｉ１１］（溶液中のはう水嵩化物の重量
で）が好ましい・還元処ＮＡＦｉ、高められえ温度で実
施できるが、７１ｍ囲温度に近い温度例えば１５℃ない
しｓＯ℃の温度で実施するのが好ましい。反応１騙につ
いて述べると、反応工程中にＢ（ＯＨ）ｓ　　−Ｌえが
ってＯＨイオンが生じ、この作用により達元中媒体のｔ
）Ｉが増大することに留意されたい。例えば１５以上の
高ｐＨ値でれ還元社減速さ籠るから、かなり一定された
還元速度を維持するように１反応をＩｊＩＩＩｌｉ＋媒
体中で実施するのが有利で菖ネ。

付、物、□中、お。、・塊＝大。、しえ、、って生ずる
抵抗率の大きさを有効に変更するのれ。

主として処塩時間の変化によっている。処塩時間祉、一
般的にかなり勉＜、１＃過１分まＡＵそれ以下ないし約
１０分の間である。所定の処Ｓ時間に対して、媒体に穏
々の促進剤例えばほう酸、修酸、くえん酸、−石酸會え
は金属塩化物、例えばコバｓ＝　）　（１）　、ニッケ
ル１鉄α）、！ンガン■ま丸線銅■の塩化物を加えるこ
とにより還元速度を変更することも可能である。還元の
開始時に１反応系社実質的に付着物の表面に位置する酸
化第一銅粒子を含んでおり、これが還元剤と直ｊ１！接
触する・銅金属の触媒作用の九め＝インキは特に着しい
親水性を有さなくとも、還元反応は、付着物の内部で・
継続する。実際に還元を受けるインキの厚さ祉。

処珈時間に依存し、付着物の厚さの１０ないし１００襲
となり得る。

抵抗率の値も１遍ＩＲされる導電性また祉抵抗部’、’
、ｌ、”： 分の形状寸法の岡、ｌＩｋであることに留意もれえい。

＼絶縁基板上に所望の一路を ｔ：、ｆ）１１１１ｍ　Ｃ−）ｋ％　”Ｃ，ｊ腎１柳成
する方法につい・ての論述を要しよう。

第１の方法社、＾イブリッドー路の１ｌｊｉｉに従来使
用される技術すなわちシルタスクリーン技術によりイン
キを付着することより成る。しかしなから、本発明にし
えかえば、導電性ま九妹抵抗呵路の製ｉｆ１＃ｉ、イン
キ焼成後次のプリントを行なう麹に還元処塩を実施する
。１ｍ解されたいことれ、絶縁囲路の印刷の場合に杖、
潜在的に導電性まえ祉潜在的に抵抗性の使用されるイン
キは、燃成後還元処理をなんら畳重ないことである。

酸化第−鉤を基材とするエキステシダが、Ｉｌ４じイン
キに、出発時に祉優れ九絶縁性を与え、還元後れ優れ大
導電性ま九は抵抗性を賦与することができる丸め、上述
し良ところのこれまで使用され大従来方法祉大きく変更
され得るのである・シルタスクリーンプリントによる選
択的な付着物の作製祉、例えｄ浸漬法、スプレィ法、カ
レンダ決。

ナイフｍ布法また社転写法により潜在的に導電性ま九は
抵抗性インキの均一な゛不着物を形成し、続いてインキ
の焼成後導電性または抵抗性のｋＩＡ路を製造するとき
には、マスタ技術を使用して還元により導電性ま−に紘
抵り柱部分を選択的に生じさせることにより置き代える
ことができる。特に１利な第２の方法の主題を構成する
の祉この皺換である。！スタ技ｉｉ＃ｉ、プリントー路
の分野て通常使用されているが１本発明者の知る範囲で
は、厚膜＾イブリッド回路の分野で扛応用されていない
。

