JPS58171870A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS58171870A JPS58171870A JP57055644A JP5564482A JPS58171870A JP S58171870 A JPS58171870 A JP S58171870A JP 57055644 A JP57055644 A JP 57055644A JP 5564482 A JP5564482 A JP 5564482A JP S58171870 A JPS58171870 A JP S58171870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power generation
- layer
- electrode
- photovoltaic device
- layers
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
- H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質半導体を用いた光起電力装置に関し、特
にその電力変換効率の向上を図ったものである。
にその電力変換効率の向上を図ったものである。
第１図は零尭明実總例としての光起電力装置を示し、該
装置は、ガラスなどからなる透明絶縁基板（７）上に膜
状に形成された第１．第２、第３の各発電区域（８）、
（９）、（至）を有している。各発電区域は半導体薄ｌ
Ｉ面と鼓膜を挾んで対向する第１、第２電極υ、−から
構成されている。
装置は、ガラスなどからなる透明絶縁基板（７）上に膜
状に形成された第１．第２、第３の各発電区域（８）、
（９）、（至）を有している。各発電区域は半導体薄ｌ
Ｉ面と鼓膜を挾んで対向する第１、第２電極υ、−から
構成されている。
第１電極ｒＪ２Ｆｉ可視党透過性を有し、酸化錫、酸化
インジウム、酸化インジウム・錫（工ｎｚＯ＠＋ｔｈｏ
１、Ｘ≦０．１）などで構成することができ、第２電極
卵はアル建ニウム、クロムなどで構成される。
インジウム、酸化インジウム・錫（工ｎｚＯ＠＋ｔｈｏ
１、Ｘ≦０．１）などで構成することができ、第２電極
卵はアル建ニウム、クロムなどで構成される。
第１〜第６発電区域（８）〜薗の夫々の第１電極聞及び
第２電極−は基板（７）上において夫々の発電区域の外
へ延びる延長部■及び−を有し、第１発電区域（８）の
第２電極０の延長部器と第２発電区域（９）の第１電極
（社）の延ＩＩ；１４とが、又第２発電区域（９）の第
２電極［１３の延長部−と第３発電区域α〔の第１電極
ａりの延長部Ｉとが夫々互いに重畳して電気的に接続さ
れている。又第１発電区域（８）の第１電極Ｕの延長部
０４１には外部リード線接続のために第２電極Ｏと（ロ
）材料からなる接続部αＧが重畳破着されている。
第２電極−は基板（７）上において夫々の発電区域の外
へ延びる延長部■及び−を有し、第１発電区域（８）の
第２電極０の延長部器と第２発電区域（９）の第１電極
（社）の延ＩＩ；１４とが、又第２発電区域（９）の第
２電極［１３の延長部−と第３発電区域α〔の第１電極
ａりの延長部Ｉとが夫々互いに重畳して電気的に接続さ
れている。又第１発電区域（８）の第１電極Ｕの延長部
０４１には外部リード線接続のために第２電極Ｏと（ロ
）材料からなる接続部αＧが重畳破着されている。
上ＦＩＦ雪の領造に際しては、その第１工程で基板（７
）上に延長部α４を含んだ第１電極面の各々が選択エツ
チング手法又は選択スパッタ付着手法によシ形成され、
第２工程で第１〜第３発電区域に連続して半導体薄＠ａ
ｎが形成さ武る０このとき、鼓膜は上記延長部間、四に
存在してはならないので、基板（７）上全面に半導体薄
膜を形成した後、選択エツチング手法により不要部を除
去するか、あるいは不要部を覆うマスクを用いることに
より所望部のみに半導体薄膜が形成される。絖〈最終工
程において延長部器を含む第２電極（至）及び接続部（
１６＋が選択蒸着手法などにより形成される。
）上に延長部α４を含んだ第１電極面の各々が選択エツ
