JPS58170220A - 光電式検出センサ - Google Patents
光電式検出センサInfo
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- JPS58170220A JPS58170220A JP5117582A JP5117582A JPS58170220A JP S58170220 A JPS58170220 A JP S58170220A JP 5117582 A JP5117582 A JP 5117582A JP 5117582 A JP5117582 A JP 5117582A JP S58170220 A JPS58170220 A JP S58170220A
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- Japan
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- detection sensor
- photoelectric detection
- light emitting
- emitting diode
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000004397 blinking Effects 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、機械的な変位を検出して電気量に変換する
光電式検出センサの省電力化に関するものである。
光電式検出センサの省電力化に関するものである。
計欄器、工作機械等では、機械的な直線変位。
あるいは回転変位の検出に光電式検出センサが多用され
ている。
ている。
１１１１１Ｉは従来用いられている光１式検出センサの
原ｍ図を示すもので、１は光源用の発光ダイオード、２
は前記発光ダイオード１に流れる電流を決める抵抗器、
３は受光用のフォトトランジスタ、４は前記フォトトラ
ンジスタ３の電ａＶ決める抵抗器、５は前記発光ダイオ
ード１と、フォトトランジスタ３との間に設けられ、そ
の光路を開閉するスリット５ａが設けである格子である
。
原ｍ図を示すもので、１は光源用の発光ダイオード、２
は前記発光ダイオード１に流れる電流を決める抵抗器、
３は受光用のフォトトランジスタ、４は前記フォトトラ
ンジスタ３の電ａＶ決める抵抗器、５は前記発光ダイオ
ード１と、フォトトランジスタ３との間に設けられ、そ
の光路を開閉するスリット５ａが設けである格子である
。
第１Ｉｌｌの構成からなる光電式検出セ／すは、計橢器
、又は工作機械（ＩＩ示せず）等の機械的変位を格子Ｓ
に伝えることによって、発光ダイオード１から放出され
る光路を開閉し、フォトトランジスタ３の光電流を格子
５の機械的変位に対応し℃変化させるもので、抵抗器４
の両端から機械的変位を電気量に変換した出力電圧が検
出される。
、又は工作機械（ＩＩ示せず）等の機械的変位を格子Ｓ
に伝えることによって、発光ダイオード１から放出され
る光路を開閉し、フォトトランジスタ３の光電流を格子
５の機械的変位に対応し℃変化させるもので、抵抗器４
の両端から機械的変位を電気量に変換した出力電圧が検
出される。
しかし、このような光電式検出センサでは、機械的変位
を検出するために、光源を常時点灯させておかなければ
ならず、消費電力が大きいという欠点があった。特に、
電池駆動の計ｌｌｌ１器にこのような光電式検出センサ
を採用すると消費電力が大きいという欠点は大きな問題
となる。
を検出するために、光源を常時点灯させておかなければ
ならず、消費電力が大きいという欠点があった。特に、
電池駆動の計ｌｌｌ１器にこのような光電式検出センサ
を採用すると消費電力が大きいという欠点は大きな問題
となる。
この発明は、かかる欠点な＃去し、低消費電力化した光
電式検出センサな提供するためになされたものである。
電式検出センサな提供するためになされたものである。
以下、この発明の一実施例を第２図の構成図。
及び第３ＷＡの波形図に基づいて説明する。
第２図において、１〜５は第１図で説明したものと同一
のものを示す。
のものを示す。
６は前記発光ダイオード１を点滅させるための発振回路
、７はトランジスタスイッチ、８は前記トランジスタス
イッチＴのドライブ電流を決める抵抗器、９は再トリガ
可能な単安定マルチバイブレータである。ここで発振回
路６は、発振周波数が数ＫＨ，の矩形波発振器□が望ま
しく、例えばτ子 ＴＬゲートで構成される。又、再トリガ可能な単安定マ
ルチバイブレークは、トリガ信号が入るととにその時点
から一定の期間パルスＶ発生するもので、通常の単安定
マルチバイブレータでも利用できる。
、７はトランジスタスイッチ、８は前記トランジスタス
イッチＴのドライブ電流を決める抵抗器、９は再トリガ
可能な単安定マルチバイブレータである。ここで発振回
路６は、発振周波数が数ＫＨ，の矩形波発振器□が望ま
しく、例えばτ子 ＴＬゲートで構成される。又、再トリガ可能な単安定マ
ルチバイブレークは、トリガ信号が入るととにその時点
から一定の期間パルスＶ発生するもので、通常の単安定
マルチバイブレータでも利用できる。
この構成図で、いま格子５の機械的変位により発光ダイ
オード１と、フォトトランジスタ３０間の光路が第３１
１ （ａ）のように開閉したとする。ただし同図におい
てＨレベルは光路が開き、Ｌレベルは閉じた状態を示す
。
オード１と、フォトトランジスタ３０間の光路が第３１
１ （ａ）のように開閉したとする。ただし同図におい
てＨレベルは光路が開き、Ｌレベルは閉じた状態を示す
。
一方、トランジスタスイッチＴは発振回路６の出力でオ
ン・オフ動作なしているので、発光ダイオード１は纂３