この技ＩＩＩＩＦｉ、イン中の一様に塗布され焼成され
大要を７オ）レジストとも称される感光性Ｉｌ脂て被暑
し、Ｉｌいてこの感光性樹脂を、紫外線に富む放射線を
使ってマスタを遥して照射することより成るものである
。感光性樹脂は、紫外線の作用下で化学的変換を受１て
時定のｌＩＩ南中におする可溶性が変更されるような有
−組成物である。マスタの目的れ、印刷されるぺ會−路
の図面にし九がって放射線を選択的に透過さ艙ることで
ある。これれ、ガラス叡上に付着されえ夕璽ムの薄層ま
九祉写真用ゼラチンフィルムで作られることが多い、ポ
ジのフォトレジストが使用される場合、マスタの不透過
部分れ所望の一路位置に對応する。逆にネガの７オトレ
ジス）の場合に妹、所望のｌ１ｌＩＩの位置に翅応する
の＃ｉ遍遍部分である０次いで翼鎗が行なわれる。これ
は、感光Ｉｌ樹脂の適当な部分を、換言すれば、フォト
レジストの性質にしえがって、ボシフオドレジストの場
合にＵ篇光により可溶性にされた部分を、またネガ本ト
レジストの場−合には。

篇光により硬化しない未震光部分を溶解することより成
る。それゆえ、潜在的に導電性ま九祉抵抗性のインキは
、溶解部分に対応する位置に現われる。残りの作業は、
この方法で現われ九インキに１元作用を及はすこと、続
いて残存していて余分となつ九感光性樹脂層を除来する
ことである。アホトレジストにより保護されなかつえイ
ンキは、なんら還元作用を受けないから、絶縁性のま−
である。

このように、この＠２の方法は、単一の潜在的に導電性
のイン中から出発して、−教の同一の付着物層上に導電
性帯域と絶縁性帯域を１訳するこ１ とができるから、この方法の□適用は蒜常に有益で、：
、・； ある。１一様に、潜在的に抵抗性のイン中から出動１・
Ａ して、一枚の同一の付着物−・↓に抵抗帯域と絶縁帯域
を選択することもでき、さらに、所与のインキに対して
、抵抗性帯域紘、単一の抵抗値でなく可変の抵抗値を有
し、そしてこれＦｉ遣元薊の作用により容墨に調節でき
るのである・ コンデンサの例に戻ると、コンデンｔＦｉ以下の簡単な
方法で製造できる。まず、第１に、潜在的に導電性のイ
ンキか非選択的態様で付着され１次いで、焼成後、マス
クの存在で還元処塩が過用される。これは、下部電極４
１および農電体帯域４ｂを選択的に形成することを可能
にする・次いで、阿じインキの第２の層５が非選択的態
様で付着され、そしてこのインキの選択的還元で上部電
極５ｍと他の一電体蕾域５ｋを形成する（コンデンサを
＊＊＊て示す第２１１参石）、シルクスクリーンプリン
トを使用する従来技術と比較すると、必要とされる付着
物の数が５から２に減ぜられるだけでなく、必要とされ
るインキの穂−が２（導電性インキと絶縁性イン中）か
ら１（潜在的に導電１１１１＜１ 性のインキ）に減ぜられる。同様に１本尭明にお、ｊ いて開発され九゛技、術紘、へイブリッドー路の分野に
おいてこれまで使用され良全部で墨−のインキ（導電性
、抵抗性および絶縁性インキ）を２１のインキ、すなわ
ち、潜在的に導電性のインキと潜在的に抵抗性のインキ
のみに置き代えることを可能にする。

有利に実施できる所望の回路を製造する第３の方法は、
シルクスクリーン技術とマスク技術の両者を使用するこ
とより成る。この方法においては、第１０層（単数また
は複数）の回路を作成するのにシルクスクリーン技術を
使用し、次いで次の層（単数または複数）の回路を作成
するのに１スク技術を使用することができる。また、１
または複数の逐次の付着物をシルクスクリーン技術で、
次いで１または複数の付着物をマスク技術で、次いで１
または複数の付着物をシルクスクリーン技術で形成する
こともできる。シルタスクリーン技術により付着後！ス
、タ技術により一様な不着物を作成することより成る方
法は、全基板を平らｋすることを可能ＫＬ、後続の付着
物を固有の平坦さを維持した良好な条件下で作成する逅
とができる。

