JPS58169985A - 半導体レ−ザの光出力安定化装置 - Google Patents
半導体レ−ザの光出力安定化装置Info
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- JPS58169985A JPS58169985A JP58000756A JP75683A JPS58169985A JP S58169985 A JPS58169985 A JP S58169985A JP 58000756 A JP58000756 A JP 58000756A JP 75683 A JP75683 A JP 75683A JP S58169985 A JPS58169985 A JP S58169985A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、安定化古れ次光出力を発するレーザダイオー
ドに係わる。発せられた出力の一部は光検出器によって
受容され、この検出器の信号はレーザ出力を制御するの
に用いられる。
ドに係わる。発せられた出力の一部は光検出器によって
受容され、この検出器の信号はレーザ出力を制御するの
に用いられる。
安定化された半導体レーザは特に、光学ディスクの書込
み及び読取シに使用される。この適用のためＫは、出力
は少なくとも１チの変動にまで安定化されなければなら
ない。
み及び読取シに使用される。この適用のためＫは、出力
は少なくとも１チの変動にまで安定化されなければなら
ない。
制御用の出力をレーザ結晶体の背ｆｆｉ＋から得、光検
出器をこの制御ＡＩビーム内に配置することが公知であ
る。
出器をこの制御ＡＩビーム内に配置することが公知であ
る。
この方法の短Ｆ９ｒは、背面から得られる出力の僅かな
部分しか光検出器によって受容されず、このことが、前
面から発せられる出力を制御すること乃全制御下に置く
ことを困難にする点である。更にこのような方法の製電
では、寄生光（ｐａｒｉｓｉｔｅｌｉｇｈｔ）が光検出
器へ差込んで制御を妨害する恐れがある。
部分しか光検出器によって受容されず、このことが、前
面から発せられる出力を制御すること乃全制御下に置く
ことを困難にする点である。更にこのような方法の製電
では、寄生光（ｐａｒｉｓｉｔｅｌｉｇｈｔ）が光検出
器へ差込んで制御を妨害する恐れがある。
簡潔に述べると本発明は、半導体レーザの出力光力を安
定化する装置であって、レーザはその前面を介して有効
出力を、背面を介して制御出力を発しておシ、この制御
出力は光検出器によって受容され、光検出器Ｏ電気信号
はレーザダイオードへの給電を制御する回路に与えられ
ておシ、レーザ結晶体の背面を介して発せられる制御出
力は光案内路へ進入し、この案内路を出た出力は光検出
器によって受容される安定化装置である。
定化する装置であって、レーザはその前面を介して有効
出力を、背面を介して制御出力を発しておシ、この制御
出力は光検出器によって受容され、光検出器Ｏ電気信号
はレーザダイオードへの給電を制御する回路に与えられ
ておシ、レーザ結晶体の背面を介して発せられる制御出
力は光案内路へ進入し、この案内路を出た出力は光検出
器によって受容される安定化装置である。
本発明の他の特徴及び利点を、添付図面を参照して以下
に詳述する。
に詳述する。
＃！１図に、半導体レーザを安厄化する公知の製電を示
す。Ｇａ−Ａｊ−Ａｓ ４たｔｉＧａ Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ
を基体とする結晶体１が有効−口角への光出力を、接合
部から前面を介して提供する。
す。Ｇａ−Ａｊ−Ａｓ ４たｔｉＧａ Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ
を基体とする結晶体１が有効−口角への光出力を、接合
部から前面を介して提供する。
結晶体１は通常、銅金輌ブロック３を含む熱消散用の基
台Ｋｓｌ接される。結晶体の前面は、熱消散用基台と数
きクロン以内の位置合わせで配置されなければならない
。この正確度は、光出力が最適に発せられ得、また接合
部が冷却され得るために必要とされる。シリコン基板２
がしばしは、結晶体ｌと銅ブロックの間に配置される。
台Ｋｓｌ接される。結晶体の前面は、熱消散用基台と数
きクロン以内の位置合わせで配置されなければならない
。この正確度は、光出力が最適に発せられ得、また接合
部が冷却され得るために必要とされる。シリコン基板２
がしばしは、結晶体ｌと銅ブロックの間に配置される。
制御用の光出力は背面ｆ１から得られ、光検出器５に受
容される。
容される。
結晶体ｌ、冷却ブロック３及びホトダイオード５は、窓
６によって閉じられたケース７の中に設置される。この
アセンプリはレーザヘッドと称される。
６によって閉じられたケース７の中に設置される。この
アセンプリはレーザヘッドと称される。
電圧が、結１１ｔ、ｔによって結晶体のｌｉｉ ｍ Ｃ
ｔに、また鋼ブロツク３内に溶融接続された結線りによ
って結晶体底部に与えられる。
ｔに、また鋼ブロツク３内に溶融接続された結線りによ
って結晶体底部に与えられる。
第１図に電気供給が示され、この供給を制御する信号に
は、結線り、及び―を介してもたらされる光検出器から
の電流が用いられる、 光検出器は小さい開口角θを有するビームしか遮らず、
従って−に比べて大角度である有効開口θ１に尋しい開
口については安定化Ｆｉ得られない。
は、結線り、及び―を介してもたらされる光検出器から
の電流が用いられる、 光検出器は小さい開口角θを有するビームしか遮らず、
従って−に比べて大角度である有効開口θ１に尋しい開
口については安定化Ｆｉ得られない。
館１図では、背面を通過して発せられるビームの開口θ
１が光線Ｒ３及び光１１Ｒａによって図の平面内に限定
されて示され、光線鳥は更にシリコン上で反射される。
１が光線Ｒ３及び光１１Ｒａによって図の平面内に限定
