JPS5816794A - Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｍｏ系合金の一時的液相接合用ろう材 - Google Patents
Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｍｏ系合金の一時的液相接合用ろう材Info
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- JPS5816794A JPS5816794A JP11310881A JP11310881A JPS5816794A JP S5816794 A JPS5816794 A JP S5816794A JP 11310881 A JP11310881 A JP 11310881A JP 11310881 A JP11310881 A JP 11310881A JP S5816794 A JPS5816794 A JP S5816794A
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- JP
- Japan
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- bonding
- brazing
- filler metal
- brazing filler
- brazing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550°C
- B23K35/3033—Ni as the principal constituent
- B23K35/304—Ni as the principal constituent with Cr as the next major constituent
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、Ｎ１基耐熱耐食合金として広く用いられて
いるｘｘｘｘｘｘを一時的液相接合（Ｔｒａｎ−ｓｉｅ
ｎｔ Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｂ、ｏ、ｎｄ、ｉｎ
ｇ）によって接合するためのろう材に関するものである
。
いるｘｘｘｘｘｘを一時的液相接合（Ｔｒａｎ−ｓｉｅ
ｎｔ Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｂ、ｏ、ｎｄ、ｉｎ
ｇ）によって接合するためのろう材に関するものである
。
一時的液相接合（以下、ｊＬＰ接合と略称する）法とは
、米国特許第３，６７８．５’ｉ’Ｏ号明細書に開示さ
れている接合法を称するものであり、まず、被接合材で
ある母材の接合面に特定の成分組成をもったろう材をは
さみ、接合温度まで加熱すると、＋！−。
、米国特許第３，６７８．５’ｉ’Ｏ号明細書に開示さ
れている接合法を称するものであり、まず、被接合材で
ある母材の接合面に特定の成分組成をもったろう材をは
さみ、接合温度まで加熱すると、＋！−。
ろう材が溶融し、液層となって接合面のすき間を満すが
、この状態で液層と母材の間で元素の相互の高速拡散が
行なわれるようになり、これによって液層の成分組成は
変化し、母材の成分組成に近づくことによって等温凝固
（温度が一定のまま成分変化によシ固相となる）が起シ
、接合部は液層が消失し、固相となシ、さらに拡散が進
むことによシ、接合部は、成分組成も組織も母材に一致
するまで同化するようになるという接合法である。
、この状態で液層と母材の間で元素の相互の高速拡散が
行なわれるようになり、これによって液層の成分組成は
変化し、母材の成分組成に近づくことによって等温凝固
（温度が一定のまま成分変化によシ固相となる）が起シ
、接合部は液層が消失し、固相となシ、さらに拡散が進
むことによシ、接合部は、成分組成も組織も母材に一致
するまで同化するようになるという接合法である。
上述のようなＴＬＰ接合においては、特に、使用するろ
う材が接合部の特性を決定する重要な因子となることが
知られておシ、このために通常はろう材として、母材の
成分組成に融点低下元素であるＢ、Ｓｉ、およびＰ等を
添加してその融点を母材の融点より５０〜２００℃程度
低下させたものを使用して、母材との調和を計っていた
。
う材が接合部の特性を決定する重要な因子となることが
知られておシ、このために通常はろう材として、母材の