従来のシルクスクリーン技術は、実際には、インキの付
着後、所望の１路の電路に対応する浮出し帯域と、基板
の未被覆部分に対応する凹−Ｓｗ域を生じ、したがって
、逐次の付着物が作成°されるときには、このような基
板の固有の平坦さに生ずる欠除が相当増大することは容
易に瑠鱗できよう。

他方、マスク技術の場合は、最初の付着物が均一である
ため、還元後においても完全に平坦な層をもたらすから
、付着物がシルクスクリーン印刷により得られた後に適
用されたときでも、シルクスクリーン印刷により生じた
固有の平坦さの欠除を容易に修正できる。

上で説明した種々の付着方法は、焼成後、一般に１０な
いし５０μｍの間、より精確には１５ないし５５μｍの
厚さを有する潜在的に導電性または抵抗性の層をもたら
す。

一般的には、インキは、付着されると、焼成を受ける前
に乾燥される。この乾燥は、約５Ｏ℃ないし１００℃の
温度で、特にオープン内、加熱板上、または赤外線放射
で実施できる。乾燥時間は、１分ないし約１０分である
。乾−後、インキは、希釈材の除去を完全にし、付着性
、！基板に結合してこれらに一定の特性を賦与するため
、より高い温度で焼成される。焼成温度は、一般に１０
０℃ないし５００℃の間である。インキバインダがポリ
イミド形式の好ましい樹脂群に属する場合、焼成温度は
好ましくは１４０℃ないし２０Ｑ”Ｃの間である。焼成
は、一般に、スタティックオープンまたはトンネルオー
プン内で空気中で実施される。

工種の残りの部分について述べると、使用できる絶縁基
板は、従来技術においてこの目的に周知のコンパウンド
の任意りものとし得る０重合体部分が本発明のインキの
バインダと関連して上述した樹脂に対応する強化重合樹
脂が好ましい。それゆえ、フェノ−、ル系、不飽和ポリ
エステル系、エポキシ系またはポリイミド系の強化樹脂
が好ましい、これらの基板は、一般に１以下の主強化材
の１または複数のものが含まれる完全に重合されたラミ
ネートである！すなわち、セルロース紙、綿織物、アス
ベスト織物およびアスベスト紙、ガラス織物およびガラ
スマットが含まれる。、他の形式の強化用フィラー−も
ちろん使用できる・こ０形式のライネートは従］□来技
術において十分周知であるから、詳しく説明する必要が
ない。

値上の技術は、はんだ付けに完全Ｋｐｍな導電路を得る
ことを可能にすることを指摘しておく。

上述の具体例については、本発明の技術思想から逸脱す
ることなく、４！に１例えば使用できる非貴金属酸化物
に関して等価の材料の置換により変更をなし得ることは
自明である。すなわち、酸化第一銅は、はう水素化物に
よる酸化物の容易な還元を可能にするよ５に酸化状態が
選ばれた他の非貴金属酸化物により置き換えることがで
きる。適当な酸化物の例は、ニッケル（Ｉｆ）酸化物、
コパル）（ＩＩ）酸化物、鉛（Ｉｆ）＃化物、カドミウ
ム（Ｉｆ）酸化物、クロム（ｍ）酸化物、アンチモン（
ｌ［Ｉ）酸化物およびすず（ＩＶ）ＩＩ化物である。

