JPS58182196A - Signal transmitting circuit - Google Patents
Signal transmitting circuitInfo
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- JPS58182196A JPS58182196A JP57065052A JP6505282A JPS58182196A JP S58182196 A JPS58182196 A JP S58182196A JP 57065052 A JP57065052 A JP 57065052A JP 6505282 A JP6505282 A JP 6505282A JP S58182196 A JPS58182196 A JP S58182196A
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- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はCCD撮像素子,液晶ディスプレイ、メ篭リ装
置等を駆動するためのシフトレジスタに使用して好適な
信号伝送回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a signal transmission circuit suitable for use in a shift register for driving a CCD image sensor, a liquid crystal display, a memory device, etc.
例えばCCD撮像素子の水平走査線を1ラインづつ順次
駆動するためのシフトレジスタとして、従来第1図に示
すような回路が用いられていた。For example, a circuit as shown in FIG. 1 has conventionally been used as a shift register for sequentially driving horizontal scanning lines of a CCD image pickup device line by line.
図において、入力端子(υがエンハンスメント型のMO
B )ランゾスタT、の?−)に接続され、このトラン
ジスタT、のソースが接地ライン(2)に接続され、ド
レインがディブレジョン蓋のMOB )ランジスタテ富
のソースとグー)に接続され、このトランジスタT雪の
ドレインが電源ライン(3)K接続される。In the figure, the input terminal (υ is an enhancement type MO
B) Lanzosta T.? -), the source of this transistor T, is connected to the ground line (2), the drain is connected to the source of the MOB) transistor of the deresion lid and the drain of this transistor T is connected to the power supply Line (3) K is connected.
このトランジスタTl * T雪のドレインソースの接
続点がトランス2ツシ曹ンr−トを構成するエンハンス
メント履のMOB )ランジスタTs宜のソースドレイ
ンを通じてトランジスタTs−Tmト同様に接続された
トランジスタT41− Tst K Ili続i!z
tL、このトランジスタ’r411 Tllの接続点が
トランス2ツシ曹ンy−)を構成するエンハンスメント
履のMOB )ランジスタT@lのソースドレインを通
じてトランジスタTl a THと同1!Km続された
トランジスタ’ht*T’stに接続される・・このト
ランジスタTst−T@1の回路が順次繰p返し接続さ
れる。なお図中符号のfフィックスの上位を共通、下位
を順次変更して示す。The connection point of the drain and source of this transistor Tl*T constitutes a transformer 2 transistor MOB) A transistor T41-Tst connected in the same way as the transistor Ts-Tm through the source and drain of the transistor Ts. K Ili continuation i! z
tL, the connection point of this transistor 'r411 Tll constitutes a transformer 2 transistor MOB) The same 1 as the transistor Tla TH through the source drain of the transistor T@l! It is connected to Km connected transistors 'ht*T'st...This circuit of transistors Tst-T@1 is connected repeatedly in sequence. Note that the upper part of the f-fix in the figure is shown in common, and the lower part is changed sequentially.
さらに互いに位相の異なるクロック信号φ8.φ。Furthermore, clock signals φ8. φ.
の供給されるクロック端子(4) 、 (5)がそれぞ
れトランジスタTss aTI・・・及びトランジスタ
T@1+TB・・・のf−)K接続される。Clock terminals (4) and (5) supplied with the clock terminals (4) and (5) are connected to f-)K of the transistors Tss aTI... and the transistors T@1+TB..., respectively.
この回路におφて、りaツク端子(4) 、 (5)に
Fi第2図A、Bに示すようなりロック信号φ重、φ、
が供給される。これに対して入力端子(1)には例えば
第2図Cに示すような信号φ、が供給される。In this circuit, at φ, lock signals φ, φ,
is supplied. On the other hand, the input terminal (1) is supplied with a signal φ as shown in FIG. 2C, for example.
これによってまずトランジスタTIIT、の接続点■に
は第2図りに示すような反転電圧V□が現れる。As a result, an inverted voltage V□ as shown in the second diagram appears at the connection point □ of the transistor TIIT.
次にvlが信号φ菫でサンプリングされ、トランジスタ
T4.0ff−)■にホールドされ、第2図Eに示すよ
うな電圧V、が現れる。これによってトランジスタT4
1#T11の接続点■に°は第2図Yに示すような反転
電圧■3が現れる。この電圧VSにて例えば第1の水平
走査−が駆動される。Next, vl is sampled by the signal φ violet and held in the transistor T4.0ff-)■, and a voltage V as shown in FIG. 2E appears. This causes transistor T4
At the connection point (2) of 1#T11, an inverted voltage (3) as shown in FIG. 2 Y appears. For example, the first horizontal scan is driven by this voltage VS.
