JPS58166430A - 指タツチ式座標検出パネル - Google Patents
指タツチ式座標検出パネルInfo
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- JPS58166430A JPS58166430A JP57049319A JP4931982A JPS58166430A JP S58166430 A JPS58166430 A JP S58166430A JP 57049319 A JP57049319 A JP 57049319A JP 4931982 A JP4931982 A JP 4931982A JP S58166430 A JPS58166430 A JP S58166430A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- electrode
- detection
- touch type
- layer structure
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-
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- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
蛛）発明の技術分野
本発明は指タツチ式座標検出バネ〃に関するものである
。
。
■）技術の背景
最近多項目情報を入力する手段としてブラウン管の表示
面の前面に透明な座標ボードを設置し、前記表示面に表
示され良情報に対応する位置情報を前記ボードから前記
表示内容を確認して入力する装置が開発されている。
面の前面に透明な座標ボードを設置し、前記表示面に表
示され良情報に対応する位置情報を前記ボードから前記
表示内容を確認して入力する装置が開発されている。
（０） 従来技術と問題点
このような装置として従来透明なガラス基板上に透明な
酸化インジウム（ＩｎＯ３）にｆｉｌ（Ｓｎ）を添加し
たインジウム錫酸化物（ＩＴＯ”）層よりなる所定ピッ
チの線状の第１の電極と核第１の電極上に所定パターン
の誘電体１１＄１を介して直交する第２の電極を形成し
、この第１．第２の電極で画定された領域内にＩＴｏ層
よりなり前記第１．第２の電極の電極のそれぞれに接続
し、２分割された透明な検出１［極を形成した指タツチ
式座標検出バネｙが用いられているう そして前記第１．第２の電極で画定された領域内の透明
な検出電極を有するバネμをある一定の周波数で動作さ
せ、この透明な検出電極を指で接触あるいは非接触の状
態にすることにより人体の有する対地容量で透明な検出
電極の出力電圧の変動を検知して座標位置を検知するよ
うにしている。
酸化インジウム（ＩｎＯ３）にｆｉｌ（Ｓｎ）を添加し
たインジウム錫酸化物（ＩＴＯ”）層よりなる所定ピッ
チの線状の第１の電極と核第１の電極上に所定パターン
の誘電体１１＄１を介して直交する第２の電極を形成し
、この第１．第２の電極で画定された領域内にＩＴｏ層
よりなり前記第１．第２の電極の電極のそれぞれに接続
し、２分割された透明な検出１［極を形成した指タツチ
式座標検出バネｙが用いられているう そして前記第１．第２の電極で画定された領域内の透明
な検出電極を有するバネμをある一定の周波数で動作さ
せ、この透明な検出電極を指で接触あるいは非接触の状
態にすることにより人体の有する対地容量で透明な検出
電極の出力電圧の変動を検知して座標位置を検知するよ
うにしている。
ところで前述した透明な検出電極に接続された第１．第
２の電極となるＩＴｏ層は導電性が悪く高抵抗である。
２の電極となるＩＴｏ層は導電性が悪く高抵抗である。
そのためこのような高抵抗な電極材料を用いると前述し
た検出電極を指で接触しない状態の出力電圧（ＶｏＦＦ
）と検出電極を指で接触した状態の出力電圧（ＶｏＮ）
との差が余り大きくならない。即ち検出感度の慝い指タ
ツチ式検出パネルとなる欠点を生じている。
た検出電極を指で接触しない状態の出力電圧（ＶｏＦＦ
）と検出電極を指で接触した状態の出力電圧（ＶｏＮ）
との差が余り大きくならない。即ち検出感度の慝い指タ
ツチ式検出パネルとなる欠点を生じている。
また前述した工Ｔｏの透明導電層で検出電極を形成し該
検出電極の二次元の座標指定をするために第１のＹ［極
と第２のＸ電極を形成し前記検出電極と接続した際、こ
のＸ電極とＸ［極とを交差させる必要が生じ、この交差
点で絶縁膜をＸ電極、Ｘ電極の間に介在させる必要があ
る。この際、前述−した検出感度を向上させるためには
この介在させる絶縁膜の面積をできるだけ小さくして電
極間の容量を小さくすることが望まれる。しかしこのよ