以下の実施例は、本発明および本発明がどのようにして
実施され得るかを示すものであり、本発明を限定するも
のではない。

実施例１　。

この実施例は、本発明の潜在的に導電性のインキについ
て記載するものである。

次のものを乾燥下で混合する。すなわち０　　（１５な
いし２ｍｍの粒子寸法船有する酸化第−鋼４（ＬＳｊｌ ｏ　　Ｎ、Ｎ’　−４，４’　−シｙエニルメタンビス
マレイ建ドおよび４．４１−ジアミノジフェニルメタン
（ビスイミド／シアミツモル比＝２５）から製造したプ
レＩリマ、１０５℃の軟化点を有する、のｓ　ｏ　ｓｍ
以下の粒子寸法を有する粉末４．５ＩＩ 次いで、溶解状態のジ°り建ルベルオキシドα０９９を
會むα−チルピノール３０Ｉを、得られた粉末状混合物
に合体する。全体を乳針内において均質化子る。上述の
種々めコンパウンドが多量に使用される場合、均質化は
、例えば粉砕胃−ルまたは塗料を均質化するのに使用さ
れる装置のような他の形式６装置で実施できる。この方
法で製造されたペーストの流動性は、％にシルクスクリ
ーン法で使用するためのに完全に適当である。

実施例２ この実施例は、本発明の潜在的に抵抗性のインキについ
て記述する。

このインキは、実施例１で上述した方法で製造されるが
、酸化第一銅４０Ｊは、２μｍ以下の粒子寸法を有し、
酸化第一銅１５ｊｌと粉末ガラス１５ｇより成る混合物
と置き代え、ポリイミドプレポリマ４．５１は、同じプ
レポリｆｆ１５ｊと置き代えた。この方法で製造された
ペーストの流動性は、やはり特にシルクスクリーン印刷
Ｋｍ当である。

実施例３ この実施例ヲ九選択的付着のシルクスクリーン技術によ
る導電性回路の製造について記述する。

使用される絶縁基板は、ＦＲ４形式エポキシ掬脂３５重
量慢、および６５重量−のガラス織物より成る１２層ラ
ミネートである。

実施例１の潜在的に導電−のインキを、５２５メツシユ
のステンレススチー′ルスクリーンを通し１゜ てこの基板上に付着し、形成したい回路図を複製する。

トレースの得られた−１．覆もその鮮明度も良＠”Ｑあ
う。　　　　　　　ム 基板は次いで、６０’Ｃの通気されたオープン中で約１
０分間乾燥し、続いて１７５℃で１時間焼成する。乾燥
および焼成後、得られた付着物の厚さは１８５ｍである
。

冷却後、この赤色付着物は、１−の濃度を有する嫌う水
素化ナトリウムの水性溶液中に一分間浸漬する。還元溶
液は、周囲温度すなわち約２０℃であり、これを攪拌す
る。１分の処理時間後、最初赤色の付着物は、赤褐色と
なり、ゆすぎおよび乾燥後、αＯ５Ω／口の抵抗率を示
す。

実施例４ この実施例は、一様な付着、続いてのマスク使用の選択
的還元による導電性回路の製造について記述する。

この実施例において使用される絶縁性基板は、Ｎ、Ｎ’
　−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ建ドおよび
４，４１−シアミノジフェニルメタン（ビスイミド／シ
ア電ンール比−ＬＳ）から製造したポリ□ イ建ド樹脂ｓｓ′重量−と、５５重量襲のガラス織′１ 物とより成る１２層ランネートである。

実施例１の潜在的に導電性のインキを、ナイフ被６１に
より基板の全表面上に一様に付着する。乾燥および１６
０”Ｃでの１時間の乾燥後、得られた付着物は２７μｍ
の厚さを有する。

環化ポリイソプレンを基材とする樹脂、増感剤としての
バラアシドベンザシクロヘキサノンの組合せより成るネ
ガのホトレジストを、インキの全表面上に噴霧により一
様に付着する。乾燥後、ホトレジスト層を、水銀蒸気ラ
ンプ照明下で２０秒間マスク（写真用ゼラチンより成り
形成しようとする回路のネガ図を複製する）を通じて露
光し、次いで基板を純粋のキシレンに１分間浸漬すると
とｋより現像し、露光されずしたがって媒体に可解性の
ホトレジスト部分を除門する。しかして、この媒体は、
露光された部分には作用しない。導電性の帯域は、溶解
部分に対応する位置Ｋｍゎれる。