成分組成に融点低下元素であるＢ、Ｓｉ、およびＰ等を
添加してその融点を母材の融点より５０〜２００℃程度
低下させたものを使用して、母材との調和を計っていた
。
しかしながら、かかるＴＬＰ接合法をｘｘｘｘｘｘの接
合に適用しようとすると、該ｘｘｘｘｘＸは、Ｃｒ：１
９〜２９チ（以下処は重量係とする）、Ｃｏ： ０．１
〜３．０％、 Ｍｏ： ’ｉ’ 〜１１ ％、 Ｗ ：
０．１〜１．２％、 Ｆｅ： １６〜２１ ％、 Ｍ
ｎ： １２ ％以下、 Ｓｉ：１．２％以下、・Ｃ：０
．０３〜０．２裂、１３：０．０２チ未満、およびＮ１
と不可避不純物：残シから構成される成分組成を有して
いる関係上ζその接合用ろう材として上記ｘｘｘｘｘ
ｘの組成にＢ、Ｓｉ。
合に適用しようとすると、該ｘｘｘｘｘＸは、Ｃｒ：１
９〜２９チ（以下処は重量係とする）、Ｃｏ： ０．１
〜３．０％、 Ｍｏ： ’ｉ’ 〜１１ ％、 Ｗ ：
０．１〜１．２％、 Ｆｅ： １６〜２１ ％、 Ｍ
ｎ： １２ ％以下、 Ｓｉ：１．２％以下、・Ｃ：０
．０３〜０．２裂、１３：０．０２チ未満、およびＮ１
と不可避不純物：残シから構成される成分組成を有して
いる関係上ζその接合用ろう材として上記ｘｘｘｘｘ
ｘの組成にＢ、Ｓｉ。
およびＰを添加したものを調製することになるが、この
結果のろう材は非常に脆く、かつ硬いので、実用に際し
ては母材の接合面に塗布した状態で使用しなければなら
ず、このために、粉砕して粉末とする必要が生ずる。そ
して、このようにろう材を粉末状とすると、接合作業の
際の酸化が著しくなり、その結果、接合部に酸化物が残
存しやすく、接合強度が劣る原因になるという不都合を
生ずるものであった。
結果のろう材は非常に脆く、かつ硬いので、実用に際し
ては母材の接合面に塗布した状態で使用しなければなら
ず、このために、粉砕して粉末とする必要が生ずる。そ
して、このようにろう材を粉末状とすると、接合作業の
際の酸化が著しくなり、その結果、接合部に酸化物が残
存しやすく、接合強度が劣る原因になるという不都合を
生ずるものであった。
そこで本発明者等は、この′ようにろう材を酸化させる
ことなく、良好な接合部を得るＴＬ・Ｐ接合法を見出す
べく研究を行なった結果、マグネトロンスパッタリング
法によってろう材を母材の接合面に薄く被覆し、このよ
うな母材同志を加圧接触させながら所定時間加熱保持す
ると、接合部に不良を来たすとと々（ＴＬＰ接合を行な
うことができるという結論に到達した。
ことなく、良好な接合部を得るＴＬ・Ｐ接合法を見出す
べく研究を行なった結果、マグネトロンスパッタリング
法によってろう材を母材の接合面に薄く被覆し、このよ
うな母材同志を加圧接触させながら所定時間加熱保持す
ると、接合部に不良を来たすとと々（ＴＬＰ接合を行な
うことができるという結論に到達した。
す々わち、第１図に概略図で示すように、溶製したろう
材を陰電極１とし、チャンバ６内の希薄Ａｒ雰囲気中に
おいて磁石Ｓ、Ｎによって形成された磁場２内に閉じ込
められた電子によシ、ろう材構成物質３をたたき出して
これを被接合材である母材４の接合界面に付着させて、
ろう層５を形成する。ついで、このような蒸着法によっ
てろう材を被覆された被接合材４は、第２図（Ａ）に示
す様式でＴ Ｌ Ｐ接合する。つまシ、母材４の接合面
に被覆されたろう層５同志を接触加圧し、この状態で所
定時間加熱保持してＴＬＰ接合を行なって、接合部マを
得るのである。また、別の接合様式として、第２図（Ｂ
）に示すように、インサートメタル８の両面にろう材を
マグネトロンスパッタリングにて被覆してろう層５を得
、このインサートメタル５− を介して母材４をＴＬＰ接合して接合部７を得るのも有
効な方法である。
材を陰電極１とし、チャンバ６内の希薄Ａｒ雰囲気中に
おいて磁石Ｓ、Ｎによって形成された磁場２内に閉じ込
められた電子によシ、ろう材構成物質３をたたき出して
これを被接合材である母材４の接合界面に付着させて、
ろう層５を形成する。ついで、このような蒸着法によっ
てろう材を被覆された被接合材４は、第２図（Ａ）に示
す様式でＴ Ｌ Ｐ接合する。つまシ、母材４の接合面
に被覆されたろう層５同志を接触加圧し、この状態で所
定時間加熱保持してＴＬＰ接合を行なって、接合部マを
得るのである。また、別の接合様式として、第２図（Ｂ
）に示すように、インサートメタル８の両面にろう材を
マグネトロンスパッタリングにて被覆してろう層５を得
