JPS58193441A - 光電子測定装置 - Google Patents
光電子測定装置Info
- Publication number
- JPS58193441A JPS58193441A JP57075242A JP7524282A JPS58193441A JP S58193441 A JPS58193441 A JP S58193441A JP 57075242 A JP57075242 A JP 57075242A JP 7524282 A JP7524282 A JP 7524282A JP S58193441 A JPS58193441 A JP S58193441A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- work function
- gaas
- measure
- evaporation amount
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電子放出現象を用いたスピン偏極電子源など
の光電子放出型電子源の基本特性を測定し解析するため
の光電子測定装置に関するものである。
の光電子放出型電子源の基本特性を測定し解析するため
の光電子測定装置に関するものである。
アルカリ原子の蒸着量のモニター管行うために表面電離
現象を使う方法はＬａｎｇｍｕｉｒＣ１，Ｌａｎｇｍｕ
ｉｒ ｅｔ、 ｓＬ、、ｐｔｏｃ 、 Ｓｏｃ。
現象を使う方法はＬａｎｇｍｕｉｒＣ１，Ｌａｎｇｍｕ
ｉｒ ｅｔ、 ｓＬ、、ｐｔｏｃ 、 Ｓｏｃ。
（Ｌｏｎｄｏｎ）Ａ１０７（１９２５）６１）が使って
いる。
いる。
また、ケルビン法による仕事関数測定はＺｉｓｍａｎ（
Ｗ、 Ａ、 Ｚｉｓｍａｎ、 Ｒｅｖ、 Ｓｃｉ 、
Ｉｎｓｔｒｕｍ、 ３（１９３２）３６７）が原型を示
している。さらに、光電子の角度依存性を考慮しないエ
ネルギー分布の測定法はＰ １ｅｒｃｅら（Ｄ＋＋ Ｔ
ｏ Ｐｔｅｒｃｅ ｅｔ 。
Ｗ、 Ａ、 Ｚｉｓｍａｎ、 Ｒｅｖ、 Ｓｃｉ 、
Ｉｎｓｔｒｕｍ、 ３（１９３２）３６７）が原型を示
している。さらに、光電子の角度依存性を考慮しないエ
ネルギー分布の測定法はＰ １ｅｒｃｅら（Ｄ＋＋ Ｔ
ｏ Ｐｔｅｒｃｅ ｅｔ 。
ａｌ、、 Ｒ，ｅｖ、 Ｓｃｉ、 Ｉｎｓｔｒｕｍ、、
４１ （１９７０）１７４０） が原型を示してい
る。
４１ （１９７０）１７４０） が原型を示してい
る。
光電子放出型電子源の特性は周囲の雰囲気の影響を受け
て変化するの′で、通常、超高真空容器の中に入れて使
用する。しかし、各種測定を超高真空中で行っている間
にも電子源の特性が変化する可能性があり、これを迅速
に追跡することが必要である。
て変化するの′で、通常、超高真空容器の中に入れて使
用する。しかし、各種測定を超高真空中で行っている間
にも電子源の特性が変化する可能性があり、これを迅速
に追跡することが必要である。
したがって、本発明の目的は上述した電子源の特性を簡
単、かつ、迅速に測定できる光電子測定装置を提供する
ことにある。
単、かつ、迅速に測定できる光電子測定装置を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために本発明においては、光電子放
出面のアルカリ原子蒸着量と、仕事関数値の測定には、
それぞれ高温タングステン表面（１７００〜２０００Ｋ
）と、タングステン清浄表面とが必要であり、この条件
を一枚のタングステン薄板で満たすように構成し、また
、光電子のエネルギー分布の角度依存性の測定と、空間
分布の測定とを、同一のエネルギー分析器を使い、球面
アノードとファラデーカップとを組み合わせて測定する
ように構成したことを特徴としている。
出面のアルカリ原子蒸着量と、仕事関数値の測定には、
それぞれ高温タングステン表面（１７００〜２０００Ｋ
）と、タングステン清浄表面とが必要であり、この条件
を一枚のタングステン薄板で満たすように構成し、また
、光電子のエネルギー分布の角度依存性の測定と、空間
分布の測定とを、同一のエネルギー分析器を使い、球面
アノードとファラデーカップとを組み合わせて測定する
ように構成したことを特徴としている。
以下、本発明を図を用いて説明する。
第１〜３図は本発明による光電子測定装置の実施例を示
したものである。第１図は測定装置であり、１は超高真
空容器、２は電子源、３はタングステン薄板、４はセシ
ウム（Ｃｓ）源、５はケルビンプローブ、６は７アラデ
ーカツプ、７は球面アノード、８はグリッド、９は入射