さらにvsが信号−1でサンプリングされ、トランジス
タTelのff−)■にホールドさn1第2図Gに示す
ような電圧v4が現われる。これによってトランジスタ
T!1.T・1の接続点■、トランジスタT4鵞のゲー
ト■、トランジスタT4寓、TI3の接続点■にはそれ
ぞれ第2図H,I、Jk示すような電圧V@’ + V
@ @ Vマが現われ、この電圧vTにて第2の水平走
査線が駆動される。以下上述の動作が順次行われる。Further, vs is sampled with the signal -1, and a voltage v4 as shown in FIG. 2G appears at the transistor Tel's ff-) held n1. This allows the transistor T! 1. Voltages V@' + V as shown in Figure 2 H, I, and Jk are applied to the connection point ■ of T1, the gate of transistor T4, and the connection point ■ of transistor T4 and TI3, respectively.
@@Vma appears, and the second horizontal scanning line is driven by this voltage vT. The above-described operations are then performed sequentially.
iこで、トランスミッションダートを構成するトランジ
スタTg1 r Tgt・・・のしきい値をvthとし
てV(φ1.φ、) ≧vDD+■th(vDDは電
源ライン(3)の電圧)の条件が満されれば、トランス
2ツシ曹ンf−)を通して信号が伝送されるe
このようにして入力信号φ、Nが順次伝送1れ、各水平
走査線が順次駆動される。Here, the condition of V(φ1.φ,) ≧vDD+■th (vDD is the voltage of the power supply line (3)) is satisfied, assuming that the threshold value of the transistor Tg1 r Tgt... that constitutes the transmission dart is vth. In this way, the input signals φ and N are transmitted sequentially, and each horizontal scanning line is sequentially driven.
とこ′ろがこの回路において、信号を伝送し次の信号を
得るまでの1段の構成にトランジスタを6素子必要とす
る。このため回路規模が大きくな9、特にIC化した場
合にチップ面積が大きくなって、ICのコストが上がる
などの問題があつ邂、すなわち上述の回路に□おいてト
ランジスタT41 m Tll及びT?11T@lにて
それぞれ信号が反転されており、同相の信号を得る丸め
に2倍の素子が必要になっている。However, in this circuit, six transistors are required for one stage configuration from transmitting a signal to obtaining the next signal. For this reason, there are problems such as the circuit size is large9, especially when it is integrated into an IC, the chip area becomes large and the cost of the IC increases.In other words, in the above circuit, the transistors T41 m Tll and T? Each signal is inverted at 11T@l, and twice as many elements are required for rounding to obtain in-phase signals.
また上述の回路において、出力側に容量性の負荷を接続
した場合に、第2図F、Jに示す出力信号の波形が破線
で示すように鈍ってしまう。この場合に隣接の出力信号
の間でオーバーラツプが発生し、例えば撮愉素子に用い
た場合には解偉度が劣化したシ゛、混色によって画儂が
劣化してしまう。Furthermore, in the above-described circuit, when a capacitive load is connected to the output side, the waveforms of the output signals shown in FIGS. 2F and 2J become dull as shown by the broken lines. In this case, overlap occurs between adjacent output signals, and for example, when used in an imaging device, the image quality is degraded due to degraded resolution and color mixture.
さらに上述の回路の場合、トランジスタTHaTll
l ’rat・・・は常にオン状態にあり、このためト
ランジスタTl * T4t # Tyt・・・がオン
になった状態で貫通電流が流れ、極めて大きな電力が消
費されてしまう。Furthermore, in the case of the circuit described above, the transistor THaTll
l'rat... is always on, and therefore a through current flows when the transistors Tl*T4t#Tyt... are on, resulting in extremely large power consumption.
また各トランジスタが色和領域で駆動されているので、
特に回路を高速で駆動する゛場合に大きな消費電力を必
要とする。Also, since each transistor is driven in the color sum domain,
In particular, large power consumption is required when driving the circuit at high speed.
さらにエンハンスメント型とデイゾレション型の異なる
素子を用いるので、例えばIC化した場合に製造のプロ
セスが多く必要となってしまう。Furthermore, since different elements of an enhancement type and a desolation type are used, many manufacturing processes are required, for example, when integrated into an IC.