チング手法又は選択スパッタ付着手法によシ形成され、
第２工程で第１〜第３発電区域に連続して半導体薄＠ａ
ｎが形成さ武る０このとき、鼓膜は上記延長部間、四に
存在してはならないので、基板（７）上全面に半導体薄
膜を形成した後、選択エツチング手法により不要部を除
去するか、あるいは不要部を覆うマスクを用いることに
より所望部のみに半導体薄膜が形成される。絖〈最終工
程において延長部器を含む第２電極（至）及び接続部（
１６＋が選択蒸着手法などにより形成される。
上記装置において、基板（７）及び第１電極−を介して
光が半導体薄膜αＤに入ると、該膜内で自由キャリア（
電子及び又は正孔）が生じ、それらが第１、鮪２電極ａ
ｚ％（至）に移動することにより、第１〜第３発電区域
（８）〜αＯの夫々において起電圧が生じる。各区域の
第１、第２電纜圓、Ｕはその延長部において交互に１１
続されているので各区域の起電極１３に連なる延長部器
を一極として両極の間に上ｒの如く相加された電圧が発
生する。
光が半導体薄膜αＤに入ると、該膜内で自由キャリア（
電子及び又は正孔）が生じ、それらが第１、鮪２電極ａ
ｚ％（至）に移動することにより、第１〜第３発電区域
（８）〜αＯの夫々において起電圧が生じる。各区域の
第１、第２電纜圓、Ｕはその延長部において交互に１１
続されているので各区域の起電極１３に連なる延長部器
を一極として両極の間に上ｒの如く相加された電圧が発
生する。
本発明の％像として、上１半導体薄膜αＢは光入射方向
に光入射側よシ順次積喘された非晶質半導体からなる第
１乃至第３発電層ｎ１ａ）、（１１１：＋）、（１１Ｃ
）からなり、各発電層の光学的禁止幅ｍｏｐは光入射側
より順次小さくなる値を有し、ｔに上記各発電Ｎｉ１−
１Ｘ型層を含み、第１乃至第３発電層の各工型層の厚み
は夫々、３０ト２００ＯＡ、 ７０ト４０００に、３０
０ト１００００χである。
に光入射側よシ順次積喘された非晶質半導体からなる第
１乃至第３発電層ｎ１ａ）、（１１１：＋）、（１１Ｃ
）からなり、各発電層の光学的禁止幅ｍｏｐは光入射側
より順次小さくなる値を有し、ｔに上記各発電Ｎｉ１−
１Ｘ型層を含み、第１乃至第３発電層の各工型層の厚み
は夫々、３０ト２００ＯＡ、 ７０ト４０００に、３０
０ト１００００χである。
本実緒例における＃Ｎ乃至第３発電層（Ｉｌａ）、（Ｎ
ｂ）、（１１ｃ）のより具体的な構成は下表の通シ即ち
、各発電層において主に発電作用の行なわれるのは夫々
の工型層であるが、上記の如く、光入射側より順次積Ｉ
Ｉされている第１工型層（工、）、第２１１１層（Ｉ、
）及び第３１１１層Ｃ１，）の夫々の光学的蒙止帯輻１
！：ｏｐＦｉ２．０ｓＶｔ １．７５８Ｖ％ １．５＠
Ｖと順に小さくなっているのである。
ｂ）、（１１ｃ）のより具体的な構成は下表の通シ即ち
、各発電層において主に発電作用の行なわれるのは夫々
の工型層であるが、上記の如く、光入射側より順次積Ｉ
Ｉされている第１工型層（工、）、第２１１１層（Ｉ、
）及び第３１１１層Ｃ１，）の夫々の光学的蒙止帯輻１
！：ｏｐＦｉ２．０ｓＶｔ １．７５８Ｖ％ １．５＠
Ｖと順に小さくなっているのである。
半導体発電現象において、発電に寄与する入射光波長、
即ち徴収−長は発電領域の光学的禁止帯１１４に依存す
る。第２−は木実緒例にける第１．第２、第３発電層（
１１ａ）、（，１１ｂ）、（ｌｌｃ）の夫々の相、対線
［特性（２０ｍ ）、（２０１） ）、（２Ｑｃ）を示
している。
即ち徴収−長は発電領域の光学的禁止帯１１４に依存す
る。第２−は木実緒例にける第１．第２、第３発電層（
１１ａ）、（，１１ｂ）、（ｌｌｃ）の夫々の相、対線
［特性（２０ｍ ）、（２０１） ）、（２Ｑｃ）を示
している。
発電素子がもし一つの光学的禁止帯幅した持っておらず
、斯る素子に太陽光などが入射したとすると、その光学
的禁止帯幅にもじた一部の波長の党しか発！に寄与せず
、それよシ蝉い波長の入射光エネルギは素子内で熱とな
って消散し、又長い波長の入射光エネルギは素子内で吸
収されることなく散逸する。
、斯る素子に太陽光などが入射したとすると、その光学
