JPS5817604A - 磁気バブル材料 - Google Patents
磁気バブル材料Info
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- JPS5817604A JPS5817604A JP56116639A JP11663981A JPS5817604A JP S5817604 A JPS5817604 A JP S5817604A JP 56116639 A JP56116639 A JP 56116639A JP 11663981 A JP11663981 A JP 11663981A JP S5817604 A JPS5817604 A JP S5817604A
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- fega
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ材料用ガーネット液相エピタ
キシャル膜に関する。
キシャル膜に関する。
バブル磁区素子においてはバブル径が微小化されるのに
伴い、バブル磁区全保持するために必要な、膜面に画直
な一軸異方性エネルギーＫｕの値は大きくなる。この関
係は、バブルの安定性を示すＱ因子の大きさおよび交換
定数大の値を一定とみなせば、ザΦペル・システム・テ
クエカルジャーナ＃ （Ｔｈａ Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍ Ｔｅｃｈｎｌｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ）第父巻７２
５ページ（１９７１）に示されているように、バブル径
ｄの２乗に逆比例する（ Ｋ（１）式）。
伴い、バブル磁区全保持するために必要な、膜面に画直
な一軸異方性エネルギーＫｕの値は大きくなる。この関
係は、バブルの安定性を示すＱ因子の大きさおよび交換
定数大の値を一定とみなせば、ザΦペル・システム・テ
クエカルジャーナ＃ （Ｔｈａ Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍ Ｔｅｃｈｎｌｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ）第父巻７２
５ページ（１９７１）に示されているように、バブル径
ｄの２乗に逆比例する（ Ｋ（１）式）。
Ｋｕ−２５６人Ｑ”／ｄ” （
１）このことはバブル径ａｔ−一定とすれば、Ｑｔ−大
きくしようとすればＫｕが大きくなければならないこと
を示している。
１）このことはバブル径ａｔ−一定とすれば、Ｑｔ−大
きくしようとすればＫｕが大きくなければならないこと
を示している。
一方、素子としての動作周波数は材料の磁壁モビリティ
ＪＷに関係する。μｍとに、の関係は、ニー・アイ−・
ビー令コンファレンスｅプロシープ４ｙグｘ （ＡＩＰ
０ｏｎｆ＠ｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ）第
５号７２ページ（１９７’ｌ ）に示されるように次式
で与えられ、μｍはに、のｌ／２乗と制動係数αとの積
に逆こむでＩｒｌはジャイロ磁気比である。
ＪＷに関係する。μｍとに、の関係は、ニー・アイ−・
ビー令コンファレンスｅプロシープ４ｙグｘ （ＡＩＰ
