JPS5818969A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS5818969A JPS5818969A JP56117162A JP11716281A JPS5818969A JP S5818969 A JPS5818969 A JP S5818969A JP 56117162 A JP56117162 A JP 56117162A JP 11716281 A JP11716281 A JP 11716281A JP S5818969 A JPS5818969 A JP S5818969A
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- JP
- Japan
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- film
- cdte
- cds
- sintered
- paste
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池の製造方法、特にＣｄＴｅ系の太陽電
池の製造方法にかかシ、寿命特性の優れた高性能の太陽
電池を量産性よく製造することのできる方法を提供しよ
うとするものである。
池の製造方法にかかシ、寿命特性の優れた高性能の太陽
電池を量産性よく製造することのできる方法を提供しよ
うとするものである。
…−■族化族化合物手金体用した太陽電池として、もっ
とも広く知られているものはＣｕ ２ Ｓ とＣｄＳの
接合の光起電力効果を利用した太陽電池をあげることが
できる。これはＣｄＳが多結晶であってもかなり性能の
よい太陽電池が実現できるところがＣｕ ２ Ｓ／Ｃｄ
Ｓ系太陽電池の実用化されるに至っていない原因は、
その特性の劣化にあり。
とも広く知られているものはＣｕ ２ Ｓ とＣｄＳの
接合の光起電力効果を利用した太陽電池をあげることが
できる。これはＣｄＳが多結晶であってもかなり性能の
よい太陽電池が実現できるところがＣｕ ２ Ｓ／Ｃｄ
Ｓ系太陽電池の実用化されるに至っていない原因は、
その特性の劣化にあり。
これは、Ｐ形牛導体として使用されているＣ ｕ ２
Ｓの不安定性によるものである。
Ｓの不安定性によるものである。
このような本質的な問題点のあるＣ ｕ ２ Ｓを使用
しない太１＠゛祇池として、ＣｄＴｅ系の太陽電池がら
り、特にＣｄ Ｓ／Ｃｄ Ｔ ｅ系太陽電池は広く研究
されている。この系の太陽電池に於ては、ＣｄＴｅをＰ
形にするだめのアクセプター不純物として主としてＣｕ
化合物が用いられている。Ｃｕをドープする方法として
、ＣｄＴｅ膜をＣｕＣ１水溶液中に浸漬後熱処理する。
しない太１＠゛祇池として、ＣｄＴｅ系の太陽電池がら
り、特にＣｄ Ｓ／Ｃｄ Ｔ ｅ系太陽電池は広く研究
されている。この系の太陽電池に於ては、ＣｄＴｅをＰ
形にするだめのアクセプター不純物として主としてＣｕ
化合物が用いられている。Ｃｕをドープする方法として
、ＣｄＴｅ膜をＣｕＣ１水溶液中に浸漬後熱処理する。
Ｃｕ化合物を蒸着する。Ｃｕ化合物の入ったカーボンペ
ーストを印刷後熱処理する等の方法が用いられてきたが
、いずれもＣｕがイオン伝導しやすいため寿命特性は必
ずしも満足すべきものではなかった。
ーストを印刷後熱処理する等の方法が用いられてきたが
、いずれもＣｕがイオン伝導しやすいため寿命特性は必
ずしも満足すべきものではなかった。
本発明はこのような点に鑑みて成されたものであり、Ｔ
ｏを添加したカーボンペーストをＣｄＴｅ膜上に印刷し
熱処理すればＣｄＴｅ膜をＰ形化できかつ、同時に一方
の電極を形成できることを見い出したものである。Ｔｏ
ばＣｄ Ｔ ｅの構成物質であり、これをＣｄＴｅ中ヘ
ドープしＴｅ過剰のＣｄＴｅ膜をつくることによりＣｄ
ＴｅをＰ形化することができる。又ＴｏはＣｕのように
イオン伝導しやすいものではないので寿命の安定なもの
ができると考えられる。さらに本発明の方法はスクリー
ン印刷法を用いているので蒸着などによってＴｅを付、
着させるのに比べて工程が簡単である。又カーボンペー
スト中へＴｅを添加するという方法を用いているので添
加量を任意に制御できるという特徴も有している。
ｏを添加したカーボンペーストをＣｄＴｅ膜上に印刷し
熱処理すればＣｄＴｅ膜をＰ形化できかつ、同時に一方