うにするには前述のＸ電極−Ｘ電極を形成する透欠点を
生じる。
検出電極の二次元の座標指定をするために第１のＹ［極
と第２のＸ電極を形成し前記検出電極と接続した際、こ
のＸ電極とＸ［極とを交差させる必要が生じ、この交差
点で絶縁膜をＸ電極、Ｘ電極の間に介在させる必要があ
る。この際、前述−した検出感度を向上させるためには
この介在させる絶縁膜の面積をできるだけ小さくして電
極間の容量を小さくすることが望まれる。しかしこのよ
うにするには前述のＸ電極−Ｘ電極を形成する透欠点を
生じる。
（（１） 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、検出［極に連なるＹｖ
ｔ極、、、Ｘ［極の抵抗と、それらの電極の交差点にお
ける容量を低下させ、もって検出感度の向上を図った新
規な指タツチ式座標パネルの提供を目的とするものであ
る、 （θ）発明の構成 かかる目的ｔ−達成するため本発明の指タツチ式座標検
出バネμけ、透明絶縁性基板上に所定のピッチを有する
第１の金属線状電極と、該第１の電極とに誘電体膜を介
して前記第１の電極と直交する所定ピッチの第２の金属
線状電極とを設け、前記第１．第２の電極で画定された
領域内に前記第１、第２の電極のそれぞれに接続するよ
うに二分割された透明な検出電極を形成したことを特徴
とするものである。
ｔ極、、、Ｘ［極の抵抗と、それらの電極の交差点にお
ける容量を低下させ、もって検出感度の向上を図った新
規な指タツチ式座標パネルの提供を目的とするものであ
る、 （θ）発明の構成 かかる目的ｔ−達成するため本発明の指タツチ式座標検
出バネμけ、透明絶縁性基板上に所定のピッチを有する
第１の金属線状電極と、該第１の電極とに誘電体膜を介
して前記第１の電極と直交する所定ピッチの第２の金属
線状電極とを設け、前記第１．第２の電極で画定された
領域内に前記第１、第２の電極のそれぞれに接続するよ
うに二分割された透明な検出電極を形成したことを特徴
とするものである。
（ｆ） 発明の実施例 □
以「図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明ｆ
る。
る。
Ｉｊｇ１図は本発明の指タツチ式座標パネルの平面図で
第２図は該パネルの製造方法１に説明するための第１図
のＡ −Ａ’断面図である。
第２図は該パネルの製造方法１に説明するための第１図
のＡ −Ａ’断面図である。
第１図に図示されるように本発明の指タツチ式座標パネ
ルは透明なガラス基板ｌ上にクロム（（：ｒ ）と銅（
Ｃｕ）よりなる二層構造の金属線状の第１ （Ｙ）電極
２が所定のピッチで形成され、該Ｘ電極２Ｆ：。
ルは透明なガラス基板ｌ上にクロム（（：ｒ ）と銅（
Ｃｕ）よりなる二層構造の金属線状の第１ （Ｙ）電極
２が所定のピッチで形成され、該Ｘ電極２Ｆ：。
に所定のパターンの低誘電体の硼硅酸ガフス映よりなる
誘導体１１１８を介してＣｔとＣｕの二層構造の金属線
状の第２（ｘ）電極４が前記Ｘ電極と直交するようにし
て形成されている。
誘導体１１１８を介してＣｔとＣｕの二層構造の金属線
状の第２（ｘ）電極４が前記Ｘ電極と直交するようにし
て形成されている。
そしてこのＸ電極２およびＸ％Ｆ！７１４で画定された
領域には所定パターンのＩＴｏ層よりなる検出電極５．
６が分割して形成されこれらの検出電ＦＩＡ５．６はそ
れぞれＸ電極２およびＸ電極４に接続されている。
領域には所定パターンのＩＴｏ層よりなる検出電極５．
６が分割して形成されこれらの検出電ＦＩＡ５．６はそ
れぞれＸ電極２およびＸ電極４に接続されている。
このような構造のパネルによれば前記金属線状のＹ［極
およびＸ電極が検出電極６．６の補助電極の役目をして
検出電極の比抵抗が下がることになり検出感度が向上す
る。
およびＸ電極が検出電極６．６の補助電極の役目をして
検出電極の比抵抗が下がることになり検出感度が向上す
る。
また前記Ｘ電極およびＸ゛電極低Ｖ杭の金属を用いるの
で線状のように細く形成してもその抵抗は余り増大せず
、したがってＹ［極とＸ１！極とが交差する点に形成す
る誘電体膜の面積は少なくて済み、したがって電極間の
容量が低下し検出感度も増大する。
で線状のように細く形成してもその抵抗は余り増大せず
、したがってＹ［極とＸ１！極とが交差する点に形成す
る誘電体膜の面積は少なくて済み、したがって電極間の
容量が低下し検出感度も増大する。
このような指タツチ式座標検出パネルの製造方法につい
て述べるとまず第２図に示すように透明ガラス基板ｌ上
ＫＣｒ％Ｃｕ、Ｃｒｊりなる三層構造の金属層を蒸着に
より形成したのち、そのトにホトレジスト膜を伶布し該
ホトレジスト膜をホトリソグラフィ法を用いて所定のパ