ｍ （ｂ）のように周期Ｔで点滅している。したがっ
てこの時、フォトトランジスタ３には、第３＠（ｅ）に
示すような光が到達し、単安定マルチバイブ、レータ９
に電気信号として入力される。再トリガ可能な単安定マ
ルチバイブレータ−は、この電気信号の立上りで動作し
、その出力パルス幅を第３図（ｄ）に示すように、発光
ダイオード１の点滅周期Ｔより長くｊることにより出力
には１ｇ３図（・）に示すような信号が得られる。
ン・オフ動作なしているので、発光ダイオード１は纂３
ｍ （ｂ）のように周期Ｔで点滅している。したがっ
てこの時、フォトトランジスタ３には、第３＠（ｅ）に
示すような光が到達し、単安定マルチバイブ、レータ９
に電気信号として入力される。再トリガ可能な単安定マ
ルチバイブレータ−は、この電気信号の立上りで動作し
、その出力パルス幅を第３図（ｄ）に示すように、発光
ダイオード１の点滅周期Ｔより長くｊることにより出力
には１ｇ３図（・）に示すような信号が得られる。
即ち、発光ダイオード１の点滅な、格子５の機械的な変
位より充分に短い時間で行うことにより、出力には格子
５の機械的変位を示す第３図（ａ）に相似した信号を得
ることができる。
位より充分に短い時間で行うことにより、出力には格子
５の機械的変位を示す第３図（ａ）に相似した信号を得
ることができる。
発光ダイオード１は周期Ｔで点滅しているので常時点灯
しているときに比べて当然のことながら平均消費電力は
小さくなる。その改善度は点灯時間と非点灯時間の比に
よって定まり、点灯時間を非点灯時間より短かくする程
大である。例えば、発光ダイオード１０点灯時間Ｙ３０
μｓ、非点灯時間Ｙ１７０μｓとすると、平均消費電力
は下とすることができる。
しているときに比べて当然のことながら平均消費電力は
小さくなる。その改善度は点灯時間と非点灯時間の比に
よって定まり、点灯時間を非点灯時間より短かくする程
大である。例えば、発光ダイオード１０点灯時間Ｙ３０
μｓ、非点灯時間Ｙ１７０μｓとすると、平均消費電力
は下とすることができる。
この発明の他の実施例を第４図を用い℃説明する。
第４Ｇにおいて、１〜８は１８２図で示したものと同一
部分な示す。１０は充電用抵抗器、１１は積分用コンデ
ンサ、１２は放電用抵抗器である。
部分な示す。１０は充電用抵抗器、１１は積分用コンデ
ンサ、１２は放電用抵抗器である。
この構成図も、前述したように格子５の機械的変位によ
り、抵抗器４０両端に第３図（ｅ）に示すＪ５な信号が
得られる。
り、抵抗器４０両端に第３図（ｅ）に示すＪ５な信号が
得られる。
この信号は充電用抵抗器１０．積分用コンデンサ１放電
用抵抗器抗暢１２からなる積分回路に加えられると、出
力には第５図に示すような信号波形が得られる。
用抵抗器抗暢１２からなる積分回路に加えられると、出
力には第５図に示すような信号波形が得られる。
即ち、発光ダイオード１０点滅ｔ、格子５の機械的な変
位より充分に短い時間で行うことにより出力には格子５
の機械的変位を示す第３図（＆）に相似した信号を得る
ことができる。
位より充分に短い時間で行うことにより出力には格子５
の機械的変位を示す第３図（＆）に相似した信号を得る
ことができる。
その結果、纂２図に示した実施例と同様な理由で平均消
費電力が小さい光電式検出センサが得られる。
費電力が小さい光電式検出センサが得られる。
なお、１ｓ５図に示した出力波形は、点線のレベルで比
較するコンパレータで矩形波出力とすることができるこ
とはいうまでもない。
較するコンパレータで矩形波出力とすることができるこ
とはいうまでもない。
以上説明したように、この発明の光電式検出センサは、
発光ダイオードを点滅し、その点灯時間を非点灯時間に
比べて短かくすると共に受光回路に点滅周期よりやや大
きい時定数回路な設けたので、常時点灯式の光電式検出
センサと同様な動作な平均消費電力が少ない回路で実現
できるという利点を有するものである。
発光ダイオードを点滅し、その点灯時間を非点灯時間に
比べて短かくすると共に受光回路に点滅周期よりやや大
きい時定数回路な設けたので、常時点灯式の光電式検出
センサと同様な動作な平均消費電力が少ない回路で実現
できるという利点を有するものである。
第１図は従来の光電式検出センサの原理図、第２図はこ
の発明の一実施例を示す構成図、第３図は第２図に示″
ｆ実施例の動作説明図、第４図はこの発明の他の実施例
を示す構成図、第５図は第４図に示す実施例の動作説明
図である。 図中、１は発光ダイオード、３はフォトトランジスタ、
５は格子、６は発振回路、９は単安定マルチバイブレー
タ、１１は積分用コンダンサを示す。 第１図 第３図
の発明の一実施例を示す構成図、第３図は第２図に示″
ｆ実施例の動作説明図、第４図はこの発明の他の実施例
を示す構成図、第５図は第４図に示す実施例の動作説明
図である。 図中、１は発光ダイオード、３はフォトトランジスタ、
５は格子、６は発振回路、９は単安定マルチバイブレー
タ、１１は積分用コンダンサを示す。 第１図 第３図
Claims (2)
- （１） 光源と、前記光源の受光回路との間に光路を
開閉する格子を設けた光電式検出センサにおいて、前記
光源を点滅させる駆動回路と、前記受光回路の出力信号
を受けて前記光源の点滅周期より長い時間幅のパルス信
号を出力する再トリガ可能な単安定マルチバイブレータ
を具備したことな特徴とする光電式検出センサ。 - （２）光源と、前記光源の受光回路との間に光路な開閉
する格子な設けた光電式検出センサにおいて、前記光源
を点滅させる駆動回路と、前記受光回路の出力信号を積
分する積分回路とを具備したことな特徴とする光電式検