、このインサートメタル５− を介して母材４をＴＬＰ接合して接合部７を得るのも有
効な方法である。
しかし、このようなマグネトロンスパッタリング法を利
用したＴＬＰ接合の試験を繰返すうちに、この方法では
ｘｘｘｘｘ ｘであっても良好な接合部を得ることがで
きるけれども、ｘｘｘｘｘｘの場合にはその作業能率が
著しく悪いという問題点に直面したのである。すなわち
、ｘｘｘｘｘｘを、マグネトロンスパッタリング法適用
のＴＬＰ接合する際には、まずろう材として、ｘｘｘｘ
ｘ ｘの合金組成のものに融点低下元素であるＢ、Ｓｉ
、およびＰを添加した合金を溶製し、このろう材インゴ
ットを放電加工によってマグネトロンスノくツタリング
用電極としてスペッタリングに供する必要があるが、こ
の場合、スパッタリング速度が非常に遅く、工業上問題
があることが判明したのである。すなわち、通常のマグ
ネトロンスノ（ツタリングにおいては、１．ＯＸ １０
μｍ１ｍ１ｎ程度のスノ（ツタリング速度が期待される
のであるが、前記ろう材においては、５×１０−３μｍ
／ｍｍ程度の速度しか−６−、、、−、− 得られず、この速度では、′Ｔ Ｌ Ｐ接合可能な被覆
ろう層を形成するのに非常に長時間のス、＜ツタリング
を行なうことが必要で、この点からみて工業的に採用す
るには不可能であると結論されたのである。
用したＴＬＰ接合の試験を繰返すうちに、この方法では
ｘｘｘｘｘ ｘであっても良好な接合部を得ることがで
きるけれども、ｘｘｘｘｘｘの場合にはその作業能率が
著しく悪いという問題点に直面したのである。すなわち
、ｘｘｘｘｘｘを、マグネトロンスパッタリング法適用
のＴＬＰ接合する際には、まずろう材として、ｘｘｘｘ
ｘ ｘの合金組成のものに融点低下元素であるＢ、Ｓｉ
、およびＰを添加した合金を溶製し、このろう材インゴ
ットを放電加工によってマグネトロンスノくツタリング
用電極としてスペッタリングに供する必要があるが、こ
の場合、スパッタリング速度が非常に遅く、工業上問題
があることが判明したのである。すなわち、通常のマグ
ネトロンスノ（ツタリングにおいては、１．ＯＸ １０
μｍ１ｍ１ｎ程度のスノ（ツタリング速度が期待される
のであるが、前記ろう材においては、５×１０−３μｍ
／ｍｍ程度の速度しか−６−、、、−、− 得られず、この速度では、′Ｔ Ｌ Ｐ接合可能な被覆
ろう層を形成するのに非常に長時間のス、＜ツタリング
を行なうことが必要で、この点からみて工業的に採用す
るには不可能であると結論されたのである。
本発明者等は、上述のような観点から、×××××ｘを
能率良（ＴＬＰ接合でき、しかも健全な接合部を得る・
ことのできる手段を見出すべく、特にそのろう材に着目
して、マグネトロンスパッタリング装置の速いＸＸＸＸ
ＸＸのＴＬＰ接合用ろう材を得るべく、さらに研究を重
ねた結果、以下（ａ）〜（ｄ）に示す知見を得たのであ
る。すなわち、およびＰを添加した合金からなるろう材
のマグネトロンスパッタリング速度が遅いのは、このろ
う材が磁化されやすく、第１図におけるマグネトロンス
パッタリング装置の磁石Ｓ、Ｎによって容易に磁性体に
なるため、陰電極に形成される°磁場内に電子が閉じ込
められず、したがってろう材構成成分の蒸発が極度に少
なくなるためであること。
能率良（ＴＬＰ接合でき、しかも健全な接合部を得る・
ことのできる手段を見出すべく、特にそのろう材に着目
して、マグネトロンスパッタリング装置の速いＸＸＸＸ
ＸＸのＴＬＰ接合用ろう材を得るべく、さらに研究を重
ねた結果、以下（ａ）〜（ｄ）に示す知見を得たのであ
る。すなわち、およびＰを添加した合金からなるろう材
のマグネトロンスパッタリング速度が遅いのは、このろ
う材が磁化されやすく、第１図におけるマグネトロンス
パッタリング装置の磁石Ｓ、Ｎによって容易に磁性体に
なるため、陰電極に形成される°磁場内に電子が閉じ込
められず、したがってろう材構成成分の蒸発が極度に少
なくなるためであること。
（ｂ） 通常、母材のＸＸＸＸＸＸは磁化されないも
のであるが、これにホウ素（Ｂ）を添加して行くと次第
に磁化されやすくなること。すなわち、一般に、Ｂはろ
う材の融点を低下させるとともに、ろう付は中に°ろう
材から母材へ急速に拡散し、ろう材の融点を再び上昇さ
−せて、ついにはろう層が凝固するという、いわゆる等
温凝固現象を起こさせ、ＴＬＰ接合を行なうための必須
元素であシ、ＴＬＰ接合用ろう材には少なくとも１．５
％以上添加することが望ましいとされ、ているが、ＸＸ
ＸＸＸＸにおいてはＢの添加によってろう材が磁化され