ターンに形成後、該パターニングしたホトレジスト膜を
マスクとして前（ｄｃｒ、Ｃｕ、Ｃｒ＠ｆエツチングし
て所定のピＮａ０Ｈ）に溶かした赤血塩を用い、またＣ
ｕ層は硫酸（Ｈ２ＳＯ，）と過酸化水素（Ｈａｎｇ ）
の混合液でエツチングする。そして図で該Ｘ電極２は紙
面に平行に多数配設されているものとするう 次に該基板上に低誘電体の硼硅酸ガラス膜をｌ〜５μｍ
程度の厚さに蒸着によって形成したのち、該基板上にホ
トレジストｆｓｔｍ布後該ホトレジスト膜ヲホトリソグ
ツフイ法を用いて所定パターンに形成する。そして該バ
ターニングされたホトレジスト膜をマスクとして下部の
硼硅酸ガラス膜を弗化水素酸（ＨＦ）を用いて前記Ｙ［
極とあとでその上に形成するＸ［ｍとが交差する部分に
バターニングして形成する。図で８Ｆｉこのようにして
形成した誘電体膜である。
て述べるとまず第２図に示すように透明ガラス基板ｌ上
ＫＣｒ％Ｃｕ、Ｃｒｊりなる三層構造の金属層を蒸着に
より形成したのち、そのトにホトレジスト膜を伶布し該
ホトレジスト膜をホトリソグラフィ法を用いて所定のパ
ターンに形成後、該パターニングしたホトレジスト膜を
マスクとして前（ｄｃｒ、Ｃｕ、Ｃｒ＠ｆエツチングし
て所定のピＮａ０Ｈ）に溶かした赤血塩を用い、またＣ
ｕ層は硫酸（Ｈ２ＳＯ，）と過酸化水素（Ｈａｎｇ ）
の混合液でエツチングする。そして図で該Ｘ電極２は紙
面に平行に多数配設されているものとするう 次に該基板上に低誘電体の硼硅酸ガラス膜をｌ〜５μｍ
程度の厚さに蒸着によって形成したのち、該基板上にホ
トレジストｆｓｔｍ布後該ホトレジスト膜ヲホトリソグ
ツフイ法を用いて所定パターンに形成する。そして該バ
ターニングされたホトレジスト膜をマスクとして下部の
硼硅酸ガラス膜を弗化水素酸（ＨＦ）を用いて前記Ｙ［
極とあとでその上に形成するＸ［ｍとが交差する部分に
バターニングして形成する。図で８Ｆｉこのようにして
形成した誘電体膜である。
次にＯｒとＣｕ層を二層構造に蒸着により形成したのち
、更にホトレジスト膜を楢布し次のち、該ホトレジスト
膜を所定パターンにホトリソグラフィ法を用いて形成後
肢バターニングしたレジストＰＩＩ！をマスクとして上
部のＣｕ＠ｆまずＮａｏＨに溶かした赤血堆にてエツチ
ングし更に下部のＯｒ層′ｔＨ，ＳＯ４とＨ，０２との
混合液でエツチング（７て巾８０〜１００μｍのＸ電極
４１に形成する。このとき下部のＹｌｊ極の最上層のＯ
ｒ層もエツチングされて除去されるのでＹ電極もＣｕと
Ｏｒとの二層構造となる。
、更にホトレジスト膜を楢布し次のち、該ホトレジスト
膜を所定パターンにホトリソグラフィ法を用いて形成後
肢バターニングしたレジストＰＩＩ！をマスクとして上
部のＣｕ＠ｆまずＮａｏＨに溶かした赤血堆にてエツチ
ングし更に下部のＯｒ層′ｔＨ，ＳＯ４とＨ，０２との
混合液でエツチング（７て巾８０〜１００μｍのＸ電極
４１に形成する。このとき下部のＹｌｊ極の最上層のＯ
ｒ層もエツチングされて除去されるのでＹ電極もＣｕと
Ｏｒとの二層構造となる。
このときホトレジスト８１！！を塗布機所定のパターン
に露光するためのマスク合せの作業は前述した誘電体！
ＩＩ８を形成して生じている凸形の誘電体膜３のパター
ン１ｋＭ準にすると良い。
に露光するためのマスク合せの作業は前述した誘電体！
ＩＩ８を形成して生じている凸形の誘電体膜３のパター
ン１ｋＭ準にすると良い。
更にＬＴｏｌｌを蒸着によって厚さ０．１〜０．５μｍ
で形成し、その上にホトレジスト膜をホトリソグラフィ
法で所定のパターンで形成後、該バターニングされたレ
ジス）ｆｉｔ用いて塩酸（ＨＣｌ）のエツチング＃＆を
用いて第１図のように工ＴＯｍ５，６を所定のパターン
に形成する。
で形成し、その上にホトレジスト膜をホトリソグラフィ
法で所定のパターンで形成後、該バターニングされたレ
ジス）ｆｉｔ用いて塩酸（ＨＣｌ）のエツチング＃＆を
用いて第１図のように工ＴＯｍ５，６を所定のパターン
に形成する。
次いで第２図に示すように透明電極幌の表面保護線とし
てのアルミナ（Ａ１２０ａ）あるいは硼硅酸ガラスの保
ＭｉｌｌｉＶを１〜５μｍ程度の厚さで蒸着法によって
形成するう −り 発明
の効果 以上述べたように本発明の指タツチ式座標検出パネルに
よれば、検出電極の抵抗が低下し、またＸ［極、Ｙ［極
が交差する部分の誘電体膜の面積も少なくてすむので電
極間の容量が小さくな９高感度の検出バネ〃が得られる
。ｔたＸ電極、Ｙ電極の補助電極の中寸法を小さく形成
できるのでプヲウン管上に表示され、入力されるべき情
報の項目が見易くなるという利点も生じる。
てのアルミナ（Ａ１２０ａ）あるいは硼硅酸ガラスの保
ＭｉｌｌｉＶを１〜５μｍ程度の厚さで蒸着法によって
形成するう −り 発明