されて示され、光線鳥は更にシリコン上で反射される。
★えＲ１のような、窓６を透過してくる寄生光の光線が
上記の光検出器５によって受容される恐れがある。
上記の光検出器５によって受容される恐れがある。
本発明によれば、制御用の光出力は光検出器５へ光案内
路によって伝搬される。
路によって伝搬される。
第２図は受光のための改良を示し、この改＾とは光を光
検出器５へ案内するために、光ファイバＦを支持＠２３
１上に配置することである。
検出器５へ案内するために、光ファイバＦを支持＠２３
１上に配置することである。
第３図は本発明による案内デバイスを示し、案内路Ｇは
シリコン部品と他の、装筐しくはやはシリコン基板 案内路の、結晶体１の背面４との間隔ｄ＃′ｉ、案内路
の口径が有効開口へと同一となるようなものである。光
検出器５へと案内される光線の最も外＠０２本４及びＲ
１を図示した。
シリコン部品と他の、装筐しくはやはシリコン基板 案内路の、結晶体１の背面４との間隔ｄ＃′ｉ、案内路
の口径が有効開口へと同一となるようなものである。光
検出器５へと案内される光線の最も外＠０２本４及びＲ
１を図示した。
菖４図は案内路Ｇ、Ｃ）横断面を示し、この図において
部品２２は酸によってエツチングされている。
部品２２は酸によってエツチングされている。
結晶体の平面に沿って装管しくエツチングすることによ
り台形の横断面を有する溝が得られるが、三角形など他
の形状の横断面も許容されｐする。
り台形の横断面を有する溝が得られるが、三角形など他
の形状の横断面も許容されｐする。
本発明の変形例によれば、案内路Ｇ、がん品２及び３２
をエツチングするととによって形成され、２個の溝が合
体されて案内路を形成する（第５図）ａｔに、ここに述
べた半導体レーザの有効出力を制御する装置では、制御
出力はその全部がｋｉ用されるので小さくともよい。こ
の結果、先行技術の装置によるよシも良好に制御された
前面からの有効出力が得られる。背面ｆ、からの、制御
にｌ・要な出力は、該背面上に反射層を配置することＫ
よって更に減小され得、この層の反射によって前面から
の有効出力は、その全部が活用されるために増大する。
をエツチングするととによって形成され、２個の溝が合
体されて案内路を形成する（第５図）ａｔに、ここに述
べた半導体レーザの有効出力を制御する装置では、制御
出力はその全部がｋｉ用されるので小さくともよい。こ
の結果、先行技術の装置によるよシも良好に制御された
前面からの有効出力が得られる。背面ｆ、からの、制御
にｌ・要な出力は、該背面上に反射層を配置することＫ
よって更に減小され得、この層の反射によって前面から
の有効出力は、その全部が活用されるために増大する。
第１図は先行技術の安定化装置の説明図、第２図は光フ
ァイバを具備した安定化装置の歌明しＩ、＃３図は本発
ｌｌ１４による、光案内路を含む安定化装置の説明図、
第４図及び第５図ね案内路の形状を示す横断面図である
。 ｌ・・・結 晶 体、 ２・・・シリコン基板、３・・
・銅ブロック、 ５・・・テ１検出器、６・・・ 窓
、 ７・・・り − ス、２２ 、３２・・・部
品、 ２３・・・預 持 部。 −■−続ン會ｎ ｒＴ−出（／ｉ式） 特許庁長官若杉和夫殿 １、事ｆ１の表示 昭、和５８ｆ＃特許願第７５６
号２、Ｒ明の名称 半導体レーザの光出力安定化装
置３、補１をヴる占 小作との関係 特許出願人 名 称 トムソンーセＪス１．ノ４、代 球 人
東京都新宿区斬宿１−「［］１番１４号 ＋１１
１ＩＪビルξ〕、補＋１指令の１」旬 昭和５８イ
Ｉ４月６ ｆ−ＪＺ３．補皇トの内容 添附図面中
、第１〜第３図を別紙の通り補１ζる。（内容に変更な
し）
ァイバを具備した安定化装置の歌明しＩ、＃３図は本発
ｌｌ１４による、光案内路を含む安定化装置の説明図、
第４図及び第５図ね案内路の形状を示す横断面図である
。 ｌ・・・結 晶 体、 ２・・・シリコン基板、３・・
・銅ブロック、 ５・・・テ１検出器、６・・・ 窓
、 ７・・・り − ス、２２ 、３２・・・部
品、 ２３・・・預 持 部。 −■−続ン會ｎ ｒＴ−出（／ｉ式） 特許庁長官若杉和夫殿 １、事ｆ１の表示 昭、和５８ｆ＃特許願第７５６
号２、Ｒ明の名称 半導体レーザの光出力安定化装
置３、補１をヴる占 小作との関係 特許出願人 名 称 トムソンーセＪス１．ノ４、代 球 人
東京都新宿区斬宿１−「［］１番１４号 ＋１１
１ＩＪビルξ〕、補＋１指令の１」旬 昭和５８イ
Ｉ４月６ ｆ−ＪＺ３．補皇トの内容 添附図面中
、第１〜第３図を別紙の通り補１ζる。（内容に変更な
し）
Claims (6)
- （１）半導体レーザの出力光力を安定化する装置におい
て、レーザはその前面を介して有効出力を、背面を介し
て光検出器によって受容される制御出力を発しておシ、
光検出器の電、気信号はレーザダイオードへの給電を制
御する回路に与えられておシ、レーザ結晶体の背面を介
して発せられる制御出力は光案内路へ進入し、この案内
路を離れた出力は光検出器によって受容されることを特
徴とする安定化装置。 - （２）溝を具備した部品がレーザダイオードを担持する
支持部に取付ゆられ、光はし溝内を案内されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載Ｏ装置。 - （３） レーザダイオード用の支持プレートもｔ丸溝
を有し、２−の溝が光案内路を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項に記載の装置。 - （４）溝を有する部品が結晶材料から形成され、溝は＾
兄フ令七ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項