０ｏｎｆ＠ｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ）第
５号７２ページ（１９７’ｌ ）に示されるように次式
で与えられ、μｍはに、のｌ／２乗と制動係数αとの積
に逆こむでＩｒｌはジャイロ磁気比である。
バブル材料の異方性エネルギーＫｕは主とじて成長誘導
磁気異方性でめ９、これを大きくすることは一般にはガ
ーネット中の磁性希土類イオン例えばａｍなどの含有量
を増すことによって達成される。しかしながら、このこ
とはガーネットの制動係数α全人きくすることを意味す
る。したがって、バブルの安定性を増すことと、高速性
全確保することは互に矛盾する要求である。微小バブル
材料の開発にあたってはこの問題を解決することが重要
である。もし制御係数αを大きくせずにＫｕ會全人くで
きれば高安定でかつ高速駆動が可能な材料が達成できる
。
磁気異方性でめ９、これを大きくすることは一般にはガ
ーネット中の磁性希土類イオン例えばａｍなどの含有量
を増すことによって達成される。しかしながら、このこ
とはガーネットの制動係数α全人きくすることを意味す
る。したがって、バブルの安定性を増すことと、高速性
全確保することは互に矛盾する要求である。微小バブル
材料の開発にあたってはこの問題を解決することが重要
である。もし制御係数αを大きくせずにＫｕ會全人くで
きれば高安定でかつ高速駆動が可能な材料が達成できる
。
制動係数七人きくすることな（ＫｕＱ大きくする手段と
して８ｍの代ルにＥｕ ｖｉ′含有するガーネッｌバブ
ル磁区の相体として用いることがジャーナル・オプ・ア
プライド・フィツクス（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第４８巻５２０１ページ（１
９７７年）に提案されている。（ＦｉｕＴｍ）ｌ（Ｆｅ
Ｇａ）ｉｏｓｓＴｏるいは（ＹＥｕＴｍ） ｚ （Ｆｅ
Ｑａ ） ＩＱｌｍにおける（１１１）に関する磁歪定
数はＧａ置換量にも依存するが、上記論文に示されると
と＜Ｇａ置換量がガーネット分子式ａ Ｊ） ０．４の
１ ツ一杯ｉの絶対値は８ｍ ｔ−用いた材料と比べて
小さい。例えば、ジャーナル・オプ・アプライド・フイ
シンｘ （Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ）第５０巻２１５５ベージ（１９７９年）に
示される如く、Ｓｍｆ含有する（Ｌａ”Ｓｍ” ” ”
ｅＧ” ””１１テｔｉ １．１ ｆｉｍ Ａ７”ル材
料でありても人１１１−−Ｌ６５Ｘ１０−’ とな−ｙ
ている。
して８ｍの代ルにＥｕ ｖｉ′含有するガーネッｌバブ
ル磁区の相体として用いることがジャーナル・オプ・ア
プライド・フィツクス（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第４８巻５２０１ページ（１
９７７年）に提案されている。（ＦｉｕＴｍ）ｌ（Ｆｅ
Ｇａ）ｉｏｓｓＴｏるいは（ＹＥｕＴｍ） ｚ （Ｆｅ
Ｑａ ） ＩＱｌｍにおける（１１１）に関する磁歪定
数はＧａ置換量にも依存するが、上記論文に示されると
と＜Ｇａ置換量がガーネット分子式ａ Ｊ） ０．４の
１ ツ一杯ｉの絶対値は８ｍ ｔ−用いた材料と比べて
小さい。例えば、ジャーナル・オプ・アプライド・フイ