やすくなり、外部磁場により容易に磁性体となる恐れが
生ずること。
のであるが、これにホウ素（Ｂ）を添加して行くと次第
に磁化されやすくなること。すなわち、一般に、Ｂはろ
う材の融点を低下させるとともに、ろう付は中に°ろう
材から母材へ急速に拡散し、ろう材の融点を再び上昇さ
−せて、ついにはろう層が凝固するという、いわゆる等
温凝固現象を起こさせ、ＴＬＰ接合を行なうための必須
元素であシ、ＴＬＰ接合用ろう材には少なくとも１．５
％以上添加することが望ましいとされ、ているが、ＸＸ
ＸＸＸＸにおいてはＢの添加によってろう材が磁化され
やすくなり、外部磁場により容易に磁性体となる恐れが
生ずること。
（Ｃ） 良好なＴ′ＬＰ接合を・行なうためには、φ
う材中のＢ含有量を減らすことは好ましくなく、したが
って、Ｂ含有量を減らす以外の手段でろう材の磁性を除
去しなければ、マグネトロンスパッタリング速度が速く
、しかも接合性の良、好なろう材を得ることができない
こと。
う材中のＢ含有量を減らすことは好ましくなく、したが
って、Ｂ含有量を減らす以外の手段でろう材の磁性を除
去しなければ、マグネトロンスパッタリング速度が速く
、しかも接合性の良、好なろう材を得ることができない
こと。
（ｄ）ＸＸＸＸＸＸの合金組成のものにＢ、Ｓｉ。
およびＰを添加した合金から成るろう材においては、Ｂ
成分の他に、Ｆｅ成分がろづ材の磁化に大きな影響を及
はしておシ、前記ろう材中のＦｅ成分を減ずればろう材
が磁化されにくくなって、スパッタリング速度が増大す
ること。
成分の他に、Ｆｅ成分がろづ材の磁化に大きな影響を及
はしておシ、前記ろう材中のＦｅ成分を減ずればろう材
が磁化されにくくなって、スパッタリング速度が増大す
ること。
したがって、この発明は上記知見にもとづいてなされた
もので、ＴＬＰ接合用ろう材を、ＸＸＸＸＸＸの合金組
成のうちのＦｅ成分量を減じたもの′にＢ、、そしてＳ
ｌおよびＰを添加して構成し、すなわち、 Ｂ：１．５〜４．０チ、 Ｃｒ：１９〜２４％、 Ｃｏ： ０．１〜３．０ ％、 Ｍｏ：’ｉ’〜１１チ、 Ｗ ： ０．１〜１．２％、 Ｃ：０．０５〜１．０チ、 Ｆｅ：１０％以下、 Ｍｎ：１．５％以下、 Ｎｉおよび不可避不純物：残シ、 で構成するか、あるいはさらに、 ゛ −９− ８１およびＰのうちの１種以上：３．５％以下、を含有
せしめて構成し、磁化されにくく、しかも良好な接合部
が得られるようにしたことに特徴を有するものである。
もので、ＴＬＰ接合用ろう材を、ＸＸＸＸＸＸの合金組
成のうちのＦｅ成分量を減じたもの′にＢ、、そしてＳ
ｌおよびＰを添加して構成し、すなわち、 Ｂ：１．５〜４．０チ、 Ｃｒ：１９〜２４％、 Ｃｏ： ０．１〜３．０ ％、 Ｍｏ：’ｉ’〜１１チ、 Ｗ ： ０．１〜１．２％、 Ｃ：０．０５〜１．０チ、 Ｆｅ：１０％以下、 Ｍｎ：１．５％以下、 Ｎｉおよび不可避不純物：残シ、 で構成するか、あるいはさらに、 ゛ −９− ８１およびＰのうちの１種以上：３．５％以下、を含有
せしめて構成し、磁化されにくく、しかも良好な接合部
が得られるようにしたことに特徴を有するものである。
ついで、この発明のろう材の組成成分を上記のとお９に
限定した理由を説明する。
限定した理由を説明する。
（ａ） Ｂ
Ｂ成分には、ろう材の融点を下げ、かつ等温凝固を促進
する作用があるが、その含有量が１．５％未満では前記
作用に所望の効果が得られず、一方４．０チを越えて含
有させると過共晶となって等温凝固を起し難くなること
から、その含有量を１．５〜４．０チと限定した。
する作用があるが、その含有量が１．５％未満では前記
作用に所望の効果が得られず、一方４．０チを越えて含
有させると過共晶となって等温凝固を起し難くなること
から、その含有量を１．５〜４．０チと限定した。
（ｂ） Ｆｅ
Ｆｅ成分は、ｘｘｘｘｘ ｘの構成元素であって、かつ
、接合部の伸びを向上させる作用を有する成分であるが
、その含有量が１０％を越えると、ろう材の磁化が強く
なシ、妄グネトロンスパッｌ’ ＩＪソング困難となる
ことから、その含有量を１０チ以下と限定した。なおＦ
ｅ成分の含有量が低くなっ１０− ても、接合部の伸びは低下するものの、他の特性は何ら
そこなわれることがないので、その含有量の下限値を定
めることをしなかった。
、接合部の伸びを向上させる作用を有する成分であるが
、その含有量が１０％を越えると、ろう材の磁化が強く
なシ、妄グネトロンスパッｌ’ ＩＪソング困難となる