また上述の回路において出力点■、■・・・の波形のロ
ーレベルはトランジスタT41 e Tax s Ta
g +Tll・・・のオン抵抗の比で決定されr!+
r。In addition, in the above circuit, the low level of the waveform at the output points ■, ■... is the transistor T41 e Tax s Ta
It is determined by the on-resistance ratio of g + Tll... r! +
r.
但し、rはトランジスタT411T4m・・・のオン抵
抗値
rはトランジスI T@1s Tgl・・・のオン雪
抵抗値
Vllは接地ライン(2)の電圧
とな纂残留電圧V′が発生している。ここでv′必値を
小さくするには、r、 、 rl O毘を大暑くすれば
よいが、これはトランジスタ741 m 74m・・・
のチップ面積をトランジスタ’rit+T’sx・・・
よ如かなp大きくすることになり・シしい缶とではな
−・−力出力信号でMOS )ランノスタを駆動する場
合には、上述のように残留電圧”V′があると、シきい
値等の問題で制約が多く加わることになる。さらに信号
のダイナ2ツクレイジが残留電圧V′分少くなるなどの
問題があった。However, r is the ON resistance value of the transistor T411T4m... r is the ON resistance value Vll of the transistor I T@1s Tgl... is the voltage of the ground line (2). A residual voltage V' is generated. . Here, in order to reduce the necessary value of v', it is necessary to make r, , rl Obi very hot, but this requires transistors 741 m 74 m...
The chip area of transistor 'rit+T'sx...
When driving a MOS (MOS) lannostar with a force output signal, if there is a residual voltage ``V'' as described above, the threshold value etc. Many restrictions will be added due to the problem of voltage.Furthermore, there is a problem that the signal's dynamic voltage will be reduced by the residual voltage V'.
本発明はこのような点にかんがみ、簡単な構成で従来の
欠点を一掃できるようにし丸ものである。In view of these points, the present invention has been designed to eliminate the conventional drawbacks with a simple configuration.
以下に図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明しよう。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第3図において、入力端子(1)がトランスミッション
f−)を構成foエンハンスメント製のMOSトランジ
スタ、Mlを通じてエンハンスメント型のMOSトラン
ジスタM1.の?−)K接続される。このトランジスタ
M冨sO?”−トノース関にプートストラップ用のコン
デンサC11が接続される。iたトランジスタMllの
ドレインがトランスミッションf−)を構成するエンハ
ンスメントmのMOS )ランジスタM41のf−)に
接続される。さらにトランジスタ4tのソースがトラン
ジスタM41のドレインソース間を通じてエンハンスメ
ント型のMOS トランジスタMs、の、ダートに接続
される。このトランジスタ4s、11)?” )ソー
ス間にプートストラップ用のコンデンサC6息が接続さ
れる。またトランジスタMilのドレインがトランスミ
ッションf−)を、構成する。エンハンスメ・、ント型
のMOS )2ンゾスタM?1のf−)に接続される。In FIG. 3, an input terminal (1) constitutes a transmission f-) through an enhancement type MOS transistor M1 and an enhancement type MOS transistor M1. of? -) K connected. Is this transistor MtsO? A capacitor C11 for a Pootstrap is connected to the transistor 4t. The source is connected to the dart of an enhancement type MOS transistor Ms through the drain and source of the transistor M41. A Pootstrap capacitor C6 is connected between the sources of the transistors 4s and 11). Further, the drain of the transistor Mil constitutes a transmission f-). Enhancement type MOS) 2 Nzosta M? 1 f-).
さらにトランジスタMllのソースがトランジスタMf
lのドレインソース関を通じて次段の回路に接続される
―さらにトランジスタMS、 、 M、、のソースがエ
ンハンスメント型のMOS トランジスタMl1 *
M・1のダートに接続される。このトランジスタM@H
*Mllのソーストレインがそれぞれ2つ前のトランジ
スタMIXe MBBのソースと接地ライン(2)との
間に接続される。Furthermore, the source of the transistor Mll is the transistor Mf.
The sources of transistors MS, , M, , are connected to the next stage circuit through the drain-source connection of MOS transistor Ml1*, which is an enhancement type MOS transistor.
Connected to M・1 dart. This transistor M@H
The source trains of *Mll are each connected between the source of the two previous transistors MIXe MBB and the ground line (2).