シンｘ （Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ）第５０巻２１５５ベージ（１９７９年）に
示される如く、Ｓｍｆ含有する（Ｌａ”Ｓｍ” ” ”
ｅＧ” ””１１テｔｉ １．１ ｆｉｍ Ａ７”ル材
料でありても人１１１−−Ｌ６５Ｘ１０−’ とな−ｙ
ている。
テ
したがって、イオン注入法によるコンｌイギュアｘ−デ
ィスク素子ｔ−（ＥｕＴｍ） ＠ （ＦｅＱａ ）１０
１ｇもしくは（ＹｇｕＴｍ）ｓ（ＦｅＧａ）ｓｏｕ 自
体に直接イオン注入することによっては形成できない。
ィスク素子ｔ−（ＥｕＴｍ） ＠ （ＦｅＱａ ）１０
１ｇもしくは（ＹｇｕＴｍ）ｓ（ＦｅＧａ）ｓｏｕ 自
体に直接イオン注入することによっては形成できない。
このために（ＥｉｕＴｍ）１（ＦｅＧａ）ｉｏｔｓもし
くは（ＹｇｕＴｍ）ｓ（ＦａＧａ）ｍｏｓｓ ｔ−バブ
ル磁区の媒体として用いる場合には、前記ジャーナル・
オブ・アプライド・フィツクス第４８巻５２０１ページ
（１９７７年）に提唱されるごζく、磁歪定数が充分大
きくイオン注入が可能なガーネット膜例えば（ＹＧｄＴ
ｍ）ａ（ＦｅＧａ）ｓｏｕ ｋ前記（ＥｕＴｍ）ｓ（Ｆ
ｅＧａ）ｓｌｕｇもしくは（ＹＥｕ Ｔｍ ）ｓ （Ｆ
ｅ Ｇａ ）。
くは（ＹｇｕＴｍ）ｓ（ＦａＧａ）ｍｏｓｓ ｔ−バブ
ル磁区の媒体として用いる場合には、前記ジャーナル・
オブ・アプライド・フィツクス第４８巻５２０１ページ
（１９７７年）に提唱されるごζく、磁歪定数が充分大
きくイオン注入が可能なガーネット膜例えば（ＹＧｄＴ
ｍ）ａ（ＦｅＧａ）ｓｏｕ ｋ前記（ＥｕＴｍ）ｓ（Ｆ
ｅＧａ）ｓｌｕｇもしくは（ＹＥｕ Ｔｍ ）ｓ （Ｆ
ｅ Ｇａ ）。
ＯＩｇの上にさらに成長嘔せた２重膜構成としなければ
ならない。
ならない。
しかしな焚ら二重膜構成の膜金製造するに当ってはいく
つかの欠点が見出せる。
つかの欠点が見出せる。
例えば、二重にわたって膜成長を実施しなければならな
いことから、工程が複雑にな夛、製品の嵐品率を低下さ
せる。ｔたドライブ層の厚さは約５００ＯＡ であシ
、このような薄い膜を均一に液相エピタキシャル法で成
長させることは困難でおる。
いことから、工程が複雑にな夛、製品の嵐品率を低下さ
せる。ｔたドライブ層の厚さは約５００ＯＡ であシ
、このような薄い膜を均一に液相エピタキシャル法で成
長させることは困難でおる。
さらにバブル層とドライブ層の膜組成及び磁気特性の組
み合わせの選択がコンティギ為アス・ディスク素子の実
現のために非常に重要である。例えば膜組成の選択を誤
まると二重襖形成時に欠陥を導入することがあることは
特願昭５５−３４４５９．５５−３４４６０に述べられ
ている通シでＴｏシ、またドライブ層のモビリティや温
度特性がバブル層のそれらに対し特性が悪いとパズル層
の性質を損りてしまりという欠点を有する。
み合わせの選択がコンティギ為アス・ディスク素子の実
現のために非常に重要である。例えば膜組成の選択を誤
まると二重襖形成時に欠陥を導入することがあることは
特願昭５５−３４４５９．５５−３４４６０に述べられ
ている通シでＴｏシ、またドライブ層のモビリティや温
度特性がバブル層のそれらに対し特性が悪いとパズル層
の性質を損りてしまりという欠点を有する。
さらに、バブル径が微小化され九時の問題としてガーネ
ット膜厚の減少がある。バブル径と膜厚はほぼ等しいか
ら、２μｍ径パズル材料では膜厚は約２μｍ、 １μｍ