的禁止帯幅にもじた一部の波長の党しか発！に寄与せず
、それよシ蝉い波長の入射光エネルギは素子内で熱とな
って消散し、又長い波長の入射光エネルギは素子内で吸
収されることなく散逸する。
これに対し、本実線側では第２図から明らかな如く、素
子全体として見れば複数の光学的禁止帯幅が存在し、し
かも光入射側から順次それが小さくなる配置であるので
、入射光エネルギは、その短波長側のものが素子の比較
的浅い領域で有効に発電に寄与すると共に、長波長側の
ものが素子の浅い領域で吸収されることなく素子の比較
的深い領域Ｋまで進んデそこで有効に発電に寄与する結
果素子全体として大きな発電効率が得られる。
子全体として見れば複数の光学的禁止帯幅が存在し、し
かも光入射側から順次それが小さくなる配置であるので
、入射光エネルギは、その短波長側のものが素子の比較
的浅い領域で有効に発電に寄与すると共に、長波長側の
ものが素子の浅い領域で吸収されることなく素子の比較
的深い領域Ｋまで進んデそこで有効に発電に寄与する結
果素子全体として大きな発電効率が得られる。
又、各層１ＩＩｌｉＩｌの膜厚を上記の数値範囲に設定
しておくことによシ、各発電層で有効に電力費換される
党エネルギの他の発電層での吸収割り合いが量も少なく
なる。
しておくことによシ、各発電層で有効に電力費換される
党エネルギの他の発電層での吸収割り合いが量も少なく
なる。
又、上記光起電力装置より効率よく電流を取り出すため
に蝶、電流の連続性の鎖点から、各発電層での光入射忙
よる自由キャリアの発生量をはソ鯵しくすることが必要
であるが、斯る要求は上記各ｘＩｌ＃Ｉｆ）ＩＩＮ犀を
上記の数値範囲に設定することにより達成される。尚こ
の場合、第１及至第３Ｉ単結晶材料を用いて、木実線側
の如き異なる光学的禁止帯幅の発電層を複数積層しよう
とすれば、各発電層間の結晶格子の不整舎問題と、更に
、隣接する発電層の間に、第１図に見られる、第１Ｎ型
１１（Ｎ、）と第２Ｐｉ１層（Ｐ、）ノ間、＠２ＢＩ型
層（Ｎ、）と第５Ｐ型ＩＩ（ｐｓ）との間の如き逆方向
の整流接合が発生することから、その実現は困難である
。
に蝶、電流の連続性の鎖点から、各発電層での光入射忙
よる自由キャリアの発生量をはソ鯵しくすることが必要
であるが、斯る要求は上記各ｘＩｌ＃Ｉｆ）ＩＩＮ犀を
上記の数値範囲に設定することにより達成される。尚こ
の場合、第１及至第３Ｉ単結晶材料を用いて、木実線側
の如き異なる光学的禁止帯幅の発電層を複数積層しよう
とすれば、各発電層間の結晶格子の不整舎問題と、更に
、隣接する発電層の間に、第１図に見られる、第１Ｎ型
１１（Ｎ、）と第２Ｐｉ１層（Ｐ、）ノ間、＠２ＢＩ型
層（Ｎ、）と第５Ｐ型ＩＩ（ｐｓ）との間の如き逆方向
の整流接合が発生することから、その実現は困難である
。
しかし乍ら、本実施例の様に非晶質半導体材料を用いる
場合、上記の如き結晶格子不整合は全く生じず、かつ、
非晶質半導体は極めて薄い膜厚に形成てきるので、上記
の如き逆方向整流接合の発生し得る部分の膜厚を１１！
織例の様に非常に薄くしておくことによ抄、トンネル電
流が流れてその部分の接合はほとんど実質的な整流接合
とならないのである。
場合、上記の如き結晶格子不整合は全く生じず、かつ、
非晶質半導体は極めて薄い膜厚に形成てきるので、上記
の如き逆方向整流接合の発生し得る部分の膜厚を１１！
織例の様に非常に薄くしておくことによ抄、トンネル電
流が流れてその部分の接合はほとんど実質的な整流接合
とならないのである。
Ｅ記半導体薄膜■の製造は、例えば第１電極面まで作成
済みの基板（７）ｔ−反応室に入れ、斯る反応室に適宜
反応ガスを満してクロー放電を生起せしめることにより
行なわれる。各発電１１（１１ａ）、（１１ｂ）、（ｌ
ｌｃ）の組成は夫々異なるので、積聯鵬に反応ガスが切
替えられることはもちろんである。下！！に、各層に対
する反応ガスの組成を示す。尚基板（７）は全ての層形
成時、２５０℃の温度に保たれる。
済みの基板（７）ｔ−反応室に入れ、斯る反応室に適宜
反応ガスを満してクロー放電を生起せしめることにより
行なわれる。各発電１１（１１ａ）、（１１ｂ）、（ｌ