このトランジスタM、、l M2S 8 Mgl *
Mllm Msl *MIS及びコンデンサC@1iC
Hの回路が順次繰シ返し接続される。This transistor M,,l M2S 8 Mgl *
Mllm Msl *MIS and capacitor C@1iC
The H circuits are connected repeatedly in sequence.
さらにクロック端子(4)がトランジスタM1のダート
及びトランジスタMs1.yLs1・・・のドレインに
接続され、クロック端子(5)がトランジスタMu 6
Mgm・・・のドレインに接続される。Further, the clock terminal (4) is connected to the dirt of the transistor M1 and the transistor Ms1. It is connected to the drain of yLs1..., and the clock terminal (5) is connected to the transistor Mu6.
Connected to the drain of Mgm...
この回路において、クロック端子(4) 、 (5)
%入力端子(1)Kはそれぞれ第4図ム、B、CK示す
ような信号φ重、φ1.φ!Nが供給される。ここで信
号φ1.φ、ノハイレペルt Vt N ローレベルヲ
vLトL、(1号φ、のハイレベルt Vn’ 、’、
−レベルをvLとする。また信号φ鵞、φ冨の/9ルス
を図示のように(0)、[12)・・・・・・、(21
)、(22)・・・・−・とする、またMOS トラン
ジスタのし龜い値を全て、vt hとする。In this circuit, clock terminals (4), (5)
% Input terminals (1) K receive signals φ, φ1, CK as shown in FIG. 4, respectively. φ! N is supplied. Here, the signal φ1. φ, high level t Vt N low level wo vL to L, (high level t Vn' of No. 1 φ, ',
- Let the level be vL. In addition, the /9 pulses of the signals φ and φ are as shown in the figure (0), [12)..., (21
), (22)...-, and all the fast values of the MOS transistors are vth.
これによってまず
v、H≦vIi−vth −・−−−−
(1)であれば、信号φ、は信号φ1のAルス〔12〕
にてトランジスタM1を伝送され、トランジスタMll
のc−1’ト■には第4図りに示すような電圧v1が現
れる。By this, first v, H≦vIi−vth −・−−−
If (1), the signal φ is the A pulse of the signal φ1 [12]
Transistor M1 is transmitted through transistor Mll.
A voltage v1 as shown in the fourth diagram appears at c-1'g.
次にトランジスタMllのソース■の電圧V鵞(第4図
E)は、初め
Vt −V寓 −VH’ −ML )Vth
−・ ”−(2)であるから、トラン
ジスタMatはオンし■、ヨvL
・・・・・・(3)となる、そして信号φ1の/ぐ
ルス〔22〕が来ると電圧v1はコンデンサC11を通
じて持ち上げられ、0” ・・・・・・(
4)■・”””c、+c、”
但し、CIはブートストラップ容量
C8はトランジスタMs、Or−ト
のストレー容量
となり、このとき
Vs−Vth≧vl−・−(5)
ならば
v2寓vM′ ・・・・−(6)
トナり、)ツンジスタMllのソース■にΔシス〔22
〕が抜き出される。Next, the voltage V at the source of the transistor Mll (Fig. 4E) is initially Vt -V -VH' -ML)Vth
−・ ”−(2), so the transistor Mat is turned on and yovL
......(3), and when the signal φ1/gurusu [22] comes, the voltage v1 is raised through the capacitor C11, and becomes 0'' ......(
4)■・”””c, +c,” However, CI is the bootstrap capacitance C8, which is the stray capacitance of the transistor Ms, Or-to, and in this case, Vs-Vth≧vl-・-(5), then v2fegvM ′・・・−(6)
Tonari,) Δsis [22
] is extracted.
さらに信号φmK同期してトランジスタM41がオンと
な夕、ノ々シス〔22〕がトランジスタMS1の? −
ト■にも蓄積される。そしてこのゲート■の電圧Vs
(第4図F)が
Vs冨v、 ”” ”・(7)
になることによってトランジスI Malがオンし、ト
ランジスタMalと同様の動作上トランジスタ4sl)
ソース■に/臂シス〔13〕が抜龜出される(114図
G)。Furthermore, when the transistor M41 is turned on in synchronization with the signal φmK, the signal φmK is turned on, and the signal φmK is turned on. −
It is also accumulated in g. And this gate ■ voltage Vs
(Fig. 4 F) is Vs Tomi v, """・(7)
As a result, the transistor I Mal turns on, and the transistor 4sl operates in the same way as the transistor Mal.
