JPS58194131A - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents
磁気記憶体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58194131A JPS58194131A JP57074894A JP7489482A JPS58194131A JP S58194131 A JPS58194131 A JP S58194131A JP 57074894 A JP57074894 A JP 57074894A JP 7489482 A JP7489482 A JP 7489482A JP S58194131 A JPS58194131 A JP S58194131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- magnetic storage
- magnetic
- storage body
- fluororesin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置ｉｔ（磁気ディスク装置または
磁気ドラム装置なと）に用いられる磁気記憶体およびそ
の製造方法に関する。
磁気ドラム装置なと）に用いられる磁気記憶体およびそ
の製造方法に関する。
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気１−分の空間を作り、この状態で記録再
生をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ
方式。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気１−分の空間を作り、この状態で記録再
生をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ
方式。
以下Ｃ８Ｓ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時に磁
気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる卓擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにか＼る荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる卓擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにか＼る荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
またｆＫ記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接
触しヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッ
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる
。
触しヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッ
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる
。
またヘッドと磁気記憶体表面はそれぞれ非常に平滑な面
よりなっているのでヘッドと磁気記憶体を接触したまま
長時間放置すると互いに密着して磁気記憶体を回転させ
るモーターが回転不能となったり、＆るしい場合はヘッ
ドの支持バネが破損することが起こる。（以下ヘッド吸
着と称する）この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦
、摩耗、破壊およびヘッド吸着からヘッドおよび磁気記
憶体を保護するために磁気記憶体の表面に潤滑剤を被覆
することが必要であり、従来より種々のＩＩｌ屑剤提案
されている。
よりなっているのでヘッドと磁気記憶体を接触したまま
長時間放置すると互いに密着して磁気記憶体を回転させ
るモーターが回転不能となったり、＆るしい場合はヘッ
ドの支持バネが破損することが起こる。（以下ヘッド吸
着と称する）この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦
、摩耗、破壊およびヘッド吸着からヘッドおよび磁気記
憶体を保護するために磁気記憶体の表面に潤滑剤を被覆
することが必要であり、従来より種々のＩＩｌ屑剤提案
されている。
例えばポリテトラフロロエチレンなどのふっ素樹脂が知
られているが、ふっ素樹脂は常温常圧においてはいかな
る溶媒にも不溶であり、磁気記憶体に塗布することは非
常に困難である。
られているが、ふっ素樹脂は常温常圧においてはいかな
る溶媒にも不溶であり、磁気記憶体に塗布することは非
常に困難である。
例えばふっ素樹脂粉末金体養記惜体表面に薄く均一に付
着させることは非常に困難である。すなわちふっ素樹脂
粉末をワイピングにより付着させた磁気ディスクとヘッ
ドを接触摩擦状態にすると、不均一に付着したふっ素樹
脂がヘッドとの摩擦により容易に取り去られてヘッドの
まわりに集積し、ヘッドの浮揚特性を悪くさせてかえっ
てヘッドと磁気記憶体の摩耗を促進する。
着させることは非常に困難である。すなわちふっ素樹脂
粉末をワイピングにより付着させた磁気ディスクとヘッ
ドを接触摩擦状態にすると、不均一に付着したふっ素樹
脂がヘッドとの摩擦により容易に取り去られてヘッドの
まわりに集積し、ヘッドの浮揚特性を悪くさせてかえっ