ことから、その含有量を１０チ以下と限定した。なおＦ
ｅ成分の含有量が低くなっ１０− ても、接合部の伸びは低下するものの、他の特性は何ら
そこなわれることがないので、その含有量の下限値を定
めることをしなかった。
（Ｃ） Ｃｒ、 Ｃｏ、 Ｍｏ、 Ｗ、 Ｃ、および
ＭｎＣｒ、 Ｃｏ、 Ｍｏ、 、Ｗ、 Ｃ、およびＭｎ
成分の含有量を、接合部にＸＸＸＸＸＸの特性を維持す
るのに必要な含有量、すなわちｘｘｘｘｘｘの規格組成
範囲たる、Ｃｒ：１９〜２４％、 Ｃｏ： ０．１〜３
．０％、）、１゜： ７〜１１％、Ｗ：０．１〜１．２
％、Ｃ：０．０５〜１．００％、およびＭｎ： １．
５ ％以下に限定した１、（ｄ） ＳｉおよびＰ ＳｌおよびＰ成分には、ろう材の融点を低下させる作用
があるので、Ｂ成分を含有するろう材の融点をさらに低
下させる必要がある場合に添加されるが、その含有量の
総和が３．５チを越えると、ろう材が極端に脆化し、ま
た鋳造欠陥が発生して→グネトロンスパッタリング電極
の加工ができなくなることから、その含有量の総和を３
．５係以下と限定した。
ＭｎＣｒ、 Ｃｏ、 Ｍｏ、 、Ｗ、 Ｃ、およびＭｎ
成分の含有量を、接合部にＸＸＸＸＸＸの特性を維持す
るのに必要な含有量、すなわちｘｘｘｘｘｘの規格組成
範囲たる、Ｃｒ：１９〜２４％、 Ｃｏ： ０．１〜３
．０％、）、１゜： ７〜１１％、Ｗ：０．１〜１．２
％、Ｃ：０．０５〜１．００％、およびＭｎ： １．
５ ％以下に限定した１、（ｄ） ＳｉおよびＰ ＳｌおよびＰ成分には、ろう材の融点を低下させる作用
があるので、Ｂ成分を含有するろう材の融点をさらに低
下させる必要がある場合に添加されるが、その含有量の
総和が３．５チを越えると、ろう材が極端に脆化し、ま
た鋳造欠陥が発生して→グネトロンスパッタリング電極
の加工ができなくなることから、その含有量の総和を３
．５係以下と限定した。
つぎに、この発明のろう材を実施例により比較実施例
まず、通常の真空溶解法によ・り第１表に示される成分
組成をもった溶湯をそれぞれ調製し、イシゴットに鋳造
し、このインゴットを放電加工にょシ直径：１５０ｍｆ
ｉφ×厚さ：８ｍｍの円板電極に成形することによって
本発明ろう材１〜１６および比較ろう材１〜７をそれぞ
れ製造した。なお１、比較ろう材１〜７は、いずれも構
成成分のうちのいす、れかの成分の含有量（第１表に※
印をイ、ｊして表示）がこの発明の成′分組成範囲から
外れた組゛成をもつものである。
組成をもった溶湯をそれぞれ調製し、イシゴットに鋳造
し、このインゴットを放電加工にょシ直径：１５０ｍｆ
ｉφ×厚さ：８ｍｍの円板電極に成形することによって
本発明ろう材１〜１６および比較ろう材１〜７をそれぞ
れ製造した。なお１、比較ろう材１〜７は、いずれも構
成成分のうちのいす、れかの成分の含有量（第１表に※
印をイ、ｊして表示）がこの発明の成′分組成範囲から
外れた組゛成をもつものである。
つぎに、これらのろう材について、スパッタリング速度
およびＴＬＰ接合特性？測定した。
およびＴＬＰ接合特性？測定した。
すなわち、スパツタリ・ング速度の測定は、第１表に示
される成分組成を有するＸＸＸＸＸｘの丸棒（寸法：直
径１０朋φ×長さ５０ｍｍ ）を用意し、この丸棒の一
方端面を１０００番に至るエメリーペーパで研磨し、こ
の研磨面に、放電電流：３Ａ雰囲気二３−Ｘ １０ ｔ
ｏｒｒの圧力のＡｒ、電極間距離二１００ｍｍ、処理時
間 ６０分の条件でマグネトロンスパッタリング処理を
施し、処理後、前記研磨面を被覆したろう材の厚みを顕
微鏡で拡大実測し、毎分尚りのスパッタリング厚みを算
出することにより行なった１゜ また、ＴＴ、Ｐ接合特性の測定は、上記のスパッタリン
グ速度の測定により得られた一方端面がろう材で被覆さ
れたｘｘｘｘｘ！ｘの丸棒を用い・これを第２図（八、
）（ビ示される状態（ｃセットし、カロ執温度：１２５
０℃、加圧力； ０．２ ｋｇ／ｍａ ＋ 雰囲気真空
度、１０ ｔｏｒｒ Ｔ保持時間：２．５ ｍｉｎの
条件でＴＬＰ接合を行ない、引続いて温度：１２００℃
に１０時間保持の拡散熱処理を施し、これより平行部が
６ｕφの寸法をもった引張試験片を切出し、その引張り
特性を測定することによシ行なった。
される成分組成を有するＸＸＸＸＸｘの丸棒（寸法：直
径１０朋φ×長さ５０ｍｍ ）を用意し、この丸棒の一
方端面を１０００番に至るエメリーペーパで研磨し、こ
の研磨面に、放電電流：３Ａ雰囲気二３−Ｘ １０ ｔ