径バブル材料では約１μｍとなる０膜厚が２μｍ以下と
なると、ファラデー効果によってバブル磁区上観察する
ことはかなシ困難となる。
ット膜厚の減少がある。バブル径と膜厚はほぼ等しいか
ら、２μｍ径パズル材料では膜厚は約２μｍ、 １μｍ
径バブル材料では約１μｍとなる０膜厚が２μｍ以下と
なると、ファラデー効果によってバブル磁区上観察する
ことはかなシ困難となる。
本発明の目的は、（ＥｕＴｍ）ｓ （ＦｅＱａ ）ｓｅ
ｔｓもしくは（ＹＥｆｕＴｍ）１ （ＦｅＧａ ）ＢＯ
ｔｓにおける上記のような問題点を改善することにある
。
ｔｓもしくは（ＹＥｆｕＴｍ）１ （ＦｅＧａ ）ＢＯ
ｔｓにおける上記のような問題点を改善することにある
。
本発明者は、（ＦｕＴｍ）１（ＦａＧａ）ｉｏｘｓ ｈ
るいは（ＹｍｕＴｍ）ｓ （ＦｅＧａ ）ｓｏｕにＢｉ
ｔ−添加した（ＹｖＢｕ、ＴｍｘＢｉ、Ｆｅ＠−、Ｇ
ａ、ＯＢ （但し、０≦Ｖ≦１．３．α０４≦Ｗ≦０．
６５． １．２５≦Ｘ≦２．２０゜α２≦ｙ≦α６．α
２５≦震≦α７）において磁歪定数を従来のＦ１ａ系の
材料と比べて負の方向に大きくすることができ、そのた
めイオン注入によ−って大きい面内磁気異方性を誘起す
ることが可能な材料とすることができ、しかも１μｍμ
ｍ下の場合においても゛バブルの目視が容易となること
を見出し本発明を示すに至りた。
るいは（ＹｍｕＴｍ）ｓ （ＦｅＧａ ）ｓｏｕにＢｉ
ｔ−添加した（ＹｖＢｕ、ＴｍｘＢｉ、Ｆｅ＠−、Ｇ
ａ、ＯＢ （但し、０≦Ｖ≦１．３．α０４≦Ｗ≦０．
６５． １．２５≦Ｘ≦２．２０゜α２≦ｙ≦α６．α
２５≦震≦α７）において磁歪定数を従来のＦ１ａ系の
材料と比べて負の方向に大きくすることができ、そのた
めイオン注入によ−って大きい面内磁気異方性を誘起す
ることが可能な材料とすることができ、しかも１μｍμ
ｍ下の場合においても゛バブルの目視が容易となること
を見出し本発明を示すに至りた。
以下に実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例１
ｇ１表に示す融液組成１を用いて、８３０℃において（
１１１）ＧｄｌＧａｓＯｕ基板上にＦ’ｕｕｓＴｍｇｙ
Ｂ ｌ （Ｌ４１’ｅ ａｓ＠Ｑａ Ｕ４ｏ１ｍ ’
を育成したとｅ６゜膜厚ｈｍＬ１５ＪＩ１％特性長Ｊ−
ａ、０９Ｊｉｍｂ ４ｇＭｍ−８’１４Ｑａｕｓｓ、バ
ブル消減磁界ＨｃｏＪｌ’ｗ５２１（）へ異方性磁界Ｈ
ｋ ２２０７６０＊の１μｍ径バブル材料が得られた。
１１１）ＧｄｌＧａｓＯｕ基板上にＦ’ｕｕｓＴｍｇｙ
Ｂ ｌ （Ｌ４１’ｅ ａｓ＠Ｑａ Ｕ４ｏ１ｍ ’
を育成したとｅ６゜膜厚ｈｍＬ１５ＪＩ１％特性長Ｊ−
ａ、０９Ｊｉｍｂ ４ｇＭｍ−８’１４Ｑａｕｓｓ、バ
ブル消減磁界ＨｃｏＪｌ’ｗ５２１（）へ異方性磁界Ｈ
ｋ ２２０７６０＊の１μｍ径バブル材料が得られた。
この材料の磁歪定数は、Ｂｉ ｔ−含有しないＥｕｔＴ
ｍｓｗｅ ａｓ Ｑａ ４４ｓα寓におけるＮｔｔ−−
２，３８と比べて負夢２５ｇ６も大きい−ｚ９ とな
りた。
ｍｓｗｅ ａｓ Ｑａ ４４ｓα寓におけるＮｔｔ−−
２，３８と比べて負夢２５ｇ６も大きい−ｚ９ とな
りた。
Ｘｌ・−１
ガーネット膜の格子定数は基液の格子定数と０．１−以
内で一致することが必要である、イオン半径の大きいＢ
ｌ（ＬＩＩＡ）を置換てせることにより磁歪定数か正で
