JPS58192047A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS58192047A JPS58192047A JP7580582A JP7580582A JPS58192047A JP S58192047 A JPS58192047 A JP S58192047A JP 7580582 A JP7580582 A JP 7580582A JP 7580582 A JP7580582 A JP 7580582A JP S58192047 A JPS58192047 A JP S58192047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- tellurium
- selenium
- layer
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体に関し、さらに祥しくはP
PCカラー用複写機にも使用しうる高感度で優れた感度
安定性含有し、残留電位が小さく帯電電位の高い電子写
真用感光体に関する。
PCカラー用複写機にも使用しうる高感度で優れた感度
安定性含有し、残留電位が小さく帯電電位の高い電子写
真用感光体に関する。
カラー用豪写機にも使用し5る電子写真用感光体は、4
00〜700 amにわたる広範囲な波長領域の光に対
して優れた分光感度特性を有すること、暗減衰磁度が小
さいこと、光照射時の光減衰速度が大きく光感度が優れ
ていること、残留電位が小さく@醸電位が高いことなど
の性質を備先ることが必要とされる。
00〜700 amにわたる広範囲な波長領域の光に対
して優れた分光感度特性を有すること、暗減衰磁度が小
さいこと、光照射時の光減衰速度が大きく光感度が優れ
ていること、残留電位が小さく@醸電位が高いことなど
の性質を備先ることが必要とされる。
上記り諸性′j!lt−満足させるため、多j−構造を
有する1子写真用感光体が開発されてきた。たとえば、
セレン−テルル−ゲルマニウム感光1−と、セレン−ゲ
ルマニウム感光層とを基体上に積層してなる電子写真感
光体、あるいは、導電性基板と、非晶質セレン電荷移動
I−と、非晶質セレンーテルルーヒ−1g1lからなる
電荷発生層とからなる電子写真用感光体、さらには、ア
ルミニウム基体上のセレン)−に、9〜tomt*のテ
ルルtt有し、セレン層との界IfI部のテルル濃度が
約5事瞳チで衆面部のテルル濃度が約16〜171r瞳
−の分布からなるセレン−テルル層を積層した電子写真
用感光体などが知られている。
有する1子写真用感光体が開発されてきた。たとえば、
セレン−テルル−ゲルマニウム感光1−と、セレン−ゲ
ルマニウム感光層とを基体上に積層してなる電子写真感
光体、あるいは、導電性基板と、非晶質セレン電荷移動
I−と、非晶質セレンーテルルーヒ−1g1lからなる
電荷発生層とからなる電子写真用感光体、さらには、ア
ルミニウム基体上のセレン)−に、9〜tomt*のテ
ルルtt有し、セレン層との界IfI部のテルル濃度が
約5事瞳チで衆面部のテルル濃度が約16〜171r瞳
−の分布からなるセレン−テルル層を積層した電子写真
用感光体などが知られている。
こねらのこれまでに知られている電子写真用感光体は、
いずれも良好な分光感度特性紫有しているが、繰返し使
用した場合におけろ暗時の帯**位の減衰丁なわち暗減
衰が無視できず、残貿電位が使用により増大し、かつ安
定した高感度状態が得られないという欠点があった。
いずれも良好な分光感度特性紫有しているが、繰返し使
用した場合におけろ暗時の帯**位の減衰丁なわち暗減
衰が無視できず、残貿電位が使用により増大し、かつ安
定した高感度状態が得られないという欠点があった。
本発明はこのような欠点を解決しようとするものであり
、帝WL[位が高く、しかも残留酸位が小さく、かつ高
感度であってプレードクリーニング方式を用いた複写シ
ステムでも安定した感度、帯電が得られる電子写真用感
光体を提供することを目的としている。
、帝WL[位が高く、しかも残留酸位が小さく、かつ高
感度であってプレードクリーニング方式を用いた複写シ
ステムでも安定した感度、帯電が得られる電子写真用感
光体を提供することを目的としている。
本発明による電子写真用感光体は、導電性基体上に、無
定形セレンまたは0.5〜2重量%のヒ素を含有するセ
レンから選択される30〜100μmの厚さの第1感光
体1−を設け、この第1感光体1−上に、3〜71曖チ
のテルルを含有するセレンからなる0、1〜2μmの厚
さの第2感光体111に設け、更にこの#!2感光体の
中間層の上に、10〜25重睦係のテルルを含有するセ
レンまたはlO〜250〜25曖チルルと0.5〜1重
tチのヒ素とを含有するセレンから選択される0、5〜
6μmの厚さの第3織光体1i#を設けることを特命と
している。
定形セレンまたは0.5〜2重量%のヒ素を含有するセ
レンから選択される30〜100μmの厚さの第1感光
体1−を設け、この第1感光体1−上に、3〜71曖チ
のテルルを含有するセレンからなる0、1〜2μmの厚
さの第2感光体111に設け、更にこの#!2感光体の
中間層の上に、10〜25重睦係のテルルを含有するセ
レンまたはlO〜250〜25曖チルルと0.5〜1重
tチのヒ素とを含有するセレンから選択される0、5〜
