JPS58168003A - 金属コ−ト光フアイバとその製造方法 - Google Patents
金属コ−ト光フアイバとその製造方法Info
- Publication number
- JPS58168003A JPS58168003A JP57051786A JP5178682A JPS58168003A JP S58168003 A JPS58168003 A JP S58168003A JP 57051786 A JP57051786 A JP 57051786A JP 5178682 A JP5178682 A JP 5178682A JP S58168003 A JPS58168003 A JP S58168003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- single crystal
- metal
- region
- polycrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
- C03C25/1063—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、石英系材料の光ファイ／々上に金属コーテ
ィングを設は友金属コート光ファイバとその製造方法に
関する。
ィングを設は友金属コート光ファイバとその製造方法に
関する。
金属コート光ファイツクは高温あるいは低温における特
性が良好であることから耐環境性光ファイノ＋として、
ある゛いはセンサ月光ファイ・肴トして用いられずいる
。従来の金属コート光ファイバは全てコーティング金属
として多結晶あるいはアモルファス状態の金属を用いて
いる。ところが多結晶あるいはナモルファス状態の金属
は製造が容易であり生長′蓮鹸が大”きらという利点を
持つ反面、単結晶金属に比べて構造が緻密でなく、強度
及び耐水性の点で劣るものである。
性が良好であることから耐環境性光ファイノ＋として、
ある゛いはセンサ月光ファイ・肴トして用いられずいる
。従来の金属コート光ファイバは全てコーティング金属
として多結晶あるいはアモルファス状態の金属を用いて
いる。ところが多結晶あるいはナモルファス状態の金属
は製造が容易であり生長′蓮鹸が大”きらという利点を
持つ反面、単結晶金属に比べて構造が緻密でなく、強度
及び耐水性の点で劣るものである。
ところが、この金属コーティングは光ファイバの紡糸と
同時に行なう必要があシ、単結晶金属は光ファイ・青の
紡糸速度に比べると遅い丸め、単結晶金属をコーティン
グすることは極めて難しい。
同時に行なう必要があシ、単結晶金属は光ファイ・青の
紡糸速度に比べると遅い丸め、単結晶金属をコーティン
グすることは極めて難しい。
”本発明は上記に鑑み、構造が緻密で強度及び耐水性の
点で優れ九単結晶金属層のコーティングを有する金属コ
ート光ファイバを提供するとともに、この金属コート光
ファイノ々を製造する方法を提供することを目的とする
。
点で優れ九単結晶金属層のコーティングを有する金属コ
ート光ファイバを提供するとともに、この金属コート光
ファイノ々を製造する方法を提供することを目的とする
。
以下、本発明の一実施例につ−て図面を参照しながら説
明する。まず第１図Ａに示すような石英系材料の光７ア
イ；Ｉｌｌを紡糸し、この−系と同時に多結晶あるいは
アモルファス状態の金属層、例えばポリシリコン層１２
をＣＶＤ法（化学気相堆積法）、ディップ法、蒸着法等
により第１図ＢＫ示すように付着させる。次にこのｌリ
シリコン層１２を融解して単結晶化させ、第１図Ｃに示
すように単結晶シリコン層１３とする。融解させる丸め
のスポット熱源としては連続発振のアルゴンレーデある
いはノ譬ルス発振のルビーレーデ等のレーデを用いるこ
とができる。そしてこのレーデによるアニール方法で多
結晶を単結晶化するには、例えばある一点から結晶を生
長させて単結晶化し帯状の単結晶領域を作る。次に残り
の多結晶領域を融解し単結晶領域を拡大して全体を単結
晶化するのである。
明する。まず第１図Ａに示すような石英系材料の光７ア
イ；Ｉｌｌを紡糸し、この−系と同時に多結晶あるいは
アモルファス状態の金属層、例えばポリシリコン層１２
をＣＶＤ法（化学気相堆積法）、ディップ法、蒸着法等
により第１図ＢＫ示すように付着させる。次にこのｌリ
シリコン層１２を融解して単結晶化させ、第１図Ｃに示
すように単結晶シリコン層１３とする。融解させる丸め
のスポット熱源としては連続発振のアルゴンレーデある
いはノ譬ルス発振のルビーレーデ等のレーデを用いるこ
とができる。そしてこのレーデによるアニール方法で多
結晶を単結晶化するには、例えばある一点から結晶を生
長させて単結晶化し帯状の単結晶領域を作る。次に残り
の多結晶領域を融解し単結晶領域を拡大して全体を単結
晶化するのである。