次いで、このよ５ｋして現像された基板の潜在的に導電
性の帯域に、実施例５に指示される手法にしたがって、
はう水素化す）　ＩＪウムの還元溶液を作用させる。最
１［、残存のホトレジストな完全に除去すれば、現われ
る帯域は絶縁帯域である。

この作業は、適轟な薬剤により浸蝕（ストリッピング）
するととｋよりホトレジストを溶解することより成る。

この工程は、？Ｏ’Ｃ〜１００℃で実施される。

究局的に、完全に平坦な厚膜導電性回路が得られ、そし
て腋回路は、他の付着物を受は入れることができる。こ
の抵抗率はαＯ５Ω／口である。

実施例５ この実施例は、本発明により得られた導電性回路がはん
だ付けに完全に適轟であることを示すものである。！ｉ
Ｉ施例墨または４で製造された導電性回路を、還元、ゆ
すぎおよび乾燥後、可撓性の圧力ローラとすずを基幇と
する共融混合物のフィルムを引き出すローラとの間を直
接通す。このとき、導電帯域は、鋼／すず合金の連続層
で被覆されることが分る。これは、はんだの完全な被覆
が形成されたことを意味する。

実施例に の実施例は、潜在的に抵抗性のインキの使用について記
述する。

実施例３および４に記載される手法（シルクスクリーン
技術およびシルクスクリーン技術）にしたがって実施例
２の潜在的に抵抗性のインキを使用すると、それぞれ２
２７Ω／口および５２５Ω／口の抵抗率を有する抵抗層
が製造される。

寒ｍＱ７ この実施例は、シルクスクリーン技術およびマスク技術
を使用することにより数種の厚膜をもつハイブリッド回
路の製造について記載する。

基板上で実施される逐次の作業が第３〜７図に示されて
いる。この図面は、各作業後に得られる基板の断面を表
わす。

使用される絶縁性基板は、実施例５に記述された１２層
う建ネートである。下部の作業が実施される。

…　実施例１の潜在的に導電性のインキを、シルクスク
リーン印刷により基板上に選択的に付着し、次に、実施
例ＳＶＣ記載した。やり方でインキ付着物を乾燥し、焼
成し、そして還元する。現われた第１の導電体層を構成
する導電性帯域は、第５ｌｌｌの参照番号６により指示
されている。

（２）第２に、上述の同じインキを、段階（１）から得
られた基板の全表面上に一様に付着する。乾燥および焼
成後、完全に平坦な絶縁層を得る。これは、第４図に参
照番号７で指示されている。

（３）第３に、マスク技術を利用することにより、中間
層導電性接続部を設定することが望まれる位置にて、絶
縁層７を選択的に還元する。この方法で具現された導電
性帯域は、第５図の参照番号８で指示されている。

（４）第４に、段階（３）で得られた基板上に、同じ潜
在的に導電性のインキを段階（２）と同様に一様に付着
する。乾燥および焼成後に得られた絶−場は、第４図の
参照番号９で指示されている。

（５）第５図に、再び゛マスク技術を利用することによ
り、絶縁層！を：、この第２の導電体層に対し“：、１
・ て違ばれたトレー、スにしたがって選択的に還元：１．
。

する。このとき現やれる導電性帯域は、第７図において
参照番号１０で指示されている。

工＠（２）、（３）および（４）を必要な回数繰り返え
し、所望数の追加の導電体層を得る。工程（４）および
（５）を必要回数繰り返し、所望数の付加の導電性回路
を形成する。潜在的に抵抗性のインキを使用することｋ
より、層間に低熱損失の抵抗性回路を挿入することがで
きるが、高熱損失の抵抗回路は表面に戻されることが必
要である。