光である。電子源２は光電子放出型スピン偏極電子源と
し、ＧａＡｓ単結晶板の表面にＣｓ源４を用いてｃ８が
蒸着されたものを考える。
したものである。第１図は測定装置であり、１は超高真
空容器、２は電子源、３はタングステン薄板、４はセシ
ウム（Ｃｓ）源、５はケルビンプローブ、６は７アラデ
ーカツプ、７は球面アノード、８はグリッド、９は入射
光である。電子源２は光電子放出型スピン偏極電子源と
し、ＧａＡｓ単結晶板の表面にＣｓ源４を用いてｃ８が
蒸着されたものを考える。
第２図に示すようにＧａＡｓ板２に蒸着するＣｓ量をタ
ングステン薄板（温度１７００Ｋ 〜２０００Ｋ）３
Ｔｈ使って測定する（第２図（ａ））。
ングステン薄板（温度１７００Ｋ 〜２０００Ｋ）３
Ｔｈ使って測定する（第２図（ａ））。
加熱Ｗ板３表面では入射Ｃｓ原子はすべてＣｓ”イオン
に電離されるのでＣｓ”イオン電流測定がらＣｓ蒸着量
が分かる。第２図（ｂ）にＱａＡｓ板２にＣｓを蒸着し
ている様子を示している。次に、ケルビン法の原理に基
き、同一のＷ板３ｔ−２５００に以上でフラッシングし
て表面を清浄にした後、ケルビンプローブ５の仕事関数
を校正し第２図（Ｃ））その後、ケルビンプローブ５で
Ｑ ａＡｓ板２（Ｃｓ蒸着後）の仕事関数を測定する（
第２図（ｄ））。このＧａＡｓ板２に波長１μｍ程度の
光９を照射して光電子（スピン偏極している）を放出さ
せ、エネルギー分析器の球面グリッド８とファラデーカ
ップ６とを使ってエネルギー分布の角度依存性を測定す
る（第３図（ａ））。つぎに、グリッド８に球面アノー
ド（螢光体塗布）７を重ねて、光電子の空間分布を測定
する（第３図（ｂ））。
に電離されるのでＣｓ”イオン電流測定がらＣｓ蒸着量
が分かる。第２図（ｂ）にＱａＡｓ板２にＣｓを蒸着し
ている様子を示している。次に、ケルビン法の原理に基
き、同一のＷ板３ｔ−２５００に以上でフラッシングし
て表面を清浄にした後、ケルビンプローブ５の仕事関数
を校正し第２図（Ｃ））その後、ケルビンプローブ５で
Ｑ ａＡｓ板２（Ｃｓ蒸着後）の仕事関数を測定する（
第２図（ｄ））。このＧａＡｓ板２に波長１μｍ程度の
光９を照射して光電子（スピン偏極している）を放出さ
せ、エネルギー分析器の球面グリッド８とファラデーカ
ップ６とを使ってエネルギー分布の角度依存性を測定す
る（第３図（ａ））。つぎに、グリッド８に球面アノー
ド（螢光体塗布）７を重ねて、光電子の空間分布を測定
する（第３図（ｂ））。
本発明によれば、（イ）アルカリ原子の蒸着量とそれに
よる光電子放出面の仕事関数の変化を同時に測定できる
、（ロ）光電子のエネルギー分布の角度依存性と、空間
分布とを同時に測定できる。
よる光電子放出面の仕事関数の変化を同時に測定できる
、（ロ）光電子のエネルギー分布の角度依存性と、空間
分布とを同時に測定できる。
これ１で、上記（（イ）、（ロ）の各々の機能と、それ
を） Ｉ” 合わせもった光電子測定装置は無く、本装置は測定を著
しく効率的に、かつ正確に（経時変化なく］行うことが
できる等の効果がある。
を） Ｉ” 合わせもった光電子測定装置は無く、本装置は測定を著
しく効率的に、かつ正確に（経時変化なく］行うことが
できる等の効果がある。
第１図は本発明による光電子測定装置全体の概略構成図
、第２図（ａ）、（ｂ）はＣｍ蒸着量測定法の説明図、
同図（Ｃ）、（ｄ）は仕事関数測定法の説明図、第３図
（ａ）、 （ｂ）は光電子のエネルギー分布の角度依存
性と空間分布の測定法の説明図である。 １・・・超高真空容器、２・・・電子源（ＧａＡｓ単結
晶）、３・・・タングステン薄板、４・・・セシウム（
Ｃｓ）Ｉｉ着源、５・・・ケルビンプローブ、６・・・
ファラデーカップ、７・・・球面アノード、８・・・球
面グリッド、９第ｊ図 高 ２ 図 第 ３ （ｄ） （ｂ）
、第２図（ａ）、（ｂ）はＣｍ蒸着量測定法の説明図、
同図（Ｃ）、（ｄ）は仕事関数測定法の説明図、第３図
（ａ）、 （ｂ）は光電子のエネルギー分布の角度依存
性と空間分布の測定法の説明図である。 １・・・超高真空容器、２・・・電子源（ＧａＡｓ単結
晶）、３・・・タングステン薄板、４・・・セシウム（
Ｃｓ）Ｉｉ着源、５・・・ケルビンプローブ、６・・・
ファラデーカップ、７・・・球面アノード、８・・・球
面グリッド、９第ｊ図 高 ２ 図 第 ３ （ｄ） （ｂ）
Claims (1)
- １、光電子放出現象を用いた電子源における電子放出用
結晶の表面に蒸着するアルカリ原子の蒸着量と、蒸着後
の結晶表面の仕事関数値とを、タングステン薄板を用い