の電極を形成できることを見い出したものである。Ｔｏ
ばＣｄ Ｔ ｅの構成物質であり、これをＣｄＴｅ中ヘ
ドープしＴｅ過剰のＣｄＴｅ膜をつくることによりＣｄ
ＴｅをＰ形化することができる。又ＴｏはＣｕのように
イオン伝導しやすいものではないので寿命の安定なもの
ができると考えられる。さらに本発明の方法はスクリー
ン印刷法を用いているので蒸着などによってＴｅを付、
着させるのに比べて工程が簡単である。又カーボンペー
スト中へＴｅを添加するという方法を用いているので添
加量を任意に制御できるという特徴も有している。
以下１本発明の製造方法について、実施例にもとづいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
（実施例１）
ＣｄＳ粉末に融剤としてＣｄＣｌ２を１００重量％プロ
ピレングリコールを２０〜３０重量％加えてＣｄＳ ペ
ーストを作り、これをガラス基板上にスクリーン印刷し
た。乾燥後、これを焼成容器に入れて、窒素気流中で６
９０Ｃの温度で１時間焼結することにより、ＣｄＳ焼結
膜を作成した。次にＣｄＴｅ粉末にＣｄＣｌ２を１重量
％、プロピレングリコールを２０〜３０重量％加えてＣ
ｄＴｅベニストを作シ、これを上記ＣｄＳ焼結膜上にス
クリーン印刷した。乾燥後、これを焼成容器に入れて、
窒素気流中で６４０Ｃで２０分間焼結しＣｄＴｅ焼結膜
をＰ形化するとともに、カーボン電極を形成した。最後
にＣｄＳ側にＡｇ−Ｉｎペーストをスクシー・ン印刷し
てＣｄＳ側の電極をつけ太陽電池素子を完成した。この
太陽電池の真性変換効率は７．８％で６チ月間の屋外の
実働試験では殆ど劣化していなかった。
ピレングリコールを２０〜３０重量％加えてＣｄＳ ペ
ーストを作り、これをガラス基板上にスクリーン印刷し
た。乾燥後、これを焼成容器に入れて、窒素気流中で６
９０Ｃの温度で１時間焼結することにより、ＣｄＳ焼結
膜を作成した。次にＣｄＴｅ粉末にＣｄＣｌ２を１重量
％、プロピレングリコールを２０〜３０重量％加えてＣ
ｄＴｅベニストを作シ、これを上記ＣｄＳ焼結膜上にス
クリーン印刷した。乾燥後、これを焼成容器に入れて、
窒素気流中で６４０Ｃで２０分間焼結しＣｄＴｅ焼結膜
をＰ形化するとともに、カーボン電極を形成した。最後
にＣｄＳ側にＡｇ−Ｉｎペーストをスクシー・ン印刷し
てＣｄＳ側の電極をつけ太陽電池素子を完成した。この
太陽電池の真性変換効率は７．８％で６チ月間の屋外の
実働試験では殆ど劣化していなかった。
一方、ＣｄＴｅ焼結膜上に０．１重量％のＣｕを含んだ
高純度カーボンペーストをつけ、５ｏｏＣで３０分間熱
処理してつくった太陽電池素子の真性１変換効率はｓ、
１％ 、 ３ｓｏｃで３０分間熱処理し本素子は６．２
％であった。しかしこれらの素子はｔ化が大きく、６チ
月間の屋外の実働試験で前者で１５％、後者で２０チの
劣化率を示した。
高純度カーボンペーストをつけ、５ｏｏＣで３０分間熱
処理してつくった太陽電池素子の真性１変換効率はｓ、
１％ 、 ３ｓｏｃで３０分間熱処理し本素子は６．２
％であった。しかしこれらの素子はｔ化が大きく、６チ
月間の屋外の実働試験で前者で１５％、後者で２０チの
劣化率を示した。
（実施例２）
酸化インジウムのついたガラス基板上に、ＣｄＳ膜をス
パッター法でっけ、さらにその上にＣｄＴｅ膜を蒸着法
でつけた。次にＴｅを。、３重［１んだ高純度カーボン
ペーストをこのＣｄＴｅ膜上に印刷し３ｏｏＣで３０分
間熱処理し、ＣｄＴｅ膜をＰ形化するとともに、カーボ
ン電極を形成し、太陽電池素子をつくった。この・太陽
電池の真性変換効率は６．６チで６チ月間の屋外の実働
試験では殆ど劣化していなかった。一方％ＣｄＴｅ蒸着
膜上に。、０２チのＣｕ Ｓ Ｏ４を含んだ高純度カー
ボンペーストをつけ、３００Ｃで３０分間熱処理してつ
くった太陽電池素子の真性変換効率は６．９％であった
か、６チ月の実働試験で１０％の劣化率を示した。
パッター法でっけ、さらにその上にＣｄＴｅ膜を蒸着法
でつけた。次にＴｅを。、３重［１んだ高純度カーボン
ペーストをこのＣｄＴｅ膜上に印刷し３ｏｏＣで３０分
間熱処理し、ＣｄＴｅ膜をＰ形化するとともに、カーボ
ン電極を形成し、太陽電池素子をつくった。この・太陽
電池の真性変換効率は６．６チで６チ月間の屋外の実働
試験では殆ど劣化していなかった。一方％ＣｄＴｅ蒸着