ｌｃ）の組成は夫々異なるので、積聯鵬に反応ガスが切
替えられることはもちろんである。下！！に、各層に対
する反応ガスの組成を示す。尚基板（７）は全ての層形
成時、２５０℃の温度に保たれる。
尚反応ガスにはその他キャリアガスとしてのＨ。
ガスが含まれている。
又、上記第３工型層（工５）Ｆｉシリコン錫で形成され
ているが、これをシリコンゲルマニウムで構成してもよ
い。その際の反応ガス組成は、ＧｅＨ〆８１Ｈ，＋Ｇｅ
Ｈ４＝１１嘴になるべく各ガスが用いられる。
ているが、これをシリコンゲルマニウムで構成してもよ
い。その際の反応ガス組成は、ＧｅＨ〆８１Ｈ，＋Ｇｅ
Ｈ４＝１１嘴になるべく各ガスが用いられる。
更に％上記第１及び第３工型層形成の際の反応ガス組成
は、次の範囲に設定されてよい。
は、次の範囲に設定されてよい。
第１工型［ｒ、） ｘＨ〆８１Ｈ，＋ＩＪＨ，・１−
１５％第５１１１１ＫＩｍ） ８ｎＣ：Ｌ、／ＥｌＩ
Ｈ６＋８ｎＣ１，１〜２０％（又ＦｉＧｅＢ〆ｇＩＨ４
＋ａｅＨ，−ｔ 〜２０％）更に、上記各発電層のＰ型
層及びＮ型層の膜厚は次の範囲に設定されてよい。
１５％第５１１１１ＫＩｍ） ８ｎＣ：Ｌ、／ＥｌＩ
Ｈ６＋８ｎＣ１，１〜２０％（又ＦｉＧｅＢ〆ｇＩＨ４
＋ａｅＨ，−ｔ 〜２０％）更に、上記各発電層のＰ型
層及びＮ型層の膜厚は次の範囲に設定されてよい。
第１Ｐ型層（Ｐ、）・・・３０〜４００Ａ館２、第３Ｐ
型層（馬）ｔ（ｐｉ）、第１．第２Ｎ型層（Ｎ１）、
（Ｎ２） ・・・３０〜２ＯＤＡ第５Ｎ型層（Ｎ、）
・・・５０〜１０ｏＯＡ他の実施例として１．上記第１
、第２、鮒３工型Ｎ４（工、）、ＣＩ、）、（工ｊ）の
夫々の光学的禁止帯幅Ｅｏｐを入射光方向に徐々に小さ
くすることによりこれら各層内で内部電界を追加的に形
成しても良い。斯る内部電界は各層［層内で光照射によ
り発生する自由キャリアの移動を促進して再結合消滅を
抑１１ｔｌＪし、効率を四に高める。
型層（馬）ｔ（ｐｉ）、第１．第２Ｎ型層（Ｎ１）、
（Ｎ２） ・・・３０〜２ＯＤＡ第５Ｎ型層（Ｎ、）
・・・５０〜１０ｏＯＡ他の実施例として１．上記第１
、第２、鮒３工型Ｎ４（工、）、ＣＩ、）、（工ｊ）の
夫々の光学的禁止帯幅Ｅｏｐを入射光方向に徐々に小さ
くすることによりこれら各層内で内部電界を追加的に形
成しても良い。斯る内部電界は各層［層内で光照射によ
り発生する自由キャリアの移動を促進して再結合消滅を
抑１１ｔｌＪし、効率を四に高める。
この様な第１１型−（１１）の形成は、上記第１の実施
例における反応ガス組成ＮＨ＆／ＥＩｉＨ４＋ＮＨ，を
当初０１０％から始め、膜の成長に従い最終５％まで徐
々に変化させればよく、この場合ＫＯＰＨ２，Ｏｅｖか
ら１．８ｅＶまで変化する。第２工型層（工、）の形成
は、上記第１の実施例における基板温１′を当初の１８
０℃から始め、膜の成長に従い最終′５００℃にオで徐
々に変化させればよく、この場合１！１ｏｐｉｊ １．
８ｅ’Ｖから１，７ ｅＶまで変化する。第３Ｉ型層（
工、）の形成は１、上記第１の実施例における反応ガス
組成８ｎＣ１，／８ｉＨ，＋８ｎＣ！１．を当初の１９
６から餡め、膜の成長に従い最終２０９６まで徐々に変
化させればよく、この場合Ｐｏｐは１，６ｅＶから１，
１ｅ’Ｖ１で襞化する０同第３１型層（工、）の斯る変
更に伴い、第５Ｎ型層（Ｎ、）の形成′のための反応ガ
ス組成は、８ｎＣ１，／Ｅ ｉＨ，＋８ｎＣ１４＝２０
Ｓｓ ＰＨＪ８１Ｈ４＋ ８ｎＯ１，＝ １％に変更
され、このとき１ｏｐｅ１１．１ ｅｖとなる０ 更に他の実施例として、第１、第２、第３発電層（１１
ａ）、（１１ｔ＋）、（１１ｃ）の各隣接間に存在する
逆方同整流接合を完全になくするために、上記第１の実
施例における第１、第２Ｎｆｆｉ層（Ｎ１）、（Ｎ、）
の成長終了付近の領域（各層の２０〜３０ｑ！Ｉの厚み
領域）をＮ型に、又、第２、第３Ｐ型１（ｐｇ）、（Ｐ
、）の成長開始付近の領域（各層の２０〜３０チの厚み
領域）をＰｆＭになしてもよい。あるいは上記逆方向整
流接合境界、例えば第１Ｎ型ＩＩ（Ｎ１）と第２Ｐ型層
（Ｐ、）との間に透明金属膜を蒸着などによシ介在させ