【図面の簡単な説明】 第１図および第２図は本発明の方法にしたがって製造さ
れたコ、ンデンサの断面図、第Ｓ〜７図は本発明の方法
により数種厚膜を備えるハイブリッド回路を製造する工
程を示すハイブリッド回路の断面図である。 １：　下部電極 ２：　誘電体 ３：　上部電極 ４．５：　潜在的に導電性インキ層 ４ａ：　下部電極 ４ｂ、５ｂ：　　誘電体帯域 ５ａ：　上部電極 醋璽の浄書（内診に一奢Ｌ７ 第１１１１ 鶴　２５１ 手続補正書（方式） 昭和５８年５月９日 特許庁長官　若　枯　和　夫　殿 事件の表示　昭和５７年　特願第“！００５０１　　号
により製造された回路 補正をする者 事件との関係　　　　　　　　　　　特許出願人名称　
　ローヌープ−ラン・スペシアツテ・シミータ代理人 〒１０３ 住　所　　東京都中央区日本橋３丁目１３番１１号油脂
工業会館補市命令通知の１１付昭和５８年４月２６日補
止橙士号増加す÷発明の数− 補正の対象 ７− ズー 補正の内容　　別紙の通り 図面の浄書（内容に変更なし）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）選択されたトレースにしたがって過当なインキの
   付珈により絶縁＆板上に所龜の１ｇ回路を印刷し、これ
   を焼成し、そしてこれらの付４Ａａａを必要とされる圓
   ＆繰り返え噴ことより取る廊展ハイブリッドＩｉＩ回路
   の製造方法において、非賞金−からｈ４される非−−性
   際化物より取りかつ潜在的に導電性または抵抗性を有す
   る絶縁インキか使用され、インキの導電性また祉抵抗性
   か、インキの付看および焼成後、付ｌｋ＠に還元剤を作
   用させることにより具現され、そして前記還元剤か、一
   方において金ｋｅＩｋ化物を進達かつ計臘的に導電性金
   属に変換でき、他力において生成される付着物の厚き中
   にお妙′る還元の大きさを容易に羨更することが÷きる
   ように選ばれ九ことを特徴とするｊ１１展八イプリ→ド
   閏路−置方法１ （２）　　特許請求の範囲第１項に記載の方法において
   、使用されるインキが、焼成前、少なくとも１種′の酸
   化第一−を基材とするエキステンダと、バインダおよび
   希釈材との組合せより成り、還元剤がはう水嵩化物より
   成る＾イプツツド１路−造方法。 （３）　　特許請求の範囲第２項に記載の方法において
   。 潜在的に暮亀性のインキが、インキｌ１）４０〜゛１０
   重量襲の単一の酸化第１−を基材とするエキステンダと
   、インキの４ないし１０息＊Ｓのバインダを含む＾イブ
   リッド回路製造方法。 （４）　　特許請求の範−ｆｉ２］３１に記載の方法に
   おいて、潜在的に抵抗性のインキが、４０ないし４０富
   量修の酸化第一−と６６ないし４０富量修の不活性絶縁
   性エキステンダとを含みかつインキ１量の５０ないし６
   ０富量修であるエキステンダ混合物と、インキの１０な
   いしｉｏｉ＊ｔ％のバインダを含む＾イブリッド回路製
   造方法。 （５）　　特許請求の範囲第２〜４虫のいずれかに記載
   の方法において、インキを麹酸するのに使用されるバイ
   ンダが、熱峡化性プレポリ！の形式の重合性物質より成
   り、蒙プレポリマが、フェノール系樹脂、不飽和ポリエ
   ステル糸樹脂、エポキシ系の樹脂およびポリイミド糸の
   ｍｋを含む群から選択され九へイブリッドー路１１ｉｉ
   ＆方法。 （６）　　特許請求の範囲第５項に記載の方法において
   、使用されるバインダが、不飽和ジカルボンＭ　ｐｉ　
   ＃Ｎ′Ｎビーイミドとｌｈ酸ポリアセン、およびもし適