出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5117582A JPS58170220A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光電式検出センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5117582A JPS58170220A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光電式検出センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170220A true JPS58170220A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH0311578B2 JPH0311578B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=12879494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5117582A Granted JPS58170220A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光電式検出センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170220A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218029A (ja) * | 1984-04-14 | 1985-10-31 | Fanuc Ltd | エンコ−ダ |
| JPS6379011A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-04-09 | Fanuc Ltd | エンコ−ダ |
| WO1997031240A1 (en) * | 1996-02-20 | 1997-08-28 | Komatsu Ltd. | Image recognition apparatus by optical cutting method |
| JP2006064641A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Omron Corp | 光センサおよび測距方法 |
| JP2013078841A (ja) * | 2007-05-02 | 2013-05-02 | Renishaw Plc | 工具を設定または分析する装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322000A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Nippon Signal Co Ltd:The | Ticket storage of automatic ticket examining system and apparatus therefor |
| JPS54161965U (ja) * | 1978-05-02 | 1979-11-13 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5117582A patent/JPS58170220A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322000A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Nippon Signal Co Ltd:The | Ticket storage of automatic ticket examining system and apparatus therefor |
| JPS54161965U (ja) * | 1978-05-02 | 1979-11-13 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218029A (ja) * | 1984-04-14 | 1985-10-31 | Fanuc Ltd | エンコ−ダ |
| JPS6379011A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-04-09 | Fanuc Ltd | エンコ−ダ |
| WO1997031240A1 (en) * | 1996-02-20 | 1997-08-28 | Komatsu Ltd. | Image recognition apparatus by optical cutting method |
| US6298152B1 (en) | 1996-02-20 | 2001-10-02 | Komatsu Ltd. | Image recognition system using light-section method |
| JP2006064641A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Omron Corp | 光センサおよび測距方法 |
| JP2013078841A (ja) * | 2007-05-02 | 2013-05-02 | Renishaw Plc | 工具を設定または分析する装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311578B2 (ja) | 1991-02-18 |
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