てヘッドと磁気記憶体の摩耗を促進する。
又、ふっ素樹脂が付着した部分と付着しない部分がある
ため、摩擦係数のむらが大きく、ヘッドのステックスリ
ップが生じ易い。
ため、摩擦係数のむらが大きく、ヘッドのステックスリ
ップが生じ易い。
本発明の目的は摩擦係数のむらが少なく、ヘッドの浮揚
特性を損なわｈい均一で薄い耐岸耗性ＶＣ優れた磁気記
憶体の製造方法を提供することＶＣある。
特性を損なわｈい均一で薄い耐岸耗性ＶＣ優れた磁気記
憶体の製造方法を提供することＶＣある。
すなわち本発明の磁気記憶体の製造方法は鏡面を有する
磁気記憶体表面をガス状ふっ素化炭化水素を流入したプ
ラズマ中にさらし、該磁気記憶体表面に均一なふっ素樹
脂薄膜を形成させることを特徴としている。
磁気記憶体表面をガス状ふっ素化炭化水素を流入したプ
ラズマ中にさらし、該磁気記憶体表面に均一なふっ素樹
脂薄膜を形成させることを特徴としている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図Ｕ本発明の磁気記憶体の部分断面図で、ｌは下地体で
あり、鏡面を有する面に仕上げられる。次にこの下地体
ｌの上に磁性媒体２としてＣｏ Ｎ ｉ Ｐで代表され
る磁性金属が被覆され、その上に保護膜３が被覆され、
その上にふっ素樹、哨４が均一に被覆きれる。
あり、鏡面を有する面に仕上げられる。次にこの下地体
ｌの上に磁性媒体２としてＣｏ Ｎ ｉ Ｐで代表され
る磁性金属が被覆され、その上に保護膜３が被覆され、
その上にふっ素樹、哨４が均一に被覆きれる。
本発明で作られる保護膜３の上に形成されるふっ素樹脂
薄膜は、プラズマ中にガス状ふっ素化炭化水素を導入す
ることにより生じた重合反応により付着される為、膜厚
は２０λ以−トで１％以内の非常に均一な膜に制御する
ことが容易である。
薄膜は、プラズマ中にガス状ふっ素化炭化水素を導入す
ることにより生じた重合反応により付着される為、膜厚
は２０λ以−トで１％以内の非常に均一な膜に制御する
ことが容易である。
プラズマはアルゴンなどの不活性ガスを導入して高周波
電圧をかけて作っても良いＬ２、ガス状ふっ素化炭化水
素のみ導入した後、同様に高周波電圧をかけて作っても
良い。
電圧をかけて作っても良いＬ２、ガス状ふっ素化炭化水
素のみ導入した後、同様に高周波電圧をかけて作っても
良い。
導入するふっ素化炭化水素はガス状であれば良くテトラ
フロロエチンン、ヘキサフロロプロピレノ、ナトラフ０
口メタン、ヘキサフロロエタン。
フロロエチンン、ヘキサフロロプロピレノ、ナトラフ０
口メタン、ヘキサフロロエタン。
オクタフロロプロパン。オクタフロロシクロブタンのい
ずれか１つ又は２種以上の混合物などを用いることが出
来る。
ずれか１つ又は２種以上の混合物などを用いることが出
来る。
次に実施例および比較例により本発明の磁気記憶体の製
造方法を詳細に説明する。
造方法を詳細に説明する。
実施例１
基板１として旋盤加工および熱矯正によって十分小さな
うねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で１０
μｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミ
ニウム合金盤上に下地体２としてニッケルー燐合金を約
５０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐めっき膜
を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍまで鏡面研
磨仕上げした。
うねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で１０
μｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミ
ニウム合金盤上に下地体２としてニッケルー燐合金を約
５０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐めっき膜
を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍまで鏡面研
磨仕上げした。
次にこのニッケルー燐めつき膜の上に金属磁性媒体３と
してコバルト−ニッケルー燐合金を００５μｍの厚さに
めっきした。このコバルト−ニッケルー燐めっき膜の上
に保護膜として特開昭５２−２０８０４号公報に示され
た様なポリ珪酸を回転塗布法により被覆する。
してコバルト−ニッケルー燐合金を００５μｍの厚さに
めっきした。このコバルト−ニッケルー燐めっき膜の上
に保護膜として特開昭５２−２０８０４号公報に示され
た様なポリ珪酸を回転塗布法により被覆する。
次にこの保護膜３を被覆した磁気配憶体を真空チャンバ
中に入れ一担１０””ｔｏｒｒの真空に引いた後、ガス
状ふっ素化炭化水素としてオクタフ口口ンクロブタンを
導入しガス圧１ ｔｏｒｒに保ちなから２００Ｗの高周
波電圧をかけてプラズマを発生させ、重合を開始する。
中に入れ一担１０””ｔｏｒｒの真空に引いた後、ガス
状ふっ素化炭化水素としてオクタフ口口ンクロブタンを
導入しガス圧１ ｔｏｒｒに保ちなから２００Ｗの高周
波電圧をかけてプラズマを発生させ、重合を開始する。
重合開始と四時に、前記保ａ膜３上にふっ素樹脂を膜厚
１００ＸＶｃ均一に付着させて磁気ディスクを作った。
１００ＸＶｃ均一に付着させて磁気ディスクを作った。
実施例２
実施例１と同様にして但しガス状ふっ素化炭化水素とし
てテトラフロロエチレンを用いてふっ素樹脂な膜厚５ｏ
ＸＶｃ均一に付着させて磁気ディスクを作った。
てテトラフロロエチレンを用いてふっ素樹脂な膜厚５ｏ