膜上に。、０２チのＣｕ Ｓ Ｏ４を含んだ高純度カー
ボンペーストをつけ、３００Ｃで３０分間熱処理してつ
くった太陽電池素子の真性変換効率は６．９％であった
か、６チ月の実働試験で１０％の劣化率を示した。
なお、実施例１，２に於て高純度カーボンペースト中に
何も添加しない場合は真性変換効率は低く、１％以下で
あった。
何も添加しない場合は真性変換効率は低く、１％以下で
あった。
以上述べたように５本発明の方法によれば寿命の安定な
太陽電池素子を簡単な工程で作成できる。
太陽電池素子を簡単な工程で作成できる。
特に実施例１で述べたようなＣｄＳ膜、ＣｄＴｅ膜。
電極を全てスクリーン印刷方式で形成させてつくる太陽
電池では工程が量産性に優れているので、本発明の方法
を採用すれば安価で安定な太陽電池を提供することがで
きる。 □ なお、上記実施例ではＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池につい
て述べたが、本発明の方法はＣｄＴｅホモ接合太陽電池
などに於てもＣｄＴｅをＰ形化するのに有効であるのは
勿論のことである。
電池では工程が量産性に優れているので、本発明の方法
を採用すれば安価で安定な太陽電池を提供することがで
きる。 □ なお、上記実施例ではＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池につい
て述べたが、本発明の方法はＣｄＴｅホモ接合太陽電池
などに於てもＣｄＴｅをＰ形化するのに有効であるのは
勿論のことである。
Claims (1)
- 少くともＣｄＴｅ膜を含む■−匠族化合物手導体膜を基
板上に積層して設ける太陽電池の製造方法において前記
ＣｄＴｅ膜上にＴｏを添加したカーボンペーストを印刷
した後、熱処理を施すことによシ、前記ＣｄＴｅ膜をＰ
形化すると同時に一方の電極を形成することを特徴とす
る太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117162A JPS5818969A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117162A JPS5818969A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818969A true JPS5818969A (ja) | 1983-02-03 |
| JPS622711B2 JPS622711B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=14704981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117162A Granted JPS5818969A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818969A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4709466A (en) * | 1985-04-15 | 1987-12-01 | The University Of Delaware | Process for fabricating thin film photovoltaic solar cells |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP56117162A patent/JPS5818969A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4709466A (en) * | 1985-04-15 | 1987-12-01 | The University Of Delaware | Process for fabricating thin film photovoltaic solar cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622711B2 (ja) | 1987-01-21 |
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