   当ならば１１１１＃剤例えばモノイミド、Ｃ鵬−〇での
   形式の１またｉｔ複数の基を含む重合可能な毫ツマ、不
   飽和ポリエステルまたはヒト−キシル有−シリコン化合
   物のご：′、ときものとの＆応によ・・）１ り得られるポリイミド糸式のグレホ゛リマであるへイブ
   リッドー路餉造方法。 （７）特ｔｔｉ＋を求のｆｋ囲第２ないし６項のいずれ
   かに記載の方法において、焼成前のインキの一部を形成
   する希釈材が、アルカノールおよびグリコールのエーテ
   ルおよびテルペンアルコールを含む群から選択される＾
   イブリッド１１１１島−造方法・（ａ）　　特許請求の
   ｆＩＩＡ自第２ないし７項のいずれかに記載の方法にお
   いて、使用できるはう水嵩化物が、未置換アルカリ金ｊ
   Ｉはう水嵩化物、およびほう水嵩化物の多くとも１つの
   水素原子が不活性置換基により置換され一＊ｔｓｕｔう
   水素化物を含む＾イブリッドー路製造方法・ （！）　　特許請求の範隋第２ないし・項のいずれかに
   記載の方法において、還元剤が、鉤威俵、水ま九轄水お
   よび不ｗｉ性極愉溶剤の混合物中溶液の形式でインキと
   慶触さ（られ、溶液の漉度が、＊＊中のはう水嵩化物の
   重量第で表わしてａＳないし１０−である＾イプッッド
   崗路の纒造方、Ｉ・ 法。　　　　”、′： １−ｉ。 （１０）　　特許請求１め範囲第１ないし９積のいずれ
   かに記載の方法において、所望される一路を印刷する方
   法か、シルタスタリーン印刷により潜在的に導電性會え
   鉱紙ＩＩＩＬ性のインキを違択釣に付濡し、該インキを
   焼成し、ＩＩｋ後に、導電性ま九は抵抗性の一路を製造
   する場合、付着物に還元処珈を施して所望の導電性まえ
   紘抵抗性部分をＡｌｌし、そしてこれらの付着、焼成お
   よび還元工程を必要な電数だけ反復することより成る＾
   イブリッド胞路製最方法・ （１１）特許請求の範囲第１ないし９項のいずれかに記
   載の方法において、所望される細路を印刷する方法が、
   潜在的に導電性ま九は紙弊性のインキを一様に付着し、
   該インキを焼成し、最後に、導電性ま九紘抵抗性回路を
   製造する場合。 マスタ技術を使って付着物を還元することにより所望の
   導電性ま九は抵抗性部分を選択的に＾現し、そしてこれ
   らの付着、焼成および還元工程を必要組数反復すること
   より成る廖展＾イブリッドー路製造方法。 （１２、特許請求の範１１１１４１ないし１１のいずれ
   かに記載の方法において、所望の一路の印一方法が、シ
   ルクスタリーン技術を使用することより１８１０層（１
   １九祉懐数）の−路を生成し１次にマスタ技術を使用す
   ることにより次の層（１まえは複数）の＠路を形成し、
   あるいは代わりに、１重えは複数の付着物をシルクスタ
   ツーン技術により形成し１次いで１重えは複数の付着物
   をマスタ技術で形威し、次いで−１遣え紘複敵の付着物
   をｔルクスタ１−ン技術で形成することよりなる＾イブ
   リッド回路製造方法・ （１１）　　＃許曽求ａｌｋｍｌｌｌｌナイし１！Ｉｆ
   ｔ）ｋ％−ｊ’ｔＬかに記載の製造方法において、絶縁
   性１敷が。 フェノール系、不飽和ポリエステル系、エボ中シ系１Ｎ
   大はポリイミド糸＊＊と、セルー−ス紙を基材とする強
   化用フィラー、線繊維、アスベスト織物、アスベスト紙
   、ｊｖツ、ス紬物、ま九紘ｌラス！ットとの組会せより
   成る完全に重合され丸う竜専−トであるハイブリッド−
   路の製造方法。