用いる金属は上記のシリコンのほか用途、使用環境条件
等によ）単結晶質になりやすい金属の中から、例えばＧ
ｅ 、 ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ勢を選ぶことができる。
等によ）単結晶質になりやすい金属の中から、例えばＧ
ｅ 、 ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ勢を選ぶことができる。
表お、光ファイバと単結晶金属層との間にシリコンナイ
トライド（Ｓｉ３Ｎ４ ）層を設けることもできる。こ
うするとシリコンナイトライド層は光ファイバと接触性
が良好であ〉、単結晶を生長させやすいので好ましい。
トライド（Ｓｉ３Ｎ４ ）層を設けることもできる。こ
うするとシリコンナイトライド層は光ファイバと接触性
が良好であ〉、単結晶を生長させやすいので好ましい。
すなわち第２図Ａ＃ Ｂ＃ＣｅＤＫ示ｔ！５に１１ずＣ
ＶＤ法！法理蒸着法よシリコンナイトライト層１４を付
着したのち、ＣＶＤ法や蒸着法等によシ４リシリコン層
１２を付着し、その後上記と同様にレーデアニール等に
よりＩリシリコン層１２を単結晶シリコン層１３とする
のである。
ＶＤ法！法理蒸着法よシリコンナイトライト層１４を付
着したのち、ＣＶＤ法や蒸着法等によシ４リシリコン層
１２を付着し、その後上記と同様にレーデアニール等に
よりＩリシリコン層１２を単結晶シリコン層１３とする
のである。
次に第１の具体例について説明する。まず直径１２５μ
禦の光ファイバを紡糸速度６６ ｇ／ｍで紡糸すると一
時にＣＶＤ法によシ４リシリコン層を付着させ友。この
ＣＶＤ法は、７００℃に加熱した炉中に８ｉＨ４を２２
０ｃＣ／■、Ｈ２を５０００ｃｃ／−で送り込み、この
炉の中に光ファイバを通すことによ）行なわれ、これＫ
より第３図に示すような光フアイバ２１上に厚さ０．５
μ馬のＩリシリコン層２２が付着した外径１２６μ隅の
コートファイ・櫂が得られた０次にこのコートファイバ
をレーザアニールする。第３図に示すように、２台のア
ルゴンレーデ３．３をコートファイバに対し６０°の角
度に配置し、レーデビームを集光レン、ズ４，４によ）
直径６０ ｓｍ程度に集光する。この状態でコートファ
イバを３０ｗ＊／−の速度で通過させ友。上記のように
レーデ３，３を配置することによりＩリシリコン層２２
上での周方向の温ｆす布は第４図のように中心部が−低
く周辺部が高いものとなる。そのため結晶化が温度の低
い中心部から周辺部−向１′ かう丸め、第５図に示すように単結晶領域２３が帯状に
形成される０次にミラー等を用い前回のアニールとは反
対の方向よりレーデビームを照射して多結晶領域のぼり
シリコン層２２を融解し、前回のアニールによシできた
帯状単結晶領域２３と架橋しくブリッジングエピタキシ
）、残シのｌリシリコン層２２の全領域を単結晶化させ
る。
禦の光ファイバを紡糸速度６６ ｇ／ｍで紡糸すると一
時にＣＶＤ法によシ４リシリコン層を付着させ友。この
ＣＶＤ法は、７００℃に加熱した炉中に８ｉＨ４を２２
０ｃＣ／■、Ｈ２を５０００ｃｃ／−で送り込み、この
炉の中に光ファイバを通すことによ）行なわれ、これＫ
より第３図に示すような光フアイバ２１上に厚さ０．５
μ馬のＩリシリコン層２２が付着した外径１２６μ隅の
コートファイ・櫂が得られた０次にこのコートファイバ
をレーザアニールする。第３図に示すように、２台のア
ルゴンレーデ３．３をコートファイバに対し６０°の角
度に配置し、レーデビームを集光レン、ズ４，４によ）
直径６０ ｓｍ程度に集光する。この状態でコートファ
イバを３０ｗ＊／−の速度で通過させ友。上記のように
レーデ３，３を配置することによりＩリシリコン層２２
上での周方向の温ｆす布は第４図のように中心部が−低
く周辺部が高いものとなる。そのため結晶化が温度の低
い中心部から周辺部−向１′ かう丸め、第５図に示すように単結晶領域２３が帯状に
形成される０次にミラー等を用い前回のアニールとは反
対の方向よりレーデビームを照射して多結晶領域のぼり
シリコン層２２を融解し、前回のアニールによシできた
帯状単結晶領域２３と架橋しくブリッジングエピタキシ
）、残シのｌリシリコン層２２の全領域を単結晶化させ
る。
次に第？の具体例について説明する。ここではまず直径
４２５μ讃の光ファイバを３０ ｖｍ／―の速度で紡糸
し、この紡糸中に光ファイづ上ＫＳｉ３Ｎ４層を１μ溝
の厚さに形成３した。この８ｉ３Ｎ４層の形成はＣＶＤ
法により９００℃に加熱した炉中に８ｉＨ４を１３０ｅ
ｃ／−、ＮＨ３を２５０ｃｔ／−。
４２５μ讃の光ファイバを３０ ｖｍ／―の速度で紡糸
し、この紡糸中に光ファイづ上ＫＳｉ３Ｎ４層を１μ溝
の厚さに形成３した。この８ｉ３Ｎ４層の形成はＣＶＤ
法により９００℃に加熱した炉中に８ｉＨ４を１３０ｅ
ｃ／−、ＮＨ３を２５０ｃｔ／−。