て、接合の整流性をなくしてもよい。尚この場合、用い
られる透明金属膜は各発電区域毎に分離されて設けられ
ることはもちろんである。
例における反応ガス組成ＮＨ＆／ＥＩｉＨ４＋ＮＨ，を
当初０１０％から始め、膜の成長に従い最終５％まで徐
々に変化させればよく、この場合ＫＯＰＨ２，Ｏｅｖか
ら１．８ｅＶまで変化する。第２工型層（工、）の形成
は、上記第１の実施例における基板温１′を当初の１８
０℃から始め、膜の成長に従い最終′５００℃にオで徐
々に変化させればよく、この場合１！１ｏｐｉｊ １．
８ｅ’Ｖから１，７ ｅＶまで変化する。第３Ｉ型層（
工、）の形成は１、上記第１の実施例における反応ガス
組成８ｎＣ１，／８ｉＨ，＋８ｎＣ！１．を当初の１９
６から餡め、膜の成長に従い最終２０９６まで徐々に変
化させればよく、この場合Ｐｏｐは１，６ｅＶから１，
１ｅ’Ｖ１で襞化する０同第３１型層（工、）の斯る変
更に伴い、第５Ｎ型層（Ｎ、）の形成′のための反応ガ
ス組成は、８ｎＣ１，／Ｅ ｉＨ，＋８ｎＣ１４＝２０
Ｓｓ ＰＨＪ８１Ｈ４＋ ８ｎＯ１，＝ １％に変更
され、このとき１ｏｐｅ１１．１ ｅｖとなる０ 更に他の実施例として、第１、第２、第３発電層（１１
ａ）、（１１ｔ＋）、（１１ｃ）の各隣接間に存在する
逆方同整流接合を完全になくするために、上記第１の実
施例における第１、第２Ｎｆｆｉ層（Ｎ１）、（Ｎ、）
の成長終了付近の領域（各層の２０〜３０ｑ！Ｉの厚み
領域）をＮ型に、又、第２、第３Ｐ型１（ｐｇ）、（Ｐ
、）の成長開始付近の領域（各層の２０〜３０チの厚み
領域）をＰｆＭになしてもよい。あるいは上記逆方向整
流接合境界、例えば第１Ｎ型ＩＩ（Ｎ１）と第２Ｐ型層
（Ｐ、）との間に透明金属膜を蒸着などによシ介在させ
て、接合の整流性をなくしてもよい。尚この場合、用い
られる透明金属膜は各発電区域毎に分離されて設けられ
ることはもちろんである。
以上の説明より明らかな如く、本発明によれば、非晶質
半導体を用い九党起電力装ＷＩにおいて、非晶質半導体
に特有な性質を利用して積層発電構造になしたことによ
り高効率の光起電力装置を実現できる。 −
半導体を用い九党起電力装ＷＩにおいて、非晶質半導体
に特有な性質を利用して積層発電構造になしたことによ
り高効率の光起電力装置を実現できる。 −
１１１１１１図は本発明実施例を示し、第１図ＡＦｉ平
面図、第１図Ｂ及びＣＦｉ夫々第１図ＡのＢ−Ｂ及びｃ
−ｃ断ｌ１ｉｌｉ図、第１図りは要部拡大断面図、第２
図は相対感ｔ％性図である。 （７１＝−・絶縁基板、（ｌト・・半導体薄膜、（１１
＆）、（１１ｂ）、（１１ｃ）−”第１．第２．第３発
電層０第２図 入射光：ａｈ＜Ａ＞
面図、第１図Ｂ及びＣＦｉ夫々第１図ＡのＢ−Ｂ及びｃ
−ｃ断ｌ１ｉｌｉ図、第１図りは要部拡大断面図、第２
図は相対感ｔ％性図である。 （７１＝−・絶縁基板、（ｌト・・半導体薄膜、（１１
＆）、（１１ｂ）、（１１ｃ）−”第１．第２．第３発
電層０第２図 入射光：ａｈ＜Ａ＞
Claims (1)
- （１）光入射方向に光入射側よシ順次積層された非晶質
半導体からなる第１乃至第一発電層を少なくとも□備え
、該告発電層の光学的禁止帯幅は光入射側より順次小さ
くなる値を有し、更に上記各発電層は工型層を含み、上
Ｌ！第１乃至第３発電層の各工型層の厚みは夫々、５０
ト２０００ム、７０ ト４０００ム、３００ト１００
００Ａであることを特徴とする光起電力装置。 （２、特許請求の範囲第１項において、上記第１乃至第
３発電層の各工型層は、夫々非晶質シリコンナイトライ
ド、非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマニウム（又
はシリコン錫）からなることを特徴とする光起電力装置
。 −
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055644A JPS58171870A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055644A JPS58171870A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171870A true JPS58171870A (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=13004521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055644A Pending JPS58171870A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171870A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262470A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6377167A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型光起電力装置 |
| JPS6477181A (en) * | 1987-06-19 | 1989-03-23 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Multilayer-structured solar battery |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125680A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Yoshihiro Hamakawa | Photovoltaic element |
| JPS5713185A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Photoelectrolysis device |
| JPS58170075A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-06 | エナ−ジ−・コンバ−ション・デバイセス・インコ−ポレ−テッド | 背面リフレクタを備えた光起電力デバイス |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP57055644A patent/JPS58171870A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125680A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Yoshihiro Hamakawa | Photovoltaic element |
| JPS5713185A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Photoelectrolysis device |
| JPS58170075A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-06 | エナ−ジ−・コンバ−ション・デバイセス・インコ−ポレ−テッド | 背面リフレクタを備えた光起電力デバイス |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262470A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6377167A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型光起電力装置 |
| JPS6477181A (en) * | 1987-06-19 | 1989-03-23 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Multilayer-structured solar battery |
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