て同時に測定できるように構成してなる光電子測定装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075242A JPH0711495B2 (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 光電子測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075242A JPH0711495B2 (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 光電子測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58193441A true JPS58193441A (ja) | 1983-11-11 |
| JPH0711495B2 JPH0711495B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=13570553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075242A Expired - Lifetime JPH0711495B2 (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 光電子測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711495B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262043A (ja) * | 1984-06-09 | 1985-12-25 | Rikagaku Kenkyusho | 表面の清浄度計測方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2495998B (en) * | 2012-02-24 | 2013-09-25 | Kp Technology Ltd | Measurement apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144434A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-16 | Shaken Kk | Mojihatsuseisochi |
| JPS5277792A (en) * | 1975-12-19 | 1977-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Method of analyzing nonconductive specimen by photoelectron polarizing method and plate for holding specimen |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075242A patent/JPH0711495B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144434A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-16 | Shaken Kk | Mojihatsuseisochi |
| JPS5277792A (en) * | 1975-12-19 | 1977-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Method of analyzing nonconductive specimen by photoelectron polarizing method and plate for holding specimen |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262043A (ja) * | 1984-06-09 | 1985-12-25 | Rikagaku Kenkyusho | 表面の清浄度計測方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711495B2 (ja) | 1995-02-08 |
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