In the source ■, 臂SIS [13] is highlighted (Figure 114G).
以下同様にしてトランシスI Mssg M、、−・・
・・のノーX■、■・・・・・・に信号φ!、φs (
D + /4ルス(23”l 。In the same manner, Transis I Mssg M,,...
Signal φ for No X ■, ■......! , φs (
D + /4 Lus (23”l.
〔14〕・・・−・が抜き出される(第4図1.K・・
・・・・)。[14]...- is extracted (Fig. 4 1.K...
...).
従ってこの回路において、入力信号φ!ヨが順次伝送さ
れ、トランジスタMll # 411 MH+ MB・
・・・・・のソースに順次パルスが[1)出される。そ
してこの/ぐシスにて例えば水平走査線を順次駆動する
ことができる。Therefore, in this circuit, the input signal φ! y are transmitted sequentially, and the transistor Mll #411 MH+ MB・
Pulses [1) are sequentially output to the sources of . For example, horizontal scanning lines can be sequentially driven using this /system.
さらに第4図にお−て、電圧Vl # VB * VB
・・・・・・の電圧の上昇V、は、コンデンt Cst
# C4x・・・・・・のプートストラップ効果によ
るものであυ、である、tた電圧v3の電圧の降下V、
は(Cm+Ca)vHの電荷が分配されることによp発
生されるものでVl (C1+C1) ” Vm (C
m+C1) +VI CLよシ
但し、C1は負荷の容量
である。Furthermore, in FIG. 4, the voltage Vl # VB * VB
The voltage rise V, is the capacitance t Cst
# Due to the Pootstrap effect of C4x..., υ is the voltage drop V of the voltage v3,
is generated by the distribution of charges of (Cm+Ca)vH, and Vl (C1+C1) ” Vm (C
m+C1) +VI CL, where C1 is the capacity of the load.
ここでトランスファー1#M@、・・・・・・は出力部
■。Here, transfer 1#M@, . . . is the output section ■.
■・・・・・・に現われる容量結合性及び電荷分配によ
蕃残留電圧を軽減するためのもので、例えば上述の電圧
降下v1において、(Cm + Cm ) Vgの電荷
が・母シス(23) K同期してリセットされるので、
これKよる残留電圧の発生が無くなるものである。■ This is to reduce the residual voltage due to the capacitive coupling and charge distribution that appear in...For example, at the voltage drop v1 mentioned above, the charge of (Cm + Cm) Vg is ) Since it is reset in synchronization with K,
This eliminates the generation of residual voltage due to K.
また電圧V4 m Vg・・・・・・の電圧の降下V。Also, the voltage V4 m Vg... The voltage drop V.
は、電圧vl、v、・・・・・・の変化がCB I C
Lを介して現われたもので
である。そしてこの電圧veはdシス[24〕%(25
)・・・・・・K同期してリセットされる。is, the change in voltage vl, v, ...... is CB I C
It appeared through L. And this voltage ve is dsis [24]% (25
)...K is reset in synchronization.
さらに電圧V、、V、・・・・・・及びv、ev、−・
・・・の残留電圧vDは、電圧V@ a VCがリセッ
トされたときの変化がCB * CBを介して現われる
もの及びそれが伝送されたもので
である。Furthermore, the voltages V,, V, ... and v, ev, -.
The residual voltage vD of .
ここで負荷としてCCD g像素子あるいは液晶ディス
プレイ等の容量性の負荷を用いた場合にはc、 > c
@ a C,・・・・・・・・・(6)であ、るので、
上述のV、 a VCは略零とな9、従ってVDも略零
となる。If a capacitive load such as a CCD g-image element or a liquid crystal display is used as the load, c, > c
@ a C, ・・・・・・・・・(6) So,
The above-mentioned V, a VC is approximately zero9, and therefore VD is also approximately zero.
またコンデンサ011 a C・l・・・・・・の容量
値C1は、上述の(4) 、 (5)式から
であり、またトランスファーr−)となるトランジスタ
Ml、 &[41、lhl m+ ++ O耐圧−1i
BY トしタトきであり、これらの2式から求めて
の関に選べばよい。Moreover, the capacitance value C1 of the capacitor 011 a C·l... is from the above-mentioned equations (4) and (5), and the transistor Ml, &[41, lhl m+ ++, which becomes the transfer r-) O pressure resistance -1i
BY Toshi Tatoki, just select from these two equations.