めるＥｕ（イオン半径ＬＯ７Ａ）の含有量を減らせるた
めである。このため、本材料をイオン注入法によるコン
ティギ＾アス・ディスク素子として用いるに当っては、
本材料の上にイオン注入可能なドライブ層ガーネットを
敢えて設けて二重膜構成のガーネット膜とする必要はな
く、本材料にＨａ” ｆ直接打ち込むことにより（加
速エネルギー１４０ＫＶ、 ６Ｘ１０” Ｈｅ”／ｃｄ
）、 ４ ；にン打ち込み層にチャーシト・ウオールを
観察でき、チャーシト・ウオール金柑いたバブルの転送
が可能となった。さらに本材料のファラデー回転係数は
φにツー４４００シーでらりた良め、膜厚が１．１５μ
ｍときわめて薄いにもかかわらず顕微鏡による／＜プル
磁区の観察は極めて容易でめった。
内で一致することが必要である、イオン半径の大きいＢ
ｌ（ＬＩＩＡ）を置換てせることにより磁歪定数か正で
めるＥｕ（イオン半径ＬＯ７Ａ）の含有量を減らせるた
めである。このため、本材料をイオン注入法によるコン
ティギ＾アス・ディスク素子として用いるに当っては、
本材料の上にイオン注入可能なドライブ層ガーネットを
敢えて設けて二重膜構成のガーネット膜とする必要はな
く、本材料にＨａ” ｆ直接打ち込むことにより（加
速エネルギー１４０ＫＶ、 ６Ｘ１０” Ｈｅ”／ｃｄ
）、 ４ ；にン打ち込み層にチャーシト・ウオールを
観察でき、チャーシト・ウオール金柑いたバブルの転送
が可能となった。さらに本材料のファラデー回転係数は
φにツー４４００シーでらりた良め、膜厚が１．１５μ
ｍときわめて薄いにもかかわらず顕微鏡による／＜プル
磁区の観察は極めて容易でめった。
実施例２
第１表に示す融液組成２ｔ−用いて、８５７℃において
（ｌ ｌ １ ）Ｇｄｓ ＱｓｎＯｓｓ基板上にＥｕ
１Ｌａｓ ’ｌ’ｍｔｔｔＢ１ｕ＠ＦｅｕｓＱａｔｕＱ
ｕ ＠育成り、タトコろ、膜厚ｈｅｗ１０３ａｍ、特
性長Ｊ−α１６μへ飽和磁化４ｇＭ５ｍ５９２Ｇａｕｓ
ｓ 、バブル消減磁界ＨｃｏＪ＝３９４ ｆ）ｅ。
（ｌ ｌ １ ）Ｇｄｓ ＱｓｎＯｓｓ基板上にＥｕ
１Ｌａｓ ’ｌ’ｍｔｔｔＢ１ｕ＠ＦｅｕｓＱａｔｕＱ
ｕ ＠育成り、タトコろ、膜厚ｈｅｗ１０３ａｍ、特
性長Ｊ−α１６μへ飽和磁化４ｇＭ５ｍ５９２Ｇａｕｓ
ｓ 、バブル消減磁界ＨｃｏＪ＝３９４ ｆ）ｅ。
異方性磁界Ｈｈ−２ｓｚｏｖｅの２μｍ径バブル材料が
得られた。
得られた。
この材料の磁歪定数は入口１−−２．１１Ｘ１０−・で
あり、旧を含有しない場合の％ ｕｔ ｚ−１，４４Ｘ
１０−”と比べて大きく改善された。
あり、旧を含有しない場合の％ ｕｔ ｚ−１，４４Ｘ
１０−”と比べて大きく改善された。
Ｈｅ＋ の打ち込み（加速エネルギー６０ＫＶ、２Ｘ
１Ｇ ” Ｈｅ ”／Ｃ１ｌ ＄？ Ｚ ヒ１４０ Ｅ
ｌｌ、 ６Ｘ Ｉ Ｑｌｌｌ（ｅ＋β）により表面層に
チャーシト・ウオールを生成させることができ、バブル
を動かすことができた。
１Ｇ ” Ｈｅ ”／Ｃ１ｌ ＄？ Ｚ ヒ１４０ Ｅ
ｌｌ、 ６Ｘ Ｉ Ｑｌｌｌ（ｅ＋β）により表面層に
チャーシト・ウオールを生成させることができ、バブル
を動かすことができた。
こｏ材料ｏ磁Ｉｎｌ動ｔ、Ｉｄ、 ｓ、ｗａ８ｓＯｅｐ
ｐｙ’＊ｅｃ−Ｄｅ 。
ｐｙ’＊ｅｃ−Ｄｅ 。
偏角０−５９°、抗磁力Ｈｃ−α１６ Ｃ’ｅｌ、バブ
ル磁区消減磁界の温度係数は一αｚ３−／ｄＱ であ
った。
ル磁区消減磁界の温度係数は一αｚ３−／ｄＱ であ