またはｔＩＮ３項に記載の装置。 - （５） 溝を有する部品がシリコンから形成されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の装置。 - （６）光が光検出器へと光７アイパによって案内される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8200235 | 1982-01-08 | ||
| FR8200235A FR2519813B1 (fr) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Dispositif de stabilisation de la puissance optique d'un laser semi-conducteur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169985A true JPS58169985A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=9269827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58000756A Pending JPS58169985A (ja) | 1982-01-08 | 1983-01-06 | 半導体レ−ザの光出力安定化装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0084003A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58169985A (ja) |
| FR (1) | FR2519813B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128661U (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-14 | ||
| JPH0323959U (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-12 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2550023B1 (fr) * | 1983-07-25 | 1987-03-27 | Auffret Rene | Source lumineuse infrarouge comprenant un laser a semiconducteur associe a des moyens de selection de mode et d'asservissement en puissance |
| DE3442188A1 (de) * | 1984-11-17 | 1986-05-28 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Anordnung zum stabilisieren und regeln eines halbleiterlasers |
| JPS61134097A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-21 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
| GB9221105D0 (en) * | 1992-10-07 | 1992-11-18 | Diomed Ltd | Laser diode assembly |
| DE4313492C1 (de) * | 1993-04-24 | 1994-07-21 | Ant Nachrichtentech | Anordnung zur Ankopplung eines optoelektronischen Empfangselementes an ein optoelektronisches Sendeelement |
| GB9923823D0 (en) | 1999-10-09 | 1999-12-08 | Lucas Industries Ltd | Fuel injector |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2931526C2 (de) * | 1979-08-03 | 1984-02-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur Intensitätsregelung einer von einem Halbleiter-Laser emittierten Strahlung |
-
1982
- 1982-01-08 FR FR8200235A patent/FR2519813B1/fr not_active Expired
-
1983
- 1983-01-04 EP EP83400018A patent/EP0084003A3/fr not_active Withdrawn
- 1983-01-06 JP JP58000756A patent/JPS58169985A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128661U (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-14 | ||
| JPH0323959U (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0084003A2 (fr) | 1983-07-20 |
| FR2519813B1 (fr) | 1986-01-17 |
| EP0084003A3 (fr) | 1983-08-17 |
| FR2519813A1 (fr) | 1983-07-18 |
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