の効果 以上述べたように本発明の指タツチ式座標検出パネルに
よれば、検出電極の抵抗が低下し、またＸ［極、Ｙ［極
が交差する部分の誘電体膜の面積も少なくてすむので電
極間の容量が小さくな９高感度の検出バネ〃が得られる
。ｔたＸ電極、Ｙ電極の補助電極の中寸法を小さく形成
できるのでプヲウン管上に表示され、入力されるべき情
報の項目が見易くなるという利点も生じる。
第１図は本発明の指タツチ式座標検出パネルの平面図、
第２図は該検出パネルの製造方法を説明するための第１
図におけるＡ−Ａ′断面図である。 図においてｌはガラス基板、２はＹ電極、３は１１４ｖ
ｔ体膜、鴫はＸｌ［極、δ、６ｔｌｌｌｉｔＦｊＡ、ｑ
ｕ保護膜を示す。 第１図
第２図は該検出パネルの製造方法を説明するための第１
図におけるＡ−Ａ′断面図である。 図においてｌはガラス基板、２はＹ電極、３は１１４ｖ
ｔ体膜、鴫はＸｌ［極、δ、６ｔｌｌｌｉｔＦｊＡ、ｑ
ｕ保護膜を示す。 第１図
Claims (1)
- 透明絶縁性基板上に所定のピッチを有する第１の金属線
状電極と、該第１の電極上に誘電体Ｍを介して前記第１
の電極と直交する所定ピッチの第２の金属線状電極とを
設け、前記第１．第２の電極で一定された領域内に前記
第１．第２の電極のそれぞれに接続するように二分割さ
れた透明な検出電極を形成したことを特徴とする指タツ
チ式座標検出パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049319A JPS58166430A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 指タツチ式座標検出パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049319A JPS58166430A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 指タツチ式座標検出パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166430A true JPS58166430A (ja) | 1983-10-01 |
Family
ID=12827643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57049319A Pending JPS58166430A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 指タツチ式座標検出パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166430A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8872785B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-10-28 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US9025090B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-05-05 | Apple Inc. | Integrated touch screens |
| US9244561B2 (en) | 2006-06-09 | 2016-01-26 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US9268429B2 (en) | 2006-06-09 | 2016-02-23 | Apple Inc. | Integrated display and touch screen |
| US9710095B2 (en) | 2007-01-05 | 2017-07-18 | Apple Inc. | Touch screen stack-ups |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP57049319A patent/JPS58166430A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9454277B2 (en) | 2004-05-06 | 2016-09-27 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US8928618B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-01-06 