った。
実施例３
第１表に示す融液組成３ｔ−用いて、７９４℃において
（１１１）Ｑｄｓ ＱａｉＱｔｓ基板上にＮｕ ｕｓ
ＴｍｔｔｙＢｔａ＊ｐｅｕ ＱａａｙＯｔｓ ｆ育成
シタトコロ、膜厚ｈ−’１．２６５ｍ、特性」−α２９
Ｂ１４ｍ、飽和磁化４ｇＭｍ＝３７１Ｇｔｕａｓ、バブ
ル消減磁界Ｈｃｄｗｍ１ｒｓＤｅ 。
（１１１）Ｑｄｓ ＱａｉＱｔｓ基板上にＮｕ ｕｓ
ＴｍｔｔｙＢｔａ＊ｐｅｕ ＱａａｙＯｔｓ ｆ育成
シタトコロ、膜厚ｈ−’１．２６５ｍ、特性」−α２９
Ｂ１４ｍ、飽和磁化４ｇＭｍ＝３７１Ｇｔｕａｓ、バブ
ル消減磁界Ｈｃｄｗｍ１ｒｓＤｅ 。
異方性磁界Ｈｋ−３３１００ｅの材料が得られた。この
材料はファラデー回転係数がφＦ−−４０００ｄ９／ｍ
あり、磁気転写光読み出し素子に使えるすぐれた材料で
めった。
材料はファラデー回転係数がφＦ−−４０００ｄ９／ｍ
あり、磁気転写光読み出し素子に使えるすぐれた材料で
めった。
実施例４
＠１表に示す融液組成４を用いて、８３６℃において（
１１１）Ｇｄｌ Ｇａ５０ｓｓ基板上ＫＹｕｓｌ）ｕｎ
ｉＴｍ ＞ｓｒ ＢｉｏｊｐｅｕＱｕ、ｎＱｔｚ ｔ
−育成したところ１膜厚ｈ””ｏ、ｓｓ＃ｆｉ ！性長
Ｊ＝Ｑ、０８４ｍ 、 ４ｇＭｍ＝６７０Ｇａｕｓｓ、
バブル消減磁界ＨｃｏＪ−３８５’ｅ Ｈｋ１５００Ｃ
）ｅの１μｍ径パズル材料が得られ元。この材料の磁歪
定数はＸｕｓ膿−３，２Ｘ１０− であシ、Ｈｅ＋ の
打ち込みにより表面層とチャーシト・ウオールを形成し
、バブル磁区上動かすことができた。
１１１）Ｇｄｌ Ｇａ５０ｓｓ基板上ＫＹｕｓｌ）ｕｎ
ｉＴｍ ＞ｓｒ ＢｉｏｊｐｅｕＱｕ、ｎＱｔｚ ｔ
−育成したところ１膜厚ｈ””ｏ、ｓｓ＃ｆｉ ！性長
Ｊ＝Ｑ、０８４ｍ 、 ４ｇＭｍ＝６７０Ｇａｕｓｓ、
バブル消減磁界ＨｃｏＪ−３８５’ｅ Ｈｋ１５００Ｃ
）ｅの１μｍ径パズル材料が得られ元。この材料の磁歪
定数はＸｕｓ膿−３，２Ｘ１０− であシ、Ｈｅ＋ の
打ち込みにより表面層とチャーシト・ウオールを形成し
、バブル磁区上動かすことができた。
実施例５
１［１表に示す融液組成５を用いて、８２５℃において
（１１１）Ｑｄｓ Ｑｕｉｅｔｓ基板上にＹａ４ｏ
Ｆｕ ａｔ。
（１１１）Ｑｄｓ Ｑｕｉｅｔｓ基板上にＹａ４ｏ
Ｆｕ ａｔ。
Ｔｍｓ、ｓ＠Ｂｉ ａｓ Ｆｅａｙｎ Ｑａａｕ Ｑｔ
ｓ ？育成シタトコろ、膜厚り、α３６μへ特性長Ｊ−
０，０４μｍ、 ４πＭｓ ｗｘｌｌｏｏｏａｕｓｓ
、バブル消減磁界ＨｃｏＪ−９４０Ｑｅ。
ｓ ？育成シタトコろ、膜厚り、α３６μへ特性長Ｊ−
０，０４μｍ、 ４πＭｓ ｗｘｌｌｏｏｏａｕｓｓ
、バブル消減磁界ＨｃｏＪ−９４０Ｑｅ。
異方性磁界ｔｔｏｏＯｅの０．４μｍ径ノ（プル材料が
得られた。この材料の磁歪定数はト１ｔｔｍ−３，５０
Ｘ１０−６であり、Ｈｅ＋およびＨ曽十の打ち込みによ
り表面層にチャーシト・ウオール金形成し、）（プル磁
区の転送を行いえた。
得られた。この材料の磁歪定数はト１ｔｔｍ−３，５０
Ｘ１０−６であり、Ｈｅ＋およびＨ曽十の打ち込みによ
り表面層にチャーシト・ウオール金形成し、）（プル磁
区の転送を行いえた。
以上、本発明を用いることによシ、異方性定数Ｋｕが大
きくモビリティｊｌ１ｗも大きいが、イオン注入が行い
にくい（ＥｕＴｍ）１ （ＦｅＧａ ）ｓｏｓｓ も
しくは（ＹＦｉｕＴｍ）１ （ＦｅＧａ ）ｓｅｔｓ