ｏｒｒの圧力のＡｒ、電極間距離二１００ｍｍ、処理時
間 ６０分の条件でマグネトロンスパッタリング処理を
施し、処理後、前記研磨面を被覆したろう材の厚みを顕
微鏡で拡大実測し、毎分尚りのスパッタリング厚みを算
出することにより行なった１゜ また、ＴＴ、Ｐ接合特性の測定は、上記のスパッタリン
グ速度の測定により得られた一方端面がろう材で被覆さ
れたｘｘｘｘｘ！ｘの丸棒を用い・これを第２図（八、
）（ビ示される状態（ｃセットし、カロ執温度：１２５
０℃、加圧力； ０．２ ｋｇ／ｍａ ＋ 雰囲気真空
度、１０ ｔｏｒｒ Ｔ保持時間：２．５ ｍｉｎの
条件でＴＬＰ接合を行ない、引続いて温度：１２００℃
に１０時間保持の拡散熱処理を施し、これより平行部が
６ｕφの寸法をもった引張試験片を切出し、その引張り
特性を測定することによシ行なった。
これらの測定結果をろう材の融点と共に第１表に併せて
示した。
示した。
なお、上記の引張試験に際し、融点が１３００℃以上の
ろう材を用いた場合には接合部で破断したが、その他の
融点が１３００℃以下のろう材を用いた場合にはいずれ
も母材で破断した。
ろう材を用いた場合には接合部で破断したが、その他の
融点が１３００℃以下のろう材を用いた場合にはいずれ
も母材で破断した。
第１表に示される結果から、本発明るう材１〜１６を用
いた場合には、いずれもすぐれた接合相性が得られるの
に対して、成分組成がこの発明の範囲から外れたろう材
を用いた場合には、比較ろう材１〜′７に見られるよう
に良好な接合特性を得ることはできないことが明らかで
ある１、上述のように、この発明のろう材によれば、×
。
いた場合には、いずれもすぐれた接合相性が得られるの
に対して、成分組成がこの発明の範囲から外れたろう材
を用いた場合には、比較ろう材１〜′７に見られるよう
に良好な接合特性を得ることはできないことが明らかで
ある１、上述のように、この発明のろう材によれば、×
。
ＸＸＸＸＸを、作業能率良く、かつ確実強固に’Ｉ’
Ｌ Ｐ接合することができるのである。
Ｌ Ｐ接合することができるのである。
第１図はマグネトロンスパッタリングの実施装置を示す
概略図、第２図（Ａ）および（Ｂ）はＴ’、ＬＰ接合態
様を示す図である。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １） 和 夫
概略図、第２図（Ａ）および（Ｂ）はＴ’、ＬＰ接合態
様を示す図である。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １） 和 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （、ｌ） Ｂ： １．５〜４．０％、Ｃ’ｒ： １９
〜２４％、 Ｃｏ ： ０．１〜３．０ ％、 ＭＯ＝＋７〜１１チ、 Ｗ ： ０．１〜１．２％、 Ｃ：０．０５〜１．０チ、 Ｆｅ：１０チ以下、 Ｍｎ：１．５チ以下、 Ｎ１および不可避不純物：残り、 （以上重量％）からなる組成を有することを特徴とする
ｘｘｘｘｘｘの一時的液相接合用ろう材。 （２） Ｂ ： １．５〜４．０チ、Ｃｒ：１９〜２
４ ％、 １− Ｃｏ： ０．１〜３．０ ％ 、 Ｍｏ： マ〜１１％、 Ｗ ： ０．１〜１．２ チ、 Ｃ： ０．０ ５〜１．０（＋。 Ｆｅ：１０チ以下、 Ｍｎ：１．５％以下、 を含有するとともに、さらに、 ８ｉおよびＰのうちのｌ ｆＩ ）’を上：３．５％以
下、を含有し、 、 Ｎ１および不可避不純物：残シ、 （以上重量％）からなる組成を有することを特徴とする
ｘｘｘｘｘｘの一時的液相接合用ろう材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11310881A JPS5816794A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｍｏ系合金の一時的液相接合用ろう材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11310881A JPS5816794A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｍｏ系合金の一時的液相接合用ろう材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816794A true JPS5816794A (ja) | 1983-01-31 |