こうして入力信号φ、の伝送が行われるわけであるが、
本発明によれば上述した従来の欠点1−場することがで
きた・
すなわち、上述の回路において、信号を伝送し次の信号
を得るまでの1段の構成が例えばトランジスタM、l
、M2S 、M、、、コンデンサCs104素子のみで
ある。従って回路規模が小さく、IC化し九場合のチッ
プ面積も小さくなる。In this way, the input signal φ is transmitted,
According to the present invention, the above-mentioned drawback of the conventional method can be overcome. In other words, in the above-mentioned circuit, the one-stage configuration from transmitting a signal to obtaining the next signal is made up of transistors M, L, etc.
, M2S , M, , there are only 104 capacitor Cs elements. Therefore, the circuit scale is small, and the chip area when integrated into an IC is also reduced.
また出力信号がクロック信号φ!、φ禽のΔシスを抽出
する形で形成されるので、上述のようにタロツタ信号φ
l、φ、のAシスを短くすることにより容易に出力信号
のオーバーラツプを無くすことができる。Also, the output signal is the clock signal φ! , is formed by extracting the Δsis of φbird, so as mentioned above, the tarotsuta signal φ
Overlapping of output signals can be easily eliminated by shortening the A sis of l and φ.
さらに従来の回路のように貫通電流が流れるととがない
ので、消費電力が極めて小さくなる。Furthermore, unlike conventional circuits, there is no flow of through current, so power consumption is extremely low.
まえ各トランジスタが直線領域で駆動されてbるので、
容易に高速駆動を行うことができ、それによって消費電
力が大きくなることもない。Since each transistor is driven in the linear region,
High-speed driving can be easily performed without increasing power consumption.
さらにクロック信号−1,φ麿のそれぞれによって出力
信号が得られるので、り費ツク信号の周披数管従来の1
にすることがで龜、これによっても消費電力が小さくな
る。Furthermore, since the output signal is obtained by each of the clock signals -1 and φmaro,
This also reduces power consumption.
を九例、tilt二ンへンスメント蓋の素子のみで一少
くてすみ、容1かつ安価に回路を形成できる。In the ninth example, only a few elements are required for the tilt protection lid, and the circuit can be formed in a small size and at low cost.
さらKこの回路にお−て残留電圧VDは、極めて小さく
略零になる。従ってしきい値等の制約がなくなシ、ダイ
ナ建ツタレンゾも最大限利用する仁とができる。Furthermore, the residual voltage VD in this circuit is extremely small and becomes approximately zero. Therefore, there are no restrictions such as thresholds, and it is possible to make maximum use of Dyna-ken Tsutarenzo.
また第2図は本発明O他の例を示す0図においてトラン
ジスタ’1 # M2S e Mtk・・・・・・と?
−)が共通接続されたトランジスタM/ a M4(#
Myl’・・・・・・を設け、このトランジスタM/
m M41′w MH’・・・・・・のソースドレイ
ンをそれぞれ次のトランジスタM*1 e Mli e
Mam・・・・・・のソースと接地ライン(2)との
関に接続する。In addition, FIG. 2 shows another example of the present invention, in which transistor '1 # M2S e Mtk...?
-) are commonly connected transistors M/a M4(#
Myl'... is provided, and this transistor M/
m M41'w MH'......, connect the source and drain of each to the next transistor M*1 e Mli e
Connect to the source of Mam and the ground line (2).
従ってこの回路におhてトランジスタM*’#M41’
6M11′・・・・・・Kよって、上述の電圧V、〜v
Dがリセットされ、各部の波形は第6図のようになる。Therefore, in this circuit, transistor M*'#M41'
6M11'...K Therefore, the above voltage V, ~v
D is reset, and the waveforms of each part become as shown in FIG.
こうしてこの回路によれば、1.*ml+の素子数はl
素子増るが、残留電圧をさらに小さく、略無視し得る値
とすることができる。Thus, according to this circuit, 1. *The number of elements in ml+ is l
Although the number of elements increases, the residual voltage can be further reduced to a value that can be ignored.
とζろで上述の回路にお^て、MOB )ランジスタは
次のように構成される。第7図にお込て、P形のサクス
トレートα〃の上に、N+のソース領域(6)及びドレ
イン領域(至)が形成される。そしてソース領域(6)
とげレイン領域(至)の間の素子の表面に組0゜層α◆
が設けられ、その上Kr−)電極(ロ)が被着形成され
る。In the circuit described above, the MOB transistor is constructed as follows. In FIG. 7, an N+ source region (6) and a drain region (to) are formed on a P-type substrate α. and source area (6)
A 0° layer α◆ on the surface of the element between the thorn rain regions (to)
is provided, and a Kr-) electrode (b) is deposited thereon.