6μmの厚さの第3織光体1i#を設けることを特命と
している。
以下、本発明の電子写真用感光体を図面を参照して峰述
するに、まず、第1図は、本発明による電子写真用感光
体の断面図を示している。
するに、まず、第1図は、本発明による電子写真用感光
体の断面図を示している。
アルミニウム、ニッケル、ステンレス、鉛、銀、酸化ス
ズなどの導電性基体1上に、電荷輸送I−として無定形
セレンまたはセレンーヒ素(ヒ素:0.5〜2 N 1
% ) 430−100 ttm (好ましくは4
0〜70μm)に蒸着し、この第1感光体層2に、セレ
ン−テルル(テルル;3〜?’lt係) 113 k蒸
着し、0.1〜2μmの1厚さの膜とする。更にこの$
22感体43上に、0.5〜6μmの厚さに、セレン−
テルル(テルル:1o−25i1tチ、ヒ素:Q、5〜
1’jlflt%)の第3感光体1−4を蒸着し、−荷
発生1−とする。
ズなどの導電性基体1上に、電荷輸送I−として無定形
セレンまたはセレンーヒ素(ヒ素:0.5〜2 N 1
% ) 430−100 ttm (好ましくは4
0〜70μm)に蒸着し、この第1感光体層2に、セレ
ン−テルル(テルル;3〜?’lt係) 113 k蒸
着し、0.1〜2μmの1厚さの膜とする。更にこの$
22感体43上に、0.5〜6μmの厚さに、セレン−
テルル(テルル:1o−25i1tチ、ヒ素:Q、5〜
1’jlflt%)の第3感光体1−4を蒸着し、−荷
発生1−とする。
第3感光体I−4からなる高濃度テルル1−については
蒸着により弾を形成する時に、蒸着温度等の調整や、蒸
着セード上にシャッターを取り付け、適当なシャッター
の開閉操作等によりテルルが均一に分布された蒸isを
得るようにする。この衣j−のセレン−テルル層のテル
ル#章が10重tsより小さいと、カラー用初写機の感
光体として用いる場合に600 nm以上の長波長側の
光に対しての感度が小さく、カラー用としては中いるこ
とができない。また、25事tチ以上の高Siのテルル
を含有する場合には、抵抗が小さくなり、帯電゛(位が
低くなるため好ましくない。ヒ素は、セレンの結晶化を
防止するために、所望により添加する。
蒸着により弾を形成する時に、蒸着温度等の調整や、蒸
着セード上にシャッターを取り付け、適当なシャッター
の開閉操作等によりテルルが均一に分布された蒸isを
得るようにする。この衣j−のセレン−テルル層のテル
ル#章が10重tsより小さいと、カラー用初写機の感
光体として用いる場合に600 nm以上の長波長側の
光に対しての感度が小さく、カラー用としては中いるこ
とができない。また、25事tチ以上の高Siのテルル
を含有する場合には、抵抗が小さくなり、帯電゛(位が
低くなるため好ましくない。ヒ素は、セレンの結晶化を
防止するために、所望により添加する。
その添加積が11曖チを超★−ると、残菫電位が増加す
るため姓ましくない。また、セレン−テルルの表層の嗅
厚は、0.5μm以下では、捨耳機内で使用する場合に
、耐久性という点からもちこたえることができず、6μ
m以上では、暗減りの増大、光1ぼ労等から好ましくな
い。
るため姓ましくない。また、セレン−テルルの表層の嗅
厚は、0.5μm以下では、捨耳機内で使用する場合に
、耐久性という点からもちこたえることができず、6μ
m以上では、暗減りの増大、光1ぼ労等から好ましくな
い。
第2感光体の中間1−3のテルルき度は、1000Vか
らWランプで光減衰させた時の10秒後の表面電位(■
8.。)として示される残悄電位が40Vである時金め
やすとして決定される。その理由は、残貿電位(VR4
o)が40V全−憂る感光体を複写機に使用した場合、
繰り返し残留′イ1位が100vを緘え、画像をコピー
した時に、地肌汚れ等の現j6!を生じ、複写機用感光
体としては良好でなくなるためである。この点に関し、
残W4″#L位(■8.。)と、第2感元体の中間I1
13のセレン−テルル1−中のテルル一度との相関を示
したのが、第2図である。この第2図からも明らかなよ
うに、残′t44を位(vRlo)が40v以下の範囲
にあるものとするためには、中間!−のテルル濃度は、
3〜711th%と↑ろことが必璧となる。
らWランプで光減衰させた時の10秒後の表面電位(■
8.。)として示される残悄電位が40Vである時金め
やすとして決定される。その理由は、残貿電位(VR4
o)が40V全−憂る感光体を複写機に使用した場合、
繰り返し残留′イ1位が100vを緘え、画像をコピー
した時に、地肌汚れ等の現j6!を生じ、複写機用感光
体としては良好でなくなるためである。この点に関し、
残W4″#L位(■8.。)と、第2感元体の中間I1
13のセレン−テルル1−中のテルル一度との相関を示
したのが、第2図である。この第2図からも明らかなよ
うに、残′t44を位(vRlo)が40v以下の範囲
にあるものとするためには、中間!−のテルル濃度は、
3〜711th%と↑ろことが必璧となる。
本発明による感光体は、広範囲な波長領緘の光に対して
安定した優れた分光感度特性を有するため、特にカラー
用複写機に使用するのが好ましいが、もちろん一般用複
写機にも使用できる。
安定した優れた分光感度特性を有するため、特にカラー
用複写機に使用するのが好ましいが、もちろん一般用複
写機にも使用できる。
以下本発明の電子写真用感光体を、例により説明するが