Ｈ２を５００ ｃｃ／ｍ 、 Ｎ２を１８０−Ｏｃｃ／
―で送り込み、この炉の中に光ファイ・ｉを通過４させ
て行なった。こうして外径が１２７μ−のコートファイ
、ノ々を得て、次に仁、のコートファイノ考に厚さ０．
５μ寓のポリシリコン層を形成した。この４リシリコン
層の形成は、ＣＶＤ法により８ｉＨ４を１１０ＣＣ／−
ｂ 、 Ｑ２を５０００ば／―で送り温度を７００℃と
する条件で行なり九、このポリシリコイ層を次に前記と
同様に単結晶化した。前記第１の具体例で示したと同じ
装置を用い、同じ条件でまず帯状の単結晶領域を形成し
、次に全領域を単結晶化し九。
―で送り込み、この炉の中に光ファイ・ｉを通過４させ
て行なった。こうして外径が１２７μ−のコートファイ
、ノ々を得て、次に仁、のコートファイノ考に厚さ０．
５μ寓のポリシリコン層を形成した。この４リシリコン
層の形成は、ＣＶＤ法により８ｉＨ４を１１０ＣＣ／−
ｂ 、 Ｑ２を５０００ば／―で送り温度を７００℃と
する条件で行なり九、このポリシリコイ層を次に前記と
同様に単結晶化した。前記第１の具体例で示したと同じ
装置を用い、同じ条件でまず帯状の単結晶領域を形成し
、次に全領域を単結晶化し九。
第１図Ａ、Ｂ、Ｃは本発明の第１の実施例の各工程を木
す断面図、第２図Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄは第２の実施ｆ！ｊの
各工程を示す断面図、第３図は具体例のレーデアニール
を説明するための模式的な斜視図、第４図は温度分布を
示すグラフ、第５図は具体例の１工程を示す丸めの模式
的な斜視図である。 ｎ、２１・・・光ファイノ量 １２．２２・・・プリシリコン層 １３．２３・・・単結晶シリコン層 １４・・・シリコンナイトライド層 ３・・・レーデ ４・・・集光レンズ出願人
藤倉電線株式会社 算２自 答３回 １＃５謂
す断面図、第２図Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄは第２の実施ｆ！ｊの
各工程を示す断面図、第３図は具体例のレーデアニール
を説明するための模式的な斜視図、第４図は温度分布を
示すグラフ、第５図は具体例の１工程を示す丸めの模式
的な斜視図である。 ｎ、２１・・・光ファイノ量 １２．２２・・・プリシリコン層 １３．２３・・・単結晶シリコン層 １４・・・シリコンナイトライド層 ３・・・レーデ ４・・・集光レンズ出願人
藤倉電線株式会社 算２自 答３回 １＃５謂
Claims (2)
- （１） 中心部の石英系材料の光ファイバと、この光
ファイバを覆う単結晶金属層とからなる金属コート光フ
ァイバ。 - （２）石英系光フアイバ上に多結晶あるいはアモルファ
ス状態の金属あるいは金属化合物を付着させ、次にこの
金属あるいは金属化合物を単結晶化して単結晶金属層を
形成するようにした金属コート光ファイ・譬の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051786A JPS58168003A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 金属コ−ト光フアイバとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051786A JPS58168003A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 金属コ−ト光フアイバとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168003A true JPS58168003A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12896622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051786A Pending JPS58168003A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 金属コ−ト光フアイバとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812150A (en) * | 1983-12-06 | 1989-03-14 | Standard Telephones And Cables, Plc | Metallic-glass coated optical fibres |