ＸＶｃ均一に付着させて磁気ディスクを作った。
実施例３
実施例１と同様にして但しガス状ふっ素化炭化水素とし
てヘキサ７０ロプロピレンを用いてぶつ素樹脂を２００
λに均一に付着させて磁気ディスクを作った。
てヘキサ７０ロプロピレンを用いてぶつ素樹脂を２００
λに均一に付着させて磁気ディスクを作った。
実施例４
実施例１と同様にして但しガス状ふっ素化炭化水素とし
てテトラ７０ロエチレンとへキサフロロプロピレンの１
対１の混合物を用いてふっ素樹脂を２ＯＡに均一に付着
させて磁気ディスクを作った。
てテトラ７０ロエチレンとへキサフロロプロピレンの１
対１の混合物を用いてふっ素樹脂を２ＯＡに均一に付着
させて磁気ディスクを作った。
比較例
実施例１と同様にして但し保護膜３上にポリテトラフロ
ロエチレンの０．３μ粒径粉末のアルコール分散液を塗
布した後、ガーゼでワイピングし、ふっ素樹脂を被覆し
た磁気ディスクを作った。
ロエチレンの０．３μ粒径粉末のアルコール分散液を塗
布した後、ガーゼでワイピングし、ふっ素樹脂を被覆し
た磁気ディスクを作った。
以上実施例１〜４及び比較例で示した磁気ディスクを用
いてヘッドとの動摩擦係数、スティックスリップ値を測
定したところ実施例１〜４についてはそれぞれ０１〜０
．２及び０．０５〜０．１．９であったが比較例につい
てはそれぞれ０．３〜０．４及び０．５〜ｌ、０９であ
った。
いてヘッドとの動摩擦係数、スティックスリップ値を測
定したところ実施例１〜４についてはそれぞれ０１〜０
．２及び０．０５〜０．１．９であったが比較例につい
てはそれぞれ０．３〜０．４及び０．５〜ｌ、０９であ
った。
又、２万回のＣ８Ｓ繰り返し摩耗テストを行なったとこ
ろ、実施例１〜４の磁気ディスクは表面の傷および摩耗
跡など全く異常に見られなかったが、比較例の磁気ディ
スクは３０００回で摩耗跡が見られ、５０００回でヘッ
ドクラッシュを生じた。
ろ、実施例１〜４の磁気ディスクは表面の傷および摩耗
跡など全く異常に見られなかったが、比較例の磁気ディ
スクは３０００回で摩耗跡が見られ、５０００回でヘッ
ドクラッシュを生じた。
以上の様に実施例１〜４で示した磁気ディスクはヘッド
の浮揚安定性を損なわず、信頼性に優れた磁気ディスク
装置を製造出来ることが分った。
の浮揚安定性を損なわず、信頼性に優れた磁気ディスク
装置を製造出来ることが分った。
図はそれぞれ本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
図において１／ｌ″ｉ下地体、２は金楓磁性媒体、３は
保瑣膜、４Ｆｉふっ素樹脂である。
保瑣膜、４Ｆｉふっ素樹脂である。
Claims (2)
- （１）鏡ｉｆｉを有する磁気記憶体表面をガス状ふっ素
化炭化水素を流入したプラズマ中にさらし、該磁気記憶
体表面にふっ素樹脂薄膜を形成させることを特徴とする
磁気記憶体の製造方法。 - （２）ふっ素化炭化水素が、テトラフロロエチレン、ヘ
キサフロロプロピレン、テトラフロロメタン、ヘキサフ
ロロエタン、オクタフロロプロｌξン。 オクタフロロンクロブタンのいずれか１つ又Ｆｉ２撞以
上の混合物である特許請求の範ＩＩ！Ａ第１虫記載の磁
気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57074894A JPS58194131A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 磁気記憶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57074894A JPS58194131A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194131A true JPS58194131A (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=13560543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57074894A Pending JPS58194131A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022730A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62149031A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Csk Corp | 表面処理をした磁性媒体 |
| US4892789A (en) * | 1984-12-25 | 1990-01-09 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP57074894A patent/JPS58194131A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022730A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US4892789A (en) * | 1984-12-25 | 1990-01-09 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
| JPS62149031A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Csk Corp | 表面処理をした磁性媒体 |
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