、本祐明はこれらに限定されるものではない。
、本祐明はこれらに限定されるものではない。
例】
真空蒸着装置内に長さ35011m、直径120mmφ
のアルミドラムをセットし、基板温度75℃、Pラム回
転数3Orpm 、 I Xl0−〜3 XIOto
rrの真空度において蒸着を行なう。蒸着用−一ト(ス
テンレス製円筒セード)は3組用いる。
のアルミドラムをセットし、基板温度75℃、Pラム回
転数3Orpm 、 I Xl0−〜3 XIOto
rrの真空度において蒸着を行なう。蒸着用−一ト(ス
テンレス製円筒セード)は3組用いる。
各層の形成のための蒸着条件は、以下の通りである。
このようにして製造された本発明の感光体ドラムの靜暖
時1!′+をl¥llj定した。その結果を表(B)に
示す。
時1!′+をl¥llj定した。その結果を表(B)に
示す。
例2〜4
1+ll 1と同様の方法で蒸着を行ない、得られた感
光体の静電特性を例1と同様にして測定した。その結果
を表(B)に示す。
光体の静電特性を例1と同様にして測定した。その結果
を表(B)に示す。
なお、蒸着の条件は、表(A)に示されるものとした。
比較例
例1と同様の方法で蒸着を行なった。その際に、蒸着セ
ードは2組用いた。蒸着の条件は、表(A)に示されて
いる。また、得られた感光体は、例1と同様にし静電特
性が測定された。その結果を表(B)に示す。
ードは2組用いた。蒸着の条件は、表(A)に示されて
いる。また、得られた感光体は、例1と同様にし静電特
性が測定された。その結果を表(B)に示す。
表から、本発明の電子写真用感光体はl+ねた特性を有
していることがわかる。
していることがわかる。
なお、表(B)の静電特性の特性値の記号は、次のもの
を示す。
を示す。
(1)感 度:S
Wランプ(2854°K)で潰)ルックスの嬉光敏で1
000 Vから100■に光減衰するために必要な時間
(抄)。
000 Vから100■に光減衰するために必要な時間
(抄)。
(2)赤色感度:SR
600nm以上の長波長光でtooo vから100V
光減衰するために必要な時間(秒)。
光減衰するために必要な時間(秒)。
(3)嫂高表面電位:■ウ
コロナ電流が40μAでチャージ後、加秒たった時の表
面電位(Iルト)。
面電位(Iルト)。
(4)暗減衰:DD
vMから加秒暗順応させた後の表面電位/ VM 。
(5)残笛電位:VR10
1000VからWランプで光減衰させた時の10秒後の
表面電位(2ルト)。
表面電位(2ルト)。
第1図は、本発明による電子写真用感光体の断面図であ
り、@2図は、中間の感光体セレン−テルル層のテルル
濃度と残留電位(、VRlo)との相間関係を示す図で
ある。 1・・・導電性基体、2・・・第1感光体’111 (
Se、 5e−As)、3・・・第2感光体1ii(5
e−Te )、4・・・第3感光体1ii1 (5s−
Te 、 Se−To−Am )。 出願人代理人 猪 股 清
り、@2図は、中間の感光体セレン−テルル層のテルル
濃度と残留電位(、VRlo)との相間関係を示す図で
ある。 1・・・導電性基体、2・・・第1感光体’111 (
Se、 5e−As)、3・・・第2感光体1ii(5
e−Te )、4・・・第3感光体1ii1 (5s−
Te 、 Se−To−Am )。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 4電性基体上に、無定形セレンまたは0.5〜2重t%
のヒ素を含有するセレンから選択される(資)〜100
μmの膜ll1j1を有てる第1感光体層を設け、この
第1感光体1−上K、3〜7重tチのテルルを含有τる
セレンからなる0、1〜2μmのats’i有する第2
感光体層を設け、更にこの第2感光体の中間(−の上に
、10〜25重t%のテルルを含有するセレンまたは1
0〜25xtsのテルルと0.5〜1重値係のヒ素とを
含有するセレンから選択される0、5〜6μm0)膜厚
を有する第3感光体1−を設けてなる電子写真用感光体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7580582A JPS58192047A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7580582A JPS58192047A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192047A true JPS58192047A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13586773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7580582A Pending JPS58192047A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192047A (ja) |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP7580582A patent/JPS58192047A/ja active Pending
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