従ってこのようなMOB )ツンジスタにおいて、r−
)電極(ロ)とソース領域(6)とが対内する部分(至
)においてコンデンサが形成され、容量を持つ、また?
−)電位が高くなるとソース領域(至)とドレイン領域
(2)との関にチャンネル(ロ)が形成され、仁のとき
?−)電極に)とチャンネル(財)との間にお−てもコ
ンデンサが形成される。Therefore, in such MOB) Tungister, r-
) A capacitor is formed at the part (to) where the electrode (b) and the source region (6) meet, and has a capacitance.
-) When the potential increases, a channel (b) is formed between the source region (to) and the drain region (2), and when the potential is high, a channel (b) is formed between the source region (to) and the drain region (2). A capacitor is also formed between the electrode () and the channel.
そこで上述の回路において、コンデンサCSt #(1
1++・・・・としてgos トランジスタMal *
MIl −−のr−)とソースあるいはチャンネルと
の関011量を用いることができる。その場合の回路構
成は第8図のようになる。Therefore, in the above circuit, the capacitor CSt #(1
1++... as gos transistor Mal *
The relationship 011 quantity between MIl -- r-) and the source or channel can be used. The circuit configuration in that case is as shown in FIG.
そしてさらにMOB )ランジスタだけでは容量が足〕
な^場合に%第3図の15にコンデンサを設けてもよい
・なおその場合の=ンデンすは、菖9図に示すようにM
OB )ランゾスタMH1M・1 ・・・・・・のf−
)とソースドレインとの間の容量管用いてもよin、t
たζO場場合Mol )ランゾスタM31゜M−1−・
−はエン^ンスメント型でもディブレジョン型でもよ−
。Furthermore, MOB) transistors alone do not have enough capacity]
In this case, a capacitor may be provided at 15 in Figure 3. In that case, the capacitor is M as shown in Figure 9.
OB) Lanzosta MH1M・1... f-
) and the source/drain.
If ζO field then Mol) Lanzosta M31゜M-1-・
− can be an enhancement type or a diversion type −
.
第1図は従来の回路の接続図、第2図はその説明のため
の波形図、縞S図は本発明の一例の接続図、第4図はそ
の説明のための波形図、第5図は他の例の接続図、第6
図はその説明のための波形図、第7図はMO8トランジ
スタの構成図、第8図、第9図は本発明のさらに他の例
の接続図である。
+1) #′i入力端子、(2)は接地ライン、(4)
、 (5)はクロック端子・MlaM@1 *M41
alms aMtlmlas tMsx・・・・−・
はMOB )ランジスタ、cst # c@t ++
++・はコンデンサである。
同 松隈秀!、I4
第1図
第3図
第2図
第4図
K VJI −一
第5図
第7図
第6図
K %
第8図
−5゛lFig. 1 is a connection diagram of a conventional circuit, Fig. 2 is a waveform diagram for explanation thereof, Stripe S diagram is a connection diagram of an example of the present invention, Fig. 4 is a waveform diagram for explanation thereof, and Fig. 5 is another example connection diagram, No. 6
FIG. 7 is a waveform diagram for explaining the same, FIG. 7 is a configuration diagram of an MO8 transistor, and FIGS. 8 and 9 are connection diagrams of still other examples of the present invention. +1) #'i input terminal, (2) is ground line, (4)
, (5) is the clock terminal MlaM@1 *M41
alms aMtlmlas tMsx・・・・−・
is MOB) transistor, cst # c@t ++
++・ is a capacitor. Same Hide Matsukuma! , I4 Figure 1 Figure 3 Figure 2 Figure 4 K VJI -1 Figure 5 Figure 7 Figure 6 K % Figure 8 - 5゛l
Claims (1)
ホロアのゲートソース関にプートストラップ用の容量成
分が持たせられ、上記ソースホロアカ1らの信号が第1
のトランスきツシ璽ンゲートを通じ【次段に供給され、
上記ソースホpア及び第1のトランスミッションゲート
からなる囲路力を順次接続され、上記ソースホはア及び
第1のトランスミフシ1ンゲートが各段ととに交互に異
なる位相で駆動されることにより、上記入力信号力を各
段ごとに順次伝送されると共に、上記ソースホロアのソ
ースに得られる信号で駆動されるIi2のトランスミッ
ションゲートが設けられ、このIi3のトランスミッシ
ョンゲートにて前段の信号b1リセットされるようKし
た信号伝送回路。 2 人力信号がソースホロアに供給され、このソースホ
ロアのゲートソース関にプートストラップ用の容量成分
が持たせられ、上記ソースホ關アからの信号が第1のト
ランスミッションゲートを通じ【次段に供給され、上記
ソースホロア及び第1のトランスミッションゲートから
なる囲路が順次接続され、上記ノースホロア及び第1の
トランスミッションゲートが各段ごとに交互に異なる位
相で駆動されることにより、上記入力信号が各段ととK
11次伝送され、上記ソースホロアのソースに得られる
信号で駆動される第2のトランスミッションゲートが設
ffうtL、この第2のトランスミッションゲートにて
前段の信号がリセットされると共に、上記第1のトラン
スミッションゲートと同相で駆動される第3のトランス
ミッションゲートが設けられ、この第3のトランスミッ
ションゲー)Kて次段の(Ii−j)がリセットされる
ようにした信号伝送回路。[Claims] 1. An input signal is supplied to a source follower, a capacitance component for putot strap is provided between the gate and source of this source follower, and the signals from the source follower 1 and others are connected to a first source follower.
is supplied to the next stage through the transformer gate.