| JPS6134917B2 JPS6134917B2 (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=14603695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11310881A Granted JPS5816794A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｍｏ系合金の一時的液相接合用ろう材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816794A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501700A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-13 | ヴァキュームシュメルツェ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | ニッケル基ろう付け箔及びろう付け方法 |
| CN105598543A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-05-25 | 中国科学院金属研究所 | 一种镍基高温合金或不锈钢连接用含硅硼的中间层合金及其应用 |
| CN107824995A (zh) * | 2017-09-12 | 2018-03-23 | 青岛理工大学 | 一种应用于含铝的氧化物弥散强化铁素体／马氏体钢的焊接方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2617516A4 (en) * | 2010-09-13 | 2016-11-16 | Fukuda Metal Foil Powder | CORROSION-RESISTANT CHLORINE ACIDITY ALLOY ON NICKEL BASE FOR SOLDERING |
| KR102631866B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2024-01-30 | 한국전기연구원 | 전극, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 슈퍼커패시터 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP11310881A patent/JPS5816794A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501700A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-13 | ヴァキュームシュメルツェ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | ニッケル基ろう付け箔及びろう付け方法 |
| US9757810B2 (en) | 2007-10-15 | 2017-09-12 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Nickel-based brazing foil and process for brazing |
| CN105598543A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-05-25 | 中国科学院金属研究所 | 一种镍基高温合金或不锈钢连接用含硅硼的中间层合金及其应用 |
| CN105598543B (zh) * | 2016-03-25 | 2018-01-02 | 中国科学院金属研究所 | 一种镍基高温合金或不锈钢连接用含硅硼的中间层合金及其应用 |
| CN107824995A (zh) * | 2017-09-12 | 2018-03-23 | 青岛理工大学 | 一种应用于含铝的氧化物弥散强化铁素体／马氏体钢的焊接方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6134917B2 (ja) | 1986-08-09 |
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