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US8982087B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-03-17 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US10908729B2 (en) | 2004-05-06 | 2021-02-02 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US9035907B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-05-19 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US11604547B2 (en) | 2004-05-06 | 2023-03-14 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US8872785B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-10-28 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US10331259B2 (en) | 2004-05-06 | 2019-06-25 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
| US9244561B2 (en) | 2006-06-09 | 2016-01-26 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US9575610B2 (en) | 2006-06-09 | 2017-02-21 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US11175762B2 (en) | 2006-06-09 | 2021-11-16 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US10976846B2 (en) | 2006-06-09 | 2021-04-13 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US10191576B2 (en) | 2006-06-09 | 2019-01-29 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US9268429B2 (en) | 2006-06-09 | 2016-02-23 | Apple Inc. | Integrated display and touch screen |
| US11886651B2 (en) | 2006-06-09 | 2024-01-30 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
| US10521065B2 (en) | 2007-01-05 | 2019-12-31 | Apple Inc. | Touch screen stack-ups |
| US9710095B2 (en) | 2007-01-05 | 2017-07-18 | Apple Inc. | Touch screen stack-ups |
| US10409434B2 (en) | 2010-12-22 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Integrated touch screens |
| US9727193B2 (en) | 2010-12-22 | 2017-08-08 | Apple Inc. | Integrated touch screens |
| US9146414B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-29 | Apple Inc. | Integrated touch screens |
| US9025090B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-05-05 | Apple Inc. | Integrated touch screens |
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