The source hopper and the first transmission gate are sequentially connected to each other, and the source hopper and the first transmission gate are alternately driven with different phases to each stage, so that the source hopper and the first transmission gate are driven alternately in different phases. A transmission gate Ii2 is provided which transmits the signal power sequentially to each stage and is driven by a signal obtained from the source of the source follower, and the transmission gate Ii3 resets the signal b1 of the previous stage. Signal transmission circuit. 2. A human input signal is supplied to the source follower, a capacitance component for a putot strap is provided to the gate source of this source follower, and the signal from the source follower is supplied to the next stage through the first transmission gate, and the source follower is supplied to the source follower. and a first transmission gate are sequentially connected, and the north follower and the first transmission gate are driven at different phases alternately for each stage, so that the input signal is transmitted to each stage and K.
A second transmission gate is set, which is driven by a signal transmitted in the 11th order and obtained from the source of the source follower, and this second transmission gate resets the previous stage signal, and also resets the signal of the first stage. A signal transmission circuit is provided with a third transmission gate driven in the same phase as the gate, and the third transmission gate (Ii-j) is reset by the third transmission gate (Ii-j).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065052A JPS58182196A (en) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | Signal transmitting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065052A JPS58182196A (en) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | Signal transmitting circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182196A true JPS58182196A (en) | 1983-10-25 |
| JPH0375960B2 JPH0375960B2 (en) | 1991-12-03 |
Family
ID=13275794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57065052A Granted JPS58182196A (en) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | Signal transmitting circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182196A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100349057B1 (en) * | 2000-11-22 | 2002-08-17 | 주식회사 티엘아이 | Image sensor circuit with holder corresponding to stage in shift register |
| JP2004524639A (en) * | 2001-02-13 | 2004-08-12 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | Shift register and liquid crystal display device using the same |
| EP1903552A2 (en) | 2006-09-22 | 2008-03-26 | Samsung SDI Co., Ltd. | Scan driver and scan signal driving method and organic light emitting display using the same |
| JP2014032737A (en) * | 2006-01-07 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, display device, display module, and electronic apparatus |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP57065052A patent/JPS58182196A/en active Granted
Cited By (11)
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| US11133335B2 (en) | 2006-01-07 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic device having the same |
| US11563037B2 (en) | 2006-01-07 | 2023-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic device having the same |
| US12027532B2 (en) | 2006-01-07 | 2024-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic device having the same |
| EP1903552A2 (en) | 2006-09-22 | 2008-03-26 | Samsung SDI Co., Ltd. | Scan driver and scan signal driving method and organic light emitting display using the same |
| EP1903552A3 (en) * | 2006-09-22 | 2009-05-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Scan driver and scan signal driving method and organic light emitting display using the same |
| US8130183B2 (en) | 2006-09-22 | 2012-03-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Scan driver and scan signal driving method and organic light emitting display using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375960B2 (en) | 1991-12-03 |
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