ｋイオン注入可能な材料とし、イオン注入法単層膜コー
ティギ為アス素子を実現できる。
きくモビリティｊｌ１ｗも大きいが、イオン注入が行い
にくい（ＥｕＴｍ）１ （ＦｅＧａ ）ｓｏｓｓ も
しくは（ＹＦｉｕＴｍ）１ （ＦｅＧａ ）ｓｅｔｓ
ｋイオン注入可能な材料とし、イオン注入法単層膜コー
ティギ為アス素子を実現できる。
以下余９′
叉゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガｌ’ ＩＪ ＝ラム・ガリウム・ガーネット基板上に
付着せしめられ、一般式が Ｙｖ Ｅｕ、 ＴｍｘＢｉｙ １６ｍ−ｍ Ｇａ１０１
１（但し、０≦Ｖ≦１３，０．０４≦Ｗ≦α６５，１．
２５≦Ｘ≦２．２０．α２≦ｙ≦０．６，０．２５≦２
≦０．７なる化学式で表わされる仁とを特徴とする磁気
バブル材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116639A JPS5817604A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 磁気バブル材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116639A JPS5817604A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 磁気バブル材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817604A true JPS5817604A (ja) | 1983-02-01 |
| JPH0145728B2 JPH0145728B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=14692177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116639A Granted JPS5817604A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 磁気バブル材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577414A (en) * | 1993-09-01 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Articulated robot |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116639A patent/JPS5817604A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577414A (en) * | 1993-09-01 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Articulated robot |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0145728B2 (ja) | 1989-10-04 |
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