| WO2023001138A1 (zh) * | 2021-07-19 | 2023-01-26 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 一种用于制备单晶包层的方法及装置 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57051786A patent/JPS58168003A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812150A (en) * | 1983-12-06 | 1989-03-14 | Standard Telephones And Cables, Plc | Metallic-glass coated optical fibres |
| WO2023001138A1 (zh) * | 2021-07-19 | 2023-01-26 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 一种用于制备单晶包层的方法及装置 |
| JP2024525922A (ja) * | 2021-07-19 | 2024-07-12 | 眉山博雅新材料股▲ふん▼有限公司 | 単結晶クラッド層を調製するための方法および装置 |
| EP4361114A4 (en) * | 2021-07-19 | 2024-10-30 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Method and apparatus for preparing single crystal cladding |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60141650A (ja) | 光フアイバの被覆方法 | |
| US4027053A (en) | Method of producing polycrystalline silicon ribbon | |
| JPS58168003A (ja) | 金属コ−ト光フアイバとその製造方法 | |
| US4554203A (en) | Method for manufacturing large surface silicon crystal bodies for solar cells, and bodies so produced | |
| JPS605233B2 (ja) | 高融点化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH04104988A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP2951250B2 (ja) | 凹凸電極の製造方法 | |
| JPS6119116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4008102A (en) | Method of the manufacture of a superconductor with a layer of the A-15 phase of the system Nb-Al-Si | |
| JPS58116722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0640750A (ja) | ハーメチックコート光ファイバの製造装置 | |
| JPH0134939B2 (ja) | ||
| JPS60233818A (ja) | 太陽電池用シリコン結晶体の製造方法 | |
| KR20230072882A (ko) | 탄소섬유로부터 결정성 실리콘 카바이드 섬유를 제조하는 방법 | |
| JP2856533B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPS58120543A (ja) | メタルコ−トフアイバの製造方法 | |
| JP3115145B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2692732B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPS60213018A (ja) | 半導体基板 | |
| JPS63315587A (ja) | 単結晶薄膜形成方法 | |
| JPS5938189B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS63310516A (ja) | 超電導ファイバ−の製造方法 | |
| JPH0675021B2 (ja) | Ｘ線透視法による融液の対流可視化用トレーサ | |
| JPS5839011A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS597649B2 (ja) | 光フアイバ素材の製造方法 |